JP2005309356A - 薄膜トランジスタアレイおよびその修復方法 - Google Patents

薄膜トランジスタアレイおよびその修復方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 薄膜トランジスタアレイの修復方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタアレイ100の修復方法は、画素電極150間の残渣160を除去して、残渣160が相互に隣接する画素電極150を電気的に接続するのを防止することができる。薄膜トランジスタアレイ100の該修復方法は、蓄積コンデンサの漏れを引き起こす可能性のある粒子または欠陥部の上の画素電極の一部分を除去するためにも提供することができる。薄膜トランジスタアレイの修復方法のパラメータは、正確に制御され、薄膜トランジスタアレイの歩留まりを効果的に改善することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、薄膜トランジスタアレイ(TFTアレイ)およびその修復方法に関する。さらに詳細には、本発明は、修復プロセスの歩留まりを著しく改善することのできる、薄膜トランジスタアレイ(TFTアレイ)およびその修復方法に関するものである。
我々の社会におけるマルチメディアシステムの普及は、半導体デバイスおよびディスプレイ装置の開発に依存する。陰極線管(CRT)等のディスプレイ装置は、その卓越した表示品質、信頼性および低コストのため、かなり長期間使用されてきた。従来のCRTは多くの利点を持つが、電子銃の設計はそれを重く、嵩張り、かつエネルギを消耗するものにしている。さらに、放射線の放出のため、視聴者の目を傷つける潜在的な危険性が常にある。半導体デバイスおよび電気光学デバイスを製造する技術の大きい飛躍により、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(TFT−LCD)のような、高画像品質で、スリムで、低電力消費であり、かつ放射線を出さないディスプレイが徐々にディスプレイ製品の主流になってきた。
一般的に、カラーTFT−LCDは、カラーフィルタ(C/F)、TFTアレイ、およびそれらの間に配置された液晶層を含む。TFTアレイは多数の薄膜トランジスタを含み、それらは領域アレイに配列され、多数の走査線およびデータ線で接続される。各薄膜トランジスタは画素領域に配置され、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、または他の透明な導電材によって形成される、対応する画素電極に電気的に接続される。各薄膜トランジスタは、液晶層を駆動して様々なグレイレベルを示すために使用される。さらに、従来のTFTアレイの画素では、画素電極、対応する走査線、および誘電体層(例えばゲート絶縁層および/またはパッシベーション層)の間に蓄積コンデンサ(Cst)を形成することができる。また、画素電極、共通線、および誘電体層の間に蓄積コンデンサ(Cst)を形成して、より優れた画質を提供することができる。
しかし、従来のTFTアレイの画素電極のパターニングプロセス中に、二つの隣接画素電極は、それらの間のITOまたはIZO残渣のために、相互に異常接続されることがある。さらに、汚染の結果生じる蓄積コンデンサの誘電体層内の粒子または欠陥部は、蓄積コンデンサの上部電極と下部電極との間に漏れを引き起こすことがある。粒子または欠陥部は画素表示を異常にし、ディスプレイの画質は劣化する。上述した問題を解決するために、欠陥蓄積コンデンサの上部電極と下部電極との間のレーザ溶接プロセスが実行され、欠陥画素が暗点化される。上述したレーザ溶接プロセスが実行されるので、暗点欠陥の数が増加することが注目される。
本発明は、製造プロセスの歩留まりを改善することができるように、粒子または欠陥部から生じる蓄積コンデンサの上部電極と下部電極との間の漏れを軽減することのできる、薄膜トランジスタアレイを対象とする。
本発明は、画素電極間の異常な電気接続を引き起こす可能性のある残渣を除去するステップを含む、薄膜トランジスタアレイの修復方法を対象とする。
本発明は、粒子または欠陥部から生じる蓄積コンデンサの上部電極と下部電極との間の漏れを低減するために、粒子または欠陥部の上の画素電極の一部分を除去するステップを含む、薄膜トランジスタアレイの修復方法を対象とする。
本発明は、パルスビームを照射して隣接デバイスの損傷の確率を低減するステップを含む、薄膜トランジスタアレイの修復方法であって、パルスビームのエネルギを正確に制御しかつ微調整して、製造プロセスの歩留まりを改善できるようにした方法を対象とする。
本発明は、パルスビームを照射するステップを含む膜除去方法であって、パルスビームのエネルギを正確に制御しかつ微調整して、製造プロセスの歩留まりを改善できるようにした方法を対象とする。
本発明の実施形態では、基板、複数の走査線、複数のデータ線、複数の薄膜トランジスタ、および複数の画素電極を含む薄膜トランジスタアレイを提供する。走査線およびデータ線は基板上に配置され、基板は走査線およびデータ線によって多数の画素領域に画成される。各薄膜トランジスタは画素領域の一つに配置され、相応して走査線およびデータ線と接続される。各画素電極は画素領域の一つに配置され、相応して薄膜トランジスタの一つに電気的に接続される。各画素電極の一部分は走査線の一つの上に配置されて蓄積コンデンサを形成し、走査線の一つおよび画素電極の欠陥画素電極は、それらの間に粒子または欠陥部を有し、欠陥画素電極はさらに粒子または欠陥部に対応する開口を含む。したがって、欠陥蓄積コンデンサの漏れを低減することができる。
本発明の実施形態では、基板、複数の走査線、複数のデータ線、複数の薄膜トランジスタ、複数の画素電極、および複数の共通線を含む薄膜トランジスタアレイを提供する。走査線およびデータ線は基板上に配置され、基板は走査線およびデータ線によって複数の画素領域に画成される。各薄膜トランジスタは画素領域の一つに配置され、相応して走査線およびデータ線と接続される。各画素電極は画素領域の一つに配置され、相応して薄膜トランジスタの一つに電気的に接続される。共通線は基板上に配置され、各共通線の一部分は共通線の一つの上に配置されて蓄積コンデンサを形成し、共通線の一つおよび画素電極の欠陥画素電極は、それらの間に粒子または欠陥部を有し、欠陥画素電極はさらに粒子または欠陥部に対応する開口を含む。したがって、欠陥蓄積コンデンサの漏れを低減することができる。
本発明の一実施形態では、薄膜トランジスタアレイはさらに、画素電極と走査線との間、または画素電極とデータ線との間に配置された誘電体層を含む。
本発明の一実施形態では、複数の画素電極を有する薄膜トランジスタアレイであって、画素電極がそれらの間の残渣を介して電気的に相互に接続されている薄膜トランジスタアレイを修復するための方法を提供する。本発明の本実施形態に係る修復方法は、残渣に隣接する画素電極が電気的に分離されるように、1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを残渣に照射して、残渣の少なくとも一部分を除去するステップを含む。
本発明の一実施形態では、本発明は、複数の蓄積コンデンサを走査線上(Cstオンゲート)または共通線上(Cstオンコモン)に有する薄膜トランジスタアレイであって、画素電極および該画素電極に対応する走査線の一つまたは共通線の一つがそれらの間に粒子または欠陥部を有している薄膜トランジスタアレイを修復する方法を提供する。該修復方法は、1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを画素電極に照射して、粒子または欠陥部の上の画素電極の少なくとも一部分を除去するステップを含む。
本発明の一実施形態に係る修復方法では、パルス幅は例えば1/11秒から1/4秒の間であり、好適なパルス幅は0.1秒である。さらに、パルスビームは300nmから500nmの間の波長のパルスレーザビームとすることができる。
本発明の一実施形態では、薄膜トランジスタアレイ上に形成された膜を除去するのに適した方法を提供する。該膜除去方法は、1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを膜に照射して、膜の少なくとも一部分を除去するステップを含む。
本発明の膜除去方法では、パルス幅は例えば1/11秒から1/4秒の間であり、好適なパルス幅は0.1秒である。さらに、パルスビームは300nmから500nmの間の波長のパルスレーザビームとすることができる。
本発明の一実施形態に係る修復方法では、二つの隣接画素電極間の異常な電気接続を低減するために、画素電極間の残渣を除去する。さらに、TFTアレイの修復方法は、蓄積コンデンサが安定して動作できることを確実にするために、粒子または欠陥部の上の画素電極の一部分を除去するステップをも含むことができる。該修復方法は制御しかつ微調整することができるパルスビームを用いて行なわれるので、デバイスの上の残渣を正確に除去することができ、製造プロセスの歩留まりが改善される。
上述した概略的説明および以下の詳細な説明は両方とも例証であって、特許請求の範囲に記載する本発明のさらなる説明の提供を意図したものであることを理解されたい。
添付の図面は、本発明のさらなる理解をもたらすために含まれており、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は本発明の実施形態を示し、説明と併せて本発明の原理を説明するのに役立つものである。
図1は、本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図である。図1を参照すると、本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ100は基板110(図3B参照)、複数の走査線120、複数のデータ線130、複数の薄膜トランジスタ140、および複数の画素電極150を含む。走査線120およびデータ線130は基板100上に配置され、基板100は走査線120およびデータ線130によって複数の画素領域110aに構成される。各薄膜トランジスタ140は画素領域110aの一つに配置され、相応して走査線120およびデータ線130と接続される。さらに、各画素電極150は画素領域110aの一つに配置され、相応して薄膜トランジスタ140の一つに電気的に接続される。本発明の一実施形態では、画素電極150の材料は、インジウムスズ酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物のような透明な導電材を含む。図面を簡素化するために、図1に関連して少数の要素しか記載していない。実際、薄膜トランジスタアレイ100はさらに、走査線上のCst(Cstオンゲート)または共通線上のCst(Cstオンコモン)を有する蓄積コンデンサを含む。
図1に関連して、画素電極150のパターニングプロセス中に、ITO残渣またはIZO残渣のような残渣160がデータ線130上の間に残ることがある。これに関して、データ線130に隣接する画素電極150は、残渣160を介して相互に電気的に接続されることがある。したがって、薄膜トランジスタアレイ100は規則正しく動作することができない。この理由から、本発明は、残渣160から生じる問題を解決するために、薄膜トランジスタアレイ100の修復方法を提供する。
図1に示す通り、薄膜トランジスタアレイ100の修復方法は、残渣160と画素電極150との間の接合領域170に、1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを照射するステップを含む。したがって、残渣160に隣接する画素電極150は相互に電気的に分離される。しかし、本発明の別の実施形態では、残渣160は完全に、または部分的に除去することができる。さらに、接合領域170以外に、残渣160の他の部分を除去して、画素電極150を電気的に分離することができる。さらに、パルスビームのパルス幅は例えば1/20秒から1/4秒の間である。本発明の一実施形態では、パルス幅は例えば1/11秒から1/4秒の間であり、好適なパルス幅は約0.1秒である。さらに、パルスビームは300nmから500nmの間の波長のパルスレーザビームである。
上述したパルス幅は各パルスビームの作用期間である。換言すれば、パルスビームのパルス幅がTであるならば、パルスビームのF値は1/Tに等しい。作用期間中、パルスビームのパルス幅および頻度(すなわち毎秒ショット数であって、F値ではない)が全作用を決定する。例えば、パルスビームのパルス期間が0.1秒(すなわちパルスビームのF値が10)であり、パルスビームの頻度が2(すなわち毎秒2回のショット)である場合、全作用期間は0.2秒である。
本発明の一実施形態に係る修復方法では、パルスビームを照射することによって残渣を除去する。パルスビームのパルス幅および頻度が全作用期間を決定するので、パルスビームのエネルギの正確な制御および微調整が可能になる。したがって、修復操作を正確に実行することができる。しかし、残渣の位置は本発明の実施形態を説明するために示したものであって、残渣は薄膜トランジスタアレイのどの位置にでもあり得る。例えば残渣は走査線または薄膜トランジスタの上に位置することがある。本発明の修復方法を使用することによって、過度のエネルギを有するパルスビームによって生じる残渣の下の回路またはデバイスの損傷は、実質的に低減することができる。
図2を参照すると、残渣160は薄膜トランジスタ140の上に位置しており、同様に薄膜トランジスタ140の上に位置する残渣160は、本発明の修復方法によって完全に、または部分的に除去することができる。したがって、残渣160に隣接する画素電極150は相互に電気的に分離される。しかし、修復手順は、図1に示した実施形態と同様であり、したがって詳細な説明は省略する。
図3Aは、本発明の別の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図であり、図3Bは図3Aの線A−A’に沿った断面図である。図3Aおよび図3Bに関連して、図1、図3A、および図3Bに示した同一参照番号は同一要素を表わしており、その詳細な説明は省略する。本発明の一実施形態では、画素電極150は走査線120の上の領域まで延在する。薄膜トランジスタ140から延在するゲート絶縁層182およびパッシベーション層184を含む誘電体層181は、画素電極150と走査線120との間に配置される。画素電極150および走査線120は蓄積コンデンサを形成する。さらに、汚染の結果生じる粒子または欠陥部186が誘電体層181に残り、画素電極150と走査線120との間に位置する粒子または欠陥部186は、蓄積コンデンサの漏れを生じさせることがある。
図4Aおよび図4Bは、図3Aおよび図3Bに示した薄膜トランジスタアレイの修復後である。図4Aおよび図4Bに関連して、画素電極150と走査線120との間の蓄積コンデンサの漏れを低減するために、本発明の修復技術が適用される。この実施形態では、パルスビームを画素電極150に照射して、粒子または欠陥部186の上に位置する画素電極150の少なくとも一部分を除去し、粒子または欠陥部186の上に開口188を形成する。したがって、画素電極150と走査線120との間の粒子または欠陥部186から結果的に生じる蓄積コンデンサの漏れを効果的に低減することができる。
さらに、本発明の修復方法は、共通線上のCst(Cstオンコモン)を有するTFTアレイに適用することができる。図5Aは、本発明のさらに別の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図を概略的に示し、図5Bは図5Aの線B−B’に沿った断面図である。図5Aおよび図5Bに関連して、図1、図5A、および図5Bに示した同一参照番号は同一要素を表わしており、その詳細な説明は省略する。本発明の実施形態では、画素電極150の一部分が共通線122の上にある。薄膜トランジスタ140から延在するゲート絶縁層182およびパッシベーション層184を含む誘電体層181は、画素電極150と共通線122との間に配置される。画素電極150と共通線122との間に蓄積コンデンサが形成される。さらに、汚染の結果生じる粒子または欠陥部186が誘電体層181に残り、画素電極150と共通線122との間に位置する粒子または欠陥部186は、蓄積コンデンサの漏れを生じさせることがある。
図6Aおよび図6Bは、図5Aおよび図5Bに示した薄膜トランジスタアレイの修復後である。図6Aおよび図6Bに関連して、画素電極150と共通線122との間に形成された蓄積コンデンサの漏れを低減するために、本発明の修復技術が適用される。この実施形態では、パルスビームを画素電極150に照射して、粒子または欠陥部186の上に位置する画素電極150の少なくとも一部分を除去し、粒子または欠陥部186の上に開口188を形成する。したがって、画素電極150と共通線122との間の粒子または欠陥部186から結果的に生じる蓄積コンデンサの漏れを効果的に低減することができる。
TFTアレイおよびその修復方法は、画素電極間の異常な電気的接続、およびその中の粒子または欠陥部から生じる蓄積コンデンサの漏れを低減することができる。加えて、本発明の修復方法は、パルスビームを照射して、TFTアレイの上に形成された薄膜を除去するステップを含み、パルスビームのエネルギは正確に制御しかつ微調整することができ、したがって製造プロセスの歩留まりを改善することができる。上記に示した実施形態は、本発明を説明するために用いたものであることに注意されたい。当業者は、本発明の修復方法をパターン形成薄膜を製造するのに適用できることを理解されるであろう。適切な変形により、本発明の修復方法は、TFTアレイの上に形成された薄膜を除去するために使用することができるので、どの位置の薄膜でも除去することができる。
本発明の範囲および精神から逸脱することなく、本発明の構造に対し様々な変形および変化を施すことができることを当業者は理解されるであろう。以上に鑑み、本発明は、発明の変形および変化が特許請求の範囲およびその均等物に該当することを前提として、それらをも網羅するものである。
本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図である。 本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図である。 本発明の別の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図である。 図3Aの線A−A’に沿った断面図である。 図3Aに示した薄膜トランジスタアレイの修復後の平面図である。 図3Bに示した薄膜トランジスタアレイの修復後の断面図である。 本発明のさらに別の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイの平面図である。 図5Aの線B−B’に沿った断面図である。 図5Aに示した薄膜トランジスタアレイの修復後の平面図である。 図5Bに示した薄膜トランジスタアレイの修復後の断面図である。
符号の説明
100 薄膜トランジスタアレイ
110 基板
110a画素領域
120 走査線
130 データ線
140 薄膜トランジスタ
150 画素電極
160 残渣
170 接合領域
181 誘電体層
182 ゲート絶縁層
184 パッシベーション層
186 欠陥部
188 開口

Claims (19)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置された複数の走査線と、
    前記基板上に配置された複数のデータ線であって、前記基板が前記走査線および前記データ線により多数の画素領域に画成されるように構成されるデータ線と、
    前記走査線および前記データ線に接続された複数の薄膜トランジスタであって、各々が前記画素領域の一つに相応して配置された薄膜トランジスタと、
    各々が前記画素領域の一つに配置されかつ前記薄膜トランジスタの一つに相応して電気的に接続された複数の画素電極であって、前記走査線の一つの上に位置する各画素電極の一部分と前記走査線との間に蓄積コンデンサが形成され、前記走査線の一つおよび前記画素電極のうちの欠陥画素電極がそれらの間に粒子または欠陥部を有し、前記欠陥画素電極がさらに前記粒子または欠陥部に対応する開口を含むように構成される画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
  2. 前記画素電極と前記走査線との間に配置された誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。
  3. 基板と、
    前記基板上に配置された複数の走査線と、
    前記基板上に配置された複数のデータ線であって、前記基板が前記走査線および前記データ線によって複数の画素領域に画成されるように構成されるデータ線と、
    前記走査線および前記データ線に接続された複数の薄膜トランジスタであって、各々が前記画素領域の一つに相応して配置された薄膜トランジスタと、
    各々が前記画素領域の一つに配置されかつ前記薄膜トランジスタの一つに相応して電気的に接続される複数の画素電極と、
    前記基板上に配置された複数の共通線であって、前記共通線の一つの上に位置する各画素電極の一部分と前記共通線との間に蓄積コンデンサが形成され、前記共通線の一つおよび前記画素電極のうちの欠陥画素電極がそれらの間に粒子または欠陥部を有し、前記欠陥画素電極がさらに前記粒子または欠陥部に対応する開口を含むように構成される画素電極とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
  4. 前記画素電極と前記共通線との間に配置された誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタアレイ。
  5. 複数の画素電極を有する薄膜トランジスタアレイであって、前記画素電極がそれらの間の残渣を介して相互に電気的に接続されている薄膜トランジスタアレイを修復する方法において、
    前記残渣に隣接する画素電極が電気的に分離されるように、1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを前記残渣に照射して前記残渣の少なくとも一部分を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
  6. 前記パルス幅が1/11秒から1/4秒の間であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  7. 前記パルス幅が0.1秒であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  8. 前記パルスビームがパルスレーザビームを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
  9. 前記パルスビームの波長が300nmから500nmの間であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
  10. 走査線上(Cstオンゲート)または共通線上(Cstオンコモン)の複数の蓄積コンデンサを有する薄膜トランジスタアレイであって、画素電極および前記画素電極に対応する走査線の一つまたは共通線の一つがそれらの間に粒子または欠陥部を有している薄膜トランジスタアレイを修復するための方法において、
    1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを前記画素電極に照射して、前記粒子または欠陥部の上の前記画素電極の少なくとも一部分を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
  11. 前記パルス幅が1/11秒から1/4秒の間であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  12. 前記パルス幅が0.1秒であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  13. 前記パルスビームがパルスレーザビームを含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
  14. 前記パルスビームの波長が300nmから500nmの間であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
  15. 薄膜トランジスタアレイの上に形成された膜を除去するのに適した膜除去方法において、
    1/20秒から1/4秒の間のパルス幅を有する少なくとも一回のパルスビームを前記膜に照射して、前記膜の少なくとも一部分を除去するステップを含むことを特徴とする方法。
  16. 前記パルス幅が1/11秒から1/4秒の間であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  17. 前記パルス幅が0.1秒であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
  18. 前記パルスビームがパルスレーザビームを含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
  19. 前記パルスビームの波長が300nmから500nmの間であることを特徴とする請求項15に記載の方法。
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