CN107123394A - 一种有机发光显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示面板及显示装置，通过将用于发光显示的显示区域中靠近非显示区域的部分定义为显示区域边缘处且显示区域边缘处像素具有与该像素中驱动晶体管的栅极相关的第一电容，将显示区域中除显示区域边缘处之外的部分定义为显示区域其余处且显示区域其余处像素具有与该像素中驱动晶体管的栅极相关的第二电容，并将第一电容的电容值与第二电容的电容值设置为不同，即将显示区域边缘处像素中的第一电容与显示区域其余处像素中的第二电容进行区别化设计，可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低，从而可以降低显示区域边缘处与非显示区域的颜色对比，进而可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。

Description

一种有机发光显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，显示面板除了传统的信息展示等作用外，为了更好的适应环境的整体结构和使用要求，在外形上的要求也在逐步提升，随之产生了异形显示面板。异形显示面板是在传统显示面板的基础上改造成的特殊形状的显示面板，以使显示面板的特点能更好的适应整体结构和环境。异形显示面板已经可以成功应用到诸如手表、眼镜或智能手环之类的可穿戴的电子设备上，并且常见的异形显示面板主要有扇形、弧形、圆形、圆柱形、多边形等形状。目前，为了使异形显示面板的周边形成上述形状，一般将显示区域边缘处的像素按边界的形状排列成阶梯状，从而形成了锯齿状边缘。这些排列在锯齿状边缘的像素与完全呈现黑暗的非显示区域之间形成了强烈的颜色对比，使得显示区域的锯齿状边缘被人眼识别到，导致异形显示面板出现锯齿效应与彩边效应，从而降低了异形显示面板的视觉效果，影响用户体验。
为了改善异形显示面板的锯齿效应与彩边效应，技术人员采用增加算法或在显示区域中增加不用于发光的伪像素(Dummy pixel)的方式，降低锯齿效应与彩边效应的影响。针对增加算法的方式，由于算法复杂导致功耗提高。而针对增加伪像素的方式，导致显示面板开口率降低。
因此，如何在不增加算法以及不降低显示面板开口率的基础上，改善显示面板的锯齿效应与彩边效应，是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示面板及显示装置，用以在不增加算法以及不降低显示面板开口率的基础上，改善显示面板的锯齿效应与彩边效应的问题。
因此，本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，包括：位于显示区域的多个像素，各所述像素包括具有驱动晶体管的像素电路；所述显示区域边缘处像素具有与所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容；所述显示区域边缘处为显示区域靠近非显示区域的位置；
除所述显示区域边缘处像素外，所述显示区域其余处像素具有与所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容；所述第一电容的电容值不等于所述第二电容的电容值。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述有机发光显示面板还包括：第一电源线以及与每行像素对应的第一扫描信号线；各所述像素电路还包括：补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线电连接，所述补偿晶体管的源极与所述像素电路中的驱动晶体管的栅极电连接，所述补偿晶体管的漏极与所述驱动晶体管的漏极电连接，所述驱动晶体管的源极与所述第一电源线电连接；其中，所述驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线异层设置且具有交叠区域；
所述第一电容包括：所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第一寄生电容；
所述第二电容包括：所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第二寄生电容；所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，每一行像素在所述显示区域边缘处分别包括多个像素，各所述像素包括多个子像素，每个所述子像素包括一个像素电路；沿所述显示区域的边缘指向所述显示区域的内部的方向，所述每一行像素在所述显示区域边缘处的各所述像素对应的第一寄生电容的电容值的平均值依次减小。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述每一行像素在所述显示区域边缘处分别包括2个像素。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述每一行像素在所述显示区域边缘处，各所述子像素对应的第一寄生电容的电容值依次减小。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述每一行像素在所述显示区域边缘处，同一像素中各子像素对应的第一寄生电容的电容值相同。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述每一行像素在所述显示区域边缘处最靠近非显示区域的子像素对应的第一寄生电容的电容值相同；和/或，各所述第二寄生电容的电容值相同。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，每一行像素在所述显示区域边缘处的第一寄生电容两极的交叠区域的面积大于在所述显示区域其余处的第二寄生电容两极的交叠区域的面积。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，各所述像素电路还包括：与所述驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；
所述第一电容包括：所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；
所述第二电容包括：所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；所述第一电容的电容值小于所述第二电容的电容值。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述有机发光显示面板还包括：与每行像素对应的第一扫描信号线以及与各列像素对应的数据信号线；各所述像素电路还包括：数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线电连接，所述数据写入晶体管的源极与对应的数据信号线电连接，所述数据写入晶体管的漏极与所述像素电路中的驱动晶体管的栅极电连接；其中，所述驱动晶体管的栅极与电连接的数据写入晶体管的漏极异层设置且具有交叠区域；
所述驱动晶体管的栅极与电连接的数据写入晶体管的漏极之间的交叠区域形成存储电容。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述有机发光显示面板还包括：第一电源线；所述驱动晶体管的源极与所述第一电源线电连接，并且所述驱动晶体管的栅极与电连接的第一电源线异层设置且具有交叠区域；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一电源线之间的交叠区域形成存储电容。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，每一行像素在所述显示区域边缘处的存储电容两极的交叠区域的面积小于在所述显示区域其余处的存储电容两极的交叠区域的面积。
优选地，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，所述有机发光显示面板为异形显示面板，所述显示区域边缘处各行像素呈阶梯状排列；或者，所述有机发光显示面板为矩形显示面板，所述显示区域边缘处为矩形框。
相应地，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种有机发光显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的有机发光显示面板及显示装置，通过将用于发光显示的显示区域中靠近非显示区域的部分定义为显示区域边缘处，将显示区域中除显示区域边缘处之外的部分定义为显示区域其余处，其中，显示区域边缘处像素具有与显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容，显示区域其余处像素具有与显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容，并且将第一电容的电容值与第二电容的电容值设置为不同，即将显示区域边缘处像素中的第一电容与显示区域其余处像素中的第二电容进行区别化设计，可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低，从而可以降低显示区域边缘处与非显示区域的颜色对比，进而可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。与现有技术中通过增加算法与伪像素的方式相比，本发明实施例提供的上述有机发光显示面板可以保证像素的开口率并且也不会增加用于算法计算中的功耗。
附图说明
图1a为本发明实施例提供的有机发光显示面板的结构示意图之一；
图1b为本发明实施例提供的有机发光显示面板的结构示意图之二；
图1c为本发明实施例提供的有机发光显示面板的结构示意图之三；
图2a为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图之一；
图2b为本发明实施例提供的像素电路的结构示意图之二；
图3a为图2a所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之一；
图3b为图2a所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之二；
图3c为图2b所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之一；
图3d为图2a所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之三；
图3e为图2a所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之四；
图3f为图2b所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之二；
图3g为图2b所示的像素电路在有机发光显示面板中的局部的布局图之三；
图4为图1a与图1b所示的有机发光显示面板中CC区域中的具体结构示意图；
图5a为图2a所示的像素电路的时序图；
图5b为图2b所示的像素电路的时序图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的有机发光显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
附图中各形状和大小均不反映有机发光显示面板的真实形状与真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种有机发光显示面板，如图1a至图1c所示，包括：位于显示区域AA的多个像素10，各像素10包括具有驱动晶体管的像素电路；显示区域边缘处aa_1像素10具有与显示区域边缘处aa_1像素10中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容；显示区域边缘处aa_1为显示区域AA靠近非显示区域BB的位置；
除显示区域边缘处aa_1像素10外，显示区域其余处aa_2像素10具有与显示区域其余处aa_2像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容；第一电容的电容值不等于第二电容的电容值。
本发明实施例提供的上述有机发光显示面板，通过将用于发光显示的显示区域中靠近非显示区域的部分定义为显示区域边缘处，将显示区域中除显示区域边缘处之外的部分定义为显示区域其余处，其中，显示区域边缘处像素具有与显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容，显示区域其余处像素具有与显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容，并且将第一电容的电容值与第二电容的电容值设置为不同，即将显示区域边缘处像素中的第一电容与显示区域其余处像素中的第二电容进行区别化设计，可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低，从而可以降低显示区域边缘处与非显示区域的颜色对比，进而可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。与现有技术中通过增加算法与伪像素的方式相比，本发明实施例提供的上述有机发光显示面板可以保证像素的开口率并且也不会增加用于算法计算中的功耗。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，第一电容与第二电容可以分别用于改变对应相关的驱动晶体管的栅极的电压。第一电容与第二电容可以是对应相关的驱动晶体管的栅极直接参与形成的电容；或者，也可以是对应相关的驱动晶体管的栅极通过导线电连接的电容，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，如图1a与图1b所示，有机发光显示面板可以为异形显示面板，此时显示区域边缘处aa_1各行像素呈阶梯状排列，通过上述设置可以改善异形显示面板的锯齿效应与彩边效应。并且上述异形显示面板具体可以为可穿戴的手表等具有显示功能的小尺寸面板。
或者，如图1c所示，有机发光显示面板也可以为矩形显示面板，显示区域边缘处aa_1为矩形框，通过上述设置也可以改善矩形显示面板的彩边效应。并且上述矩形显示面板具体可以为可穿戴的手表等具有显示功能的小尺寸面板。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，如图1a至图1c所示，有机发光显示面板还包括：第一电源线Vdd以及与每行像素10对应的第一扫描信号线Gate1_n(n＝1、2、3…N，N为有机发光显示面板包括的像素的总行数)。其中，第一电源线Vdd用于向各像素输入高电平电压信号，第一扫描信号线Gate1_n用于向对应行的像素输入第一扫描信号。
当然，本发明实施例提供的上述有机发光显示面板，还可以包括：第二电源线、初始化信号线、与每行像素对应的第二扫描信号线、与每行像素对应的发光控制信号线、与每列像素对应的数据信号线，其中，第二电源线用于向各像素输入低电平电压信号，初始化信号线用于向各像素输入初始化信号，第二扫描信号线用于向对应行的像素输入对应的第二扫描信号，发光控制信号线用于向对应行的像素输入对应的发光控制信号，数据信号线用于向对应列的像素输入数据信号。
进一步地，本发明实施例提供的上述有机发光显示面板，还可以包括：用于向各像素输入参考信号的参考信号线。并且发光控制信号线也可以包括第一发光控制信号线与第二发光控制信号线。在实际应用中，有机发光显示面板中不同功能的信号线需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，如图2a与图2b所示，各像素电路还可以包括：补偿晶体管M0、与驱动晶体管DTFT的栅极电连接的存储电容Cst、发光器件L以及用于写入数据信号以及驱动发光器件L发光的驱动控制模块100。其中，补偿晶体管M0的栅极与对应的第一扫描信号线Gate1_n电连接，补偿晶体管M0的源极与像素电路中的驱动晶体管DTFT的栅极电连接，补偿晶体管M0的漏极与驱动晶体管DTFT的漏极电连接，驱动晶体管DTFT的源极与第一电源线Vdd电连接。这里所指电连接不局限于直接通过导线连接，也可以是如图2a的方式通过晶体管M3连接。
需要说明的是，为了电路图的清晰，在图2a与图2b中，未示出各信号线，仅以信号端的形式示出。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线异层设置且具有交叠区域。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，第一电容具体可以包括：显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第一寄生电容。第二电容具体可以包括：显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第二寄生电容。并且第一电容的电容值大于第二电容的电容值，即第一寄生电容的电容值大于第二寄生电容的电容值，以实现第一电容的电容值不等于第二电容的电容值，从而可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低。在实际应用中，第一寄生电容的电容值与第二寄生电容的电容值需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
或者，第一电容具体也可以包括：显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容。第二电容具体也可以包括：显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容。并且第一电容的电容值小于第二电容的电容值，即显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值小于显示区域其余处像素中的存储电容的电容值，以实现第一电容的电容值不等于第二电容的电容值，从而可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低。在实际应用中，显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值与显示区域其余处像素中的存储电容的电容值需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
当然，第一电容具体也可以包括：显示区域边缘处像素中的第一寄生电容与存储电容。第二电容具体也可以包括：显示区域其余处像素中的第二寄生电容与存储电容；其中，第一寄生电容的电容值大于第二寄生电容的电容值，且显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值小于显示区域其余处像素中的存储电容的电容值，以实现第一电容的电容值不等于第二电容的电容值，从而可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，如图2a所示，驱动控制模块100具体可以包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、、第三晶体管M3、第四晶体管M4以及第五晶体管M5；驱动晶体管DTFT的源极通过第三晶体管M3与第一电源线Vdd电连接。
第一晶体管M1的栅极与对应的第一扫描信号线Gate1_n电连接，第一晶体管M1的源极与数据信号线Data电连接，第一晶体管M1的漏极与驱动晶体管DTFT的源极电连接。
第二晶体管M2的栅极与对应的第二扫描信号线Gate2_n电连接，第二晶体管M2的源极与初始化信号线Vinit电连接，第二晶体管M2的漏极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
第三晶体管M3的栅极与对应的发光控制信号线Emit电连接，第三晶体管M3的源极与第一电源线Vdd电连接，第三晶体管M3的漏极与驱动晶体管DTFT的源极电连接。
第四晶体管M4的栅极与对应的发光控制信号线Emit电连接，第四晶体管M4的源极与驱动晶体管DTFT的漏极电连接，第四晶体管M4的漏极与发光器件的第一端电连接；
发光器件的第二端与第二电源线Vss电连接。
第五晶体管M5的栅极与对应的第二扫描信号线Gate2_n电连接，第五晶体管M5的源极与初始化信号线Vinit电连接，第五晶体管M5的漏极与发光器件的第一端电连接。
存储电容Cst的第一端与驱动晶体管DTFT的栅极电连接，第二端与第一电源线Vdd电连接；其中，驱动晶体管DTFT的栅极与电连接的第一电源线Vdd异层设置且具有交叠区域；并且驱动晶体管DTFT的栅极与第一电源线Vdd之间的交叠区域形成存储电容Cst。
当然，在实际应用中也可以不设置第三晶体管M3，在此不作限定。
或者，如图2b所示，驱动控制模块100具体也可以包括：数据写入晶体管M12、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10以及第十一晶体管M11。补偿晶体管M0的漏极通过第十一晶体管M11与驱动晶体管DTFT的漏极电连接。
数据写入晶体管M12的栅极与对应的第一扫描信号线Gate1_n电连接，数据写入晶体管M12的源极与对应的数据信号线Data电连接，数据写入晶体管M12的漏极与像素电路中的驱动晶体管DTFT的栅极电连接；其中，驱动晶体管DTFT的栅极与电连接的数据写入晶体管M12的漏极异层设置且具有交叠区域；并且驱动晶体管DTFT的栅极与电连接的数据写入晶体管M12的漏极之间的交叠区域形成存储电容Cst。
第六晶体管M6的栅极与对应的第二扫描信号线Gate2_n电连接，第六晶体管M6的源极与初始化信号线Vinit电连接，第六晶体管M6的漏极与第十晶体管M10的源极电连接。
第七晶体管M7的栅极与对应的第一扫描信号线Gate1_n电连接，第七晶体管M7的源极与初始化信号线Vinit电连接，第七晶体管M7的漏极与发光器件L的第一端电连接。
第八晶体管M8的栅极与对应的第一发光控制信号线Emit1电连接，源极与参考信号线Vref电连接，漏极与数据写入晶体管M12的漏极电连接。
第九晶体管M9的栅极与对应的第二发光控制信号线Emit2电连接，第九晶体管M9的源极与驱动晶体管DTFT的漏极电连接，第九晶体管M9的漏极与发光器件的第一端电连接；
发光器件L的第二端与第二电源线Vss电连接。
第十晶体管M10的栅极与对应的第二扫描信号线Gate2_n电连接，第十晶体管M10的漏极与驱动晶体管DTFT的栅极电连接。
第十一晶体管M11的栅极与对应的第一扫描信号线Gate1_n电连接，第十一晶体管M11的源极与补偿晶体管M0的漏极相连，第十一晶体管M11的漏极与驱动晶体管DTFT的漏极电连接。
当然，为了简化电路结构也可以不设置第十晶体管M10与第十一晶体管M11，在此不作限定。
以上仅是举例说明驱动控制模块的具体结构，在具体实施时，驱动控制模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，发光器件一般为有机发光二极管。并且发光器件的第一端为有机发光二极管的阳极，第二端为有机发光二极管的阴极。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，上述晶体管可以为P型晶体管，或者也可以为N型晶体管，在此不作限定。
并且，P型晶体管在高电位作用下截止，在低电位作用下导通；N型晶体管在高电位作用下导通，在低电位作用下截止。
另外，需要说明的是，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，上述各晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal Oxide Scmiconductor)，在此不作限定。在具体实施中，这些晶体管的源极和漏极根据晶体管类型以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此不做具体区分。
一般，像素的颜色是通过多个不同颜色的子像素组合而成。在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，每一行像素在显示区域边缘处可以分别包括多个像素，各像素也可以包括多个子像素，每个子像素包括一个像素电路。上述每个像素对应的第一电容可以为每个像素中各子像素对应的第一电容的平均值。上述每个像素对应的第二电容可以为每个像素中各子像素对应的第二电容的平均值。
具体地，如图1a至图1c所示，每一行像素在显示区域边缘处aa_1分别包括2个像素10。这样可以在保证较好的改善有机发光显示面板的锯齿效应与边缘效应的情况下，尽可能的不影响有机发光显示面板画面的正常显示，提高观看效果。
或者，也可以使每一行像素在显示区域边缘处包括1个像素。当然，也可以使部分行像素在显示区域边缘处包括1个像素，其余行像素在显示区域边缘处包括2个像素。在实际应用中，每一行像素在显示区域边缘处包括的像素的数量需要根据实际应用情况来设计确定，在此不作限定。
具体地，图1a与图1b所示的有机发光显示面板中CC区域中的具体结构示意图，如图4所示，各像素10具体可以包括3个子像素11、12、13。其中，这3个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素。当然，各像素也可以包括4个子像素，其中，这4个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素。像素中包括的子像素的数量需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
下面分别对上述寄生电容与存储电容的设置进行说明。
实施例一、
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，在各像素包括多个子像素时，沿显示区域的边缘指向显示区域的内部的方向，可以使每一行像素在显示区域边缘处的各像素对应的第一寄生电容的电容值的平均值依次减小。这样可以在沿显示区域的边缘指向非显示区域的方向上，使像素的亮度逐渐减小，从而使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行过渡，从而在改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应的同时，可以使人眼观看效果更佳。
为了统一同一个像素的制备工艺，可以使每一行像素在显示区域边缘处，同一像素中各子像素对应的第一寄生电容的电容值相同。这样可以使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行阶梯性过渡。
或者，沿显示区域的边缘指向显示区域的内部的方向，可以使每一行像素在显示区域边缘处，各子像素对应的第一寄生电容的电容值依次减小。这样可以使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行缓慢过渡，进一步提高人眼观看的效果。
为了使显示区域最靠近非显示区域的区域的亮度相同，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，可以使每一行像素在显示区域边缘处最靠近非显示区域的子像素对应的第一寄生电容的电容值相同。这样可以使流过最靠近非显示区域的子像素中的发光器件的电流相同，从而使亮度保持一致。
为了使显示区域其余处像素的发光亮度均一，不影响显示画面的画质，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，可以使各第二寄生电容的电容值相同。即显示区域其余处各子像素对应的第二寄生电容的电容值相同。
实际生产制备时，一般在衬底基板上进行布局(Layout)以形成本发明实施例提供的上述有机发光显示面板，其中，图2a所示的像素电路的局部布局图分别如图3a和图3b所示，图2b所示的像素电路的局部布局图如图3c所示。在图3a至图3c中，驱动晶体管的栅极DTFT_p(p＝1、2)与对应的第一扫描信号线gate1_n异层设置且具有交叠区域OAp；其中，显示区域边缘处aa_1像素中的驱动晶体管的栅极DTFT_1与对应的第一扫描信号线gate1_n之间的交叠区域OA1形成的第一寄生电容；显示区域其余处aa_2像素中的驱动晶体管的栅极DTFT_2与对应的第一扫描信号线gate1_n之间的交叠区域OA2形成的第二寄生电容。
在具体实施时，如图3a至图3c所示，每一行像素在显示区域边缘处aa_1的第一寄生电容两极的交叠区域OA1的面积大于在显示区域其余处aa_2的第二寄生电容两极的交叠区域OA2的面积，以使第一寄生电容的电容值大于第二寄生电容的电容值。其中，在Layout时，为了使交叠区域OA1的面积大于交叠区域OA2的面积，可以将显示区域边缘处aa_1像素与第一扫描信号线gate1_n电连接的部分与其余部分进行区别化设计。
针对图2a所示的像素电路的结构，如图3a所示，可以抬高显示区域边缘处aa_1像素与第一扫描信号线gate1_n电连接的部分，以使该部分第一扫描信号线gate1_n与驱动晶体管的栅极DTFT_1进行交叠。
或者，如图3b所示，也可以将位于显示区域边缘处aa_1的与驱动晶体管的栅极DTFT_1电连接的aa_1的第一扫描信号线gate1_n的宽度设置的比其余部分的宽度大，以使该部分第一扫描信号线gate1_n与驱动晶体管的栅极DTFT_1进行交叠，以增大交叠区域OA1的面积。
针对图2b所示的像素电路的结构，如图3c所示，可以使显示区域边缘处aa_1像素与第一扫描信号线gate1_n电连接的部分在水平方向上延长，以增大交叠区域OA1的面积。
为了保持有机发光显示面板中各驱动晶体管的均一性，有机发光显示面板中显示区域中的各驱动晶体管的栅极的面积可以设置为相同。
实施例二、
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，在各像素包括多个子像素时，沿显示区域的边缘指向显示区域的内部的方向，可以使每一行像素在显示区域边缘处的各像素对应的存储电容的电容值的平均值依次增大。这样可以在沿显示区域的边缘指向非显示区域的方向上，使像素的亮度逐渐减小，从而使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行过渡，从而在改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应的同时，可以使人眼观看效果更佳。
为了统一同一个像素的制备工艺，可以使每一行像素在显示区域边缘处，同一像素中各子像素对应的存储电容的电容值相同。这样可以使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行阶梯性过渡。
或者，沿显示区域的边缘指向显示区域的内部的方向，可以使每一行像素在显示区域边缘处，各子像素对应的存储电容的电容值依次增大。这样可以使有机发光显示面板的亮度由显示区域边缘处向非显示区域进行缓慢过渡，进一步提高人眼观看的效果。
为了使显示区域最靠近非显示区域的区域的亮度相同，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，可以使每一行像素在显示区域边缘处最靠近非显示区域的子像素对应的存储电容的电容值相同。这样可以使流过最靠近非显示区域的子像素中的发光器件的电流相同，从而使亮度保持一致。
为了使显示区域其余处像素的发光亮度均一，不影响显示画面的画质，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机发光显示面板中，可以使显示区域其余处中各子像素对应的存储电容的电容值相同。
实际生产制备时，一般在衬底基板上进行布局(Layout)以形成本发明实施例提供的上述有机发光显示面板，图2a所示的像素电路的局部布局图分别如图3d和图3e所示，图2b所示的像素电路的局部布局图分别如图3f与图3g所示。在图3d和图3e中，可以使驱动晶体管的栅极DTFT_p与第一电源线Vdd异层设置且具有交叠区域OAq(q＝3、4)；以使驱动晶体管的栅极DTFT_p与第一电源线Vdd之间的交叠区域OAq形成存储电容。在图3f和图3g中，可以使驱动晶体管的栅极DTFT_p与电连接的数据写入晶体管的漏极异层设置且具有交叠区域OAq，以使驱动晶体管的栅极DTFT_p与电连接的数据写入晶体管的漏极之间的交叠区域OAq形成存储电容。
需要说明的是，上述所述的驱动晶体管的栅极与电连接的数据写入晶体管的漏极之间的交叠区域，不局限于数据写入晶体管的漏极本身与驱动晶体管的栅极形成的交叠区域，也可以是与数据写入晶体管的漏极电连接的导电膜层与驱动晶体管的栅极形成的交叠区域。例如，在具体实施时，可以使驱动晶体管的栅极与对应的数据写入晶体管的漏极本身之间直接形成交叠区域，以使该交叠区域形成存储电容。或者，也可以在衬底基板上设置一层Mc导电膜层，并将该Mc导电膜层通过导线、过孔等工艺与数据写入晶体管的漏极实现电连接，以及使该Mc导电膜层与驱动晶体管的栅极之间形成交叠区域，以使该交叠区域形成存储电容。在实际应用中，形成存储电容的具体方法与工艺需要根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。并且，上述Mc导电膜层可以为金属膜层。
在具体实施时，如图3d至图3g所示，可以使每一行像素在显示区域边缘处aa_1的存储电容两极的交叠区域OA3的面积小于在显示区域其余处aa_2的存储电容两极的交叠区域OA4的面积，以使每一行像素在显示区域边缘处aa_1的存储电容的电容值小于在显示区域其余处aa_2的存储电容的电容值。其中，在各像素包括多个子像素时，可以使每一行子像素在显示区域边缘处的存储电容两极的交叠区域的面积小于在显示区域其余处的存储电容两极的交叠区域的面积。
针对图2a所示的像素电路的结构，在Layout时，为了使每一行像素在显示区域边缘处的存储电容两极的交叠区域的面积小于在显示区域其余处的存储电容两极的交叠区域的面积，可以将第一电源线与显示区域边缘处像素电连接的部分和其余部分进行区别化设计。
具体地，如图3d所示，可以抬高第一电源线Vdd与显示区域边缘处aa_1像素电连接的部分，以使该部分第一电源线Vdd与驱动晶体管的栅极DTFT_1进行交叠。
或者，如图3e所示，也可以将位于显示区域边缘处aa_1的第一电源线Vdd的部分的宽度设置的比其余部分的宽度大，以使该部分第一电源线Vdd与驱动晶体管的栅极DTFT_1进行交叠。
并且，为了保持有机发光显示面板中各驱动晶体管的均一性，有机发光显示面板中显示区域中的各驱动晶体管的栅极的面积可以设置为相同。
针对图2b所示的像素电路的结构，在Layout时，为了使每一行像素在显示区域边缘处的存储电容两极的交叠区域的面积小于在显示区域其余处的存储电容两极的交叠区域的面积，可以将显示区域边缘处像素中数据写入晶体管的漏极的面积与显示区域其余处像素中数据写入晶体管的漏极的面积进行区别化设计。
具体地，如图3f所示，可以增加显示区域边缘处aa_1像素中数据写入晶体管的漏极M12_1的面积，使其与驱动晶体管的栅极DTFT_1进行交叠，以提高数据写入晶体管的漏极M12_1与驱动晶体管的栅极DTFT_1之间的交叠面积。
或者，如图3g所示，也可以设置Mc导电膜层mc_1、mc_2，并且使该Mc导电膜层mc_1与驱动晶体管的栅极DTFT_1之间形成交叠区域OA3，使该Mc导电膜层mc_2与驱动晶体管的栅极DTFT_2之间形成交叠区域OA4，其中，Mc导电膜层mc_1的面积大于Mc导电膜层mc_2的面积，并且Mc导电膜层mc_1向驱动晶体管的栅极DTFT_1所在位置延伸。另外，该Mc导电膜层mc_1、mc_2还分别通过导线、过孔等工艺与数据写入晶体管的漏极实现电连接(图3g中未示出)。
并且，为了保持有机发光显示面板中各驱动晶体管的均一性，有机发光显示面板中显示区域中的各驱动晶体管的栅极的面积可以设置为相同。
下面分别以图2a与图2b所示的像素电路的结构为例，结合电路时序图，对本发明实施例提供的上述有机发光显示面板的效果进行说明。下述描述中以1表示高电位，0表示低电位。需要说明的是，1和0是逻辑电位，其仅是为了更好的解释本发明实施例的具体工作过程，而不是在具体实施时施加在各晶体管的栅极上的电位。
其中，以一行像素中相邻的两个子像素为例，且这两个子像素分别位于显示区域边缘处像素中以及显示区域其余处像素中。并且，显示区域边缘处的第一寄生电容的电容值用cg1表示，显示区域边缘处的存储电容的电容值用cst1表示，显示区域其余处的第二寄生电容的电容值用cg2表示，显示区域其余处的存储电容的电容值用cst2表示。并且，分别向这两个子像素输入相同的数据信号。
实施例三、
以图2a所示的像素电路为例。如图2a所示的像素电路的结构，其对应的时序图如图5a所示。具体地，选取如图5a所示的时序图中的T1、T2以及T3三个阶段。其中，gate1_n代表第一扫描信号线Gate1_n输入的信号，gate2_n代表第二扫描信号线Gate2_n输入的信号，emit代表发光控制信号线Emit输入的信号。下面仅针对显示区域边缘处子像素中的像素电路的工作过程进行详细说明。
在T1阶段，gate1_n＝1、gate2_n＝0、emit＝1，因此第二晶体管M2与第五晶体管M5导通。导通的第二晶体管M2将初始化信号线Vint上的初始化信号提供给驱动晶体管DTFT的栅极以及存储电容Cst，对驱动晶体管DTFT的栅极与存储电容Cst进行初始化。导通的第五晶体管M5将初始化信号提供给发光器件L的第一端，对发光器件L进行初始化。
在T2阶段，gate1_n＝0、gate2_n＝1、emit＝1，因此第一晶体管M1与补偿晶体管M0导通。导通的补偿晶体管M0使驱动晶体管DTFT处于二极管连接状态，导通的第一晶体管M1将数据信号线Data输入的数据信号提供给驱动晶体管DTFT的源极，以通过处于二极管状态的驱动晶体管DTFT向存储电容Cst充电，直至驱动晶体管DTFT的栅极的电压变为Vdata-|Vth|时为止。然而由于第一扫描信号线Gate1_n上的信号gate1_n由低电位变为高电位时，由于与驱动晶体管DTFT的栅极相关的电容的耦合作用，会使驱动晶体管DTFT的栅极的电压抬高ΔV1而变为Vdata-|Vth|+ΛV1，从而使存储电容Cst两端的电压差为：Vdd-Vdata+|Vth|-ΔV1；其中，Vdd代表第一电源线Vdd上的信号的电压，Vdata代表数据信号的电压，Vth代表驱动晶体管DTFT的阈值电压，ΔV1与存储电容Cst以及驱动晶体管DTFT的栅极与第一扫描信号线Gate1_n之间的第一寄生电容相关，因此ΔV1满足公式：Vgh代表信号gate1_n高电位时的电压，Vgl代表信号gate1_n低电位时的电压。
在T3阶段，gate1_n＝1、gate2_n＝1、emit＝0，因此第三晶体管M3与第四晶体管M4导通。导通的第三晶体管M3将第一电源线Vdd上的信号提供给驱动晶体管DTFT的源极。导通的第四晶体管M4使驱动晶体管DTFT的漏极与发光器件L导通。驱动晶体管DTFT在其栅极与源极的电压作用下处于饱和状态，根据饱和状态电流特性，用于驱动发光器件L发光的电流IL1满足公式IL1＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(Vdd-Vdata+|Vth|-ΔV1-|Vth|)2＝K(Vdd-Vdata-ΔV1)2。
同理，显示区域其余处子像素中用于驱动发光器件L发光的电流IL2满足公式IL2＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(Vdd-Vdata+|Vth|-ΔV2-|Vth|)2＝K(Vdd-Vdata-ΔV2)2。其中，ΔV2与显示区域其余处子像素中的存储电容Cst以及驱动晶体管DTFT的栅极与第一扫描信号线Gate1_n之间的第二寄生电容相关，因此ΔV2满足公式：
因此，通过ΔV1与ΔV2满足的公式以及IL1与IL2满足的公式可知，仅在cg1>cg2时，ΔV1>ΔV2，可以使IL1<IL2，可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的第一寄生电容的电容值与显示区域其余处像素中的第二寄生电容的电容值进行区别化设计，可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。并且由于仅针对第一寄生电容的电容值与第二寄生电容的电容值进行区别化设计，因此，还可以不影响像素电路中对驱动晶体管的阈值电压的补偿效果。
或者，仅在cst1<cst2时，ΔV1>ΔV2，也可以使IL1<IL2，可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值与显示区域其余处像素中的存储电容的电容值进行区别化设计，也可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。
或者，在cg1>cg2并且cst1<cst2时，ΔV1>ΔV2，也可以使IL1<IL2，也可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的第一寄生电容的电容值与显示区域其余处像素中的第二寄生电容的电容值进行区别化设计，以及将显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值与显示区域其余处像素中的存储电容的电容值进行区别化设计，也可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。
针对图2a所示的像素电路的结构，以显示区域边缘处的一个子像素中的像素电路为例，将该像素电路的第一寄生电容的电容值cg1进行±2.5％变化后，检测了该像素电路中驱动晶体管DTFT的栅极电压与驱动发光器件L发光的电流IL1，第一寄生电容的电容值cg1与驱动晶体管DTFT的栅极电压以及驱动发光器件L发光的电流IL1的关系，如表1所示。其中以第一寄生电容的电容值cg1＝10.48f为例。从表1中可以看出，随着cg1增大，IL1减小，驱动晶体管DTFT的栅极电压增大。
cg1的改变量 IL1(nA) 驱动晶体管DTFT的栅极电压(V)
-0.025 0.340 2.86
-0.02 0.319 2.87
-0.015 0.300 2.88
-0.01 0.281 2.89
-0.005 0.264 2.90
0 0.248 2.91
0.005 0.232 2.92
0.01 0.218 2.93
0.015 0.205 2.94
0.02 0.192 2.95
0.025 0.180 2.96
表1
实施例四、
以图2b所示的像素电路的结构为例。如图2b所示的像素电路的结构，其对应的时序图如图5b所示。具体地，选取如图5b所示的时序图中的T1、T2、T3以及T4四个阶段。其中，gate1_n代表第一扫描信号线Gate1_n输入的信号，gate2_n代表第二扫描信号线Gate2_n输入的信号，emit1代表第一发光控制信号线Emit1输入的信号，emit2代表第二发光控制信号线Emit2输入的信号。下面仅针对显示区域边缘处子像素中的像素电路的工作过程进行详细说明。
在T1阶段，gate1_n＝1、gate2_n＝0、emit1＝0、emit2＝1，因此，第六晶体管M6、第八晶体管M8以及第十晶体管M10导通。导通的第八晶体管M8将参考信号线Vref上的参考信号提供给存储电容Cst。导通的第六晶体管M6与第十晶体管M10将初始化信号线Vint上的初始化信号提供给存储电容Cst与驱动晶体管DTFT的栅极，以对存储电容Cst与驱动晶体管DTFT的栅极进行初始化。之后，由于gate1_n＝1、gate2_n＝0、emit1＝1，emit2＝1，因此，第六晶体管M6与第十晶体管M10导通，继续对存储电容Cst与驱动晶体管DTFT的栅极进行初始化。
在T2阶段，gate1_n＝0、gate2_n＝1、emit1＝1、emit2＝1，因此第七晶体管M7、补偿晶体管M0、第十一晶体管M11以及数据写入晶体管M12导通。导通的第七晶体管M7将初始化信号提供给发光器件，以对发光器件进行初始化。导通的数据写入晶体管M12将数据信号线Data输入的数据信号提供给存储电容Cst，使存储电容Cst一端的电压为Vdata，Vdata代表数据信号的电压。导通的补偿晶体管M0与第十一晶体管M11使驱动晶体管DTFT处于二极管连接状态，以使第一电源线Vdd上的信号通过处于二极管状态的驱动晶体管DTFT向存储电容Cst充电，直至驱动晶体管DTFT的栅极的电压变为Vdd-|Vth|时为止。然而由于第一扫描信号线Gate1_n上的信号gate1_n由低电位变为高电位时，由于与驱动晶体管DTFT的栅极相关的电容的耦合作用，会使驱动晶体管DTFT的栅极的电压抬高ΔV1而变为Vdd-|Vth|+ΛV1；其中，Vdd代表第一电源线Vdd上的信号的电压，Vth代表驱动晶体管DTFT的阈值电压，ΔV1与存储电容Cst以及驱动晶体管DTFT的栅极与第一扫描信号线Gate1_n之间的第一寄生电容相关，因此ΔV1满足公式：Vgh代表信号gate1_n高电位时的电压，Vgl代表信号gate1_n低电位时的电压。
在T3阶段，gate1_n＝1、gate2_n＝1、emit1＝0、emit2＝1，因此第八晶体管M8导通。导通的第八晶体管M8将参考信号提供给存储电容Cst，使存储电容Cst的一端的电压为参考信号的电压Vref。由于存储电容Cst的电荷在跳变前后满足电荷守恒原则，因此，由于存储电容Cst的耦合作用，驱动晶体管DTFT的栅极的电压跳变为：Vref-Vdata+Vdd-|Vth|+ΛV1。
在T4阶段，gate1_n＝1、gate2_n＝1、emit1＝0、emit2＝0，因此第八晶体管M8与第九晶体管M9导通。导通的第八晶体管M8将参考信号提供给存储电容Cst，使存储电容Cst的一端的电压为参考信号的电压Vref。导通的第九晶体管M9使驱动晶体管DTFT的漏极与发光器件L导通。驱动晶体管DTFT在其栅极与源极的电压作用下处于饱和状态，根据饱和状态电流特性，流过驱动晶体管DTFT且用于驱动发光器件L发光的电流IL1满足公式：IL1＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(Vdd-Vref+Vdata-Vdd+|Vth|-ΛV1-|Vth|)2＝K(Vdata-Vref-ΔV1)2。
同理，显示区域其余处子像素中驱动发光器件L发光的电流IL2满足公式：IL2＝K(Vsg-|Vth|)2＝K(Vdd-Vref+Vdata-Vdd+|Vth|-ΛV2-|Vth|)2＝K(Vdata-Vref-ΔV2)2。其中，ΔV2与显示区域其余处子像素中存储电容Cst以及驱动晶体管DTFT的栅极与第一扫描信号线Gate1_n之间的第二寄生电容相关，因此ΔV2满足公式：
因此，通过ΔV1与ΔV2满足的公式以及IL1与IL2满足的公式可知，仅在cg1>cg2时，ΔV1>ΔV2，可以使IL1<IL2，可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的第一寄生电容的电容值与显示区域其余处像素中的第二寄生电容的电容值进行区别化设计，可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。
或者，仅在cst1<cst2时，ΔV1>ΔV2，也可以使IL1<IL2，可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值与显示区域其余处像素中的存储电容的电容值进行区别化设计，也可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。
或者，在cg1>cg2并且cst1<cst2时，ΔV1>ΔV2，也可以使IL1<IL2，也可以使显示区域边缘处子像素的亮度小于显示区域其余处子像素的亮度。从而通过将显示区域边缘处像素中的第一寄生电容的电容值与显示区域其余处像素中的第二寄生电容的电容值进行区别化设计，以及将显示区域边缘处像素中的存储电容的电容值与显示区域其余处像素中的存储电容的电容值进行区别化设计，也可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述任一种有机发光显示面板。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述有机发光显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述显示装置可以为可穿戴设备。例如手表。
本发明实施例提供的有机发光显示面板及显示装置，通过将用于发光显示的显示区域中靠近非显示区域的部分定义为显示区域边缘处，将显示区域中除显示区域边缘处之外的部分定义为显示区域其余处，其中，显示区域边缘处像素具有与显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容，显示区域其余处像素具有与显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容，并且将第一电容的电容值与第二电容的电容值设置为不同，即将显示区域边缘处像素中的第一电容与显示区域其余处像素中的第二电容进行区别化设计，可以使显示区域边缘处像素的亮度比显示区域其余处像素的亮度低，从而可以降低显示区域边缘处与非显示区域的颜色对比，进而可以改善有机发光显示面板的锯齿效应与彩边效应。与现有技术中通过增加算法与伪像素的方式相比，本发明实施例提供的上述有机发光显示面板可以保证像素的开口率并且也不会增加用于算法计算中的功耗。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种有机发光显示面板，包括：位于显示区域的多个像素，各所述像素包括具有驱动晶体管的像素电路；其特征在于，所述显示区域边缘处像素具有与所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第一电容；所述显示区域边缘处为显示区域靠近非显示区域的位置；
除所述显示区域边缘处像素外，所述显示区域其余处像素具有与所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极相关的第二电容；所述第一电容的电容值不等于所述第二电容的电容值。
2.如权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括：第一电源线以及与每行像素对应的第一扫描信号线；各所述像素电路还包括：补偿晶体管，所述补偿晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线电连接，所述补偿晶体管的源极与所述像素电路中的驱动晶体管的栅极电连接，所述补偿晶体管的漏极与所述驱动晶体管的漏极电连接，所述驱动晶体管的源极与所述第一电源线电连接；其中，所述驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线异层设置且具有交叠区域；
所述第一电容包括：所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第一寄生电容；
所述第二电容包括：所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线之间的交叠区域形成的第二寄生电容；所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值。
3.如权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，每一行像素在所述显示区域边缘处分别包括多个像素，各所述像素包括多个子像素，每个所述子像素包括一个像素电路；沿所述显示区域的边缘指向所述显示区域的内部的方向，所述每一行像素在所述显示区域边缘处的各所述像素对应的第一寄生电容的电容值的平均值依次减小。
4.如权利要求3所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述每一行像素在所述显示区域边缘处分别包括2个像素。
5.如权利要求3所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述每一行像素在所述显示区域边缘处，各所述子像素对应的第一寄生电容的电容值依次减小。
6.如权利要求3所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述每一行像素在所述显示区域边缘处，同一像素中各子像素对应的第一寄生电容的电容值相同。
7.如权利要求3-6任一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述每一行像素在所述显示区域边缘处最靠近非显示区域的子像素对应的第一寄生电容的电容值相同；和/或，各所述第二寄生电容的电容值相同。
8.如权利要求2-6任一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，每一行像素在所述显示区域边缘处的第一寄生电容两极的交叠区域的面积大于在所述显示区域其余处的第二寄生电容两极的交叠区域的面积。
9.如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，各所述像素电路还包括：与所述驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；
所述第一电容包括：所述显示区域边缘处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；
所述第二电容包括：所述显示区域其余处像素中的驱动晶体管的栅极电连接的存储电容；所述第一电容的电容值小于所述第二电容的电容值。
10.如权利要求9所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括：与每行像素对应的第一扫描信号线以及与各列像素对应的数据信号线；各所述像素电路还包括：数据写入晶体管，所述数据写入晶体管的栅极与对应的第一扫描信号线电连接，所述数据写入晶体管的源极与对应的数据信号线电连接，所述数据写入晶体管的漏极与所述像素电路中的驱动晶体管的栅极电连接；其中，所述驱动晶体管的栅极与电连接的数据写入晶体管的漏极异层设置且具有交叠区域；
所述驱动晶体管的栅极与电连接的数据写入晶体管的漏极之间的交叠区域形成存储电容。
11.如权利要求9所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括：第一电源线；所述驱动晶体管的源极与所述第一电源线电连接，并且所述驱动晶体管的栅极与电连接的第一电源线异层设置且具有交叠区域；
所述驱动晶体管的栅极与所述第一电源线之间的交叠区域形成存储电容。
12.如权利要求10或11所述的有机发光显示面板，其特征在于，每一行像素在所述显示区域边缘处的存储电容两极的交叠区域的面积小于在所述显示区域其余处的存储电容两极的交叠区域的面积。
13.如权利要求1-6任一项所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板为异形显示面板，所述显示区域边缘处各行像素呈阶梯状排列；或者，所述有机发光显示面板为矩形显示面板，所述显示区域边缘处为矩形框。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-13任一项所述的有机发光显示面板。
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