CN104637436B - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备包括：发光单元，该发光单元包括有机发光二极管；像素电路单元，该像素电路单元包括：被配置为驱动发光单元的电路；和被配置为向电路施加信号的线路；和挡光层，该挡光层覆盖像素电路单元，并且被配置为阻挡输入到像素电路单元的光；和修复部，该修复部布置在挡光层中，该修复部被配置为当缺陷出现在包括像素电路单元的像素中时修复线路。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
技术领域
以下描述涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地说，涉及一种用于防止在面板中所形成的缺陷像素的修复过程中出现短路的有机发光显示设备。
背景技术
近年来，面向信息的社会已到来，由于平板显示设备薄且重量轻的良好特性以及低功耗的实现，平板显示设备越来越重要。在平板显示设备中，包括薄膜晶体管(TFT)的液晶显示(LCD)设备具有良好的分辨率、色彩显示和图像质量，由此被商业化为用于笔记本计算机、平板计算机和桌上型计算机的显示设备。具体地，有机发光显示(OLED)设备是自发光设备，并且具有快速响应时间、低功耗、高发光效率和宽视角。因此，有机发光显示设备作为下一代平板显示设备备受瞩目。
下文中，将参照附图来描述现有技术的有机发光显示设备。
图1是例示现有技术的有机发光显示设备的示意图。
参照图1，现有技术的有机发光显示设备包括发光单元OA，该发光单元OA包括有机发光二极管OLED；电路，该电路用于驱动发光单元；以及像素电路单元CA，该像素电路单元CA包括用于向上述电路施加信号的线路。
像素电路单元CA包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和电容器Cst。
像素电路单元CA包括数据线DL，通过该数据线DL向第一开关晶体管ST1提供数据电压Vdata；选通线GL，通过该选通线GL提供扫描信号Scan；电源线PL，通过该电源线PL向驱动晶体管DT提供第一驱动电压Vdd；感测信号线SL，通过该感测信号线SL向第二开关晶体管ST2提供感测信号Sense；以及基准电压线RL，通过该基准电压线RL提供基准电压Vref。第一开关晶体管ST1包括栅极，该栅极连接到选通线GL；源极，该源极连接到数据线DL；以及漏极，该漏极连接到第一节点N1和驱动晶体管DT的栅极。第二开关晶体管ST2包括栅极，该栅极连接到感测信号线SL；源极，该源极连接到基准电压线RL；以及漏极，该漏极连接到第二节点N2，该第二节点N2连接到驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED。
发光单元OA中包括的有机发光二极管OLED电连接在驱动晶体管DT的源极与阴极电压Vss端子之间。有机发光二极管OLED用从驱动晶体管DT提供的数据电流Ioled发光。
在这种情况下，像素电路单元CA包括挡光层20，该挡光层20形成为用于防止外部光输入到第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT。
在现有技术的有机发光显示设备中，当像素缺陷出现在像素电路单元CA中时，为了解决像素缺陷，执行修复过程。修复过程是使用激光来修复基板中的像素缺陷的过程。
然而，在现有技术的有机发光显示设备中，因为挡光层20形成在整个像素电路单元CA中，所以难以找到出现像素缺陷的修复区域。
而且，当用激光去除挡光层20(形成在修复区域中)以执行修复过程时，次级短路出现在挡光层20与晶体管的金属层之间。
发明内容
因此，本发明的实施方式致力于基本上消除由于相关技术的缺陷和缺点导致的一个或更多个问题的触摸传感器集成式显示设备及其制造方法。
实施方式的目的是提供一种能够容易找到修复区域(像素缺陷出现在像素电路单元中)的有机发光显示设备，并且防止在修复过程期间在挡光层与晶体管的金属层之间出现次级短路。
本公开的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地得到阐述，并且，在某种程度上，对于阅读下面内容的本领域普通技术人员将变得明确，或者可以通过本发明的实践来得到了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本发明的一个方面的目的，提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：发光单元，该发光单元包括有机发光二极管；像素电路单元，该像素电路单元包括被配置为驱动所述发光单元的电路、被配置为向所述电路施加信号的线路、挡光层，该挡光层覆盖所述像素电路单元，并且被配置为阻挡输入到所述像素电路单元的光、和修复部，该修复部布置在所述挡光层中，所述修复部被配置为当缺陷出现在包括所述像素电路单元的像素中时修复所述线路。
在另一个方面中，提供了一种制造有机发光显示设备的方法，该方法包括以下步骤：设置包括有机发光二极管的发光单元；设置像素电路单元，该像素电路单元包括被配置为驱动所述发光单元的电路和被配置为向所述电路施加信号的线路；设置挡光层，该挡光层覆盖所述像素电路单元，并且被配置为阻挡输入到所述像素电路单元的光；以及设置修复部，该修复部布置在所述挡光层中，所述修复部被配置为当缺陷出现在包括所述像素电路单元的像素中时修复所述线路。
查阅以下附图和详细描述之后，对于本领域技术人员来说，其他系统、方法、特征和优点将是或将变得显而易见。旨在将所有这些另外的系统、方法、特征和优点包括在该说明书中、本公开的范围内，并由以下权利要求保护。该部分中的内容都不应当被认为是对这些权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。应该理解，对本公开的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解并被并入且构成本说明书的一部分，附图例示本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是例示现有技术的有机发光显示设备的示意图。
图2是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。
图3是例示图2的A部分的剖面图。
图4是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。
图5是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。
图6是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。
在整个附图和详细描述中，除非另有描述，否则，应理解的是，相同的附图标记指代相同元件、特征和结构。为了清楚、例示和方便，可能扩大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示了本发明的实施方式的示例。在以下描述中，当与该文档有关的公知功能或构造的详细描述被确定为不必要地会使本发明的要点模糊时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进行是示例；然而，除了必须以特定顺序出现的步骤和/或操作之外，步骤和/操作的顺序不限于这里所阐述的，可以如现有技术中已知的那样进行改变。相同的附图标记通篇指定相同元件。以下说明中使用的各个元件的名称仅为了方便撰写本说明书而选择，因此可以与实际产品中使用的名称不同。
在实施方式的描述中，当一个结构被描述为位于另一结构的“上面或上方”或“下面或下方”时，该描述应当被理解为包括结构彼此接触的情况以及第三结构设置在二者之间的情况。
下文中，将参照附图详细地描述实施方式。
图2是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。
如图2的示例中可见，根据实施方式的有机发光显示设备可以包括发光单元OA，该发光单元OA包括有机发光二极管OLED；以及像素电路单元CA，该像素电路单元CA可以包括用于驱动发光单元的电路和用于向该电路施加信号的线路。在一个示例中，像素电路单元CA可以包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和电容器Cst。
线路可以包括选通线GL、感测信号线SL、数据线DL、驱动电源线PL和基准电压线RL中的至少一条。线路可以包括可沿第一方向(例如，水平方向)排布的第一线路。
选通线GL和感测信号线SL可以对应于第一线路。选通线GL和感测信号线SL可以与第一方向(例如，水平方向)平行地形成。在一个示例中，可以从选通驱动器(未示出)向选通线GL施加扫描信号(例如，选通驱动信号)，并且感测信号可以施加于感测信号线SL。
数据线DL可以在第二方向(例如，垂直方向)上形成，以使得选通线GL与感测信号线SL交叉。在一个示例中，可以从数据驱动器(未示出)向数据线DL提供数据电压Vdata。基准电压线RL可以与数据线DL平行形成，并且可以向基准电压线RL提供基准电压Vref。驱动电源线PL可以与数据线DL平行形成，并且可以向驱动电源线PL提供第一驱动电压Vdd。
第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT中的每一个可以是例如N型晶体管，并且可以是例如非晶硅(a-Si)晶体管、多晶硅(poly-Si)晶体管、氧化物晶体管或有机晶体管。然而，实施方式不限于此。例如，晶体管ST1、ST2和DT中的每一个可以由P型晶体管形成。如本领域技术人员所理解的，也可以改变材料。
第一开关晶体管ST1可以包括栅极，该栅极连接到选通线GL；源极(例如，第一电极)，该源极连接到数据线DL；以及漏极(例如，第二电极)，该漏极可以连接到驱动晶体管DT的栅极和第一节点N1。第一开关晶体管ST1可以根据提供给选通线GL的具有栅极导通电压电平的扫描信号而导通，并且可以通过数据线DL向第一节点N1(例如，驱动晶体管DT的栅极)提供数据电压Vdata。
第二开关晶体管ST2可以包括栅极，该栅极连接到感测信号线SL；源极(例如，第一电极)，该源极连接到基准电压线RL；以及漏极(例如，第二电极)，该漏极连接到第二节点N2，该第二节点N2连接到驱动晶体管DT和有机发光二极管OLED。第二开关晶体管ST2可以根据提供给感测信号线SL的具有栅极导通电压电平的感测信号而导通，并且可以通过基准电压线RL向驱动晶体管DT的漏极提供基准电压Vref。
电容器Cst可以连接在驱动晶体管DT的栅极与漏极(例如，第一节点N1和第二节点N2)之间。电容器Cst可以充有提供给第一节点N1的电压与提供给第二节点N2的电压之间的电压差，并且可以用充电电压导通驱动晶体管DT。
驱动晶体管DT可以包括栅极，该栅极可以与第一开关晶体管ST1的漏极和电容器Cst的第一电极共同连接。驱动晶体管DT可以包括连接到驱动电源线PL的源极。而且，驱动晶体管DT可以包括漏极，该漏极可以与第二开关晶体管ST2的漏极、电容器Cst的第二电极和有机发光二极管OLED的阳极共同连接。在每个发光时段可以用电容器Cst的电压导通驱动晶体管DT，并且驱动晶体管DT可以控制从第一驱动电压Vdd端子流到有机发光二极管OLED的电流量。
有机发光二极管OLED可以利用从驱动晶体管DT提供的数据电流Ioled而发光，以发出具有与数据电流Ioled对应的亮度的单色光。有机发光二极管OLED可以包括阳极(未示出)，该阳极连接到第二节点N2；有机层(未示出)，该有机层形成在阳极上；以及阴极(未示出)，该阴极形成在有机层上。
有机层可以形成为具有空穴传输层/有机发光层/电子传输层的结构或空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子传输层/电子注入层的结构。另外，有机层还可以包括用于提高有机发光层的发光效率和/或寿命的功能层。在一个示例中，可以通过可形成为线路类型的第二驱动电源线(未示出)向有机发光二极管OLED的阴极提供第二驱动电压Vss。
在一个实施方式中，用于阻挡输入到像素电路单元CA的光的挡光层200可以形成在像素电路单元CA中。即，挡光层200可以覆盖像素电路单元CA。挡光层200可以包括用于修复线路(例如，选通线GL、感测信号线SL、数据线DL、驱动电源线PL和基准电压线RL中的至少一条)的修复部RA。
修复部RA可以与线路交叠，使得线路可以是开放的。即，挡光层200可以不形成在修复部RA中，由此，可以防止在修复过程期间形成挡光层200与晶体管的金属层之间的次级短路。
根据实施方式的修复部RA可以设置在第一线路与第二线路交叉的区域中。即，线路可以包括第一线路，该第一线路可以在第一方向上排布；以及第二线路，该第二线路可以在与第一方向不同的第二方向上排布。例如，第一线路可以包括选通线GL和感测信号线SL中的一条或更多条，并且第二线路可以包括数据线DL、基准电压线RL和驱动电源线PL中的一条或更多条。
图3是例示图2的A部分的剖面图。
如图3的示例中可见，基板100可以包括发光单元OA、像素电路单元CA和修复部RA。基板100可以由透明绝缘基板形成，该透明绝缘基板由例如玻璃、石英、陶瓷或塑料形成。然而，实施方式不限于此。例如，当基板100由塑料形成时，基板100可以由柔性基板形成。挡光层200可以形成在包括像素电路单元CA的基板100上的图案中。
修复部RA可以对应于第一线路与第二线路交叉的区域。在一个示例中，第一线路可以包括选通线GL和感测信号线SL中的一条或更多条，并且第二线路可以包括数据线DL、基准电压线RL和驱动电源线PL中的一条或更多条。
挡光层200可以防止外部光输入到晶体管或干扰晶体管。挡光层110可以由非晶硅和非晶锗中的一种形成，并且可以由遮光材料形成，但不限于此。在一个示例中，挡光层200可以不形成在修复部RA中。这可以防止在修复像素缺陷时，可能出现在第一线路与第二线路之间的次级短路。更详细地，当短路形成在选通线GL与第一驱动电压线PL之间并且短路形成在感测信号线SL与第一驱动电压线PL之间时，像素缺陷会出现在第一线路与第二线路交叉的修复部RA中。
缓冲层300可以形成在整个挡光层200与基板100上。缓冲层300可以由透光绝缘材料(诸如氧化硅或氮化硅)形成(虽然实施方式不限于此)。缓冲层300可以防止水或杂质的扩散和渗透发生在基板100中，并且可以使表面平滑。
有源层400可以形成在包括像素电路部CA的基板100上的图案中。有源层400可以由诸如In-Ga-Zn-O(IGZO)的氧化物半导体形成，但不限于此。
在一个示例中，当光入射到有源层400上时，可能出现阈值电压漂移，这造成设备的可靠性下降。具体地，当有源层400由氧化物半导体形成时，阈值电压漂移可能变得严重。为了防止这种问题，用于阻挡光的挡光层200可以形成在有源层400下面。
栅绝缘层500可以形成在基板100上的图案中。栅绝缘膜500可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机基绝缘材料形成。然而，实施方式不限于此。栅绝缘膜500可以由诸如感光亚克力或苯并环丁烯(BCB)的有机基绝缘材料形成。其他材料也可以包括在实施方式中。
栅极600可以形成在像素电路单元CA的栅绝缘层500上，并且选通线GL可以形成在修复部RA的栅绝缘层500上。栅极600、感测信号线SL和选通线GL中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金形成，并且可以由单层或双层或更多层金属和合金形成。应当理解，实施方式不限于这些材料。
层间电介质700可以包括可使有源层400的两端露出的接触孔，并且可以形成在基板100上的图案中。层间电介质700可以由无机基绝缘材料(诸如氧化硅或氮化硅)形成，但不限于此。
第一电极810和第二电极830可以形成在晶体管区域中的层间电介质700上，并且可以彼此面对。第一电极810可以是源极，并且第二电极830可以是漏极(虽然如本领域技术人员所理解的，这些可以根据例如晶体管类型和应用而进行转换)。第一电极810和第二电极830可以通过接触孔连接到有源层400。
第一电极810和第二电极830中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其合金形成，并且可以由单层或双层或更多层金属和合金形成。材料不限于此。
驱动电源线PL可以形成在修复部RA的层间电介质700上。驱动电源线PL可以与选通线GL和感测信号线SL垂直交叉，并且修复部RA可以设置在驱动电源线PL与选通线GL和感测信号线SL交叉的部分处。
保护层900可以形成在基板100上，并且可以包括露出第二电极830的接触孔。保护层900可以由丙烯酸基化合物形成(虽然实施方式不限于此)。
阳极1000可以形成在保护层900上的图案中。阳极1000可以通过接触孔电连接到第二电极830。在一个示例中，阳极1000可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明金属形成(虽然实施方式不限于此)。
图4是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。除了改变修复部RA之外，图4示例的有机发光显示设备与图2示例的有机发光显示设备大致类似。由此，相同的附图标记指代相同元件，并且不重复类似元件的描述。
如图4的示例可见，根据实施方式的有机发光显示设备可以包括发光单元OA，该发光元件OA包括有机发光二极管OLED；以及像素电路单元CA，该像素电路单元CA可以包括用于驱动发光单元OA的电路和用于向该电路施加信号的线路。
在一个示例中，用于阻挡输入到像素电路单元CA的光的挡光层200可以形成在像素电路单元CA中，并且可以包括可与线路交叠使得线路可以开放的修复部RA。即，挡光层200可以覆盖像素电路单元CA。修复部RA可以形成在挡光层200中，以露出线路。
线路可以包括可排布第一方向上的第一线路，并且根据实施方式的修复部RA可以形成为与第一线路相对应地沿着第一线路延伸。修复部RA可以形成为沿着线路(例如，选通线RL、感测信号线SL、数据线DL、基准电压线RL和驱动电源线PL)而开放。
因此，其中形成修复部RA的挡光层200可以阻挡输入到第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT的光，并且可以防止信号失真出现在挡光层200与线路之间。
图5是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。除了改变修复部RA之外，图5的有机发光显示设备与图2的有机发光显示设备大致类似。由此，相同的附图标记指代相同元件，并且不重复类似元件的描述。
如图5的示例可见，根据实施方式的有机发光显示设备可以包括发光单元OA，该发光单元OA包括有机发光二极管OLED；以及像素电路单元CA，该像素电路单元CA可以包括用于驱动发光单元OA的电路和用于向该电路施加信号的线路。
在一个示例中，用于阻挡输入到像素电路单元CA的光的挡光层200可以形成在像素电路单元CA中，并且可以包括可与线路交叠使得线路可以开放的修复部RA。即，挡光层200可以覆盖像素电路单元CA。
电路可以包括电容器Cst、第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT。根据实施方式的修复部RA可以形成为在电容器Cst与第二开关晶体管ST2之间的线路、电容器Cst与驱动晶体管DT之间的线路、驱动晶体管DT与第二开关晶体管ST2之间的线路、以及连接到第二开关晶体管ST2的线路中的至少一条上设置开口。
根据实施方式，输入到晶体管的外部光可以由挡光层200阻挡。而且，可以通过利用修复部RA来确保透光率，该修复部RA可以是挡光层200打开的区域。因此，制造根据实施方式的有机发光显示设备的制造商可以确定并修复像素缺陷出现的修复区域，这可以提高有机发光显示设备的产率和质量。
图6是例示根据实施方式的有机发光显示设备的示意图。除了改变修复部RA之外，图6的有机发光显示设备与图2的有机发光显示设备大致类似。由此，相同的附图标记指代相同元件，并且不重复类似元件的描述。
如图6示例中可见，根据实施方式的有机发光显示设备可以包括发光单元OA，该发光单元OA包括有机发光二极管OLED；和像素电路单元CA，该像素电路单元CA可以包括用于驱动发光单元OA的电路和用于向电路施加信号的线路。
在一个示例中，用于阻挡输入到像素电路单元CA的光的挡光层200可以形成在像素电路单元CA中，并且可以包括修复部RA，该修复部RA包括可以分别形成在线路的每一侧而不与线路交叠的第一修复部RA1和第二修复部RA2。电路可以包括电容器Cst、第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2和驱动晶体管DT。
根据实施方式的修复部RA可以形成为在电容器Cst与第二开关晶体管ST2之间的线路、电容器Cst与驱动晶体管DT之间的线路、驱动晶体管DT与第二开关晶体管ST2之间的线路、以及连接到第二开关晶体管ST2的线路中的至少一条上是开放的。
第一修复部RA1和第二修复部RA2可以不与线路交叠，并且挡光层200可以不形成在线路的侧部。因此，线路的侧部可以是开放的。根据实施方式，当像素缺陷出现时，制造商可以用例如激光切开第一修复部RA1和第二修复部RA2，并且可以经由线路通过开口修复第一修复部RA1和第二修复部RA2。而且，根据实施方式，输入到晶体管的外部光可以被挡光层200阻挡，并且可以检测像素缺陷出现的修复区域。
虽然像素电路单元CA在上文中已被描述为具有3T1C(三个晶体管、一个电容器)结构(包括第一开关晶体管ST1、第二开关晶体管ST2、驱动晶体管DT和电容器Cst)，但是实施方式不限于此。例如，像素电路单元CA可以具有2T1C(两个晶体管、一个电容器)结构。在这种情况下，可以不设置连接到第二开关晶体管ST2的线路上所设置的修复部RA。
如上所述，可以设置包括用于在出现像素电路单元的像素缺陷时修复线路的修复部的挡光层，这可以防止在修复过程中在挡光层与晶体管的金属层之间出现次级短路。而且，通过设置包括修复部的挡光层，可以防止外部光在修复过程中被输入，或干扰晶体管，并且可以检测像素缺陷，这可以提高有机发光显示设备的产率和质量。
而且，通过设置包括修复部的挡光层，可以防止挡光层与线路之间的信号失真。而且，第一修复部和第二修复部可以分别设置在线路的一侧和另一侧(两侧)上，使得它们可以不与线路交叠，由此，可以尽可能多地防止外部光输入到晶体管，这可以辅助找到修复区域。
很明显，对于本领域技术人员而言，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和变化。因此，本发明的实施方式旨在涵盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的本发明的修改和变型。
本申请要求2013年11月6日提交的韩国专利申请10-2013-0134429的权益和优先权，此处为了一切目的以引证的方式并入其全部公开。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：
发光单元，该发光单元包括有机发光二极管；
像素电路单元，该像素电路单元包括：
被配置为驱动所述发光单元的电路；和
被配置为向所述电路施加信号的线路；和
挡光层，该挡光层覆盖所述像素电路单元，并且被配置为阻挡输入到所述像素电路单元的光；和
修复部，该修复部布置在所述挡光层中，所述修复部被配置为当缺陷出现在包括所述像素电路单元的像素中时修复所述线路。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述修复部与所述线路交叠，以使得挡光层包括在所述线路上方的开口。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述线路包括：
第一线路，该第一线路排布在第一方向上；以及
第二线路，该第二线路排布在与所述第一线路不同的第二方向上，并且
所述修复部设置在所述第一线路与所述第二线路交叉的区域中。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述线路包括排布在第一方向上的第一线路；并且
所述修复部与所述第一线路相对应地沿着所述第一线路延伸。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，
所述电路包括：
电容器；
开关晶体管；以及
驱动晶体管；并且
所述修复部被设置为在以下线路中的至少一条线路上方形成开口：所述电容器与所述开关晶体管之间的线路、所述电容器与所述驱动晶体管之间的线路、所述驱动晶体管与所述开关晶体管之间的线路和连接到所述开关晶体管的线路。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述修复部包括第一修复部和第二修复部，所述第一修复部和所述第二修复部分别设置在所述线路的一侧和另一侧处，并且不与所述线路交叠。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，
所述电路包括：
电容器；
开关晶体管；以及
驱动晶体管；并且
所述修复部被设置为在以下线路中的至少一条线路的一侧和另一侧处形成开口：所述电容器与所述开关晶体管之间的线路、所述电容器与所述驱动晶体管之间的线路、所述驱动晶体管与所述开关晶体管之间的线路和连接到所述开关晶体管的线路。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，所述挡光层不形成在所述第一修复部和第二修复部中。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述线路包括选通线、数据线、驱动电源线、感测信号线和基准电压线中的至少一条。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述挡光层包括非晶硅或非晶锗中的一种或更多种。
11.一种制造有机发光显示设备的方法，该方法包括以下步骤：
设置包括有机发光二极管的发光单元；
设置像素电路单元，该像素电路单元包括：
被配置为驱动所述发光单元的电路；和
被配置为向所述电路施加信号的线路；以及
设置挡光层，该挡光层覆盖所述像素电路单元，并且被配置为阻挡输入到所述像素电路单元的光；以及
设置修复部，该修复部布置在所述挡光层中，所述修复部被配置为当缺陷出现在包括所述像素电路单元的像素中时修复所述线路。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述修复部与所述线路交叠，以使得挡光层包括在所述线路上方的开口。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，
设置所述线路包括：
设置第一线路，该第一线路排布在第一方向上；以及
设置第二线路，该第二线路排布在与所述第一线路不同的第二方向上，并且
所述修复部设置在所述第一线路与所述第二线路交叉的区域中。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
设置所述线路包括设置排布在第一方向上的第一线路；并且
所述修复部与所述第一线路相对应地沿着所述第一线路延伸。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，
设置所述电路包括：
设置电容器；
设置开关晶体管；以及
设置驱动晶体管；并且
所述修复部被设置为在以下线路中的至少一条线路上方形成开口：所述电容器与所述开关晶体管之间的线路、所述电容器与所述驱动晶体管之间的线路、所述驱动晶体管与所述开关晶体管之间的线路和连接到所述开关晶体管的线路。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述修复部包括分别在所述线路的一侧和另一侧处设置不与所述线路交叠的第一修复部和第二修复部。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
设置所述电路包括：
设置电容器；
设置开关晶体管；以及
设置驱动晶体管；并且
所述修复部被设置为在以下线路中的至少一条线路的一侧和另一侧处形成开口：所述电容器与所述开关晶体管之间的线路、所述电容器与所述驱动晶体管之间的线路、所述驱动晶体管与所述开关晶体管之间的线路和连接到所述开关晶体管的线路。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述挡光层不形成在所述第一修复部和第二修复部中。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述线路包括设置选通线、数据线、驱动电源线、感测信号线和基准电压线中的至少一条。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述挡光层包括非晶硅或非晶锗中的一种或更多种。
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