CN111403311B - Goa电路、显示面板及修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种GOA电路、显示面板及修复方法,该GOA电路包括至少两个级联的GOA单元、连接级联的GOA单元的连接线,以及与连接线异层设置的网格线,网格线与连接线的分布位置相对应。在连接线发生短路或断路故障时,根据故障类型确定采用熔断短路或断路处附近的部分网格线、熔断短路或断路处附近的部分连接线、将该部分网格线和该部分连接线熔接之中的一种或多种方式来修复或替代出故障的该部分连接线,从而在不增加掩膜光罩工艺的基础上实现修复该GOA电路的目的。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种GOA电路、显示面板及修复方法。
背景技术
GOA(Gate Driver on Array,阵列基板驱动)电路是实现面板逐行扫描的电路,GOA电路由于可以直接将栅极驱动电路集成在显示面板的阵列基板上,而不需要外接硅芯片制作驱动芯片,因此使得显示面板集成度更高、工艺流程更简化,可以降低生产成本、提高模组良率,并被广泛应用于追求轻薄、窄边框和形态多样化的新一代显示面板中。但是,GOA电路的结构复杂,内部的连接线较多(图1中的实线、点虚线、线虚线均表示连接线),内部容易由于ESD炸伤即静电击穿导致断路故障,或由于制程不良导致短路等故障。如果内部的重要走线如级传线、反馈信号线、时钟CK线、恒高压VGH线、恒低压VGL线等发生短路或断路故障,则会导致GOA电路中的薄膜晶体管TFT的电性消散而失效,从而使得GOA电路失效。
目前,针对GOA电路的修复主要是针对其中的GOA单元的模块或器件进行的修复,针对GOA电路中走线的修复方法较少,且对于GOA电路中走线的修复一般都需要增加掩膜光罩的工艺才能实现走线的修复,因此若遇到内部的重要走线发生短路或断路故障,对GOA电路的修复常常较为繁琐和不便。
发明内容
本申请实施例提供一种GOA电路、显示面板及修复方法,可以方便地实现GOA电路中出故障走线的修复,从而当内部的重要走线发生短路或断路故障时,能方便地对这些走线进行修复,有效避免内部重要节点之间由于ESD炸伤即静电击穿导致的断路、或由于制程不良导致的短路风险,以免GOA电路失效。
第一方面,本申请实施例提供一种GOA电路的修复方法,所述GOA电路包括至少两个级联的GOA单元和连接级联的所述GOA单元的连接线,所述GOA电路的修复方法包括:
提供与所述连接线异层设置的网格线,所述网格线与所述连接线的分布位置相对应;若所述连接线发生短路或断路故障,通过采用短路或断路处附近的熔断部分所述网格线、熔断短路或断路处附近的部分所述连接线、将该部分所述网格线和该部分所述连接线熔接的三种方式中的一种或多种修复所述连接线,以修复所述GOA电路。
在一些实施例中,所述GOA电路的修复方法具体包括:若所述连接线与所述网格线之间发生短路故障,通过熔断所述连接线与所述网格线之间发生短路处附近的部分所述网格线修复所述连接线。
在一些实施例中,所述GOA电路的修复方法具体包括:若所述连接线发生短路或断路故障,通过熔断所述连接线发生短路或断路处附近的部分所述连接线和部分所述网格线,并且熔接该部分所述网格线和该部分所述连接线,以形成由该部分所述网格线组成的架桥线,所述架桥线用于替代该部分所述连接线。
在一些实施例中,所述连接线包括级传线和信号线,所述级传线用于连接级联的两个GOA单元,所述信号线和所述GOA单元相连,所述GOA电路的修复方法具体包括:若所述级传线和所述信号线之间发生短路或断路故障,通过熔断所述级传线和所述信号线之间短路或断路处附近的第一部分网格线、第二部分网格线、部分所述级传线和部分所述信号线,并且熔接所述第一部分所述网格线和该部分所述级传线,以形成由所述第一部分网格线组成的第一架桥线,所述第一架桥线用于替代该部分所述级传线;以及熔接所述第二部分网格线和该部分所述信号线,以形成由所述第二部分网格线组成的第二架桥线,所述第二架桥线用于替代该部分所述信号线。
第二方面,本申请实施例还提供一种GOA电路,该GOA电路包括:
至少两个级联的GOA单元;
连接线,连接级联的所述GOA单元,用以实现电路连接和信号传输;
网格线,与所述连接线异层设置,且与所述连接线的设置部位相对应;所述网格线用于,针对所述连接线发生短路或断路故障处附近,采用熔断部分所述网格线、熔断部分所述连接线、将该部分所述网格线和该部分所述连接线熔接的三种方式中的一种或多种修复所述连接线,以修复所述GOA电路。
在一些实施例中,所述连接线包括级传线和信号线;每级所述GOA单元均包括互相连接的上拉单元和上拉控制单元,第N级所述GOA单元的上拉单元与第N+M级所述GOA单元的上拉控制单元通过所述级传线连接,N和M均为大于0的自然数;所述信号线与所述GOA单元的上拉单元连接。
在一些实施例中,所述GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用顶栅结构,所述顶栅结构包括第一金属层、第二金属层和第三金属层;所述网格线和所述薄膜晶体管TFT的遮光层处于所述第一金属层、所述级传线和所述薄膜晶体管TFT的栅极处于所述第二金属层,所述信号线、所述薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于所述第三金属层。
在一些实施例中,所述顶栅结构还包括第一介质层和第二介质层;第一介质层设于所述第一金属层与所述第二金属层之间,第二介质层设于所述第二金属层与所述第三金属层之间。
在一些实施例中,所述GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用底栅结构,所述底栅结构包括第四金属层和第五金属层,所述网格线和所述薄膜晶体管TFT的栅极处于所述第四金属层,所述级传线、所述信号线,以及所述薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于所述第五金属层。
在一些实施例中,所述底栅结构还包括第三介质层,所述第三介质层设于所述第四金属层和所述第五金属层之间。
第三方面,本申请实施例还提供一种显示面板,包括如上所述的GOA电路。
本申请实施例提供一种GOA电路、显示面板及修复方法,该GOA电路包括至少两个级联的GOA单元和用于连接级联的GOA单元的连接线,以及与连接线异层设置的网格线,网格线与连接线的分布位置相对应;若连接线发生短路或断路故障,通过采用熔断部分网格线、熔断部分连接线、将该部分网格线和该部分连接线熔接之中的一种或多种方式修复或替代该部分连接线,以修复GOA电路。本申请实施例提供与连接线异层设置并与连接线的分布位置相对应的网格线,在连接线发生短路或断路故障时,根据故障类型确定采用熔断短路或断路附近的部分网格线、或熔断短路或断路附近的部分连接线、或熔接该部分网格线和该部分连接线的方式之中的一种或几种组合来修复或替代出故障的该部分连接线,从而实现修复该GOA电路的目的,以防止GOA电路由于内部跨线出现短路或断路故障时,GOA电路失效的问题。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的GOA电路的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的GOA电路修复方法的流程示意图;
图3为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第一种修复方式示意图;
图4为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第二种修复方式示意图;
图5为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第三种修复方式示意图;
图6为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第四种修复方式示意图;
图7为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第五种修复方式示意图;
图8为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第六种修复方式示意图;
图9为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第七种修复方式示意图;
图10为本申请实施例提供的GOA电路中薄膜晶体管TFT的一种结构示意图;
图11为本申请实施例提供的GOA电路中薄膜晶体管TFT的另一种结构示意图;
图12为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
GOA电路的结构复杂,内部的连接线较多,内部容易由于ESD炸伤即静电击穿导致断路故障,或由于制程不良导致短路等故障,目前对于GOA电路中走线的修复一般都需要增加掩膜光罩的工艺才能实现走线的修复,较为繁琐和不便,且相对提高了维修成本。本申请实施例为了解决上述问题,提供了一种GOA电路、显示面板及修复方法。
参见图1,图1为本申请实施例提供的GOA电路的结构示意图,本申请实施例提供一种GOA电路,该GOA电路包括:
至少两个级联的GOA单元;
连接线2、3和4,连接级联的GOA单元,用以实现电路连接和信号传输;
网格线1,与连接线2、3和4异层设置,且与连接线2、3和4的设置部位相对应;网格线1用于,针对连接线2、3或4发生短路或断路故障处附近,采用熔断部分网格线1、熔断部分连接线2、3或4、将该部分网格线1和该部分连接线2、3或4熔接的三种方式中的一种或多种修复该部分连接线2、3或4,以修复该GOA电路。
需要说明的是,在图1中,网格线1为实线,连接线2、3和4为虚线。
具体地,为了在连接线发生短路或断路故障时方便对连接线进行修复,在连接线所在层的其他层上设置网格线,且网格线在其他层上的分布位置与连接线在其所在层上的分布位置相对应。
本申请实施例在连接线2、3或4出现的短路或断路故障时,选择熔断短路或断路处附近的部分网格线1、熔断短路或断路处附近的部分连接线2、3或4、将熔断的该部分网格线1和熔断的该部分连接线2、3或4熔接这三种方式中的一种或多种,来修复或替代连接线2、3或4发生故障的部分,使得连接线2、3或4中出现故障的部分被修复或替代,使得连接线2、3或4恢复正常连接,从而使该GOA电路在连接线2、3或4发生短路或断路故障时被方便地修复。本申请实施例能在不增加掩膜光罩工艺的基础上实现该GOA电路的修复,提高了该GOA电路的修复效率、节约了修复成本。
在一些实施例中,如图1所示,连接线2、3和4包括级传线2和信号线3和4,其中,级传线2为线虚线,信号线3和4为点虚线;GOA电路中的连接线2、3和4用于级联GOA单元之间的电路连接和信号传输,连接线2、3和4分为级传线2以及信号线3和4,其中,每条级传线2的一端与上一级GOA单元的上拉单元相连,另一端与下一级GOA单元的上拉控制单元相连;每条信号线3或4与其对应的GOA单元的上拉单元相连,信号线3或4对应的GOA单元是指该信号线用于电路连接和信号传递的GOA单元,该信号线3或4与该GOA单元的上拉单元相连,用于该GOA单元的电路连接和信号传递。
需要说明的是,GOA电路中的信号线包括反馈信号线、时钟CK线、恒高压VGH线、恒低压VGL线等,本申请实施例中的信号线3和4仅作为举例,代表GOA电路中的多根信号线,以便于下述各实施例对该GOA电路及其修复方法的解释与说明。
同样地,在两个级联的GOA单元之间的数量在横纵方向可以分别任意设置多根网格线1,图1中的网格线1仅作为举例,代表两个级联的GOA单元之间的多根网格线1,以便于下述各实施例对该GOA电路及其修复方法的解释与说明。
图2为本申请实施例提供的GOA电路修复方法的流程示意图,结合图1和图2,本申请实施例提供一种GOA电路的修复方法,GOA电路包括至少两个级联的GOA单元和连接级联的GOA单元的连接线2、3和4,GOA电路的修复方法包括:
S1、提供与连接线2、3和4异层设置的网格线1,网格线1与连接线2、3和4的分布位置相对应。
具体地,在用于连接级联的GOA单元的连接线2、3和4所在层的其他层上,设置呈网格状分布的网格线1,网格线1在其他层上的分布位置与连接线2、3和4在其所在层上的分布位置相对应,以方便在连接线2、3或4出现短路或断路故障时,能借助网格线1对与其相对应的连接线2、3或4进行修复或替代。
S2、若连接线2、3或4发生短路或断路故障,通过采用熔断短路或断路处附近的部分网格线1、熔断短路或断路处附近的部分连接线2、3或4、将该部分网格线1和该部分连接线2、3或4熔接的三种方式中的一种或多种修复该连接线,以修复该GOA电路。
具体地,若连接线2、3或4发生短路或断路故障,根据故障类型和发生故障的位置确定修复方案,选择熔断短路或断路处附近的部分网格线1、熔断短路或断路处附近的部分连接线2、3或4、将熔断的该部分网格线1和熔断的该部分连接线2、3或4熔接的三种方式中的一种或多种,来修复发生故障的连接线2、3或4,或用该部分网格线1来替代发生故障的连接线2、3或4,从而最终使连接线恢复正常连接,即该GOA电路恢复正常。
本申请实施例能在不增加掩膜光罩工艺的基础上实现该GOA电路的修复,提高了修复效率、节约了修复成本。
在一些实施例中,GOA电路的修复方法具体包括:若连接线2、3或4与网格线1之间发生短路故障,通过熔断连接线与网格线之间发生短路处附近的部分网格线2、3或4修复连接线。
具体地,若连接线2、3或4与网格线1之间发生短路故障,即连接线2、3或4与网格线1之间的某些点存在短接,则将连接线2、3或4与网格线1发生短路处附近的部分网格线1熔断,从而使得连接线2、3或4与网格线1之间的短接点得到修复,连接线2、3或4与网格线1之间不存在短路,由此使得连接线2、3或4得到修复,该GOA电路也恢复正常。
本申请实施例在连接线2、3或4与网格线1之间发生短路故障时,直接熔断短路处附近的网格线1以使连接线2、3或4恢复正常,这样可以简便快速地使GOA电路恢复正常。
例如,参考图3,图3为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第一种修复方式示意图。若网格线1和连接线(级传线)2之间在A、B或C点(图3中的三角形处)存在短接,则将A、B或C点附近的部分网格线1(图3中A、B或C点附近的网格线1中的叉叉)熔断,从而使得级传线2得到修复。
又例如,参考图4,图4为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第二种修复方式示意图。若网格线1和连接线(信号线)3之间在D点(图4中的三角形处)存在短接,则将D点附近的部分网格线(图4中D点附近的网格线1中的叉叉)熔断,从而使得信号线3得到修复。
在一些实施例中,GOA电路的修复方法具体包括:若连接线发生短路或断路故障,通过熔断连接线发生短路或断路处附近的部分连接线和部分网格线,并且熔接该部分网格线和该部分连接线,以形成由该部分网格线组成的架桥线,架桥线用于替代该部分连接线。
具体地,若连接线发生短路或断路故障,则将发生短路或断路处附近的部分连接线和部分网格线熔断,由此将连接线上发生短路或断路故障的点排除,然后将熔断的该部分连接线和该部分网格线相应的点即该部分连接线和该部分网格线在垂直方向上重合的点熔接在一起,使得该部分连接线的一端和该部分网格线的一端熔接,该部分连接线的另一端和该部分网格线的另一端熔接,由此形成由该部分网格线组成的架桥线,用该架桥线替代该部分连接线,从而使得发生短路或断路处附近的该部分连接线被熔断之后,由与该部分连接线熔接的该部分网格线替代,由此使得该连接线通过相应的网格线恢复正常连接,从而使该GOA电路得到修复。
本申请实施例在连接线发生短路或断路故障时,先熔断短路或断路处附近的部分连接线来排除发生短路或断路的点,然后借助与该连接线的分布位置相对应的网格线,将短路或断路处附近的部分网格线也熔断,并将熔断的该部分连接线和该部分网格线熔接在一起形成由该部分网格线组成用于替代该部分连接线的架桥线,将原连接线未熔断的部分和该架桥线组成新的连接线,从而使得该GOA电路恢复正常。
例如,参见图5,图5为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第三种修复方式示意图。
若网格线1和连接线(级传线)2之间在E点(图5中的三角形处)发生短路或断路故障,则先熔断E处附近的部分级传线2(图5中E点附近的级传线2中的叉叉)来排除E点,然后将E点附近的部分网格线1(图5中F、Z、G、H、I点附近的网格线1中的叉叉)也熔断,再在F点和I点将网格线1和级传线2熔接在一起,从而将熔断的该部分网格线1(图5中的FZGHI部分网格线)组成用于替代该部分级传线2(图5中的FEI部分级传线)的架桥线,即用FZGHI部分网格线替代FEI部分级传线,从而使原级传线2的FEI部分级传线经FZGHI部分网格线组成新的级传线以得到修复。
可以理解的是,图5中E点附近的级传线2中的叉叉靠近F点或I点亦可,只要将E点排除使得短路或断路故障终止即可。
在一些实施例中,GOA电路的修复方法具体包括:若级传线2和信号线3或4之间发生短路或断路故障,通过熔断级传线2和信号线3或4之间短路或断路处附近的第一部分网格线、第二部分网格线、部分级传线2和部分信号线3或4,并且熔接第一部分网格线和该部分级传线2,以形成由第一部分网格线组成的第一架桥线,第一架桥线用于替代该部分级传线2;以及熔接第二部分网格线和该部分信号线3或4,以形成由第二部分网格线组成的第二架桥线,第二架桥线用于替代该部分信号线3或4。
具体地,针对级传线2和信号线3或4之间发生短路或断路故障的情况,将级传线2和信号线3或4之间短路或断路处附近的部分级传线2和部分信号线3或4熔断,从而将级传线2和信号线3或4上发生短路或断路的点排除,同时分别将级传线2和信号线3或4之间短路或断路处附近的第一部分网格线和第二部分网格线熔断,并将第一部分网格线和部分级传线熔接在一起形成由第一部分网格线组成的用于替代该部分级传线的第一架桥线,将第二部分网格线和部分信号线熔接在一起形成由第二部分网格线组成的用于替代该部分信号线的第二架桥线,由此,将原级传线未熔断的部分和第一架桥线组成新的级传线,将原信号线未熔断的部分和第二架桥线组成新的信号线,从而使该GOA电路恢复正常。
例如,参见图6,图6为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第四种修复方式示意图。
若级传线2和信号线3之间在J点(图6中的三角形处)发生短路或断路故障,则先熔断J点附近的部分级传线2或部分信号线3(图6中J点附近的信号线3中的叉叉)来排除J点,然后将J点附近的第一部分网格线(图6中F、Z、G、H、I点附近的网格线1中的叉叉)也熔断,再在F点和I点将网格线1和级传线2熔接在一起形成由第一部分网格线(图6中的FZGHI部分网格线)组成的第一架桥线,用第一架桥线来替代该部分级传线2(图6中的FJI部分级传线),即用FZGHI部分网格线替代FJI部分级传线,从而使原级传线2的FJI部分级传线经FZGHI部分网格线组成新的级传线以使原级传线2得到修复。
另外,排除J点后,还将J点附近的部分网格线1(图6中K、L、M、N点附近的网格线1中的空心圈圈)也熔断,再在K点和N点将网格线1和信号线3熔接在一起形成由第二部分网格线(图6中的KLMN部分网格线)组成第二架桥线,用第二架桥线来替代该部分信号线3(图6中的KJN部分信号线),即用KLMN部分网格线来替代KJN部分信号线,从而使原信号线3的KJN部分信号线经KLMN部分网格线组成新的信号线以使原信号线3得到修复。
又例如,参见图7,图7为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第五种修复方式示意图。
若级传线2和信号线4之间在O点(图7中的三角形处)发生短路或断路故障,则先熔断O点附近的部分级传线2或部分信号线4(图7中O点附近的信号线4中的叉叉)来排除O点,然后将O点附近的第一部分网格线(图7中I、L点附近的网格线1中的叉叉)也熔断,再在P点和I点将网格线1和级传线2熔接在一起形成由第一部分网格线(图7中的PLI部分网格线)组成的第一架桥线,用第一架桥线来替代该部分级传线2(图7中的POI部分级传线),即用PLI部分网格线替代POI部分级传线,从而使原级传线2的POI部分级传线经PLI部分网格线组成新的级传线以使原级传线2得到修复。
另外,排除O点后,还将O点附近的部分网格线1(图7中R、Z、G、Q点附近的网格线1中的空心圈圈)也熔断,再在S点和Q点将网格线1和信号线4熔接在一起形成由第二部分网格线(图7中的SRZGQ部分网格线)组成第二架桥线,用第二架桥线来替代该部分信号线4(图7中的SOQ部分信号线),即用SRZGQ部分网格线来替代SOQ部分信号线,从而使原信号线4的SOQ部分信号线经SRZGQ部分网格线组成新的信号线以使原信号线4得到修复。
在一些实施例中,每级GOA单元均包括互相连接的上拉单元和上拉控制单元,第N级GOA单元的上拉单元与第N+M级GOA单元的上拉控制单元通过级传线2连接,N和M均为大于0的自然数;信号线3或4与对应的GOA单元的上拉单元连接。
具体地,GOA电路中级联的GOA单元之间可以采用无间隙级传方式或有间隙级传方式,其中,无间隙级传方式是指M=1,即上一级GOA单元与其级联的下一级GOA单元中间没有间隔其他GOA单元,例如1级GOA单元与2级GOA单元相连,2级GOA单元和3级GOA单元相连;有间隙级传方式是指M>1,即上一级GOA单元与其级联的下一级GOA单元中间间隔了其他GOA单元,例如1级GOA单元与3级GOA单元相连,2级GOA单元与4级GOA单元相连。
因此,级传线连接的上一级GOA单元与下一级GOA单元采用无间隙级传方式(M=1)或有间隙级传方式(M>1)连接,通过上一级GOA单元向下一级GOA单元传递信号;信号线则与其相应的GOA单元的上拉单元连接,通过相应的GOA单元的上拉单元与该GOA单元传递信号。
需要说明的是,GOA电路中级联的GOA单元之间可以全部采用无间隙级传方式(M=1),也可以全部采用有间隙级传方式(M>1),或者,在任一GOA电路中,M的取值不唯一,也就是说,在任意一个GOA电路中,可以是部分级联的GOA单元无间隙级传方式(M=1),部分级联的GOA单元采用有间隙级传方式(M>1),只要保证每个下一级GOA单元均与上一级GOA单元连接,从而使得上一级GOA单元均与下一级GOA单元连接并传递信号。
若M=2,即第N级GOA单元和第N+2级GOA单元级联。
例如,参考图8,图8为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第六种修复方式示意图。若级传线2和信号线4在T点(图8中的三角形处)发生短路或断路故障,则先熔断T点附近的部分级传线2或部分信号线3(图8中T点附近的信号线4中的叉叉)来排除T点,然后将T点附近的第一部分网格线(图8中U、L点附近的网格线1中的叉叉)也熔断,再在V点和U点将网格线1和级传线2熔接在一起形成由第一部分网格线(图8中的PVLU部分网格线)组成的第一架桥线,用第一架桥线来替代该部分级传线2(图8中的PTU部分级传线),即用PVLU部分网格线替代PTU部分级传线,从而使原级传线2的PTU部分级传线经PVLU部分网格线组成新的级传线以使原级传线2得到修复。
另外,排除T点后,还将T点附近的部分网格线1(图8中R、Z、G、Q点附近的网格线1中的空心圈圈)也熔断,再在S点和Q点将网格线1和信号线4熔接在一起形成由第二部分网格线(图8中的SRZGQ部分网格线)组成第二架桥线,用第二架桥线来替代该部分信号线4(图8中的STQ部分信号线),即用SRZGQ部分网格线来替代STQ部分信号线,从而使原信号线4的STQ部分信号线经SRZGQ部分网格线组成新的信号线以使原信号线4得到修复。
参考图9,图9为本申请实施例提供的GOA电路修复方法对应的第七种修复方式示意图。若网格线1和级传线2之间在F、P、U、W、X或Y点(图9中的三角形处)存在短接,则将F、P、U、W、X或Y点附近的部分网格线1(图9中F、P、U、W、X或Y点附近的网格线1中的叉叉)熔断,从而使得级传线2得到修复。
需要说明的是,薄膜晶体管TFT的器件结构采用多层金属层,一般顶栅结构采用三层金属层,底栅结构采用两层金属层。
参见图10,图10为本申请实施例提供的GOA电路中薄膜晶体管TFT的一种结构示意图。GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用顶栅结构,顶栅结构包括第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3;网格线1和薄膜晶体管TFT的遮光层处于第一金属层M1、级传线2和薄膜晶体管TFT的栅极处于第二金属层M2,信号线3或4、薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于第三金属层M3。
具体地,本申请实施例中的薄膜晶体管TFT采用顶栅结构,顶栅结构一般包括三层金属层:第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3,薄膜晶体管TFT的遮光层处于第一金属层M1,栅极处于第二金属层M2,源极和漏极处于第三金属层M3。本申请实施例中的网格线1、级传线2、信号线3或4,分别处于不同的三层。其中,网格线1和薄膜晶体管TFT的遮光层同处于第一金属层M1,级传线2和薄膜晶体管TFT的栅极同处于第二金属层M2,信号线3或4与薄膜晶体管TFT的源极和漏极同处于第三金属层M3。由此,网格线1、级传线2,以及信号线3或4异层设置。
进一步地,顶栅结构一般还包括两层介质层:第一介质层L1和第二介质层L2,第一介质层L1设于第一金属层M1与第二金属层M2之间,第二介质层L2设于第二金属层M2与第三金属层M3之间。由此,网格线1和信号线3或4之间间隔第一介质层L1和第二介质层L2,可以认为网格线1与信号线3或4之间不易发生短路或断路故障,而网格线1和级传线2之间间隔第一介质层L1,级传线2和信号线3或4之前间隔第二介质层L2,因此网格线1和级传线2之间,或者级传线2和信号线3或4之间会由于第一介质层L1或第二介质层L2较薄而容易发生短路或断路故障。
可以理解的是,薄膜晶体管TFT的遮光层一般用于为有源层即IGZO层遮光,避免顶栅结构的沟道层被光照射导致薄膜晶体管TFT电性失效的问题。
参见图11,图11为本申请实施例提供的GOA电路中薄膜晶体管TFT的另一种结构示意图。GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用底栅结构,底栅结构包括第四金属层M4和第五金属层M5,网格线1和薄膜晶体管TFT的栅极处于第四金属层M4,级传线2、信号线3或4,以及薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于第五金属层M5。
具体地,本申请实施例中的薄膜晶体管TFT采用顶栅结构,底栅结构一般包括两层金属层:第四金属层M4和第五金属层M5,薄膜晶体管TFT的栅极处于第四金属层M4,源极和漏极处于第五金属层M5。本申请实施例中的网格线1和薄膜晶体管TFT的栅极同处于第四金属层M4,级传线2和信号线3或4处于同一层,即级传线2、信号线3或4、以及薄膜晶体管TFT的源极和漏极同处于第五金属层M5。其中,级传线2和信号线3或4在同一层的交叉点采用过孔工艺而使得不发生短路或断路故障。
进一步地,底栅结构一般还包括第三介质层L3,第三介质层L3设于第四金属层M4和第五金属层M5之间。
需要说明的是,相对于顶栅结构采用三层金属层和两层介质层,底栅结构由于采用两层金属层和一层介质层,因此底栅结构中的网格线和信号线之间由于只有一层介质层因此容易发生短路或断路故障,而顶栅结构中的网格线和信号线之间由于有两层介质层,因此不易发生短路或断路故障。
并且,尽管采用网格线对信号线进行修复在一定程度上会增加信号线的overlap重复电容,但是由于网格线和信号线之间有一层或两层介质层,因此该overlap重复电容非常小,与GOA电路中的薄膜晶体管TFT的寄生电容相比,可以忽略不计。可以理解的是,由于顶栅结构的网格线和信号线之间由于有两层介质层,而底栅结构的网格线和信号线之间仅有一层介质层,因此采用顶栅结构的overlap重复电容比采用底栅结构的overlap重复电容更小。
另外,本申请实施例对连接线的修复不需要增加掩膜光罩的工艺,因此没有增加额外的光罩数量,即并未增加额外的成本。
图12为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。参考图12,基于上述实施例,本申请实施例还提供一种显示面板6,显示面板6包括如上所述的GOA电路5,显示面板6与上述的GOA电路5具有相同的结构和有益效果,由于上述实施例对该GOA电路的结构和修复方法已经进行了详细叙述,此处不再赘述。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种GOA电路的修复方法,所述GOA电路包括至少两个级联的GOA单元和连接级联的所述GOA单元的连接线,其特征在于,所述GOA电路的修复方法包括:
提供与所述连接线异层设置的网格线,所述网格线与所述连接线的分布位置相对应;
在所述连接线发生短路或断路故障时,通过采用熔断短路或断路处附近的部分所述网格线、熔断短路或断路处附近的部分所述连接线、以及将该部分所述网格线和该部分所述连接线熔接的三种方式之中的一种或多种修复所述连接线,以修复所述GOA电路;
其中,所述连接线包括级传线和信号线,所述级传线用于连接级联的两个GOA单元,所述信号线和所述GOA单元相连;在所述级传线和所述信号线之间发生短路或断路故障时,通过熔断所述级传线和所述信号线之间短路或断路处附近的第一部分网格线、第二部分网格线、部分所述级传线和部分所述信号线,并且熔接所述第一部分所述网格线和该部分所述级传线,以形成由所述第一部分网格线组成的第一架桥线,所述第一架桥线用于替代该部分所述级传线;以及熔接所述第二部分网格线和该部分所述信号线,以形成由所述第二部分网格线组成的第二架桥线,所述第二架桥线用于替代该部分所述信号线。
2.如权利要求1所述的GOA电路的修复方法,其特征在于,具体包括:在所述连接线与所述网格线之间发生短路故障时,通过熔断所述连接线与所述网格线之间发生短路处附近的部分所述网格线修复所述连接线。
3.如权利要求1所述的GOA电路的修复方法,其特征在于,具体包括:
在所述连接线发生短路或断路故障时,通过熔断所述连接线发生短路或断路处附近的部分所述连接线和部分所述网格线,并且熔接该部分所述网格线和该部分所述连接线,以形成由该部分所述网格线组成的架桥线,所述架桥线用于替代该部分所述连接线。
4.一种GOA电路,其特征在于,包括:
至少两个级联的GOA单元;
连接线,连接级联的所述GOA单元,用以实现电路连接和信号传输;
网格线,与所述连接线异层设置,且与所述连接线的设置部位相对应;所述网格线用于,针对所述连接线发生短路或断路故障处附近,采用熔断部分所述网格线、熔断部分所述连接线、将该部分所述网格线和该部分所述连接线熔接的三种方式中的一种或多种修复所述连接线,以修复所述GOA电路;
其中,所述连接线包括级传线和信号线,所述级传线用于连接级联的两个GOA单元,所述信号线和所述GOA单元相连;在所述级传线和所述信号线之间发生短路或断路故障时,通过熔断所述级传线和所述信号线之间短路或断路处附近的第一部分网格线、第二部分网格线、部分所述级传线和部分所述信号线,并且熔接所述第一部分所述网格线和该部分所述级传线,以形成由所述第一部分网格线组成的第一架桥线,所述第一架桥线用于替代该部分所述级传线;以及熔接所述第二部分网格线和该部分所述信号线,以形成由所述第二部分网格线组成的第二架桥线,所述第二架桥线用于替代该部分所述信号线。
5.如权利要求4所述的GOA电路,其特征在于,所述连接线包括级传线和信号线;
每级所述GOA单元均包括互相连接的上拉单元和上拉控制单元,第N级所述GOA单元的上拉单元与第N+M级所述GOA单元的上拉控制单元通过所述级传线连接,N和M均为大于0的自然数;
所述信号线与所述GOA单元的上拉单元连接。
6.如权利要求5所述的GOA电路,其特征在于,所述GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用顶栅结构,所述顶栅结构包括第一金属层、第二金属层和第三金属层;所述网格线和所述薄膜晶体管TFT的遮光层处于所述第一金属层、所述级传线和所述薄膜晶体管TFT的栅极处于所述第二金属层,所述信号线、所述薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于所述第三金属层。
7.如权利要求6所述的GOA电路,其特征在于,所述顶栅结构还包括第一介质层和第二介质层;第一介质层设于所述第一金属层与所述第二金属层之间,第二介质层设于所述第二金属层与所述第三金属层之间。
8.如权利要求5所述的GOA电路,其特征在于,所述GOA电路中的薄膜晶体管TFT采用底栅结构,所述底栅结构包括第四金属层和第五金属层,所述网格线和所述薄膜晶体管TFT的栅极处于所述第四金属层,所述级传线、所述信号线,以及所述薄膜晶体管TFT的源极和漏极处于所述第五金属层。
9.如权利要求8所述的GOA电路,其特征在于,所述底栅结构还包括第三介质层,所述第三介质层设于所述第四金属层和所述第五金属层之间。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求4~9任一项所述的GOA电路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010263732.5A CN111403311B (zh) | 2020-04-07 | 2020-04-07 | Goa电路、显示面板及修复方法 |
US16/969,203 US11804497B2 (en) | 2020-04-07 | 2020-05-14 | GOA circuit, display panel, and repair method |
PCT/CN2020/090299 WO2021203520A1 (zh) | 2020-04-07 | 2020-05-14 | Goa 电路、显示面板及修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010263732.5A CN111403311B (zh) | 2020-04-07 | 2020-04-07 | Goa电路、显示面板及修复方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111403311A CN111403311A (zh) | 2020-07-10 |
CN111403311B true CN111403311B (zh) | 2022-12-06 |
Family
ID=71436855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010263732.5A Active CN111403311B (zh) | 2020-04-07 | 2020-04-07 | Goa电路、显示面板及修复方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11804497B2 (zh) |
CN (1) | CN111403311B (zh) |
WO (1) | WO2021203520A1 (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20230144117A1 (en) | 2023-05-11 |
WO2021203520A1 (zh) | 2021-10-14 |
US11804497B2 (en) | 2023-10-31 |
CN111403311A (zh) | 2020-07-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |