JPS62287596A - エレクトロルミネツセンスパネルの製造方法 - Google Patents

エレクトロルミネツセンスパネルの製造方法

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JPS62287596A
JPS62287596A JP61128174A JP12817486A JPS62287596A JP S62287596 A JPS62287596 A JP S62287596A JP 61128174 A JP61128174 A JP 61128174A JP 12817486 A JP12817486 A JP 12817486A JP S62287596 A JPS62287596 A JP S62287596A
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JP
Japan
Prior art keywords
defective
manufacturing
electroluminescent panel
light
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP61128174A
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English (en)
Inventor
林 琢夫
平沢 幸弘
直俊 宮沢
清 高橋
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Koa Corp
Japan Science and Technology Agency
Original Assignee
Koa Corp
Research Development Corp of Japan
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Publication date
Application filed by Koa Corp, Research Development Corp of Japan filed Critical Koa Corp
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Publication of JPS62287596A publication Critical patent/JPS62287596A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 [産業上の利用分野] 本発明はエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法に
関するものである。
〔従来の技術及びその問題点〕
エレクトロルミネッセンスパネルは発光層を上下電極で
挟み、両電極間に電圧を印加して発光層を発光させる構
造であり、大面積のパネル内に多くの発光画素を包含し
ている。そして、その内の1画素でも不良画素があれば
、その影響は他の多くの画素にも波及し、甚だしい場合
にはパネル全体が不良となることもある。
特に、上下電極間をショートする如き不良においては、
不良部位に接続されている両電極間が導通状態となり、
該電極間に十分な電位差を発生させることができず、該
電極に関係する全ての発光画素に対する駆動が不能とな
ってしまう。
この不良箇所の断面図を第3図(A)に、その上面図を
第3図(B)に示す。
図中、1はエレクトロルミネッセンスパネルの基板であ
る透明ガラス、2は透明ガラス1上に形成された透明電
極(ITO)、3は透明電極(ITO)上に真空蒸着法
、分子線エピタキシャル法等によりZn5eまたはZn
S等の半導体層中に発光中心となる活性物質Mnをドー
プした発光層、4は発光層3上に真空蒸着法により形成
されたA党電極である。
5は図示の如く、発光層3に欠陥があり、上下電極間が
ショート状態となった不良部位である。
この不良部位は、例えば発光層3に成長時に生じたピン
ホール部や結晶粒界による空隙部があった場合等に、上
部電極4を形成する時にこのピンホール部や空隙部にも
電極材料であるAAが侵入してしまうために発生する。
このため、両電極間がショート状態となり、充分な電位
差が得られず、両電極で挟まれた画素は発光しない。又
、大面積にわたって不良箇所無しに画素を形成すること
は難しかった。
[発明の目的] 本発明は上述した従来の技術の問題点に鑑みなされたも
ので、パネルの製造工程中に発生する不良部位を焼断分
離することにより、パネル全体が広範囲に渡って不良と
なることのない、不良率の低減したエレクトロルミネッ
センスパネルの製造方法を提供することを目的とする。
[発明の11η成コ 本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
即ち、エレクトロルミネッセンスパネルの製造工程にお
いて発生する該パネルの不良部位をレーザ光により焼断
して分離するエレクトロルミネッセンスパネルの製造方
法により達成される。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を詳細に説
明する。
第1図(A)は第3図(A)に示した不良部位5を含む
部位をレーザで10の如く焼断除去してショート状態を
解除した例であり1.このレーザでショート状態を解除
した状態の上面図を第1図(B)に示す。なお、焼断深
さは、少なくとも上部電極4のショート部を焼断できる
深さとすればよい。
この不良部位の発見はパネルを製造し、続く検査工程で
行なわれる。例えば、両電極間に低電位の電圧を印加し
、正常な電位差が得らえるか否かを調べ、正常な電位差
が得られない場合には当該電極間にショート箇所がある
ものと判別する。そして両電極間の対峙する箇所を顕微
鏡観察により発見する。
また、以上の説明は不良部位5自身を焼断、除去する例
について行なったが、本発明はこれに限るものではなく
、例えば第2図(A)の断面図及び第2図(B)の上面
図に示す様に、レーザで不良部位5を囲む様に焼断し、
ショート部分を正常部分より仕口させてもよい。ここで
5は不良部位、11はレーザによる焼断部位を示す。
本例によれば、焼断深さは上部電極4の厚さ以上であれ
ばよい。
本発明のエレクトロルミネッセンスパネルにおける製造
方法は上記実施例の外に、例えば二重絶縁型のエレクト
ロルミネッセンスパネルであっても、上下電極が対峙し
ている構造の全てに応用することができる。
以上説明した様に本実施例によれば、従来は一部にのみ
不良箇所があっても、パネル全体を不良としていたが、
不良部位のみを除去するため、除去部が非発光となるの
みで済み、大容量の表示パネルであっても歩留まりよく
製造することができる。
[発明の効果コ 以上説明した様に本発明によれば、非常に高い歩留まり
でエレクトロルミネッセンスパネルを製造できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は本発明に係る一実方孤例による不良部位
除去例を示す断面図、 第1図(B)は第1図(A)の上面図、第2図(A)は
本発明に係る他の実施例による不良部位除去例を示す断
面図、 第2図(B)は第2図(A)の上面図、第3図(A)は
エレクトロルミネッセンスパネルの不良部位を示す断面
図、 第3図(B)は第3図(A)の上面図である。 図中、1・・・ガラス、2・・・透明下部電極、3・・
・発光層、4・・・上部電極、5・・・不良部位、10
.11・・・レーザ光による焼断除去箇所である。 特許出願人   コーア株式会社 (他2名) 代理人 弁理士     犬 塚 康 徳rマー−、 り 第3図 (B) 第1図 (A) +1”1 第2図 (A) (B) (B)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に下部電極、発光層、上部電極を積重して
    エレクトロルミネツセンスパネルを製作するパネル製造
    工程と、該工程において発生する前記発光層における電
    極間の短絡を検出する検査工程と、該検査工程により発
    見された不良部位を前記上部電極側よりレーザ光によつ
    て焼断分離する工程より成ることを特徴とするエレクト
    ロルミネツセンスパネルの製造方法。
  2. (2)不良部位の分離は不良部位自身を焼断除去して行
    なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のエレ
    クトロルミネツセンスパネルの製造方法。
  3. (3)不良部位の分離は不良部位周囲を囲む形で焼断し
    て行なうことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    エレクトロルミネツセンスパネルの製造方法。
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