CN101901569A - 制造显示器面板的方法及配备有可修复元件的显示器面板 - Google Patents

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保卢斯·约瑟夫·赫拉尔杜斯·玛丽·范格林斯文
彼得鲁斯·约翰内斯·赫拉尔杜斯·范利斯豪特
约里斯·彼得·瓦伦蒂耶·马斯
威廉默斯·许贝特斯·曼德斯
约翰·席勒曼斯
埃里克·范费恩恩达尔
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Abstract

制造显示器面板的方法及配备有可修复元件的显示器面板，本发明涉及一种可由包含至少一个结构元件(a)的有源矩阵驱动器控制的成像元件的显示器面板，其中至少一个结构元件(a)包括多个子单元(b1、b2、b3)，其电连通性(c1、c2、c3)是可改变的，用于修复与结构元件(a)相关的电性变形。

Description

制造显示器面板的方法及配备有可修复元件的显示器面板
技术领域
本发明涉及一种可由包含结构元件的有源矩阵驱动器控制的显示器面板，所述显示器面板配备有能够修复与结构元件相关的电连通性变形的装置。本发明还涉及一种制造可由有源矩阵驱动器控制的显示器面板的方法。 
背景技术
我们在本段开始所提出的显示器面板的实施例可以从US 6327 007 B1中获知。已知的显示器面板涉及液晶显示器(LCD)阵列，其包括基板、基板上的多条栅极线、基板上的多条数据线、具有由多条栅极线和数据线限定的多个像素的有源显示区域、以及部分地设置在有源显示区域上并且互相分离的至少两条修复线。修复线是以各自闭环的方式构造的，其通过桥结构的方式互相替换(displace)并且彼此平行地电连接。至少一个桥结构设置在多条栅极线中的一条之下，其间具有第一绝缘层。该环路是由基本上与显示区域的相应几何边界平行布置的两条纵向线和两条横向线形成的。纵向线设置在非显示区域中或设置在有源显示区域之外，而不与数据线重叠。横向线具有在数据线之下的第一区域中的突起，该第一区域与设置有栅极线的第二区域不同。将环路互连的桥结构在相邻修复线的对应纵向线上延伸，而第二绝缘层设置在桥结构和修复线之间。 
在当数据线具有电性变形(例如断路)的情况下，可以通过将数据线的端部从提供的环路电连接到相应的合适的修复线来进行修复，从而为信号提供备选路径。然后，将最初的环路切断以激活适当的电路。 
发明内容
在US 6 327 007 B1中描述的已知的显示器结构的缺点在于只能修复电中断线路。已知的显示器面板的另外的缺点在于由于附加的电绝缘层使得导电修复线与有源矩阵的栅极线和数据线相分离。附加的绝缘层中的潜在的故障可能会导致不希望发生的短路。
本发明的目的是提供一种可由有源矩阵驱动器控制的显示器面板，其电性变形可以被容易且可靠地修复，而不会导致显示器面板的层结构的过度复杂性。 
为此，根据本发明，在可由包含至少一个结构元件的有源矩阵驱动器控制的显示器面板中，该至少一个结构元件包括多个子单元，多个子单元的电连通性是可改变的，用于修复与至少一个结构元件相关的电性变形(electrical malformation，电故障)。 
本发明的技术方案基于如下理解：通过设置多个子单元或子部分而适当地复用(multiplexing)结构元件，可以容易且可靠地修复诸如电路中的断路或电路中的短路的电性变形。多个子单元或子部分可以至少部分地集成在有源矩阵驱动器的电路中，使得单独的操作(例如，在短路时断开，或在断路时连接)就足以用于修复。 
根据本发明的显示器面板的优点在于该应用是由存在于显示器层结构中的用于使能修复的电绝缘层组成的，因此不需要另外的电绝缘层。 
应当理解，在US 6 327 007 B1中获知的显示器面板中，修复环路是没有至少部分地电连接至栅极线或数据线的自动结构，从而必须首先将数据线或栅极线适当的连接至修复环路，之后将环路切断，以使能适当的电路。此外，已知的修复环路不适用于修复有源矩阵驱动器的电路中的短路。 
开始段中提出的显示器面板的另一实施例是从US 5 744 821中获知的。在该实施例中，可以使用所谓的导电黑矩阵层来修复断开的数据线，在具有背光的LCD显示器中需要这样的导电黑矩阵层以防止背光透过不能切换的像素区域。黑矩阵层是基于不透明的导电区的，其通过一个或多个绝缘层与栅极电极层分离以及与源极电极层和漏极电极层分离。 
在US 5 744 821中描述的已知的显示器结构的缺点在于，其假设黑矩阵层与绝缘层组合使用，而将导电黑矩阵层与栅极层和源极层、漏极层分离。然而，在许多类型的显示器中，不需要也不使用这样的黑矩阵层。 
开始段中提出的显示器面板的又一实施例是从US 2007/0224742 A1中获知的。在该实施例中，像素电极的一部分位于数据线之上，数据线具有从该线延伸的修复部分。在像素电极与有源矩阵开关断开的情况下，可以利用数据线的修复部分将像素电极电连接至数据线。 
US 2007/0224742 A1中描述的已知的显示器结构的缺点在于，在通过将像素电极连接至数据线而进行修复之后，像素单元将会随由数据线的驱动信号引起的高频而连续变化。因此，由修复的像素呈现的信息将会是显示器的列线上的信息的平均值。 
在根据本发明的显示器面板的实施例中，至少一个结构元件可选自由以下组成的组：存储电容器、有源元件、导线以及导电的像素电极区域。可以给出有源元件的多种实例，如例如，二极管(包括TFD(薄膜二极管))、FET(场效应晶体管)、MIM(金属-绝缘层-金属)开关以及光学开关。经常使用的一种类型的FET是所谓的TFT(薄膜晶体管)。 
我们发现，通过适当地复用这些结构中的一个或多个，可以容易地修复有源矩阵驱动器的电路中的电性变形，而不会引起有源矩阵驱动器的电特性的过度降低。 
例如，在根据本发明的显示器面板的实施例中，至少一个结构元件可以与存储电容器相关，该存储电容器被布置为由修复线互相电连接的多个电容单元。 
因此，当在一个电容单元中检测到短路时，可以通过切断(例如，通过激光切断)将该电容单元断开，而不干扰其他的电容单元。这仅会使存储电容的总值稍微减小。这是相对于通常使用的修复步骤(其中，短路电容整体被断开)的优点。 
在根据本发明的显示器面板的另一示例性实施例中，至少一个结构元件与有源元件相关，例如TFT，其中，配置有第一TFT和至少一个第二TFT，以及其中，至少一个TFT是电性备用的。 
一般地，显示器面板的每个像素通常配备有单个TFT，用于驱动该像素，具有给定的沟道宽度W和沟道长度L。源极是连接至数据线的电极，也称为列线。漏极连接至像素电极。栅极连接至栅极线，也称为行线、或选择线、或扫描线。TFT内部产生的短路会导致栅极与源极之间的短路，引起线路故障；或导致源极与漏极之间的短路，引起像素故障；或导致栅极与漏极之间的短路，引起像素 故障。根据本发明，通过配置至少两个TFT结构来复用TFT结构，其中的一个TFT结构是电性备用的。应当理解，在本申请的上下文中使用的术语“电性备用”指的是至少部分连接至有源矩阵驱动器的现有电路的结构，或在有源矩阵驱动器的电路中完全形成电路的结构。 
优选地，通过将单个的TFT结构进一步分割以产生第一TFT和至少一个第二TFT，来复用TFT结构。例如，具有沟道宽度W和沟道长度L的单个TFT可以进一步分割成x个更小的TFT，例如，每个均具有W/x的沟道宽度和L的沟道长度。以这种方式，复用的TFT形成有源矩阵驱动器的现有电路的部分，这可以将修复与TFT结构相关联的短路所需的操作数量最小化。可替换地，不必再分割成多个相同的更小的TFT，多个TFT的数量等于总的沟道宽度(W)与沟道长度(L)的比的任何分割均是可行的。例如，具有W/L比为500毫米/5毫米(W/L＝500/5＝100/1)的单个TFT可被分割成4个均具有W/L比为125毫米/5毫米的相同的彼此平行的TFT，或分割成例如3个不同的彼此并行的TFT，第一个具有W/L比为150毫米/7.5毫米，第二个具有W/L比为250毫米/5毫米，第三个具有W/L比为300毫米/10毫米。 
应当理解，电路中的短路的绝对尺寸可以具有大于TFT结构的尺寸的更大值，使其难以以简单的方式使能其修复。根据依照本发明的显示器面板的另一实施例，第一TFT和至少一个第二TFT沿栅极线相隔一定距离而可相互替换，该距离大于TFT沿栅极线的尺寸。可替换地或附加地，第一TFT和至少一个第二TFT沿数据线相隔一定距离而可相互替换，该距离大于TFT沿数据线的尺寸。以这些方式，可以容易地实施通过切断第一TFT或第二TFT的激光修复，而不损坏有源矩阵驱动器的其他组件的电集成性。 
在根据本发明的显示器面板的又一实施例中，至少一个结构元件包括配置有以环路形式互连的部分的导线。 
我们发现，故障的另一来源是由栅极线与源极线之间的交叉的短路引起的。在现有技术状态下，至今仍没有解决该问题的方案。具体地，已知的方案包括在栅极线与漏极线之间设置附加层，这对于半导体层布置在栅极层与源极/漏极层之间的TFT是可行的。对于共面结构的TFT，例如对于底栅型的TFT或顶栅型的TFT，为了减小短路对交叉的影响并使修复成为可能，需要附加的处理步骤。 
根据本发明，交叉区域中的线路的一部分被闭环复用，通过切断一个环臂(loop arm)来使能对交叉中的短路的电修复。 
在根据本发明的显示器面板的又一个实施例中，像素电极连接至TFT的漏极，并包括两个或更多由修复线互相电连接的子像素段。 
在邻近的像素电极之间发生短路是可能的。现有技术中已知的传统修复方法通常包括沿着分割短像素部分的曲线进行大范围的激光切割。根据本发明，像素电极配备有两个或更多由修复线互相电连接的子像素段。结果，可以通过经由对应修复线的切割对短路像素段进行分割来设计电短路的简单的修复。 
优选地，根据本发明的显示器面板涉及反射显示器类型或顶发射有机发光二极管(OLED)显示器类型。 
该特征是基于对可由有源矩阵驱动器操控的显示器面板的底板包括多个像素单元的理解的，其中，像素单元用于驱动显示效果层，例如，反射电泳显示效果、或反射液晶显示效果、或反射电湿显示效果、或反射胆甾型(cholesteric)液晶效果。有源矩阵驱动器 (也称为有源矩阵底板)包括不同层的堆叠，其中顶部显示效果层可以包括约总显示区域的95％，并且可以基本覆盖底板的不同层。通常，底板包括：存储电容器、列线、行线、有源元件(例如TFT)、以及连接至有源元件的像素电极，其可以覆盖存储电容器、列线、行线和有源元件。反射型显示器没有对关于设置修复结构的空间限制的限定。因此，特别是对于反射型显示器，有源矩阵驱动器的结构元件可以容易地被复用，以使能与结构元件相关联的电性变形的简单可靠的修复。此外，根据本申请的数据的成像元件可以与像素或点(也被称为子像素)相关，后者应用于彩色显示器。 
优选地，以修复位置位于不干扰临界层的区域的方式设计有源矩阵驱动器，该临界层位于该修复位置的下方或顶部。通过限定实际的修复位置(其中在需要修复的情况下在该位置进行切割或焊接)，任何人均能够确保没有临界层位于可能的切割或焊接位置的下方或顶部。以这种方式，消除了产生其他临界层的不期望出现的切割或焊接的风险。 
在根据本发明的显示器面板的另一实施例中，第一电极层与第二电极层重叠，这两层由介电层电绝缘，其中，至少一个结构元件与第一电极层和/或第二电极层的电极区域相关，第一电极层的电极区域与第二电极层的电极区域部分地重叠。 
在显示器面板的底板中，每个电极层通常限定电路的几个部分。例如，第一电极层可以限定存储电容器的部分、TFT的栅极衬垫以及栅极线；而第二电极层可以限定TFT的源极衬垫和漏极衬垫、存储电容器的部分和源极线。在制造中，不想要的横向短路可能发生在单个电极层的内部。根据本发明，可以在第一层中产生备用电极区域，该区域与第二电极至少部分地重叠，并通过介质层与该第二电极电绝缘。在第一电极层中发生横向短路时，可以通过借助于在第一层的适当区域中进行的激光切割以及借助于使用重叠 区域中的第二层创建的旁路接触而将第一层中的故障部分断开，以对其进行修复。下面将参照附图更详细地讨论该实施例。应当理解，可以为栅极线和源极线设计这样的重叠。 
一种制造显示器面板的方法，该显示器面板包括：可由有源矩阵驱动器控制的成像元件，该有源矩阵驱动器包含至少一个结构元件；该方法包括使至少一个结构元件配置有至少一个备用单元的步骤。 
根据本发明的该方法的另外的优选实施例在权利要求15～18中提出。 
下面将参照附图进一步讨论本发明的这些及其他的方面，其中，相同的参考标号表示相同的元件。应当理解，所呈现的附图是用于示意性的，并不用来限定所附权利要求的范围。 
附图说明
图1示出了适于实施本发明的显示器面板的各自的底板的实施例的示意图。 
图2示出了根据本发明的显示器面板的一部分的实施例的示意图。 
图3示出了根据本发明的显示器面板的一部分的另一个实施例的示意图。 
图4示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一个实施例的示意图。 
图5示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一个实施例的示意图。 
图6示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一个实施例的示意图。 
图7示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一个实施例的示意图。 
具体实施方式
图1示出了适于实施本发明的显示器面板的各自的底板的实施例的示意图。典型的底板包括用于驱动显示器的多个像素单元。例如，当电泳显示介质用于显示时，底板可包括用于驱动电泳显示介质的微囊(capsule)的适当的多个像素单元。有源矩阵底板可包括不同层的栈，其顶层(称为像素电极)可接触电泳效应并可限定不同像素单元的区域。该顶层可由超过95％的总显示区域(面积)组成，并且其通常覆盖下面的不同层，诸如存储电容器、源极线(也称为数据线或列线)、行线(也称为选择线、扫描线，或者更具体地在晶体管用作有源元件的情况下称为栅极线)和有源元件，例如薄膜晶体管(TFT)。图1所示的项10a示出了可用于驱动电泳显示器的像素电路的示意图。 
以上不同的层可在工艺中制造，在其中可能会由于工艺和所使用的材料中的微粒、杂质或其他人工制品而出现小的故障。这些故障可导致一些问题，诸如在介电层中的坏的导线、不想要的导电区域或介电层中不想要的断点(open spot)。所有这些问题可能产生有故障的像素，使一个像素单元或一系列像素单元连读地开或关、或使显示与相邻的像素单元相同的信息的像素单元经由短路而与其连接。 
故障可由于以下情况而发生，例如， 
a)不同电极之间的故障；例如： 
组成存储电容器的两个电极，其可导致纵向短路。 
行线和列线，其可导致纵向短路。 
行线和像素电极，其可导致纵向短路。 
列线和像素电极，其可导致纵向短路。 
TFT区域内的栅极电极和源电极，其可导致纵向短路。 
TFT区域内的栅极电极和漏或像素电极，其可导致纵向短路。 
TFT区域内的源和漏电极，其可导致横向短路。 
相邻的像素电极，其可导致横向短路。 
相邻的列线，其可导致横向短路。 
相邻的行线，其可导致横向短路 
或者 
b)在行线或列线或任何其他导体中的不想要的断路区域(openarea) 
或者 
c)在分隔两个导电层的绝缘介电层中的不想要的断路区域，其可导致纵向短路。 
通常，由于TFT的截止电流或由于通过显示介质在像素内的泄漏，存储电容器包括在每个像素单元中以减少像素内的电压泄漏。对于传统的有源矩阵液晶显示器(AM-LCD)，像素电容与存储电容的比大约为1∶1，因为LC层的电阻足够高以避免太多的泄漏。然而，在电泳显示器的情况下，电泳微囊的电阻相当低，导致需要更大的存储容量，导致电泳微囊的电容和存储电容之间的比达到1∶20。使用诸如所谓的电湿的其它的显示效果，两个不同的状态之间的切换将有力地改变像素电容，其会产生不想要的电学和光学的人工制品。通过将大存储电容器添加到每个像素，可以抑制在两个状态之间的切换期间的电容的大的变化。更大的存储电容器会导致在组成电容器的两个电极之间设计更大的重叠区域。这增加了电容器的电极之间的短路的风险。 
可使用的另一种类型的显示器称为顶发射有机发光二极管(OLED)显示器。对于具有许多像素的显示器，OLED显示器也可使用有源矩阵底板来驱动。在图1的项10b中给出了OLED型显示器的底板电路的实例。 
有源矩阵OLED显示器的最简单的布置包括每个均具有2T-1C电路的像素，即，两个TFT(驱动-TFT和选择-TFT)和存储电容器“Cs”，如图1中项10b所示。底板的顶部包括OLED装置的正极电极，OLED栈在其顶部处理。在显示器运行期间，脉冲的偏压“Vsel”施加到选择-TFT的栅极，接通选择-TFT并使同步数据脉冲“Vdata”能够施加到驱动-TFT的栅极。驱动-TFT被接通，并且电流可流过OLED，从而发光。存储电容器“Cs”在驱动-TFT上保留栅极偏压，直到一个帧时间以后该像素被再次选择。通常将固定的偏压施加到“Vcc”和“Vcath”上，通常Vcc-Vcath～20V。在 顶发射OLED中，光通过装置的顶层漏出，所以它不需要穿过有源矩阵底板。这大大增加了在每个像素内的有源LED层。在这种情况下，透明电极与由有源矩阵底板驱动的像素电极的大面积结合使用。像素电极定义计数器电极层，但其不需是透明的。 
顶发射OLED的有源矩阵底板的电路也可被优化以使能修复，如光发射是远离由底板限定的像素电极而发生的。 
图2中项20a示出了根据本发明的显示器面板的一部分的实施例的示意图。根据本发明的一方面，由线c和线c0连接到其他结构的大存储电容器“a”被分成几个较小的单元b1、b2、b3，其可由激光修复步骤来分隔，就在存储电容器的内部观察到短路。 
例如，转到项20b，存储电容器的第一电极层可放置在限定TFT的栅极线和栅极衬垫的同一层；第二电极层可限定在与TFT的源和漏电极相同的层。介电层设置在第一电极层和第二电极层之间，以用作存储电容器的电介质。在现有技术中，存储电容器由区域“a”定义。当在两个电极之间发生短路时，会产生像素故障。唯一可能的修复是通过在位置c或c0施加切断(例如通过激光)来移除连接。然后像素与存储电容器分离，从而在驱动时人工制品被引入到像素中，否则人工制品可由存储电容器大大地减少。在项20a的重叠区域“a”施加切断的尝试通常会导致额外的短路，由于切断将导致对两个导电层的某种焊接。 
根据本发明，存储电容器包括一系列较小单元b1、b2、b3，当短路存在于存储电容器的特定部分时，其可例如经由激光光束被切断。在项20b、20c和20d中，呈现的实例示出了分成3部分b1、b2、b3的存储电容器，其中，面积“a”等于“b1”+“b2”+“b3”的面积。应理解，可以使用较小单元的其他号码。子单元b1、b2、b3不需是同样的尺寸。在项目20b中，第一电极层被分成3个独立 的单元，他们中的每个均单独地连接至示为“线”的导线；第二电极层限定单个区域。在项20c和20d中，到示为“线”的导线的连接数目减少了，第一电极层和第二电极层被分成较小的部分，，它们中的每个均经由可切断的较小区域进行连接。当第一电极和第二电极之间的短路发生在实例部分b3时，在20b中位置c3的切断将短路部分与完整的存储电容器的剩余部分分离，或可选地在20c中位置c3’和c4’或c7’和c8’的切断，或可选地在20d中位置c3”和c4”的切断。以这种方式，在存储电容器中只有小的减少发生，因此像素的切换行为受到较少的影响。当第一电极和第二电极之间的短路发生在实例部分b2时，在20b中位置c2的切断将短路部分与完整的存储电容器的剩余部分分离，或可选地在20c中位置c2’和c3’或c6’和c7’的切断，或可选地在20d中位置c2”的切断。当第一电极和第二电极之间的短路发生在实例部分b1时，在20b中位置c1的切断将短路部分与完整的存储电容器的剩余部分分离，或可选地在20c中位置c1’和c2’或c5’和c6’的切断，或可选地在20d中位置c1”的切断。以这种方式，在存储电容器中只有小的减少发生，因此像素的切换行为受到较少的影响。优选地，以这种方式设计有源矩阵驱动器结构，使得没有临界层被布置在可切断的区域的下方或顶部。 
图3给出了根据本发明的显示器面板的一部分的另一个实施例的示意图。总体上，每个像素可以配置有有源元件，例如二极管(包括TFD(薄膜二极管))、FET(场效应晶体管)、MIM(金属-绝缘体-金属)开关以及光学开关。经常用在显示器中的一种类型的FET是所谓的薄膜晶体管(TFT)。下面描述的实施例使用TFT，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，通用解决方案还适用于提到的其他有源元件。在更通用的术语中，栅极线可以称为行线，而数据线可以称为列线。通常，每个电极可以配置有用于驱动像素的单个TFT，具有给定的沟道宽度W和沟道长度L。当在TFT内部 产生短路时，这可能导致栅极和源极之间的短路，造成线路故障；或者导致源极和漏极之间的短路，造成像素故障；或者导致栅极和漏极之间的短路，造成像素故障。经常使用多个源极和/或漏极接头(finger)配置TFT。当在TFT中产生短路时，通过激光切断可以分离源极或漏极接头中的一个，如例如在图中30a的位置c4处所示。然而，这将导致TFT的导通电流(on-current)的减小。见30a，由于在单个TFT中激光修复是不可能的，故通常短路区域和TFT的尺寸相比相对较大。 
可以理解，由于在栅极和漏极电极之间的寄生电容的增加，仅增加第二TFT会增加反冲(kick-back)。这可能导致光学人工制品。另外，由于修复是不可能的，故靠近第一TFT放置第二TFT会增加短路区域覆盖这两个TFT的风险。 
因此，30b中所示的设计提供了克服这两个问题的解决方案，同时在TFT中发生短路时，修复是有可能的。每个像素配置有两个TFT，其中一个(TFT2)可以不连接至漏极。另外，可以在第一电极层中配置一个小的导电衬垫“d”，与像素的漏极和TFT2的漏极接头部分地重叠。在短路出现在连接的TFT1中的情形中；可以通过激光仅在源极和栅极之间形成短路的情形中在位置c6切断，或者通过在源极和栅极之间形成短路的情形中切断c7和/或c8而断开这个TFT1。在这之后，通过在位置w1和w2激光焊接，经由衬垫“d”将TFT2连接至漏极。还有可能使已经形成的两个连接w1和w2中的一个将接触孔应用在两个电极层之间的介电层中，因此，仅需要在非接触区域w2或w1应用激光焊接。在图3中未示出半导体。另外，在TFT1中的源极和/或漏极接头中的断路故障可以通过切断TFT1并连接TFT2来解决。 
在项30e中示出的实施例描述了实施例30b的备选实施例。在这种情形中，TFT2的栅极衬垫还未连接至栅极。在这个设计中反 冲效应也保持较低。而且，设置30e提供了克服这两个问题(也就是修复和降低反冲)的解决方案，同时在TFT1中出现短路的时候具有修复的可能。每个像素配置有两个TFT，其中一个(TFT2)可以不连接至漏极和/或可以不连接至栅极。另外，配置了两个小的导电衬垫，在第一电极层中的一个(“d”)与像素的漏极和TFT2的漏极接头部分地重叠，而在第二电极层中的另一个(“e”)与栅极部分地重叠。在连接的TFT1中出现短路的情形中，可以通过激光仅在栅极和漏极之间形成短路的情形中在位置c6切断，或者通过在源极和栅极之间形成短路的情形中切断c7和/或c8而断开这个TFT1。在这之后，通过在位置w1和w2激光焊接，经由衬垫“d”将TFT2连接至漏极，并且通过焊接w3和w4连接TFT2的栅极衬垫。还可以使已经形成的两个连接w1和w2中的一个将接触孔应用在两个电极层之间的介电层中，因此，仅需要在非接触区域w2或w1应用激光焊接。另外，还可以使已经形成的两个连接w3和w4中的一个将接触孔应用在两个电极层之间的介电层中，因此，仅需要在非接触区域w4或w3应用激光焊接。另外，在TFT1中的源极和/或漏极接头中的断路故障可以通过切断TFT1并连接TFT2来解决。 
避免由相对大面积的可能的短路造成的故障的另一种可能是通过将TFT(具有沟道宽度W和沟道长度L)分成x个更小的TFT(每个具有的沟道宽度为W/x和沟道长度L/x)，并且彼此之间以一定的距离进行放置来分布TFT。在项30d中示出了并联放置多个更小的TFT的实例。在四个TFT中的一个被短路的情形中，其可以被切断，而剩下另外三个工作，因此限制了对要求的导通电流和反冲的影响。 
备用地，还可以通过使用并联TFT建立备用，如在项30c和项30f中所示。项30a中所示的单个TFT被划分成适宜数量的TFT。 例如项30c中所示四个TFT，TFT7、TFT8、TFT9、TFT10。原则上，还可能将最初的单个TFT(具有沟道宽度W和沟道长度L)分成x个更小的TFT(每个具有的沟道宽度为W/x和沟道长度L)并且沿着栅极线彼此之间以一定的距离进行放置。在四个TFT中的一个出现短路的情形中，激光切断可以分离该短路TFT部分，同时保持其他TFT工作。根据短路电路的类型，可在短路电路TFT的栅极衬垫和栅极线之间应用激光切割，或者在一个源极接头或者在漏极接头处应用激光切割。项30f示意性地描述了应用相同原理的另一实施例。 
图4示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一实施例的示意图。从交叉的栅极和源极线之间的短路可产生另一缺陷的起因，见项40a(现有技术)。通常，修复这样的缺陷是没有选择方案的。根据本发明，提出了应用如项40b和项40c中所示的结构；其中源极和/或栅极线包括合适的导体的环路(包括桥)，其可在修复过程中容易地被切断以越过短路区域p。在项40b的情形中，通过在位置“c9”和“c10”应用激光切割可以修复源极和栅极线之间的短路。项40c示出了另一实施例，其中，可以通过在栅极线中的位置“c11”和“c12”上或者在源极线中的位置“c13”和“c14”上应用激光切割来修复栅极和源极线之间的短路。 
图5示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一实施例的示意图。在相邻像素电极之间形成短路区域“p”的情形中，如在图5中示意性示出的像素电极A1和B1(见项50a)之间。传统的修复方式是使用大面积的激光切割“w”。这种类型的激光切割不使用昂贵的可视系统就难以自动完成。 
本发明是基于如下进行设计的，在检测到短路时，当固定的能够被激光切割的修复区域被限定时，可以更容易地执行自动激光修复。根据本发明(见项50b)，像素包括可以被激光束断开的子像素 51a、51b、51c、51d和52a、52b、52c、52d，而无需大面积的激光束切割处理。这将减少需要的修复时间，并因此提高修复速度。而且在这个图中，“p”指导致相邻像素衬垫间的短路的区域。参考“c”指示与TFT(在像素电极下面的)的漏极接触的像素电极的部分。定义一个单个像素的所有子像素经由触点“c”连接至TFT开关(未示出)的相同漏极。应当理解，可以进行大量的变化。其他备选实施例50c、50d可以包括，例如，分成八个子单元51a’、...、51h’和52a’、...、52h’的像素。其他备选(见项50e)，还可以将像素电极只分成两个区域，具有外围区域51b”和中心像素电极区域51a”。其他备选(见项50f)，还可以将像素电极只分成中心部分52a”并将该外围区域划分为期望数目的子单元，例如4个，见项52b”、52c”、52d”和52e”。因此，如图5中由“x”和“y”所指示的，最简单的形式能够通过仅激光切割像素电极的小片区域来进行修复。 
通过将每个像素电极分成更小的互连的子单元，该子单元都连接至TFT的漏极，有可能使这样的小的像素部分断开连接，其对人的裸眼不再是可见的，因此不影响根据本发明的显示器面板的可视特性。 
图6示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一实施例60的示意图。根据本发明，还有可能增加与相邻像素电极“A”和“B”重叠的导体衬垫“P”，由61和62指示，其通过绝缘层而与实际的像素电极分离。例如这种情形，由于TFT漏极和像素电极之间的某一断路或者由于有缺陷的TFT或其他原因，使一个像素电极不能被驱动。在这样的情形中，可以将该不能驱动的像素电极在位置“w1”和“w2”经由激光焊接短接至其邻近的一个像素电极，如图6所示。我们可以考虑在行(水平)方向或列(垂直)方向上的每个相邻像素之间应用这样的导电衬垫。 
图7示出了根据本发明的显示器面板的一部分的又一实施例的示意图。在底板70中，每个电极层定义了电子电路的几个部分。例如，第一电极层可以定义存储电容器的部分、TFT的栅极衬垫和栅极线；第二电极层可以定义TFT的源极和漏极衬垫、存储电容器的部分和源极线。在制造过程中，有可能在单个电极层(例如，由“p”指示)中出现不想要的横向短路。提出了在层“a”创建备用电极区，其与在层“b”中的电极区部分地重叠并且反之亦然，在视图B中如“z1”和“z2”所示。当在电极层“a”中出现横向短路时，可以通过借助于在例如视图B中的位置“c1”和“c2”处进行的激光切割以及借助于在视图B中的位置“w1”和“w2”处经由激光焊接使用电极层“b”创建的旁路接触而将“a”中的故障部分断开，以对其进行修复。可以对栅极线和源极线进行这样的操作。 
相对于同一电极层内的各种结构的实际“平面图”，有可能使非连接导体的引线最优化。例如，区域“s1”所在的电极层与列线的相同，但是，这个区不应直接接触列线。区域“s2”可以定位在与行线相同的层内。 
在传统的激光切割可能导致不想要的结构(位于需要被切割的区域的下面)损坏的情形中，这个方法是可适用的。 
如视图B中所示，所提出的修复结构还可用于修复断开(还称为“断路”)的线。假设“栅极2”线在位置“o”断开。使用“z2”结构可以修复这个断路，并且在位置“w3”和“w4”将这个结构激光焊接至“栅极2”。 
上述的解决方案可以用于基于TFT的使用无机或有机的半导体材料的有源矩阵的阵列。最常使用的材料是金(Au)；铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)、铌(Nb)、钕(Nd)、银(Ag)或者多层上述不同金属或 金属合金。尽管在描述中对像素进行了参考，但应当理解任何成像元件可落在这个限定之下，具体地，因此可预期的是如彩色显示器中使用的传统像素或点。 
还应理解，如上所述的激光修复经常使用这样的激光，如脉冲YAG激光，使用8ns脉冲在1.06μm波长下操作，具有20～60W/μm2的功率密度。备选地，可以使用染料型激光器，其在从0.34至1.2μm的不同波长范围内可调。 
应当理解，尽管上面描述了本发明的特定实施例。但可以与上述不同的方式来实现本发明。另外，可以结合参照不同实施例讨论的隔离特性。 

Claims (18)

1.一种显示器面板，包括：
成像元件，由有源矩阵驱动器控制，所述有源矩阵驱动器包括至少一个结构元件，
其中，所述至少一个结构元件包括多个子单元，所述多个子单元的电连通性是可改变的，用于修复与所述至少一个结构元件相关的电性变形。
2.根据权利要求1所述的显示器面板，其中，所述至少一个结构元件选自以下组成的组：存储电容器、有源元件、导线以及导电的像素电极区域。
3.根据权利要求2所述的显示器面板，其中，所述有源元件选自以下组成的组：二极管、薄膜二级管(TFD)、场效应晶体管(FET)、薄膜晶体管(TFT)、金属-绝缘体-金属(MIM)开关以及光学开关。
4.根据权利要求1所述的显示器面板，其中，修复位置位于不干扰临界层的区域，所述临界层位于所述修复位置的下方或顶部。
5.根据权利要求2所述的显示器面板，其中，所述至少一个结构元件与存储电容器相关，所述存储电容器被设置为由修复线互相电连接的多个电容单元。
6.根据权利要求2所述的显示器面板，其中，所述至少一个结构元件与有源元件相关，其中，配置有第一有源元件和至少一个第二有源元件，以及其中，至少一个有源元件是电性备用的。
7.根据权利要求6所述的显示器面板，其中，所述第一有源元件和至少一个所述第二有源元件是通过将单个的有源元件结构进一步分割而配置的。
8.根据权利要求6所述的显示器面板，其中，所述第一有源元件和至少一个所述第二有源元件沿行线相隔一定距离而可相互替换，所述距离大于所述有源元件沿所述行线的尺寸。
9.根据权利要求6所述的显示器面板，其中，所述第一有源元件和至少一个所述第二有源元件沿数据线相隔一定距离而相互替换，所述距离大于所述有源元件沿所述数据线的尺寸。
10.根据权利要求2所述的显示器面板，其中，所述至少一个结构元件包括导线，所述导线配置有以环路形式互连的部分。
11.根据权利要求1所述的显示器面板，其中，像素电极连接至所述有源元件的漏极，并包括两个或更多由修复线互相电连接的子像素段。
12.根据权利要求1所述的显示器面板，其中，所述显示器是反射型或顶发射OLED型。
13.根据权利要求1所述的显示器面板，进一步包括：
第一像素电极层，与第二像素电极层重叠，所述第一像素电极层与所述第二像素电极层之间由介电层电绝缘，其中
所述至少一个结构元件与所述第一像素电极层和/或所述第二像素电极层的像素电极区域相关，以及
所述第一像素电极层的像素电极区域与所述第二像素电极层的像素电极区域部分地重叠。
14.根据权利要求1所述的显示器面板，其中，所述成像元件与像素或点相关。
15.一种制造显示器面板的方法，所述显示器面板包括成像元件，所述成像元件由有源矩阵驱动器控制，所述有源矩阵驱动器包括至少一个结构元件，所述方法包括以下步骤：
使所述至少一个结构元件配置有至少一个备用单元。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述至少一个结构元件选自以下组成的组：存储电容器、有源元件、导线以及导电的像素电极区域。
17.一种修复显示器面板的有故障的电连接的方法，所述显示器面板包括成像元件的有源矩阵驱动器，所述有源矩阵包括含备用单元的结构元件，所述方法包括以下步骤：
选择性地改变所述备用单元的电连通性，用于修复所述有故障的电连接。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，选择性地改变的步骤包括电断开和/或电连接。
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