KR102268587B1 - 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판; 상기 제1 절연 기판 위에 서로 교차하며 위치하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극과 중첩되어 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극; 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판; 상기 제2 절연 기판 위에 위치하는 차광 부재; 및 상기 평탄화층 위에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 화소 불량시 상기 박막 트랜지스터에 포함된 전극의 리페어 영역과 중첩하는 상기 제2 절연 기판 위에 오목부가 형성되고, 상기 오목부에는 단선절연막이 형성된다.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 신호를 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치를 이루는 두 기판 중 하나인, 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT) 기판은 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치(OLED: Organic Light Emitting Diode) 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다.
박막 트랜지스터 기판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다.
이러한 액정 표시 장치의 배선이 단선되거나 단락되는 경우 해당 화소는 불량 화소가 되어 수리(repair) 공정을 진행할 필요가 있다. 화소의 수리는 레이저를 이용하여 단락 또는 단선 시키는 공정을 포함하는데 이때 불순물(particle)이 발생할 수 있다. 이러한 불순물은 도전체로부터 떨어져 나온 것이므로 공통 전극과 화소 전극 또는 공통 전극과 데이터선을 단락시켜 화질 불량을 유발하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 레이저 공정으로 인해서 발생하는 불순물로 인한 단락 등을 최소화할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판; 상기 제1 절연 기판 위에 서로 교차하며 위치하는 게이트선 및 데이터선; 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극과 중첩되어 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극; 상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판; 상기 제2 절연 기판 아래에 위치하는 차광 부재; 및 상기 차광 부재 아래에 위치하는 공통 전극을 포함하고, 화소 불량시 상기 박막 트랜지스터에 포함된 전극의 리페어 영역과 중첩하는 상기 제2 절연 기판 아래에 오목부가 형성되고, 상기 오목부는 상기 제1 절연 기판을 기준으로 상기 오목부 이외의 영역보다 더 높게 형성되어 있다.
상기 리페어 영역은 화소 전극이 위치하는 제1 영역, 소스 전극이 위치하는 제2 영역, 또는 드레인 전극과 화소 전극이 중첩하는 제3 영역 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판을 기준으로 상기 오목부의 높이는 3.5㎛ 이상으로 형성될 수 있다.
상기 오목부는 단선절연막을 포함할 수 있다.
상기 차광 부재 위에 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
상기 오목부는 제2 절연 기판 아래에 차례로 위치하는 차광 부재, 평탄화층, 공통 전극, 및 단선절연막을 포함할 수 있다.
상기 오목부에 위치하는 차광 부재의 두께는 상기 오목부 이외에 위치하는 차광 부재의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 오목부에 위치하는 평탄화층의 두께는 상기 오목부 이외에 위치하는 평탄화층의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 상기 오목부 이외에는 단선절연막을 포함하지 않을 수 있다.
상기 단선절연막은 절연물질로 이루어질 수 있다.
상기 단선절연막의 두께는 300Å 이상 1㎛ 이하로 형성될 수 있다.
상기 제2 절연 기판 위에는 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이의 셀 갭을 유지하는 컬럼 스페이서를 포함할 수 있다.
상기 컬럼 스페이서는 상기 오목부 이외의 영역에 위치할 수 있다.
상기 단선절연막은 상기 컬럼 스페이서와 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 단선절연막은 유기물로 이루어질 수 있다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 리페어 영역과 중첩되는 제2 절연 기판 위에 단선절연막을 포함하는 오목부를 형성함으로써 불순물로 인한 공통 전극과 화소 전극의 단락 등을 방지할 수 있어 전위가 왜곡되는 현상을 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시예는 오목부를 제1 절연 기판을 기준으로 오목부 이외의 영역보다 더 높게 형성함으로써, 불순물로 인해 화소 전극과 공통 전극이 단락되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 오목부에 포함되어 있는 단선절연막을 컬럼 스페이서와 동일한 공정을 통해서 동일한 물질로 형성함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 1의 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 자른 단면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분의 "상부에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 "바로 상부에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 상부에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 자른 단면도이고, 도 3은 도 1의 절단선 Ⅲ-Ⅲ를 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 1의 절단선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200), 이들 두 표시판 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.
먼저, 하부 표시판(100)에 대하여 설명한다.
화소 영역을 포함하는 제1 절연 기판(110) 위에 제1 게이트선(121a)과 제2 게이트선(121b)을 포함하는 복수의 게이트선 및 복수의 유지 전극선(131)을 포함하는 복수의 게이트 도전체가 형성되어 있다.
게이트선(121a, 121b)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 제1 게이트선(121a)은 위아래로 돌출한 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 게이트 전극(124b)을 포함하고, 제2 게이트선(121b)은 위로 돌출한 제3 게이트 전극(124c)을 포함한다. 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 게이트 전극(124b)은 서로 연결되어 하나의 돌출부를 이룬다.
유지 전극선(131)도 주로 가로 방향으로 뻗어 있으며 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압을 전달한다. 유지 전극선(131)은 위 아래로 돌출한 유지 전극(129), 게이트선(121a, 121b)과 실질적으로 수직하게 아래로 뻗은 한 쌍의 세로부(134) 및 한 쌍의 세로부(134)의 끝을 서로 연결하는 가로부(127)를 포함한다. 가로부(127)는 아래로 확장된 용량 전극(137)을 포함한다.
게이트 도전체(121a, 121b, 131) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 비정질 또는 결정질 규소 등으로 만들어질 수 있는 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b)을 향하여 뻗어 나와 있으며 서로 연결되어 있는 제1 및 제2 반도체(154a, 154b), 그리고 제3 게이트 전극(124c) 위에 위치하는 제3 반도체(154c)를 포함한다.
반도체(154a, 154b, 154c) 위에는 복수 쌍의 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재 위에는 복수의 데이터선(171), 복수의 제1 드레인 전극(175a), 복수의 제2 드레인 전극(175b), 그리고 복수의 제3 드레인 전극(175c)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121a, 121b)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 게이트 전극(124b)을 향하여 뻗으며 서로 연결되어 있는 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)을 포함한다.
제1 드레인 전극(175a), 제2 드레인 전극(175b) 및 제3 드레인 전극(175c)은 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 제1 드레인 전극(175a) 및 제2 드레인 전극(175b)의 막대형 끝 부분은 제1 소스 전극(173a) 및 제2 소스 전극(173b)으로 일부 둘러싸여 있다. 제1 드레인 전극(175a)의 넓은 한 쪽 끝 부분은 다시 연장되어 'U'자 형태로 굽은 제3 드레인 전극(175c)을 이룬다. 제3 소스 전극(173c)의 넓은 끝 부분(177c)은 용량 전극(137)과 중첩하여 감압 축전기(Cstd)를 형성하며, 막대형 끝 부분은 제3 드레인 전극(175c)으로 일부 둘러싸여 있다.
제1 게이트 전극(124a), 제1 소스 전극(173a), 및 제1 드레인 전극(175a)은 제1 반도체(154a)와 함께 제1 박막 트랜지스터(Qa)를 형성하고, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소스 전극(173b), 및 제2 드레인 전극(175b)은 제2 반도체(154b)와 함께 제2 박막 트랜지스터(Qb)를 형성하며, 제3 게이트 전극(124c), 제3 소스 전극(173c), 및 제3 드레인 전극(175c)은 제3 반도체(154c)와 함께 제3 박막 트랜지스터(Qc)를 형성한다.
제1 반도체(154a), 제2 반도체(154b), 및 제3 반도체(154c)를 포함하는 선형 반도체는 소스 전극(173a, 173b, 173c)과 드레인 전극(175a, 175b, 175c) 사이의 채널 영역을 제외하고는 데이터 도전체(171, 173a, 173b, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 그 하부의 저항성 접촉 부재와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.
제1 반도체(154a)에는 제1 소스 전극(173a)과 제1 드레인 전극(175a) 사이에서 제1 소스 전극(173a) 및 제1 드레인 전극(175a)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있고, 제2 반도체(154b)에는 제2 소스 전극(173b)과 제2 드레인 전극(175b) 사이에서 제2 소스 전극(173b) 및 제2 드레인 전극(175b)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있으며, 제3 반도체(154c)에는 제3 소스 전극(173c)과 제3 드레인 전극(175c) 사이에서 제3 소스 전극(173c) 및 제3 드레인 전극(175c)에 의해 가리지 않고 노출된 부분이 있다.
데이터 도전체(171, 173a, 173b, 173c, 175a, 175b, 175c) 및 노출된 반도체(154a, 154b, 154c) 부분 위에는 질화 규소 또는 산화 규소 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있는 보호막(180a)이 형성되어 있다.
보호막(180a) 위에는 복수의 색필터(230)가 위치한다. 복수의 색필터(230)는 서로 나란하게 배열되어 있는 적색 색필터, 녹색 색필터 및 청색 색필터를 포함한다. 복수의 색필터(230) 각각은 가로 방향으로 나란하게 형성되어 있으나, 세로 방향을 따라 스트라이프 형태로 형성될 수 있다.
복수의 색필터(230) 위에는 제2 보호막(180b)이 위치할 수 있다. 제2 보호막(180b)은 유기막 또는 무기막으로 형성될 수 있으나, 본 실시예에서 이후 설명할 제1 차광 부재(220a)의 단차에 따른 효과가 잘 나타낼 수 있도록 무기막으로 형성하는 것이 좀 더 바람직하다. 제2 보호막(180b)을 유기막으로 형성하게 되면, 막이 평탄화되는 효과가 있기 때문이다. 다른 실시예로 제2 보호막(180b)을 생략할 수도 있다.
제2 보호막(180b) 위에 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)을 포함하는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 부화소 전극(191a)과 제2 부화소 전극(191b)은 제1 게이트선(121a) 및 제2 게이트선(121b)을 사이에 두고 서로 분리되어 각각 위와 아래에 배치되어 열 방향으로 이웃한다. 제2 부화소 전극(191b)의 높이는 제1 부화소 전극(191a)의 높이보다 높으며 대략 1배 내지 3배일 수 있다.
제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b) 각각의 전체적인 모양은 사각형이며 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b) 각각은 가로 줄기부(193a, 193b), 가로 줄기부(193a, 193b)와 교차하는 세로 줄기부(192a, 192b)로 이루어진 십자형 줄기부를 포함한다. 또한, 제1 부화소 전극(191a) 및 제2 부화소 전극(191b)은 각각 복수의 미세 가지부(194a, 194b), 하단의 돌출부(197a) 및 상단의 돌출부(197b)를 포함한다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193a, 193b)와 세로 줄기부(192a, 192b)에 의해 4개의 부영역으로 나뉘어진다. 미세 가지부(194a, 194b)는 가로 줄기부(193a, 193b) 및 세로 줄기부(192a, 192b)로부터 비스듬하게 뻗어 있으며 그 뻗는 방향은 게이트선(121a, 121b) 또는 가로 줄기부(193a, 193b)와 대략 45도 또는 135도의 각을 이룰 수 있다. 또한 이웃하는 두 부영역의 미세 가지부(194a, 194b)는 서로 직교할 수 있다.
본 실시예에서 제1 부화소 전극(191a)은 외곽을 둘러싸는 외곽 줄기부를 더 포함하고, 제2 부화소 전극(191b)은 상단 및 하단에 위치하는 가로부 및 제1 부화소 전극(191a)의 좌우에 위치하는 좌우 세로부(198)를 더 포함한다. 좌우 세로부(198)는 데이터선(171)과 제1 부화소 전극(191a) 사이의 용량성 결합, 즉 커플링을 방지할 수 있다. 좌우 세로부(198)는 생략할 수도 있다.
제1 보호막(180a), 색필터(230) 및 제2 보호막(180b)에는 제1 드레인 전극(175a)의 넓은 끝 부분과 제2 드레인 전극(175b)의 넓은 끝 부분을 각각 드러내는 복수의 제1 접촉 구멍(185a) 및 복수의 제2 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있다. 제1 접촉 구멍(185a)은 제2 부화소 전극(191b)과 제3 드레인 전극(175c)을 연결하고, 제2 접촉 구멍(185b)은 제1 부화소 전극(191a)과 제2 드레인 전극(175b)을 연결할 수 있다.
이때 하부 표시판(100)에 포함된 배선 및 전극들은 수 내지 수십 ㎛ 폭을 갖는 미세 선으로 이루어져 있다. 이로 인해 하부 표시판(100) 제작 공정 중 미세 선폭을 갖는 배선 및 전극들이 단선되는 현상이 발생한다. 이러한 미세한 선폭의 배선 및 전극들이 단선되는 경우 해당 화소는 불량 화소가 되어 수리(repair) 공정을 진행할 필요가 있다.
화소 불량시, 박막 트랜지스터에 포함된 전극을 레이저를 이용하여 단선 시키는 수리(repair) 공정을 포함한다. 이때, 수리(repair) 공정은 화소 전극(191)이 위치하는 제1 영역(A1), 소스 전극(173)이 위치하는 제2 영역(A2), 또는 드레인 전극(175)과 화소 전극(191)이 중첩하는 제3 영역(A3) 중 어느 하나를 포함하는 리페어 영역(A1, A2, A3)에서 진행하게 된다.
즉, 화소에 불량이 발생하는 경우, 제1 영역(A1)에 위치하는 화소 전극(191)을 레이저로 단선함으로써 화소 전극(191)에 전달되는 데이터 전압을 차단할 수 있다. 제2 영역(A2)에서는 데이터선(171)과 연결되는 소스 전극(173)을 레이저로 단선함으로써, 화소 전극(191)에 전달되는 데이터 전압을 차단할 수 있다. 제3 영역(A3)에서는 중첩되어 있는 드레인 전극과(175)과 화소 전극(191) 모두를 레이저로 단선함으로써 화소 전극(191)에 전달되는 데이터 전압을 효과적으로 차단할 수 있다.
리페어 영역은 별도의 도면 부호를 부여하진 않았으나, 설명을 용이하게 하기 위해서 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 제3 영역(A3)을 포함하여 리페어 영역(A1, A2, A3)이라 할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라서 리페어 영역은 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 제3 영역(A3) 이외에 배선 및 전극을 단선할 수 있는 영역을 포함할 수 있다.
다음 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.
상부 표시판(200)은 투명한 제2 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220)가 위치한다. 차광 부재(220)는 빛샘을 방지하기 위한 것으로, 게이트선(121), 데이터선(171), 유지 전극선(131), 및 박막 트랜지스터의 상부에 대응하여 형성된다.
차광 부재(220)는 행 방향으로 이웃하는 화소 사이에 위치하거나 열 방향으로 이웃하는 화소 사이에 위치할 수 있다. 즉, 박막 트랜지스터의 게이트선 또는 데이터선이 뻗어 있는 방향을 따라 위치할 수 있다.
차광 부재(220) 위에는 평탄화층(240)이 위치할 수 있다.
평탄화층(240)은 유기 또는 무기 물질로 이루어질 수 있고, 특히 평탄화 특성이 우수한 유기물질로 예를 들어, BCB(benzocyclobutene), 아크릴 수지 등으로 이루어질 수 있다.
평탄화층(240) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
공통 전극(270)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 금속으로 형성되어 있으며 공통전압 전달한다.
공통 전극(270) 위에는 컬럼 스페이서(CS)가 형성될 수 있다.
컬럼 스페이서(CS)는 차광 부재(220)가 형성되는 영역에 위치할 수 있다.
특히, 컬럼 스페이서(CS)는 오목부(DA) 이외의 영역에 형성될 수 있다.
컬럼 스페이서(CS)는 제2 절연 기판(210) 위에서 대략 원통, 원뿔대 또는 반구와 유사한 형상으로 돌출 형성되어, 제1 절연 기판(110)과의 간격을 유지하게 된다.
이러한 컬럼 스페이서(CS)는 아크릴 등의 열경화성수지와 같은 탄성력을 가지는 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
공통 전극(270) 위에는 상부 배향막(미도시)이 형성될 수 있다.
이때, 상부 표시판(200)에는 오목부(DA)가 포함된다.
오목부(DA)는 리페어 영역(A1, A2, A3)과 중첩하면서 제2 절연 기판(210) 위에 형성될 수 있다.
오목부(DA)는 제1 절연 기판(110)을 기준으로 오목부(DA) 이외의 영역보다 더 높게 형성될 수 있다.
이때, 화소 불량시 리페어 영역(A1, A2, A3)에 위치하는 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 화소 전극(191) 중 어느 하나를 레이저로 단선하는 경우 불순물(particle)이 발생한다. 이러한 불순물은 도전체로부터 떨어져 나온 것이므로 공통 전극(270)과 화소 전극(191)을 단락시켜 화질 불량을 유발하게 된다.
즉, 본 발명의 일 실시예는 오목부(DA)를 제1 절연 기판(110)을 기준으로 오목부(DA) 이외의 영역보다 더 높게 형성함으로써, 불순물로 인해 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 단락되는 것을 방지하여 전위가 왜곡되는 현상을 최소화 할 수 있다.
오목부(DA)는 제1 절연 기판(110)을 기준으로 3.5㎛ 이상으로 형성되는 것이 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 단락을 방지하는데 유리할 수 있다.
이러한 오목부(DA)는 제2 절연 기판(210) 위에 차광 부재(220), 평탄화층(240), 공통 전극(270), 및 단선절연막(280)을 포함할 수 있다.
오목부(DA)가 제1 절연 기판(110)을 기준으로 오목부(DA) 이외의 영역보다 더 높게 형성되기 위해서, 오목부(DA)에 위치하는 차광 부재(220)는 오목부(DA) 이외에 위치하는 차광 부재(220)의 두께보다 더 얇게 형성될 수 있다.
또한, 오목부(DA)가 제1 절연 기판(110)을 기준으로 오목부(DA) 이외의 영역보다 더 높게 형성되기 위해서, 오목부(DA)에 위치하는 평탄화층(240)은 오목부(DA) 이외에 위치하는 평탄화층(240)의 두께보다 더 얇게 형성될 수 있다
오목부(DA)는 단선절연막(280)을 포함할 수 있다. 단선절연막(280)은 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 단락을 방지하기 위해서 절연 물질로 형성될 수 있다.
또한, 단선절연막(280)은 컬럼 스페이서(CS)와 동일한 물질로 동일한 공정을 통해서 형성될 수 있다. 단선절연막(280)은 아크릴 등의 유기물을 포함하여 이루어질 수 있다.
또한, 단선절연막(280)은 화소 전극(191)과 공통 전극(270)의 단락을 방지하고, 제1 절연 기판(110)으로부터 오목부(DA)까지의 소정 거리를 유지하기 위해서 300Å 이상 1㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 오목부(DA)에 포함되어 있는 단선절연막(280)을 컬럼 스페이서(CS)와 동일한 공정을 통해서 동일한 물질로 형성함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 액정층(3)은 반응성 메소겐(reactive mesogen)을 포함하는 배향 보조제를 포함함으로써 액정 분자들은 그것의 장축이 화소 전극(191)의 미세 가지부(194a, 194b)의 길이 방향에 대략 평행하도록 선경사를 가질 수 있다. 배향 보조제는 액정층이 아닌 배향막에 포함될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 하부 표시판 110: 제1 절연 기판
121: 게이트선 124: 게이트 전극
154: 반도체 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 191: 화소 전극
200: 상부 표시판 210: 제2 절연 기판
230: 색필터 240: 평탄화층
270: 공통 전극 280: 단선절연막
A1: 제1 영역 A2: 제2 절연막
A3: 제3 영역 DA: 오목부

Claims (15)

  1. 제1 절연 기판;
    상기 제1 절연 기판 위에 서로 교차하며 위치하는 게이트선 및 데이터선;
    상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극과 중첩되어 위치하는 반도체층, 상기 반도체층과 연결되어 있는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극;
    상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판;
    상기 제2 절연 기판 아래에 위치하는 차광 부재; 및
    상기 차광 부재 아래에 위치하는 공통 전극을 포함하고,
    화소 불량시 상기 박막 트랜지스터에 포함된 전극의 리페어 영역과 중첩하는 상기 제2 절연 기판 아래에 오목부가 형성되고,
    상기 오목부는 상기 제1 절연 기판을 기준으로 상기 오목부 이외의 영역보다 더 높게 형성되고,
    상기 오목부에서 상기 차광 부재는, 상기 오목부 이외의 영역에 배치된 차광 부재와 연속적으로 형성되고,
    상기 오목부는 상기 공통 전극 아래에 위치하고 상기 오목부 내에만 형성된 단선절연막을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 리페어 영역은 화소 전극이 위치하는 제1 영역, 소스 전극이 위치하는 제2 영역, 또는 드레인 전극과 화소 전극이 중첩하는 제3 영역 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 제1 절연 기판을 기준으로 상기 오목부의 높이는 3.5㎛ 이상으로 형성되는 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에서,
    상기 차광 부재 아래에 평탄화층을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 오목부는 제2 절연 기판 아래에 차례로 위치하는 차광 부재, 평탄화층, 공통 전극, 및 단선절연막을 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 오목부에 위치하는 차광 부재의 두께는 상기 오목부 이외에 위치하는 차광 부재의 두께보다 얇은 표시 장치.
  8. 제6항에서,
    상기 오목부에 위치하는 평탄화층의 두께는 상기 오목부 이외에 위치하는 평탄화층의 두께보다 얇은 표시 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에서,
    상기 단선절연막은 절연물질로 이루어진 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 단선절연막의 두께는 300Å 이상 1㎛ 이하로 형성되는 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제2 절연 기판 아래에는 상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이의 셀 갭을 유지하는 컬럼 스페이서를 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 오목부 이외의 영역에 위치하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 단선절연막은 상기 컬럼 스페이서와 동일한 물질로 형성되는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 단선절연막은 유기물로 이루어진 표시 장치.
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