KR20150052666A - 유기발광표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광표시장치를 개시한다.
본 발명의 유기발광표시장치는, 제1전압을 인가하는 제1전압선에 연결되고, 서브필드 단위로 인가되는 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압을 전달하는 화소회로 및 상기 화소회로와 연결되어 상기 제1전압을 전달받아 발광하는 복수의 서브발광소자를 포함하는 발광화소; 상기 제1전압선 또는 상기 제1전압보다 높은 레벨의 제2전압을 인가하는 제2전압선과 연결되는 더미화소; 및 상기 발광화소로부터 분리된 상기 복수의 서브발광소자들 중 제1서브발광소자를 상기 더미화소와 연결하여, 상기 더미화소에 인가되는 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압 또는 상기 제2전압을 상기 제1서브발광소자로 전달하는 경로를 제공하는 리페어선;을 포함할 수 있다.

Description

유기발광표시장치{Organic Light Emitting Display Apparatus}
본 발명은 유기발광표시장치 및 그의 리페어 방법에 관한 것이다.
특정 화소에서 불량이 발생하는 경우, 특정 화소는 주사 신호 및 데이터 신호와 무관하게 항상 빛을 발생할 수 있다. 이와 같이 화소에서 항상 빛이 발생되는 화소는 관찰자에게 명점(또는 휘점)으로 인식되고, 이 명점은 시인성이 높아 관찰자에게 쉽게 관측된다.
유기 발광 표시 장치는 화소 회로가 복잡하고 제작 공정이 까다롭기 때문에 대형화 및 고해상도가 될수록 불량 화소에 의한 수율이 떨어지는 문제가 발생한다.
본 발명의 실시예는 불량 화소에 대한 리페어(repair)를 통해 불량 화소를 정상 구동할 수 있도록 함으로써, 생산 수율을 높이고, 품질 열화를 개선할 수 있는 디지털 구동 유기발광표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 제1전압을 인가하는 제1전압선에 연결되고, 서브필드 단위로 인가되는 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압을 전달하는 화소회로 및 상기 화소회로와 연결되어 상기 제1전압을 전달받아 발광하는 복수의 서브발광소자를 포함하는 발광화소; 상기 제1전압선 또는 상기 제1전압보다 높은 레벨의 제2전압을 인가하는 제2전압선과 연결되는 더미화소; 및 상기 발광화소로부터 분리된 상기 복수의 서브발광소자들 중 제1서브발광소자를 상기 더미화소와 연결하여, 상기 더미화소에 인가되는 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압 또는 상기 제2전압을 상기 제1서브발광소자로 전달하는 경로를 제공하는 리페어선;을 포함할 수 있다.
상기 발광화소의 화소회로는, 주사선으로 인가되는 주사신호에 의해 턴온되어 데이터선으로 인가되는 상기 데이터신호를 전달하는 제1박막트랜지스터; 상기 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압을 상기 복수의 서브발광소자로 전달하는 제2박막트랜지스터; 및 상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1커패시터;를 포함할 수 있다.
상기 서브발광소자 각각은, 상기 화소회로와 연결된 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함할 수 있다.
상기 더미화소는, 주사선으로 인가되는 주사신호에 의해 턴온되어 더미 데이터선으로 인가되는 상기 더미 데이터신호를 전달하는 제3박막트랜지스터; 상기 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압 또는 제2전압을 상기 리페어선으로 전달하는 제4박막트랜지스터; 및 상기 더미 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제2커패시터;를 포함할 수 있다.
상기 더미 데이터신호는 상기 발광화소로 인가될 데이터신호일 수 있다.
상기 제1서브발광소자는 상기 복수의 서브발광소자들 모두를 포함하고, 상기 더미 화소는 상기 제1전압선에 연결되어 상기 제1전압을 상기 리페어선을 통해 상기 제1서브발광소자로 전달할 수 있다.
또는, 상기 제1서브발광소자는 상기 복수의 서브발광소자들 중 일부를 포함하고, 상기 더미 화소는 상기 제2전압선에 연결되어 상기 제2전압을 상기 리페어선을 통해 상기 제1서브발광소자로 전달할 수 있다.
상기 더미화소는 상기 발광화소와 동일한 화소 행에 배치되어, 상기 발광화소와 동일한 타이밍에 동일한 주사신호를 인가받을 수 있다.
상기 발광화소는 데이터선으로부터 데이터신호를 공급받고, 상기 더미화소는 더미 데이터선으로부터 더미 데이터신호를 공급받고, 상기 더미 데이터신호는, 상기 데이터선으로 공급되는 데이터신호가 상기 데이터선 및 상기 더미 데이터선과 각각 연결된 연결선을 통해 상기 더미 데이터선으로 공급되는 신호일 수 있다.
상기 유기발광표시장치는, 상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부; 상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하고, 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선으로 더미 데이터신호를 공급하는 데이터구동부; 및 상기 제1전압 및 상기 제2전압을 공급하는 전원 공급부;를 더 포함할 수 있다.
상기 유기발광표시장치는, 하나의 프레임이 복수의 서브필드로 구성되고, 각 서브필드마다 공급되는 데이터신호의 논리 레벨에 기초하여 상기 발광화소를 선택적으로 발광시켜 발광 시간을 조절함으로써 계조를 표시할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는, 하나의 프레임을 복수의 서브필드로 구성하여 계조를 표시하고, 표시 영역에 배치되고 각 서브필드에 공급되는 데이터신호의 논리레벨에 따라 발광이 제어되는 복수의 서브발광소자들을 구비한 발광화소, 상기 표시 영역 주변의 더미 영역에 배치되고 상기 발광화소의 결함을 리페어하기 위한 더미화소, 및 상기 발광화소 및 상기 더미화소와 절연된 리페어선을 구비하는 표시패널; 및 상기 표시 패널에 제1전압과 상기 제1전압보다 높은 레벨의 제2전압을 포함하는 제1전원전압, 및 상기 제1전원전압보다 낮은 레벨의 제2전원전압을 공급하는 전원 공급부;를 포함할 수 있다.
상기 발광화소는, 주사선으로 공급되는 주사신호에 의해 턴온되어 데이터선으로 공급되는 데이터신호를 전달하는 제1박막트랜지스터; 상기 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압을 상기 복수의 서브발광소자들로 전달하는 제2박막트랜지스터; 및 상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1커패시터;를 포함할 수 있다.
상기 서브발광소자 각각은, 상기 제2박막트랜지스터와 연결된 제1전극; 상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및 상기 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함할 수 있다.
상기 더미화소는, 주사선으로 공급되는 주사신호에 의해 턴온되어 더미 데이터선으로 공급되는 더미 데이터신호를 전달하는 제3박막트랜지스터; 상기 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압 또는 제2전압을 상기 리페어선으로 전달하는 제4박막트랜지스터; 및 상기 더미 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제2커패시터;를 포함할 수 있다.
상기 발광화소의 화소회로가 결함인 경우, 상기 복수의 서브발광소자들은 상기 발광화소로부터 분리되고, 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 더미화소는 상기 제1전압을 공급하는 제1전압선과 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광화소의 복수의 서브발광소자들 중 하나가 결함인 경우, 상기 복수의 서브발광소자들은 상기 발광화소로부터 분리되고, 상기 결함 서브발광소자를 제외한 서브발광소자들이 상기 리페어선에 전기적으로 연결되고, 상기 더미화소는 상기 제2전압을 공급하는 제2전압선과 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 유기발광표시장치는, 상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부; 및 상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하고, 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선으로 더미 데이터신호를 공급하는 데이터구동부;를 더 포함할 수 있다.
상기 더미 데이터신호는 상기 발광화소로 인가될 데이터신호일 수 있다.
상기 유기발광표시장치는, 상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부; 및 상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하는 데이터구동부; 및 상기 데이터선 및 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선에 각각 연결되어, 상기 데이터선으로 공급되는 데이터신호를 상기 더미 데이터선으로 공급하는 연결선;을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 불량 화소 발생 시 용이하게 리페어함으로써, 불량 화소를 정상 구동시켜 표시 장치의 생산 수율을 높일 수 있다.
또한 표시 장치의 구동 방식에 따라 리페어된 화소와 정상 화소 간의 동작 차이로 인한 휘도 편차를 개선함으로써, 화면의 표시 품질이 우수한 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 표시 패널의 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 리페어선을 이용하여 결함 화소를 리페어하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 화소(EP)를 도시한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 더미 화소(DP)를 도시한 회로도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 리페어선을 이용하여 불량 화소를 리페어하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 제어부(160) 및 전원 공급부(170)를 포함할 수 있다. 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130) 및 제어부(160)는 각각 별개의 집적 회로 칩 또는 하나의 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 표시 패널(110) 위에 직접 장착되거나, 연성인쇄회로필름(flexible printed circuit film) 위에 장착되거나 TCP(tape carrier package)의 형태로 표시 패널(10)에 부착되거나, 별도의 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 위에 장착되거나, 표시 패널(110)과 동일한 기판 상에 형성될 수도 있다.
표시 패널(110)은 표시 영역(AA)과 표시 영역(AA) 주변의 비표시 영역의 일부인 더미 영역(DA)을 구비할 수 있다. 더미 영역(DA)은 표시 영역(AA)의 좌측 및 우측 중 적어도 하나의 영역에 형성될 수 있다. 표시 영역(AA)에는 주사선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 발광 화소(EP)가 복수 배열되고, 더미 영역(DA)에는 주사선(SL) 및 더미 데이터선(DDL)에 연결된 적어도 하나의 더미 화소(DP)가 배열된다. 표시 패널(110)에는 주사선(SL)과 평행하게 리페어선(RL)을 구비할 수 있다.
리페어선(RL)은 결함(불량)인 발광 화소(EP)로부터 분리된 발광소자를 더미 화소(DP)와 연결하여, 더미 화소(DP)로 인가되는 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 발광 화소(EP)의 발광을 제어하는 경로를 제공할 수 있다. 리페어선(RL)은 단위 화소 단위로 배치되거나, 단위 화소를 구성하는 복수의 서브 화소 단위로 배치될 수 있다.
주사 구동부(120)는 복수의 주사선(SL)을 통하여 정해진 타이밍으로 발광 화소(EP)와 더미 화소(DP)에 주사 신호(S)를 생성하여 공급할 수 있다.
데이터 구동부(130)는 복수의 데이터선(DL)을 통하여 발광 화소(EP)들 각각에 제1 논리 레벨 및 제2 논리 레벨 중의 어느 한 논리 레벨을 갖는 데이터 신호(D)를 제공할 수 있다. 제1 논리 레벨 및 제2 논리 레벨은 각각 하이 레벨 및 로우 레벨일 수 있다. 또는, 제1 논리 레벨 및 제2 논리 레벨은 각각 로우 레벨 및 하이 레벨일 수 있다. 데이터 구동부(130)는 제1 데이터 구동부(140) 및 제2 데이터 구동부(150)를 포함할 수 있다.
제1 데이터 구동부(140)는 한 프레임의 발광 화소(EP)들에 대한 영상 데이터를 제공받아 발광 화소(EP)별로 계조를 추출하고, 추출된 계조를 미리 정해진 일정 비트수의 디지털 데이터로 변환할 수 있다. 제1 데이터 구동부(140)는 디지털 데이터에 포함되는 각각의 비트를 해당 서브 필드마다 데이터 신호(D)로서 각 발광 화소(EP)에 제공할 수 있다. 하나의 프레임(frame)은 복수의 서브 필드(subfiled)로 구성되고, 각 서브 필드는 설정된 가중치에 따라 표시 지속 시간이 결정된다.
표시 장치(100)는 각 서브 필드마다 제1 데이터 구동부(140)로부터 제공되는 데이터 신호(D)의 논리 레벨에 기초하여 각 발광 화소(EP)에 포함되는 발광 소자를 선택적으로 발광시켜 한 프레임 내에서 발광 소자의 발광 시간을 조절함으로써 계조를 표시할 수 있다. 각 발광 화소(EP)는 로우 레벨의 데이터 신호를 수신하는 경우 해당 서브 필드 구간 동안 발광 소자를 발광시키고, 하이 레벨의 데이터 신호를 수신하는 경우 해당 서브 필드 구간 동안 발광 소자를 턴오프시킬 수 있다. 또는, 각 발광 화소(EP)는 하이 레벨의 데이터 신호를 수신하는 경우 해당 서브 필드 구간 동안 발광 소자를 발광시키고, 로우 레벨의 데이터 신호를 수신하는 경우 해당 서브 필드 구간 동안 발광 소자를 턴오프시킬 수 있다.
제2 데이터 구동부(150)는 더미 데이터선(DDL)을 통하여 더미 화소(DP)에 더미 데이터 신호(DD)를 생성하여 공급할 수 있다. 리페어선(RL)에 의해 전기적으로 연결된 발광 화소(EP)와 더미 화소(DP)가 동일 주사 신호를 인가받으면, 제2 데이터 구동부(150)는 발광 화소(EP)로 인가되는 데이터 신호와 동일한 데이터 신호를 더미 화소(DP)에 인가할 수 있다.
더미 데이터 신호(DD)가 리페어선(RL)을 통해 리페어된 결함 발광 화소(EP)로 인가되는 경우, 제2 데이터 구동부(150)는 리페어된 결함 발광 화소(EP)로 인가되는 데이터 신호를 더미 데이터 신호로서 더미 화소(DP)로 인가할 수 있다.
도 1의 실시예에는 제1 데이터 구동부(140)와 제2 데이터 구동부(150)가 하나로 집적된 예를 도시하고 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 제2 데이터 구동부(150)는 제1 데이터 구동부(140)와 별개로 구비될 수 있다.
제어부(160)는 주사 제어 신호와 데이터 제어 신호를 생성하여 주사 구동부(120)와 데이터 구동부(130)로 각각 전달한다. 이에 따라 주사 구동부(120)는 서브필드마다 정해진 타이밍으로 각 주사선(SL)에 주사 신호를 인가하고, 데이터 구동부(130)는 각 발광 화소(EP)에 데이터 신호(D)를 인가하고, 리페어에 사용된 더미 화소(DP)에 더미 데이터 신호(DD)를 인가한다.
전원 공급부(170)는 외부의 전원 및/또는 내부의 전원을 인가받아 각 구성요소들의 동작에 필요한 다양한 레벨의 전압으로 변환하고, 제어부(160)로부터 입력되는 전원 제어 신호에 따라 해당 전압을 표시 패널(110)로 공급한다. 전원 공급부(170)는 직류-직류 컨버터(DC-DC Converter)를 사용할 수 있다.
전원 공급부(170)는 제1전원전압(ELVDD) 및 제2전원전압(ELVSS)을 표시 패널(110)의 발광 화소(EP)와 더미 화소(DP)로 공급할 수 있다. 제1전원전압(ELVDD)은 소정의 하이 레벨 전압일 수 있고, 제2전원전압(ELVSS)은 제1전원전압(ELVDD)보다 낮은 전압이거나 접지 전압일 수 있다. 제1전원전압(ELVDD)은 제1전압(ELVDD1) 및 제1전압(ELVDD1)보다 높은 레벨의 제2전압(ELVDD2)을 포함할 수 있다.
전원 공급부(170)는 제1전압(ELVDD1) 및 제2전원전압(ELVSS)을 발광 화소(EP)로 공급하고, 제1전압(ELVDD1) 또는 제2전압(ELVDD2), 및 제2전원전압(ELVSS)을 더미 화소(DP)로 공급할 수 있다.
도 1의 실시예에서는 더미 영역(DA)이 표시 영역(AA)의 우측에 배치되고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 더미 영역(DA)은 표시 영역(AA)의 좌측 및 우측 중 적어도 일 측에 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 표시 패널의 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 2는 제1 내지 제10 주사선(SL1 내지 SL10)이 제어되는 예를 도시하고 있다. 도 2를 참조하면, 하나의 프레임은 5개의 제1 내지 제5 서브필드(SF1 내지 SF5)로 구성되어, 5개의 제1 내지 제5 비트 데이터에 의해 계조가 표시된다. 1 단위 시간은 5개의 선택 시간을 포함한다. 각 비트 데이터의 표시 지속 시간의 길이는 3:6:12:21:8로서, 5 비트 데이터의 표시 지속 시간의 합계는 50(=3+6+12+21+8) 선택 시간이 된다. 서브필드마다 각 주사선의 선택 타이밍은 이전 주사선의 선택 타이밍보다 1 단위 시간 지연된다.
주사 구동부(120)가 한 번에 하나의 주사선을 선택하도록 1 단위 시간 내의 5개의 선택 시간은 시분할된다. 예를 들어, 제1 단위 시간 내에서, 제1 선택 시간에 제1 주사선(SL1), 제2 선택 시간에 제7 주사선(SL7), 제3 선택 시간에 제3 주사선(SL3), 제4 선택 시간에 제1 주사선(SL1), 제5 선택 시간에 제10 주사선(SL10)이 차례로 선택되어, 제1 비트 데이터, 제4 비트 데이터, 제5 비트 데이터, 제2 비트 데이터, 제3 비트 데이터가 각각의 발광 화소(EP)로 인가된다.
더미 화소(DP)가 리페어에 사용된 경우, 더미 화소(DP)가 연결된 주사선이 선택되는 타이밍에 더미 화소(DP)에는 동일 화소 행의 리페어된 발광 화소(EP)에 인가되는 비트 데이터가 인가된다.
도 3은 제1 내지 제n+1 주사선(SL1 내지 SLn+1)이 제어되는 예를 도시하고 있다. 도 3을 참조하면, 하나의 프레임은 복수의 제1 내지 제X서브필드(SF1 내지 SFX)로 구성되어, X개의 제1 내지 제X 비트 데이터에 의해 계조가 표시된다. 1 단위 시간은 X개의 선택 시간을 포함한다. 서브필드마다 각 주사선의 선택 타이밍은 이전 주사선의 선택 타이밍보다 1 단위 시간 지연된다.
주사 구동부(120)가 한 번에 하나의 주사선을 선택하도록 1 단위 시간 내의 X개의 선택 시간은 시분할된다. 또한 주사 구동부(120)는 시간 T와 같이 복수의 주사선들(SL1, SLi, SLj, SLk, SLm, SLn, SLn+1)이 선택되는 하나의 선택 시간 내에서도 시분할로 주사선들이 선택되도록 설정될 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 리페어선을 이용하여 결함 화소를 리페어하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 발광 화소(EP)와 더미 화소(DP)는 동일 화소 행에 배치되어 있다. 도 4의 실시예는 더미 화소(DP)가 표시 영역(AA)의 좌측에 배치된 더미 영역(DA)에 형성된 예이다.
리페어선(RL)은 화소 행을 따라 배치되고, 발광 화소(EP)와 더미 화소(DP)와 절연되어 있다. 리페어선(RL)은 발광 화소(EP)의 발광 소자 및 더미 화소(DP)의 더미 화소 회로(DPC) 각각과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 리페어선(RL)은 추후 리페어시에 레이저 쇼트에 의해 발광 화소(EP)의 발광 소자 및 더미 화소(DP)의 더미 화소 회로(DPC) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 화소(EP)는 화소 회로(PC)와 화소 회로(PC)에 연결되어 발광하는 발광 소자를 포함한다. 화소 회로(PC)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 발광 소자는 애노드 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극과 캐소드 전극 사이의 발광층을 포함하는 유기 발광 소자(OLED)일 수 있다. 발광 소자의 애노드 전극은 복수로 분할되어, 발광 소자는 복수의 서브 발광소자로 구성될 수 있다. 도 4는 애노드 전극이 두 개로 분할되고, 이에 따라 발광 소자는 두 개의 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)로 구성된 예를 도시한다. 제1 및 제2 서브 발광소자(PE1, PE2)의 캐소드 전극은 기판 전면에 형성된 공통 전극일 수 있다. 발광 화소(EP)는 제1전압(ELVDD1)을 공급하는 제1전압선(VL1)에 연결되어 있다.
더미 화소(DP)는 더미 화소 회로(DPC)를 구비하며, 발광 소자는 구비하지 않는다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 더미 화소(DP)는 더미 발광소자를 구비할 수 있으며, 이 경우 더미 발광소자는 실제로 발광하지 않고 회로 소자로써 기능할 수 있다. 예를 들어, 더미 발광소자는 커패시터로써 기능할 수 있다. 더미 화소(DP)의 더미 화소 회로(DPC)는 발광 화소(EP)의 화소 회로(PC)와 동일 또는 상이할 수 있다.
더미 영역(DA)에는 제1전압(ELVDD1)을 공급하는 제1전압선(VL1)과 제2전압(ELVDD2)을 공급하는 제2전압선(VL2)이 구비될 수 있다. 더미 화소(DP)는 제1전압선(VL1) 및 제2전압선(VL2)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 더미 화소(DP)는 추후 리페어 시에 레이저 쇼트에 의해 제1전압선(VL1) 또는 제2전압선(VL2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 영역(AA)에 배치된 제1전압선(VL1)과 더미 영역(DA)에 배치된 제1전압선(VL1)은 연결되어 동일한 제1전압(ELVDD1)을 공급받을 수 있다. 또는 표시 영역(AA)에 배치된 제1전압선(VL1)과 더미 영역(DA)에 배치된 제1전압선(VL1)은 분리되어 있고 각각 전원 공급부(170)로부터 동일한 제1전압(ELVDD1)을 공급받을 수 있다. 제1전압선(VL1)은 세로 방향(화소 열 방향)으로 배치될 수 있다.
제2전압선(VL2)은 더미 영역(DA)에만 제1전압선(VL1)과 나란하게 세로 방향으로 배치될 수 있다. 제2전압선(VL2)은 전원 공급부(170)로부터 제2전압(ELVDD2)을 공급받을 수 있다.
더미 화소(DP)는 발광 화소(EP)의 결함 유형에 따라 제1전압선(VL1) 또는 제2전압선(VL2)에 연결될 수 있다.
도 5는 발광 화소(EP)의 화소 회로(PC)가 결함인 경우 리페어 방법을 설명하는 도면이다.
도 5를 참조하면, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)를 발광 화소(EP)로부터 분리한다. 이를 위해, 제1 및 제2 서브 발광소자(PE1, PE2) 각각의 애노드 전극과 화소 회로(PC) 간의 연결을 컷팅할 수 있다. 그리고, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극을 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL)과 각각 연결한다.
그리고, 더미 화소(DP)의 더미 화소 회로(DPC)를 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL) 및 제1전압선(VL1)과 각각 연결한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 더미 화소(DP)의 더미 데이터선(DDL)에는 발광 화소(EP)의 데이터선(DL)에 인가되는 데이터 신호(D)와 동일한 데이터 신호(D)가 주사 타이밍에 인가된다. 이에 따라, 더미 화소(DP)가 데이터 신호(D)의 논리 레벨에 따라 온 상태가 되면, 제1전압(ELVDD1)이 리페어선(RL)을 통해 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2) 각각의 애노드 전극으로 인가되어 발광 화소(EP)는 정상 휘도로 발광할 수 있다.
도 6은 발광 화소(EP)의 서브 발광소자가 결함인 경우 리페어 방법을 설명하는 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광 화소(EP)의 제1 서브 발광소자(PE1)가 쇼트 결함인 경우, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)를 발광 화소(EP)로부터 분리한다. 이를 위해, 제1 및 제2 서브 발광소자(PE1, PE2) 각각의 애노드 전극과 화소 회로(PC) 간의 연결을 컷팅할 수 있다. 그리고, 결함 없는 정상인 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극을 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL)과 연결한다.
그리고, 더미 화소(DP)의 더미 화소 회로(DPC)를 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL) 및 제2전압선(VL2)과 각각 연결한다.
표시 장치(100)의 디지털 구동은 정전압 구동 방식이다. 발광 화소(EP)에 포함되는 복수의 서브 발광소자(PE1, PE2) 중 하나가 결함인 경우, 결함인 서브 발광소자를 발광 화소(EP)로부터 분리하여 암점화할 수 있다. 이때, 애노드 전극의 면적이 절반으로 감소함으로써 발광소자의 전체 면적이 절반으로 감소하게 되고, 발광층의 저항이 2배 증가하게 된다. 이에 따라 나머지 서브 발광소자에는 절반의 구동 전류가 흐르게 되어 발광 화소(EP)의 휘도는 50%로 감소한다.
본 발명의 실시예에서는 발광 화소(EP)의 결함이 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 쇼트에 의한 발광소자 결함인 경우, 결함 있는 발광 화소(EP)가 리페어에 의해 정상 휘도로 발광할 수 있도록 정상 발광 화소에 공급되는 제1전압(ELVDD1)보다 높은 레벨, 예를 들어, 2배의 레벨을 갖는 제2전압(ELVDD2)을 더미 화소(DP)로부터 결함 있는 발광 화소(EP)의 발광소자로 공급하도록 한다. 제2전압(ELVDD2)의 전압 레벨은 발광 화소(EP)의 서브 발광소자의 개수 및 암점화된 서브 발광소자의 면적에 따라 결정될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 더미 화소(DP)의 더미 데이터선(DDL)에는 발광 화소(EP)의 데이터선(DL)에 인가되는 데이터 신호(D)와 동일한 데이터 신호(D)가 주사 타이밍에 인가된다. 이에 따라, 더미 화소(DP)가 데이터 신호(D)의 논리 레벨에 따라 온 상태가 되면, 제2전압(ELVDD2)이 리페어선(RL)을 통해 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극으로 인가되어 발광 화소(EP)는 정상 휘도로 발광할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광 화소(EP)를 도시한 회로도이다.
도 7을 참조하면, 발광 화소(EP)는 2개의 트랜지스터(Ts1 및 Td1) 및 1개의 커패시터(Cst1)를 구비한 화소 회로(PC)와 화소 회로(PC)와 연결된 제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2 서브 발광소자(PE2)를 구비한다.
제1트랜지스터(Ts1)는 게이트 전극이 주사선(SL)에 연결되고, 제1전극이 데이터선(DL)에 연결되고, 제2전극이 제2트랜지스터(Td1)의 게이트 전극에 연결된다.
제2트랜지스터(Td1)는 게이트 전극이 제1트랜지스터(Ts1)의 제2전극에 연결되고, 제1전극이 제1전압선(VL1)에 연결되어 제1전압(ELVDD1)을 인가받고, 제2전극이 제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2 서브 발광소자(PE2)의 각 애노드 전극에 연결된다.
제1커패시터(Cst1)는 제1전극이 제1트랜지스터(Ts1)의 제2전극과 제2트랜지스터(Td1)의 게이트 전극에 연결되고, 제2전극이 제1전압선(VL1)에 연결되어 제1전압(ELVDD1)을 인가받는다.
제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2 서브 발광소자(PE2)는 각각 제1전극, 제1전극에 대향하는 제2전극, 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드(OLED)일 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 각각 애노드 전극 및 캐소드 전극일 수 있다. 애노드 전극은 제2트랜지스터(Td1)의 제2전극에 연결되고, 캐소드 전극은 제2전원에 연결되어 제2전원전압(ELVSS)을 인가받는다. 제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2 서브 발광소자(PE2)의 각 애노드 전극은 리페어선(RL)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 더미 화소(DP)를 도시한 회로도이다.
도 8을 참조하면, 더미 화소(DP)는 2개의 트랜지스터(Ts2 및 Td2) 및 1개의 커패시터(Cst2)를 구비한 더미 화소 회로(DPC)를 구비한다.
제3트랜지스터(Ts2)는 게이트 전극이 주사선(SL)에 연결되고, 제1전극이 더미 데이터선(DDL)에 연결되고, 제2전극이 제4트랜지스터(Td2)의 게이트 전극에 연결된다.
제4트랜지스터(Td2)는 게이트 전극이 제3트랜지스터(Ts2)의 제2전극에 연결되고, 제1전극이 제1전압선(VL1) 및 제2전압선(VL2)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 추후 제1전극은 레이저 쇼트에 의해 제1전압선(VL1) 또는 제2전압선(VL2)과 전기적으로 연결되어 제1전압(ELVDD1) 또는 제2전압(ELVDD2)을 인가받을 수 있다. 제4트랜지스터(Td2)의 제2전극은 리페어선(RLj)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 추후 제4트랜지스터(Td2)의 제2전극은 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2커패시터(Cst2)는 제1전극이 제3트랜지스터(Ts2)의 제2전극과 제4트랜지스터(Td2)의 게이트 전극에 연결되고, 제1전압선(VL1) 및 제2전압선(VL2)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 추후 제1전극은 레이저 쇼트에 의해 제1전압선(VL1) 또는 제2전압선(VL2)과 전기적으로 연결되어 제1전압(ELVDD1) 또는 제2전압(ELVDD2)을 인가받을 수 있다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 리페어선을 이용하여 불량 화소를 리페어하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9의 실시예는 발광 화소(EP)가 복수의 서브 발광 화소(SP)로 구성되고, 더미 화소(DP)가 복수의 서브 더미 화소(DSP)로 구성된 예를 도시한다. 예를 들어, 발광 화소(EP)는 적색 서브 발광 화소(SP_R), 녹색 서브 발광 화소(SP_G) 및 청색 서브 발광 화소(SP_B)를 포함할 수 있다. 서브 발광 화소(SP) 각각은 도 7에 도시된 구조를 가질 수 있다. 더미 화소(DP)는 적색 서브 더미 화소(DSP_R), 녹색 서브 더미 화소(DSP_G) 및 청색 서브 더미 화소(DSP_B)를 포함할 수 있다. 서브 더미 화소(DSP) 각각은 도 8에 도시된 구조를 가질 수 있다. 각 서브 더미 화소(DSP)는 각 서브 발광 화소(SP)에 대응하여 동일 화소 행에 배치된다.
도 9 및 도 10의 실시예에서는 적색, 청색, 녹색의 색을 방출하는 서브 화소를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 단위 화소는 적색, 청색, 녹색 외에 백색 또는 다른 색을 방출하는 서브 화소를 하나 이상 구비할 수 있다.
동일 주사선(SL)에 연결된 발광 화소(EP)를 구성하는 복수의 서브 발광 화소(SP)와 더미 화소(DP)를 구성하는 복수의 서브 더미 화소(DSP)는 동일한 주사 신호(S)를 공급받는다. 예를 들어, i번째 주사선(SLi)에 연결된 복수의 서브 발광 화소(SP_R, SP_G, SP_B)와 복수의 서브 더미 화소(DSP_R, DSP_G, DSP_B)는 동일한 주사 신호(Si)를 동일한 타이밍으로 공급받는다.
서브 발광 화소(SP_R, SP_G, SP_B)는 각각 애노드 전극의 분할에 의해 제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2 서브 발광소자(PE2)를 포함할 수 있다. 서브 발광 화소(SP_R, SP_G, SP_B)는 각각 제1전압선(VL1)에 연결되어 있다.
서브 발광 화소(SP_R, SP_G, SP_B)는 각각 별개의 데이터선(DL_R, DL_G, DL_B)에 연결된다. 주사 신호(Si)에 동기되어 각 데이터선(DL_R, DL_G, DL_B)에는 데이터 신호(D_R, D_G, D_B)가 각각 인가된다.
서브 더미 화소(DSP_R, DSP_G, DSP_B)는 각각 별개의 더미 데이터선(DDL_R, DDL_G, DDL_B)과 연결된다. 더미 데이터선(DDL_R, DDL_G, DDL_B)에는 리페어된 서브 발광 화소(SP_R, SP_G, SP_B)로 인가되는 데이터 신호(D_R, D_G, D_B)가 인가될 수 있다. 서브 더미 화소(DSP_R, DSP_G, DSP_B)는 각각 제1전압선(VL1)과 제2전압선(VL2)에 절연되어 있다. 제2전압선(VL2)은 제1전압(ELVDD1)의 2배 레벨을 갖는 제2전압(ELVDD2)을 공급한다.
리페어선(RL)은 화소 행마다 배치되고, 리페어선(RL)은 서브 발광 화소(SP)의 애노드 전극 및 서브 더미 화소(DSP)의 제4트랜지스터(Td2)와 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 리페어선(RL)은 더미화소(DP)에 인가되는 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 서브 더미 화소(DSP)로 인가되는 제1전압(ELVDD1) 또는 제2전압(ELVDD2)을 리페어된 서브 발광 화소(SP)로 전달하는 경로를 제공할 수 있다.
도 9의 실시예에서는 서브 발광 화소(SP)의 제1 서브 발광소자(PE1) 및 제2서브 발광소자(PE2)의 각 애노드 전극이 제2트랜지스터(Td1)에 연결되고 리페어선(RL)과 절연됨을 도시하고 있다. 그리고, 서브 더미 화소(DSP)의 제4트랜지스터(Td2)가 리페어선(RL)과 절연되고, 제4트랜지스터(Td2)와 제2커패시터(Cst2)가 제1전압선(VL1)과 제2전압선(VL2)에 각각 절연됨을 도시하고 있다.
이하에서는 서브 발광 화소(SP)가 정상 화소로서 정상 구동하는 경우의 구동을 설명하겠다.
서브 발광 화소(SP)의 제1트랜지스터(Ts1)는 주사선(SL)으로부터 주사 신호(S)가 공급될 때 턴온되어 데이터선(DL)으로 공급되는 데이터 신호(D)를 전달한다. 제1커패시터(Cst1)에는 데이터 신호(D)에 대응하는 전압이 충전되고, 제2트랜지스터(Td1)는 데이터 신호(D)의 논리 레벨에 따라 온-오프된다. 제2트랜지스터(Td1)는 턴온되면 제1전압(ELVDD1)을 구동전압으로서 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드로 각각 인가하여, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)가 발광한다. 제2트랜지스터(Td1)가 턴오프되면 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)는 각각 블랙을 표시한다.
도 10에는 서브 발광 화소(SP)의 결함을 리페어하는 방법을 도시하고 있다.
먼저, i번째 주사선(SLi)에 연결된 청색 서브 발광 화소(SPi_B)가 화소 회로 결함인 경우, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)를 청색 서브 발광 화소(SPi_B)로부터 분리한다. 이를 위해, 제2트랜지스터(Td1)와 제1 및 제2 서브 발광소자(PE1, PE2)의 애노드 전극 간의 연결을 컷팅할 수 있다. 그리고, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극을 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL)과 각각 연결한다.
청색 서브 발광 화소(SPi_B)와 동일한 화소 행에 배치된 청색 서브 더미 화소(DSPi_B)의 제4트랜지스터(Td2)를 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL) 및 제1전압선(VL1)과 각각 연결한다.
이하에서는 화소 회로 결함인 청색 서브 발광 화소(SPi_B)가 청색 서브 더미 화소(DSPi_B)에 의해 리페어된 경우의 구동을 설명하겠다.
청색 서브 더미 화소(DSPi_B)의 제3트랜지스터(Ts2)는 i번째 주사선(SLi)으로부터 주사 신호(Si)가 공급될 때 턴온되어 더미 데이터선(DDL_B)으로 공급되는 더미 데이터 신호를 전달한다. 더미 데이터 신호는 청색 서브 발광 화소(SPi_B)에 연결된 데이터선(DL_B)으로 공급되는 데이터 신호(D_B)이다. 제2커패시터(Cst2)에는 더미 데이터 신호(D_B)에 대응하는 전압이 충전되고, 제4트랜지스터(Td2)는 더미 데이터 신호(D_B)의 논리 레벨에 따라 온-오프된다. 제4트랜지스터(Td2)는 턴온되면 제1전압(ELVDD1)을 리페어선(RL)으로 출력한다. 제1전압(ELVDD1)이 우회하여 리페어선(RL)을 통해 청색 서브 발광 화소(SPi_B)의 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극으로 각각 인가된다. 이에 따라, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)가 주변 서브 발광소자들과 동일한 휘도로 발광한다. 청색 서브 더미 화소(DSPi_B)의 제4트랜지스터(Td2)가 턴오프되면 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)는 블랙을 표시한다.
다음, j번째 주사선(SLj)에 연결된 녹색 서브 발광 화소(SPj_G)의 제1 서브 발광소자(PE1)가 결함인 경우, 제1 서브 발광소자(PE1)와 제2 서브 발광소자(PE2)를 녹색 서브 발광 화소(SPj_G)로부터 분리한다. 이를 위해, 제2트랜지스터(Td1)와 제1 및 제2 서브 발광소자(PE1, PE2)의 애노드 전극 간의 연결을 컷팅할 수 있다. 그리고, 결함 없는 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극을 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL)과 연결한다.
녹색 서브 발광 화소(SPj_G)와 동일한 화소 행에 배치된 녹색 서브 더미 화소(DSPj_G)의 제4트랜지스터(Td2)를 레이저 쇼트에 의해 리페어선(RL) 및 제2전압선(VL2)과 각각 연결한다.
이하에서는 서브 발광소자 결함인 녹색 서브 발광 화소(SPj_G)가 녹색 서브 더미 화소(DSPj_G)에 의해 리페어된 경우의 구동을 설명하겠다.
녹색 서브 더미 화소(DSPj_G)의 제3트랜지스터(Ts2)는 j번째 주사선(SLj)으로부터 주사 신호(Si)가 공급될 때 턴온되어 더미 데이터선(DDL_B)으로 공급되는 더미 데이터 신호를 전달한다. 더미 데이터 신호는 녹색 서브 발광 화소(SPj_G)에 연결된 데이터선(DL_G)으로 공급되는 데이터 신호(D_G)이다. 제2커패시터(Cst2)에는 더미 데이터 신호(D_G)에 대응하는 전압이 충전되고, 제4트랜지스터(Td2)는 더미 데이터 신호(D_B)의 논리 레벨에 따라 온-오프된다. 제4트랜지스터(Td2)는 턴온되면 제2전압(ELVDD2)을 리페어선(RL)으로 출력한다. 제2전압(ELVDD2)이 우회하여 리페어선(RL)을 통해 녹색 서브 발광 화소(Sji_G)의 제2 서브 발광소자(PE2)의 애노드 전극으로 인가된다. 제2전압(ELVDD2)은 제1전압(ELVDD1)의 2배이므로, 제2 서브 발광소자(PE2)는 휘도 저하 없이 주변 서브 발광 화소와 동일한 휘도로 발광할 수 있다. 녹색 서브 더미 화소(DSPj_G)의 제4트랜지스터(Td2)가 턴오프되면 제2 서브 발광소자(PE2)는 블랙을 표시한다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(200)는 표시 패널(210), 주사 구동부(220), 데이터 구동부(230), 제어부(260) 및 전원 공급부(270)를 포함할 수 있다. 도 11에 도시된 실시예는 더미 화소(DP)에 인가되는 더미 데이터 신호가 데이터 구동부(230)로부터 직접 인가되지 않고, 발광 화소(EP)에 연결된 데이터선(DL)으로부터 연결선(CL)을 통해 인가되는 점에서 도 1에 도시된 실시예와 상이하다.
연결선(CL)은 표시 영역(AA) 주변의 비표시 영역에 데이터선(DL)과 더미 데이터선(DDL)을 가로지르는 방향으로 배치되고, 데이터선(DL) 및 더미 데이터선(DDL)과 절연층을 사이에 두고 절연되어 있다. 추후, 결함 있는 발광 화소(EP)가 더미 화소(DP)에 의해 리페어되는 경우, 연결선(CL)을 레이저 쇼트에 의해 데이터선(DL) 및 더미 데이터선(DDL)과 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 따라 결함 발광 화소(EP)에 연결된 데이터선(DL)으로 인가되는 데이터 신호가 연결선(CL)을 통해 더미 화소(DP)에 연결된 더미 데이터선(DDL)으로 인가될 수 있다.
도 10의 실시예에서는 설명의 편의를 위해 동일한 화소 열에 배치된 두 개의 서브 발광 화소가 결함인 예를 도시하고 있으나, 서로 다른 화소 열에 배치된 서브 발광 화소는 각각 동일 화소 행의 서브 더미 화소에 의해 리페어될 수 있다.
도 11의 실시예는 데이터 구동부(230)과 더미 화소(DP)로 더미 데이터신호를 생성하여 전달할 필요가 없어, 데이터 구동부(230)의 구성을 간단하게 구현할 수 있다.
그 외 표시 장치(200)의 구성은 도 1에 도시된 표시 장치(100)와 동일하므로, 상세한 설명은 생략하겠다.
본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 제1전압을 인가하는 제1전압선에 연결되고, 서브필드 단위로 인가되는 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압을 전달하는 화소회로 및 상기 화소회로와 연결되어 상기 제1전압을 전달받아 발광하는 복수의 서브발광소자를 포함하는 발광화소;
    상기 제1전압선 또는 상기 제1전압보다 높은 레벨의 제2전압을 인가하는 제2전압선과 연결되는 더미화소; 및
    상기 발광화소로부터 분리된 상기 복수의 서브발광소자들 중 제1서브발광소자를 상기 더미화소와 연결하여, 상기 더미화소에 인가되는 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 상기 제1전압 또는 상기 제2전압을 상기 제1서브발광소자로 전달하는 경로를 제공하는 리페어선;을 포함하는, 유기발광표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 발광화소의 화소회로는,
    주사선으로 인가되는 주사신호에 의해 턴온되어 데이터선으로 인가되는 상기 데이터신호를 전달하는 제1박막트랜지스터;
    상기 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압을 상기 복수의 서브발광소자로 전달하는 제2박막트랜지스터; 및
    상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1커패시터;를 포함하는, 유기발광표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 서브발광소자 각각은,
    상기 화소회로와 연결된 제1전극;
    상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및
    상기 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함하는, 유기발광표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 더미화소는,
    주사선으로 인가되는 주사신호에 의해 턴온되어 더미 데이터선으로 인가되는 상기 더미 데이터신호를 전달하는 제3박막트랜지스터;
    상기 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압 또는 제2전압을 상기 리페어선으로 전달하는 제4박막트랜지스터; 및
    상기 더미 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제2커패시터;를 포함하는, 유기발광표시장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 더미 데이터신호는 상기 발광화소로 인가될 데이터신호인, 유기발광표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1서브발광소자는 상기 복수의 서브발광소자들 모두를 포함하고,
    상기 더미 화소는 상기 제1전압선에 연결되어 상기 제1전압을 상기 리페어선을 통해 상기 제1서브발광소자로 전달하는, 유기발광표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1서브발광소자는 상기 복수의 서브발광소자들 중 일부를 포함하고,
    상기 더미 화소는 상기 제2전압선에 연결되어 상기 제2전압을 상기 리페어선을 통해 상기 제1서브발광소자로 전달하는, 유기발광표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 더미화소는 상기 발광화소와 동일한 화소 행에 배치되어, 상기 발광화소와 동일한 타이밍에 동일한 주사신호를 인가받는, 유기발광표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광화소는 데이터선으로부터 데이터신호를 공급받고,
    상기 더미화소는 더미 데이터선으로부터 더미 데이터신호를 공급받고,
    상기 더미 데이터신호는, 상기 데이터선으로 공급되는 데이터신호가 상기 데이터선 및 상기 더미 데이터선과 각각 연결된 연결선을 통해 상기 더미 데이터선으로 공급되는 신호인, 유기발광표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부;
    상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하고, 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선으로 더미 데이터신호를 공급하는 데이터구동부; 및
    상기 제1전압 및 상기 제2전압을 공급하는 전원 공급부;를 더 포함하는, 유기발광표시장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 유기발광표시장치는,
    하나의 프레임이 복수의 서브필드로 구성되고, 서브필드마다 공급되는 데이터신호의 논리 레벨에 기초하여 상기 발광화소를 선택적으로 발광시켜 발광 시간을 조절함으로써 계조를 표시하는, 유기발광표시장치.
  12. 하나의 프레임을 복수의 서브필드로 구성하여 계조를 표시하는 유기발광표시장치에 있어서,
    표시 영역에 배치되고 각 서브필드에 공급되는 데이터신호의 논리레벨에 따라 발광이 제어되는 복수의 서브발광소자들을 구비한 발광화소, 상기 표시 영역 주변의 더미 영역에 배치되고 상기 발광화소의 결함을 리페어하기 위한 더미화소, 및 상기 발광화소 및 상기 더미화소와 절연된 리페어선을 구비하는 표시패널; 및
    상기 표시 패널에 제1전압과 상기 제1전압보다 높은 레벨의 제2전압을 포함하는 제1전원전압, 및 상기 제1전원전압보다 낮은 레벨의 제2전원전압을 공급하는 전원 공급부;를 포함하는 유기발광표시장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 발광화소는,
    주사선으로 공급되는 주사신호에 의해 턴온되어 데이터선으로 공급되는 데이터신호를 전달하는 제1박막트랜지스터;
    상기 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압을 상기 복수의 서브발광소자들로 전달하는 제2박막트랜지스터; 및
    상기 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제1커패시터;를 포함하는, 유기발광표시장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 서브발광소자 각각은,
    상기 제2박막트랜지스터와 연결된 제1전극;
    상기 제1전극에 대향하는 제2전극; 및
    상기 제1전극과 제2전극 사이의 발광층을 포함하는, 유기발광표시장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 더미화소는,
    주사선으로 공급되는 주사신호에 의해 턴온되어 더미 데이터선으로 공급되는 더미 데이터신호를 전달하는 제3박막트랜지스터;
    상기 더미 데이터신호의 논리 레벨에 따라 턴온되어 상기 제1전압 또는 제2전압을 상기 리페어선으로 전달하는 제4박막트랜지스터; 및
    상기 더미 데이터신호에 대응하는 전압을 저장하는 제2커패시터;를 포함하는, 유기발광표시장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 발광화소의 화소회로가 결함인 경우,
    상기 복수의 서브발광소자들은 상기 발광화소로부터 분리되고, 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결되고,
    상기 더미화소는 상기 제1전압을 공급하는 제1전압선과 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결되는, 유기발광표시장치.
  17. 제12항에 있어서, 상기 발광화소의 복수의 서브발광소자들 중 하나가 결함인 경우,
    상기 복수의 서브발광소자들은 상기 발광화소로부터 분리되고, 상기 결함 서브발광소자를 제외한 서브발광소자들이 상기 리페어선에 전기적으로 연결되고,
    상기 더미화소는 상기 제2전압을 공급하는 제2전압선과 상기 리페어선에 각각 전기적으로 연결되는, 유기발광표시장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부; 및
    상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하고, 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선으로 더미 데이터신호를 공급하는 데이터구동부;를 더 포함하는, 유기발광표시장치.
  19. 제12항에 있어서,
    상기 더미 데이터신호는 상기 발광화소로 인가될 데이터신호인, 유기발광표시장치.
  20. 제12항에 있어서,
    상기 발광화소와 상기 더미화소에 연결된 주사선으로 주사신호를 공급하는 주사구동부; 및
    상기 발광화소에 연결된 데이터선으로 데이터신호를 공급하는 데이터구동부;및
    상기 데이터선 및 상기 더미화소에 연결된 더미 데이터선에 각각 연결되어, 상기 데이터선으로 공급되는 데이터신호를 상기 더미 데이터선으로 공급하는 연결선;을 더 포함하는, 유기발광표시장치.
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