JP4220254B2 - ディスプレイパネル用の電極の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬディスプレイパネル、ＬＣＤディスプレイパネル等のディスプレイパネル用の電極の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電流の注入によって発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリクス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルが、携帯端末や車載パネルとして用いられるようになってきた。
今後、パソコンの表示部にも使用される。
有機化合物材料を発光体とする有機ＥＬ素子は、液晶素子に比べ視野角が広く、コントラストも良く、視認性に優れており、バックライトが不要なため、薄型、軽量化が実現でき、消費電力の面でも有利で、応答性も速い。
そして、すべて固体であるため振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、表示素子として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構造は、基本的には、陽極と陰極の一対の電極間に有機化合物を含む（ＥＬ層）を挟持した構造となっており、Ｔａｎｇ等の「アノード電極/ 正孔注入層/ 発光層/ カソード電極」の積層構造が基本になっている。（特許１５２６０２６号公報）
そして、有機ＥＬ素子は、電極間に電場を印加し、ＥＬ層に電流を通じることで、発光する。
有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して利用する場合、ＬＣＤと同様に、電極構成と駆動方法によりパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大別されるが、このようなパネルにおいて、有機ＥＬ素子を用い、カラー化を達成する方法としては、最も基本的なＲ、Ｇ、Ｂの３色の有機ＥＬ材料を表示装置の画素毎に精密に配置する３色並置方式の他に、白色発光層とＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（ＣＦとも言う）を組み合わせるＣＦ方式や、図２にその概略断面を示すパネル化した有機ＥＬパネル構造のように、青色発光層とＲ、Ｇの蛍光変換色素フィルターとを組み合わせえるＣＣＭ（Ｃｏｌｏｒ Ｃｈａｎｇｉｎｇ Ｍｅｄｉｕｍ）方式がある。
例えば、ＣＣＭ方式の有機ＥＬディスプレイパネルとしては、図２に示す構造のものが挙げられ、透明電極２７０の下層に、耐湿性、耐溶剤性の低い発光層を保護するためのバリア層２６０と、絶縁層２５０、ＯＣ層（オーバーコート層）２４０が設けられている。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して有機ＥＬパネル構造を作製する場合、通常、予め、透明なガラス基板上にカラーフィルタ層、透明電極を形成した有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルをフォトリソ工程等を用いて形成しておき、このように形成された有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルに対して、蒸着等により発光層等を配設し、更に封止してディスプレイパネルを作製する。
しかしながら、フォトリソ工程等を施し透明電極を形成する際に、通常はポジレジストを用いるため、不要なレジスト残等もしくはレジスト膜上に付着した異物に起因して、透明電極にショート欠陥が生じ、問題となっている。
このような透明電極の加工は、図３に示すように、基板３１０（図３（ａ））上に配設された電極用膜３２０（図３（ｂ））上にレジスト膜３３０を形成し（図３（ｃ））、露光工程（図３（ｄ））を経て、現像して、所定形状のレジスト膜３３０のパターンを形成した（図３（ｅ））後、該レジスト膜３３０のパターンを耐エッチング膜として、レジスト膜３３０の開口３３７から露出した電極用膜３２０をエッチングし、電極３２０Ａを形成し（図３（ｆ））、更にレジスト膜３３０の除去、更に洗浄等を行うという一連の工程にて行われていた。
尚、通常、このような加工方法を、一般には、フォトエッチング法あるいはフォトエッチング加工法と言う。
【０００５】
しかし、このように電極を加工した場合、加工後に、図４に示すような、電極間のショート欠陥４７５が残存することが多々あり、このようなショート欠陥を修正する必要がある。
尚、図４は、図２に示すデイスプレイパネル用の透明電極４７０を形成した場合のものである。
このため、加工後、図５（ａ）に示すように、ショート欠陥部４７５にレーザ光を照射し、その部分の電極用膜を除去することにより、透明電極４７０のショート欠陥部の修正が行なわれていた（図５（ｂ））が、この修正方法においては、図５（ｃ）に示すように、レーザ光の照射による飛散物（パーティクルとも言う）４９０が、透明電極４７０上に残留することとなり、飛散物が大きい場合、図６に示すように、パネル化された際、有機ＥＬディスプレイパネルの、透明電極５７０（図５の４７０に相当）とその対向電極（負極）５７５間でショートが発生してしまうという問題があった。
また、図５（ｃ）に示すように、レーザ光の照射条件によっては、バリア層４６０にダメージを与えてしまうことがあり問題となっていた。
尚、図５は、図４のＢ１−Ｂ２断面を示した図で、図４は図５のＤ１側からみた図で、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＤ２を拡大して示した図である。
【０００６】
ＣＦ（カラーフィルタ）基板とＴＦＴ基板の間を所定のギャップ（セルギャップと言う）を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のＬＣＤ（液晶ディスプレイ）パネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、上記図３に示すフォトエッチング法により電極形成を行った後、電極のショート欠陥部をレーザ光照射により除去した場合、同様に、前記基板間でショートが発生するという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極あるいはＬＣＤパネル用の電極の加工においては、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、修正のためのレーザ光照射による飛散物（パーティクル）に起因する、ディスプレイパネル化した際の対向する電極間でショートが発生しない、電極の形成方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことを特徴とするものである。
そして、上記において、除去工程は、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものであることを特徴とするものであり、該レーザ光がＹＡＧレーザ光であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法であることを特徴とするものである。
また、上記において、電極用膜がＩＴＯ膜であることを特徴とするものである。
尚、レーザ光照射による除去は、レジスト膜のパターン欠陥部のみが好ましいが、電極用膜を若干除去しても構わない。
【０００９】
【作用】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、このような構成にすることにより、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法の提供を可能としている。
また、図５に示す従来のＹＡＧレーザ等のレーザ光照射による電極の下層（図５のバリア層４６０等に相当）にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能としている。
具体的には、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことにより、これを達成している。
除去工程としては、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものが、実用的なものとして挙げられる。
レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去する工程においては、通常、レーザ照射時に飛散物（パーティクルとも言う）が発生するため、レーザ照射後に必要に応じて洗浄を行なう。
レーザ光照射による飛散物としては、異物飛散物、レジスト膜飛散物、電極膜飛散物が挙げられるが、いずれも、レーザ照射後のエッチング工程以降の一連の処理により除去することができる。
レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、ＹＡＧレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
尚、除去工程としては、上記レーザ光照射に限定されない。
他の簡単な除去方法としては、切削や研磨による除去も挙げられるが、この場合も必要に応じ、切削や研磨後に洗浄を行なう。
【００１０】
有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法である場合、従来の修正方法における電極用膜下層のバリア層の損傷の発生を無くすことができ、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないという点で、特に、有効である。
勿論、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法に限定されない。
ＣＦ（カラーフィルタ）基板とＴＦＴ基板の間を所定のギャップ（セルギャップと言う）を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のＬＣＤパネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、同様に、有効である。
電極用膜としては、透明な電極膜等が挙げられる。
透明な電極膜としてはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 が挙げられるが、通常、ＩＴＯが用いられる。
また、レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、ＹＡＧレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例を挙げ、図に基づいて説明する。
図１は、本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例の工程断面図である。
図１中、１１０は基板、１２０は電極用膜、１２０Ａは電極、１３０はレジスト膜、１３５は（レジストの）パターン欠陥部、１３６は修正箇所、１３７は開口、１４０はフォトマスク、１５０は露光光、１６０はレーザ光（ＹＡＧレーザ光）である。
本例のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、図２に示す、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層配設前のＣＣＭパネルにおける、ＩＴＯからなる透明電極の作製方法である。
そして、基板１１０上（図２のバリア層２６０の上に相当）に配設された電極用膜１２０上に所定形状のレジスト膜１３０を形成し、該レジスト膜１３０を耐エッチング膜として、レジスト膜１３０の開口から露出した電極用膜１２０をエッチングし、更にレジスト膜１３０の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜１３０に対応した形状の電極１２０Ａを形成する、フォトエッチング法による作製方法であり、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部をＹＡＧレーザ光を照射して除去する除去工程を行うものである。
図１に基づいて更に説明する。
先ず、ガラス基板上に、順にＣＦ層、ＣＣＭ層、オーバーコート層、絶縁層、バリア層が配設された基板１１０を用意し（図１（ａ））、基板１１０のバリア層（図２の２６０に相当）上に全面に電極用膜１２０を配設し（図１（ｂ））、更に、該電極用膜１２０上全面に感光性のレジストを塗布、乾燥を行う。（図１（ｃ））
感光性のレジストとしては、通常、ポジレジストが用いられ、所望の解像性があり、処理性の良いものが好ましいが、特に、限定はされない。
次いで、形成する電極形状に対応したフォトマスク１４０を用いて、感光性のレジスト膜１３０の所定領域を露光し（図１（ｄ））、現像処理を行い、検査にてレジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５を把握する。（図１（ｅ））
図１（ｅ）は、現像後状態で、ショート欠陥部を含む断面である。
検査方法は、図示していないが、現像後の状態で、残ったレジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５の抽出を行うもので、これにより、ショート欠陥部１３５の位置を把握する。
検査方法としては、例えば、反射光による目視検査によるショート欠陥部抽出方法が挙げられ、この場合は、欠陥位置をガラス基板面へマーキングすることにより把握することができる。
別には、Ｘ−Ｙステージ上に現像後の基板をおき、反射光およびまたは透過光により全面走査して欠陥抽出し、その位置を自動検査にて把握する方法もある。
【００１２】
次いで、レーザ光照射装置にて、照射サイズ、出力を調整して、レジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５へレーザ光を照射し（図１（ｆ））、レジスト膜のパターンのショート欠陥部１３５を除去する修正を行う。（図１（ｇ））
照射するレーザ光としては、レジスト膜１３０を除去でき、電極用膜１２０を除去しないものが好ましく、場合によっては、電極用膜１２０を若干除去するようにしても良いが、ショート欠陥部１３５の修正に用いるレーザ光の波長、出力条件を予めテスト等により把握しておくとなお良い。
レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第４高調波（２６６ｎｍ）等が用いられるが、これに限定はされない。
モニターにて修正箇所１３６を拡大観察してみることにより、レジスト膜１３０の除去は確認できる。
次いで、レジスト膜１３０を耐エッチングマスクとして、レジスト膜１３０の開口１３７から露出した電極用膜１２０をエッチングして、電極１２０Ａを形成した（図１（ｈ））後、レジスト膜１３０を所定の剥離液にて除去して、基板１１０のバリア層（図２の２６０に相当）上に電極１２０Ａを形成したものを得る（図１（ｉ））
レーザ光照射による修正において、飛散物（パーティクル）が発生するが、飛散物（パーティクル）は、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去される。
本例の方法では、レーザ光照射による修正を行い、発生した飛散異物（パーティクル）を後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に飛散異物に起因したＥＬ層の破壊や寿命劣化の問題がない品質の高い有機ＥＬパネルを供給可能となる。
【００１３】
本例は、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層配設前のＣＣＭパネルにおける、ＩＴＯからなる透明電極の作製方法であるが、他の方式の電極形成やＬＣＤ用の電極形成にも本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は適用できることは言うまでもない。
勿論、透明電極がＩＴＯ以外の場合にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法の提供を可能とした。
また、従来のＹＡＧレーザ等のレーザ光照射による電極の下層にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能とした。
特に、レジスト膜のパターンのショート欠陥部に除去をレーザ光照射により行う場合、レジスト膜の修正により発生した飛散異物（パーティクル）を、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に、飛散異物（パーティクル）に起因したＥＬ層の破壊や寿命劣化を抑制した高品質の有機ＥＬパネルを供給可能とした。
勿論、この場合、専用の洗浄装置を必要としないメリットがある。
本発明は、有機ＥＬ、ＬＣＤ以外のディスプレイパネル全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例の工程断面図である。
【図２】ＣＣＭ方式有機ＥＬパネル構造の断面図である。
【図３】従来の透明電極の加工方法の工程断面図である。
【図４】電極間のショート欠陥が残存する電極加工後の状態を示した図である
【図５】従来の電極間のショート欠陥部の修正と問題点を説明するための図である。
【図６】従来のレーザ光照射による修正により発生した飛散異物のディスプレイパネルにおける問題を説明するための図である。
【符号の説明】
１１０ 基板
１２０ 電極用膜
１２０Ａ 電極
１３０ レジスト膜
１３５ （レジストの）パターン欠陥部
１３６ 修正箇所
１３７ 開口
１４０ フォトマスク
１５０ 露光光
１６０ レーザ光（ＹＡＧレーザ光）
２１０ ガラス基板
２２０ ＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）
２３０ ＣＣＭ層
２４０ ＯＣ層（オーバーコート層とも言う）
２５０ 絶縁層
２６０ バリア層
２７０ 透明電極（正極）
２７５ 電極（負極）
２８０ 発光層
２８５ 障壁
３１０ 基板
３２０ 電極用膜
３２０Ａ 電極
３３０ レジスト膜
３３７ 開口
３４０ フォトマスク
３５０ 露光光
４１０ ガラス基板
４２０ ＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）
４３０ ＣＣＭ層
４４０ ＯＣ層（オーバーコート層とも言う）
４５０ 絶縁層
４６０ バリア層
４７０ 透明電極（正極）
４７５ 欠陥部（ショート欠陥部とも言う）
４７６ 欠陥修正箇所
４７７ ダメージ部
４８０ ＹＡＧレーザ光
４９０ 飛散異物（パーティクルとも言う）
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬディスプレイパネル、ＬＣＤディスプレイパネル等のディスプレイパネル用の電極の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電流の注入によって発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリクス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルが、携帯端末や車載パネルとして用いられるようになってきた。
今後、パソコンの表示部にも使用される。
有機化合物材料を発光体とする有機ＥＬ素子は、液晶素子に比べ視野角が広く、コントラストも良く、視認性に優れており、バックライトが不要なため、薄型、軽量化が実現でき、消費電力の面でも有利で、応答性も速い。
そして、すべて固体であるため振動に強く、使用温度範囲も広いなどの特徴があり、表示素子として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の構造は、基本的には、陽極と陰極の一対の電極間に有機化合物を含む（ＥＬ層）を挟持した構造となっており、Ｔａｎｇ等の「アノード電極/ 正孔注入層/ 発光層/ カソード電極」の積層構造が基本になっている。（特許１５２６０２６号公報）
そして、有機ＥＬ素子は、電極間に電場を印加し、ＥＬ層に電流を通じることで、発光する。
有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して利用する場合、ＬＣＤと同様に、電極構成と駆動方法によりパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式に大別されるが、このようなパネルにおいて、有機ＥＬ素子を用い、カラー化を達成する方法としては、最も基本的なＲ、Ｇ、Ｂの３色の有機ＥＬ材料を表示装置の画素毎に精密に配置する３色並置方式の他に、白色発光層とＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター（ＣＦとも言う）を組み合わせるＣＦ方式や、図２にその概略断面を示すパネル化した有機ＥＬパネル構造のように、青色発光層とＲ、Ｇの蛍光変換色素フィルターとを組み合わせえるＣＣＭ（Ｃｏｌｏｒ Ｃｈａｎｇｉｎｇ Ｍｅｄｉｕｍ）方式がある。
例えば、ＣＣＭ方式の有機ＥＬディスプレイパネルとしては、図２に示す構造のものが挙げられ、透明電極２７０の下層に、耐湿性、耐溶剤性の低い発光層を保護するためのバリア層２６０と、絶縁層２５０、ＯＣ層（オーバーコート層）２４０が設けられている。
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子をディスプレイ用にパネル化して有機ＥＬパネル構造を作製する場合、通常、予め、透明なガラス基板上にカラーフィルタ層、透明電極を形成した有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルをフォトリソ工程等を用いて形成しておき、このように形成された有機ＥＬ発光層を配設していない状態のパネルに対して、蒸着等により発光層等を配設し、更に封止してディスプレイパネルを作製する。
しかしながら、フォトリソ工程等を施し透明電極を形成する際に、通常はポジレジストを用いるため、不要なレジスト残等もしくはレジスト膜上に付着した異物に起因して、透明電極にショート欠陥が生じ、問題となっている。
このような透明電極の加工は、図３に示すように、基板３１０（図３（ａ））上に配設された電極用膜３２０（図３（ｂ））上にレジスト膜３３０を形成し（図３（ｃ））、露光工程（図３（ｄ））を経て、現像して、所定形状のレジスト膜３３０のパターンを形成した（図３（ｅ））後、該レジスト膜３３０のパターンを耐エッチング膜として、レジスト膜３３０の開口３３７から露出した電極用膜３２０をエッチングし、電極３２０Ａを形成し（図３（ｆ））、更にレジスト膜３３０の除去、更に洗浄等を行うという一連の工程にて行われていた。
尚、通常、このような加工方法を、一般には、フォトエッチング法あるいはフォトエッチング加工法と言う。
【０００５】
しかし、このように電極を加工した場合、加工後に、図４に示すような、電極間のショート欠陥４７５が残存することが多々あり、このようなショート欠陥を修正する必要がある。
尚、図４は、図２に示すデイスプレイパネル用の透明電極４７０を形成した場合のものである。
このため、加工後、図５（ａ）に示すように、ショート欠陥部４７５にレーザ光を照射し、その部分の電極用膜を除去することにより、透明電極４７０のショート欠陥部の修正が行なわれていた（図５（ｂ））が、この修正方法においては、図５（ｃ）に示すように、レーザ光の照射による飛散物（パーティクルとも言う）４９０が、透明電極４７０上に残留することとなり、飛散物が大きい場合、図６に示すように、パネル化された際、有機ＥＬディスプレイパネルの、透明電極５７０（図５の４７０に相当）とその対向電極（負極）５７５間でショートが発生してしまうという問題があった。
また、図５（ｃ）に示すように、レーザ光の照射条件によっては、バリア層４６０にダメージを与えてしまうことがあり問題となっていた。
尚、図５は、図４のＢ１−Ｂ２断面を示した図で、図４は図５のＤ１側からみた図で、図５（ｃ）は図５（ｂ）のＤ２を拡大して示した図である。
【０００６】
ＣＦ（カラーフィルタ）基板とＴＦＴ基板の間を所定のギャップ（セルギャップと言う）を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のＬＣＤ（液晶ディスプレイ）パネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、上記図３に示すフォトエッチング法により電極形成を行った後、電極のショート欠陥部をレーザ光照射により除去した場合、同様に、前記基板間でショートが発生するという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極あるいはＬＣＤパネル用の電極の加工においては、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、修正のためのレーザ光照射による飛散物（パーティクル）に起因する、ディスプレイパネル化した際の対向する電極間でショートが発生しない、電極の形成方法が求められていた。
本発明は、これに対応するもので、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことを特徴とするものである。
そして、上記において、除去工程は、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものであることを特徴とするものであり、該レーザ光がＹＡＧレーザ光であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法であることを特徴とするものである。
また、上記において、電極用膜がＩＴＯ膜であることを特徴とするものである。
尚、レーザ光照射による除去は、レジスト膜のパターン欠陥部のみが好ましいが、電極用膜を若干除去しても構わない。
【０００９】
【作用】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、このような構成にすることにより、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法の提供を可能としている。
また、図５に示す従来のＹＡＧレーザ等のレーザ光照射による電極の下層（図５のバリア層４６０等に相当）にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能としている。
具体的には、基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことにより、これを達成している。
除去工程としては、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものが、実用的なものとして挙げられる。
レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去する工程においては、通常、レーザ照射時に飛散物（パーティクルとも言う）が発生するため、レーザ照射後に必要に応じて洗浄を行なう。
レーザ光照射による飛散物としては、異物飛散物、レジスト膜飛散物、電極膜飛散物が挙げられるが、いずれも、レーザ照射後のエッチング工程以降の一連の処理により除去することができる。
レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、ＹＡＧレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
尚、除去工程としては、上記レーザ光照射に限定されない。
他の簡単な除去方法としては、切削や研磨による除去も挙げられるが、この場合も必要に応じ、切削や研磨後に洗浄を行なう。
【００１０】
有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法である場合、従来の修正方法における電極用膜下層のバリア層の損傷の発生を無くすことができ、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないという点で、特に、有効である。
勿論、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法に限定されない。
ＣＦ（カラーフィルタ）基板とＴＦＴ基板の間を所定のギャップ（セルギャップと言う）を保ち、前記基板間に液晶を注入した構造のＬＣＤパネル用の電極加工においても、近年、セルギャップが小さくなる傾向にあり、同様に、有効である。
電極用膜としては、透明な電極膜等が挙げられる。
透明な電極膜としてはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 が挙げられるが、通常、ＩＴＯが用いられる。
また、レーザ光としては、発振器がコンパクトであり、装置化し易く、扱い易いという面からは、ＹＡＧレーザ光が挙げられるが、これに限定はされない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例を挙げ、図に基づいて説明する。
図１は、本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例の工程断面図である。
図１中、１１０は基板、１２０は電極用膜、１２０Ａは電極、１３０はレジスト膜、１３５は（レジストの）パターン欠陥部、１３６は修正箇所、１３７は開口、１４０はフォトマスク、１５０は露光光、１６０はレーザ光（ＹＡＧレーザ光）である。
本例のディスプレイパネル用の電極の作製方法は、図２に示す、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層配設前のＣＣＭパネルにおける、ＩＴＯからなる透明電極の作製方法である。
そして、基板１１０上（図２のバリア層２６０の上に相当）に配設された電極用膜１２０上に所定形状のレジスト膜１３０を形成し、該レジスト膜１３０を耐エッチング膜として、レジスト膜１３０の開口から露出した電極用膜１２０をエッチングし、更にレジスト膜１３０の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜１３０に対応した形状の電極１２０Ａを形成する、フォトエッチング法による作製方法であり、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部をＹＡＧレーザ光を照射して除去する除去工程を行うものである。
図１に基づいて更に説明する。
先ず、ガラス基板上に、順にＣＦ層、ＣＣＭ層、オーバーコート層、絶縁層、バリア層が配設された基板１１０を用意し（図１（ａ））、基板１１０のバリア層（図２の２６０に相当）上に全面に電極用膜１２０を配設し（図１（ｂ））、更に、該電極用膜１２０上全面に感光性のレジストを塗布、乾燥を行う。（図１（ｃ））
感光性のレジストとしては、通常、ポジレジストが用いられ、所望の解像性があり、処理性の良いものが好ましいが、特に、限定はされない。
次いで、形成する電極形状に対応したフォトマスク１４０を用いて、感光性のレジスト膜１３０の所定領域を露光し（図１（ｄ））、現像処理を行い、検査にてレジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５を把握する。（図１（ｅ））
図１（ｅ）は、現像後状態で、ショート欠陥部を含む断面である。
検査方法は、図示していないが、現像後の状態で、残ったレジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５の抽出を行うもので、これにより、ショート欠陥部１３５の位置を把握する。
検査方法としては、例えば、反射光による目視検査によるショート欠陥部抽出方法が挙げられ、この場合は、欠陥位置をガラス基板面へマーキングすることにより把握することができる。
別には、Ｘ−Ｙステージ上に現像後の基板をおき、反射光およびまたは透過光により全面走査して欠陥抽出し、その位置を自動検査にて把握する方法もある。
【００１２】
次いで、レーザ光照射装置にて、照射サイズ、出力を調整して、レジスト膜１３０のパターンのショート欠陥部１３５へレーザ光を照射し（図１（ｆ））、レジスト膜のパターンのショート欠陥部１３５を除去する修正を行う。（図１（ｇ））
照射するレーザ光としては、レジスト膜１３０を除去でき、電極用膜１２０を除去しないものが好ましく、場合によっては、電極用膜１２０を若干除去するようにしても良いが、ショート欠陥部１３５の修正に用いるレーザ光の波長、出力条件を予めテスト等により把握しておくとなお良い。
レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第４高調波（２６６ｎｍ）等が用いられるが、これに限定はされない。
モニターにて修正箇所１３６を拡大観察してみることにより、レジスト膜１３０の除去は確認できる。
次いで、レジスト膜１３０を耐エッチングマスクとして、レジスト膜１３０の開口１３７から露出した電極用膜１２０をエッチングして、電極１２０Ａを形成した（図１（ｈ））後、レジスト膜１３０を所定の剥離液にて除去して、基板１１０のバリア層（図２の２６０に相当）上に電極１２０Ａを形成したものを得る（図１（ｉ））
レーザ光照射による修正において、飛散物（パーティクル）が発生するが、飛散物（パーティクル）は、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去される。
本例の方法では、レーザ光照射による修正を行い、発生した飛散異物（パーティクル）を後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に飛散異物に起因したＥＬ層の破壊や寿命劣化の問題がない品質の高い有機ＥＬパネルを供給可能となる。
【００１３】
本例は、ＣＣＭ方式の有機ＥＬパネル用の、発光層配設前のＣＣＭパネルにおける、ＩＴＯからなる透明電極の作製方法であるが、他の方式の電極形成やＬＣＤ用の電極形成にも本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法は適用できることは言うまでもない。
勿論、透明電極がＩＴＯ以外の場合にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、基板内の電極間のショート欠陥がなく、且つ、従来の修正方法におけるディスプレイパネル化した際の対向する電極間ショートの発生原因である、レーザ光照射による飛散物（パーティクル）が残らないような、電極形成方法の提供を可能とした。
また、従来のＹＡＧレーザ等のレーザ光照射による電極の下層にダメージを与えることがない電極形成方法の提供を可能とした。
特に、レジスト膜のパターンのショート欠陥部に除去をレーザ光照射により行う場合、レジスト膜の修正により発生した飛散異物（パーティクル）を、後続するエッチング、レジスト除去等の工程で除去されるため、ディスプレイパネルとした際に、飛散異物（パーティクル）に起因したＥＬ層の破壊や寿命劣化を抑制した高品質の有機ＥＬパネルを供給可能とした。
勿論、この場合、専用の洗浄装置を必要としないメリットがある。
本発明は、有機ＥＬ、ＬＣＤ以外のディスプレイパネル全般に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のディスプレイパネル用の電極の作製方法の実施の形態の１例の工程断面図である。
【図２】ＣＣＭ方式有機ＥＬパネル構造の断面図である。
【図３】従来の透明電極の加工方法の工程断面図である。
【図４】電極間のショート欠陥が残存する電極加工後の状態を示した図である
【図５】従来の電極間のショート欠陥部の修正と問題点を説明するための図である。
【図６】従来のレーザ光照射による修正により発生した飛散異物のディスプレイパネルにおける問題を説明するための図である。
【符号の説明】
１１０ 基板
１２０ 電極用膜
１２０Ａ 電極
１３０ レジスト膜
１３５ （レジストの）パターン欠陥部
１３６ 修正箇所
１３７ 開口
１４０ フォトマスク
１５０ 露光光
１６０ レーザ光（ＹＡＧレーザ光）
２１０ ガラス基板
２２０ ＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）
２３０ ＣＣＭ層
２４０ ＯＣ層（オーバーコート層とも言う）
２５０ 絶縁層
２６０ バリア層
２７０ 透明電極（正極）
２７５ 電極（負極）
２８０ 発光層
２８５ 障壁
３１０ 基板
３２０ 電極用膜
３２０Ａ 電極
３３０ レジスト膜
３３７ 開口
３４０ フォトマスク
３５０ 露光光
４１０ ガラス基板
４２０ ＣＦ層（カラーフィルタ層とも言う）
４３０ ＣＣＭ層
４４０ ＯＣ層（オーバーコート層とも言う）
４５０ 絶縁層
４６０ バリア層
４７０ 透明電極（正極）
４７５ 欠陥部（ショート欠陥部とも言う）
４７６ 欠陥修正箇所
４７７ ダメージ部
４８０ ＹＡＧレーザ光
４９０ 飛散異物（パーティクルとも言う）
Claims (5)
- 基板上に配設された電極用膜上に所定形状のレジスト膜を形成し、該レジスト膜を耐エッチング膜として、レジスト膜の開口から露出した電極用膜をエッチングし、更にレジスト膜の除去、洗浄等を行い、前記所定形状のレジスト膜に対応した形状の電極を形成する、フォトエッチング法によるディスプレイパネル用の電極の作製方法であって、前記所定形状のレジスト膜を形成する工程の後、前記エッチングする工程の前に、電極のショート欠陥の原因となるレジスト膜のパターン欠陥部を除去する除去工程を行うことを特徴とするディスプレイパネル用の電極の作製方法。
- 請求項１において、除去工程は、レーザ光照射によりレジスト膜のパターン欠陥部を除去するものであることを特徴とするディスプレイパネル用の電極の作製方法。
- 請求項２において、レーザ光がＹＡＧレーザ光であることを特徴とするディスプレイパネル用の電極の作製方法。
- 請求項１ないし３において、有機ＥＬディスプレイパネル用の電極の作製方法であることを特徴とするディスプレイパネル用の電極の作製方法。
- 請求項１ないし４において、電極用膜がＩＴＯ膜であることを特徴とするディスプレイパネル用の電極の作製方法。
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