JP2000075319A

JP2000075319A - アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法、製造方法及び欠陥修正装置

Info

Publication number: JP2000075319A
Application number: JP24084098A
Authority: JP
Inventors: Hironobu Fujino; 裕伸藤野
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-08-26
Filing date: 1998-08-26
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】冗長構造を設けずに、アクティブマトリクス
基板の状態で欠陥修正を行う。【解決手段】信号配線１１を覆う層間絶縁膜の所定の
部分をエッチングやレーザ照射等により除去して信号配
線の一部を露出させ、点欠陥画素の画素電極１３とそれ
に信号電圧を供給する信号配線１１の露出部分とにわた
って金属有機溶液３７を塗布して加熱する。これによ
り、その画素電極１３と信号配線１１とを接続する導電
性膜を形成して両者を短絡させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョンセッ
トやワードプロセッサ、コンピュータの端末表示装置等
に用いられるアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法、製造方法及び欠陥修正装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置、プラズマ
表示装置等においては、マトリクス状に配置された表示
画素を選択駆動することにより画面上に表示パターンが
形成される。この表示画素の選択方式としてはアクティ
ブマトリクス駆動方式が知られている。

【０００３】アクティブマトリクス駆動方式は、個々の
表示画素に独立した画素電極を配置し、各画素電極にス
イッチング素子を接続して選択的に駆動を行うものであ
る。

【０００４】画素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ
（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳ（金属−酸化膜−
シリコン）トランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等
が一般的に使用されている。このスイッチング素子によ
り、画素電極とこれに対向する対向電極間に印加される
電圧をスイッチングし、両電極間に介在させた液晶、Ｅ
Ｌ発光層またはプラズマ発光体等の表示媒体を光学的に
変調する。これにより、この光学的変調が表示パターン
として視認される。このようなアクティブマトリクス駆
動方式によれば、高コントラストの表示が可能であり、
液晶テレビジョン、ワードプロセッサやコンピュータの
端末表示装置等に実用化されている。

【０００５】ところで、この種の表示装置において、不
良を有するスイッチング素子をそのまま組み込んだ場合
には、そのスイッチング素子に接続される画素電極に本
来印加されるべき信号が入力されないことになる。この
ため、表示装置において点欠陥として認識されることに
なる。

【０００６】このような欠陥は、スイッチング素子が配
設されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせ、両基板間に液晶を封入して液晶表示装置（液晶
セル）を作製した後で、各画素電極に所定の電気信号を
加えて表示動作を行わせることにより、点灯欠陥を目視
により容易に検出することができる。或いはこの状態の
液晶セルをＣＣＤカメラ等により撮像して画像処理を行
うことによっても容易に検出することができる。

【０００７】このように液晶表示装置を作製した後で検
出された点欠陥を修正する方法として、レーザ光を用い
る方法が、例えば特開平４−２７８９２６号公報の「ア
クティブマトリックス型表示装置」に開示されている。

【０００８】以下に、この欠陥修正方法について、図１
５〜図１７を参照しながら説明する。

【０００９】図１５に示した液晶表示装置は、ＴＦＴを
設けたアクティブマトリクス基板１と対向基板との間に
液晶を封入したものである。そして、アクティブマトリ
クス基板１の透明絶縁性基板２６側からレーザ照射する
ことによって、画素電極１３とコンタクトホール１８を
介して接続されている接続電極１７ａの突出部２０とソ
ースバスライン１２とが短絡し得る冗長構造を各画素毎
に具備している。

【００１０】このアクティブマトリクス基板１には、透
明絶縁性基板２６上に走査配線として機能する複数本の
ゲートバスライン１１及び信号配線として機能する複数
本のソースバスライン１２が互いに交差（ここでは直
交）して設けられている。両バスラインの近傍にはゲー
トバスライン１１に接続されたゲート電極１４及びソー
スバスライン１２に接続されたソース電極を有するＴＦ
Ｔ３９がスイッチング素子として設けられている。そし
て、ゲートバスライン１１、ソースバスライン１２及び
ＴＦＴ３９を覆う層間絶縁膜上に画素電極１３が設けら
れ、層間絶縁膜を貫くコンタクトホール１８を介して接
続電極１７ａによりＴＦＴ３９のドレイン電極と接続さ
れている。

【００１１】ＴＦＴ３９が接続されたゲートバスライン
１１と隣接するゲートバスライン１１との間には、付加
容量を形成するための付加容量バスライン１９がゲート
バスライン１１と平行に形成されている。この付加容量
バスライン１９の上にはゲート絶縁膜を挟んで付加容量
電極１７ｂが形成されている。

【００１２】図１５のＦ−Ｆ’線断面部分は、図１６に
示すように、透明絶縁性基板２６上に付加容量バスライ
ン１９からＴＦＴ３９と反対側に突出する付加容量バス
ライン突出部２１が設けられ、その上にはゲート絶縁膜
２７を介して導電体片２３、２４が重畳されている。導
電体片２３の上には付加容量電極１７ｂから接続電極１
７ａとは反対側に突出してソースバスライン１２側に屈
曲した付加容量電極突出部２０が設けられている。ま
た、導電体２４の上には絶縁膜３０を介してソースバス
ライン１２から分岐したソースバスライン突出部２２が
設けられている。そして、その上に層間絶縁膜２８、２
９を介して画素電極１３が重畳されている。上記冗長構
造は、レーザ照射前の段階ではゲート絶縁膜により電気
的に絶縁状態となっている。

【００１３】図１５のＧ−Ｇ’線断面部分は、図１７に
示すように、透明絶縁性基板２６上にゲートバスライン
１１から分岐したゲート電極１４が設けられ、その上を
覆ってゲート絶縁膜２７が設けられている。その上にゲ
ート電極１４と重畳するようにＴＦＴのチャンネル領域
となる半導体層４０が設けられ、その中央部にチャンネ
ル保護層３６が設けられている。チャンネル保護層３６
の両端部及び半導体層４０の上を覆い、かつ、チャンネ
ル保護層３６の上で分断された状態でソース電極３４及
びドレイン電極３５となるｎ⁺Ｓｉ層が設けられてい
る。ソース電極３４である一方のｎ⁺Ｓｉ層の端部上に
は、透明導電膜１７ｃと金属層１５とが設けられて２層
構造のソースバスライン１２となっている。ドレイン電
極３５である他方のｎ⁺Ｓｉ層の端部上には、透明導電
膜１７ａと金属層１６とが設けられ、透明導電膜１７ａ
は延長形成されてドレイン電極３５と画素電極１３を接
続する接続電極１７ａとなり、付加容量の一方の電極で
ある付加容量電極１７ｂに接続されている。そして、Ｔ
ＦＴ３９、ゲートバスライン１１、ソースバスライン１
２及び接続電極１７ａの上部を覆って２層の層間絶縁膜
２８、２９が設けられている。この層間絶縁膜２９の上
には透明導電膜からなる画素電極１３が設けられ、層間
絶縁膜２８、２９を貫くコンタクトホール１８を介して
接続電極１７ａによりＴＦＴ３９のドレイン電極３５と
接続されている。

【００１４】この液晶表示装置において点欠陥が発見さ
れると、図１５の破線で示す領域２５に対して図１６に
示すように１回目のレーザ光３１照射を行い、付加容量
バスライン突出部２１の基端部を切断する。次に、付加
容量バスライン突出部２１と付加容量電極突出部２０と
の重畳部に２回目のレーザ光３２照射を行い、両突出部
２０、２１を熔融させて両者を電気的に接続する。続い
て、付加容量バスライン突出部２１とソースバスライン
突出部２２との重畳部に３回目のレーザ光３３照射を行
い、両突出部２１、２２を熔融させて両者を電気的に接
続する。その後、図１５に示すＴＦＴ３９のゲート電極
１４の基端部４１にレーザ光を照射して切断する。以上
によりソースバスライン１２と画素電極１３とが短絡さ
れる。

【００１５】ここで、画素欠陥の無い正常な画素では、
ゲートバスラインの選択時間内に供給されたソース信号
のみが充電され、充電された電荷を１周期分、即ち、次
の選択期間が来るまでの間保持することになる。一方、
上述のようなレーザ光の照射により画素電極とソースバ
スラインとが短絡された画素では、ゲートバスラインの
選択、非選択にかかわらず、常にソース信号が入力され
て充電されることになる。従って、１周期を通じて見る
と、その間に入力されたソース信号の実効値が液晶に印
加されることになる。その結果、不良画素は、その不良
画素に対応するソースバスラインに接続された全ての画
素の平均的な明るさに点灯することになる。これは、不
良画素が完全な輝点でも黒点でもなく、中間的な輝度で
点灯することを意味する。従って、画素電極とソースバ
スラインとが短絡された画素は、正常に動作しているわ
けではないが、点欠陥として極めて確認されにくい状態
になり、点欠陥が実質的に修復されたと言える状態にな
る。

【００１６】さらに、図１８に示すように、ＴＦＴ３９
がゲートバスライン１１上に形成された液晶表示装置に
ついても、同様に、２３、２４、２５に順次レーザ光を
照射することにより、欠陥を修正することが可能であ
る。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り
合わせて液晶を注入した後で、その液晶セル（液晶パネ
ル状態）にレーザ光を用いた欠陥修正を行う場合、アク
ティブマトリクス基板に冗長構造を必要とする。また、
レーザ光照射によって液晶セル中に導電体の飛散屑が残
って対向電極と画素電極との間にリークが生じたり、液
晶セル中に気泡が残って光漏れが発生したりすることが
ある。その結果、欠陥を修正できなくなって製品を廃棄
せざるを得ず、歩留りが低下して製造コストが高くなる
という問題があった。

【００１８】本発明はこのような従来技術の課題を解決
すべくなされたものであり、冗長構造を必要とせず、ア
クティブマトリクス基板の状態で欠陥修正を行うことが
可能であり、液晶層に影響を与えることなく表示品位を
良好に保って点欠陥を修正しすることができるアクティ
ブマトリクス基板の欠陥修正方法、アクティブマトリク
ス基板の製造段階で欠陥修正を行うことが可能であり、
液晶層間絶縁膜に影響を与えることなく表示品位を良好
に保って点欠陥を修正することができるアクティブマト
リクス基板の製造方法、及び点欠陥を修正する際に用い
られる欠陥修正装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の欠陥修正方法は、互いに交差する複数の走
査配線及び複数の信号配線と、両配線で区切られた領域
毎に設けられ、該走査配線に入力される走査信号により
オン・オフされるスイッチング素子と、該信号配線に入
力される信号電圧が該スイッチング素子を介して供給さ
れる画素電極とを有するアクティブマトリクス基板の点
欠陥を修正する方法であって、該信号配線を覆う絶縁膜
の所定の部分を除去して該信号配線の一部を露出させ、
点欠陥画素の画素電極とそれに信号電圧を供給する信号
配線の露出部分とにわたって金属有機溶液を塗布して加
熱することにより、点欠陥画素の画素電極と該当する信
号配線とを接続する導電性膜を形成し、そのことにより
上記目的が達成される。

【００２０】前記絶縁膜の所定の部分をエッチングによ
り除去して、各画素毎に信号配線の一部を露出させても
よく、前記絶縁膜の所定の部分をＹＡＧレーザを用いて
トリミングして、点欠陥画素に信号電圧を供給する信号
配線の一部を露出させてもよい。

【００２１】前記金属有機溶液の加熱を、基板全体の加
熱、又はレーザによる局所加熱により行ってもよい。

【００２２】前記走査配線及び前記信号配線を一部覆う
ように設けられた有機絶縁膜上に前記画素電極が設けら
れているアクティブマトリクス基板に対して点欠陥の修
正を行ってもよい。

【００２３】前記金属有機溶液として、金属錯体を含む
溶液、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少なくと
も一種類の金属微粒子を含む溶液を用いてもよい。

【００２４】さらに、前記スイッチング素子のゲート電
極と前記走査配線との接続部をレーザ光照射により切断
するか、又は該スイッチング素子のドレイン電極と前記
画素電極との接続部をレーザ光照射により切断する工程
を含んでいてもよい。

【００２５】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、互いに交差する複数の走査配線及び複数の信号
配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、該走査
配線に入力される走査信号によりオン・オフされるスイ
ッチング素子と、該信号配線に入力される信号電圧が該
スイッチング素子及びそのドレイン電極に接続された接
続電極を介して供給される画素電極とを有するアクティ
ブマトリクス基板を製造する方法であって、該走査配
線、該信号配線、該スイッチング素子及び該接続電極を
形成する工程と、点欠陥画素に信号電圧を供給する信号
配線と点欠陥画素のスイッチング素子のドレイン電極に
接続された接続電極とにわたって金属有機溶液を塗布し
て加熱することにより、該当する信号配線と接続電極と
を接続する導電性膜を形成する工程と、少なくとも該信
号配線を覆う絶縁膜及び該画素電極を形成する工程とを
含み、そのことにより上記目的が達成される。

【００２６】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、互いに交差する複数の走査配線及び複数の信号
配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、該走査
配線に入力される走査信号によりオン・オフされるスイ
ッチング素子と、該信号配線に入力される信号電圧が該
スイッチング素子を介して供給される画素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
該走査配線、該信号配線、該スイッチング素子を形成す
る工程と、点欠陥画素のスイッチング素子のソース電極
とドレイン電極とにわたって金属有機溶液を塗布して加
熱することにより、点欠陥画素のスイッチング素子のソ
ース電極とドレイン電極とを接続する導電性膜を形成す
る工程と、少なくとも該信号配線を覆う絶縁膜及び該画
素電極を形成する工程とを含み、そのことにより上記目
的が達成される。

【００２７】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、互いに交差する複数の走査配線及び複数の信号
配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、該走査
配線に入力される走査信号によりオン・オフされるスイ
ッチング素子と、該信号配線に入力される信号電圧が該
スイッチング素子を介して供給される画素電極とを有す
るアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
該走査配線、該信号配線、該スイッチング素子を形成
し、少なくとも該信号配線を覆う絶縁膜を形成すると共
に該絶縁膜の所定の部分を除去して該信号配線の一部を
露出させる工程と、該画素電極を形成する工程と、点欠
陥画素の画素電極とそれに信号電圧を供給する信号配線
の露出部分とにわたって金属有機溶液を塗布して加熱す
ることにより、点欠陥画素の画素電極と該当する信号配
線とを接続する導電性膜を形成する工程とを含み、その
ことにより上記目的が達成される。

【００２８】前記金属有機溶液の加熱を、基板全体の加
熱、又はレーザによる局所加熱により行ってもよい。

【００２９】前記走査配線及び前記信号配線を一部覆う
ように有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に前記画素
電極を形成してもよい。

【００３０】前記金属有機溶液として、金属錯体を含む
溶液、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少なくと
も一種類の金属微粒子を含む溶液を用いてもよい。

【００３１】さらに、前記スイッチング素子のゲート電
極と前記走査配線との接続部をレーザ光照射により切断
するか、又は該スイッチング素子のドレイン電極と前記
画素電極との接続部をレーザ光照射により切断する工程
を含んでいてもよい。

【００３２】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正装置は、互いに交差する複数の走査配線及び複数の
信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、該
走査配線に入力される走査信号によりオン・オフされる
スイッチング素子と、該信号配線に入力される信号電圧
が該スイッチング素子を介して供給される画素電極とを
有するアクティブマトリクス基板の点欠陥を修正するた
めに用いられる欠陥修正装置であって、修正基板を搭載
するＸＹステージと、該ステージ上方部に配置されたレ
ーザ発振器と、該レーザ発振器から発振されたレーザ光
の照射領域を制御する制御手段と、該制御手段を通過し
たレーザ光を拡大又は縮小するための集光手段とを少な
くとも備え、該レーザ光の照射パルスに同期して該ＸＹ
ステージを制御することにより、該レーザ光を直線状又
は曲線状に任意に走査して該修正基板に照射し、そのこ
とにより上記目的が達成される。

【００３３】前記修正基板に導電性材料を含む金属有機
溶液を塗布する塗布手段を備えていてもよい。

【００３４】前記レーザ発振器は、基本波である赤外
波、第２高長波及び第４高長波を発振可能であってもよ
い。

【００３５】以下、本発明の作用について説明する。

【００３６】本発明にあっては、アクティブマトリクス
基板に対して、エッチングやレーザ照射等によって信号
配線を覆う絶縁膜の所定の部分を除去して信号配線の一
部を露出させる。そして、点欠陥画素の画素電極とそれ
に信号電圧を供給する信号配線の露出部分とにわたって
金属有機溶液を塗布して加熱することにより、その画素
電極と信号配線とを接続する導電性膜を形成する。

【００３７】或いは、アクティブマトリクス基板の製造
において、点欠陥画素のスイッチング素子のドレイン電
極と画素電極とを接続するための接続電極と、点欠陥画
素に信号電圧を供給する信号配線とにわたって金属有機
溶液を塗布して加熱することにより、その接続電極と信
号配線とを接続する導電性膜を形成し、その後で層間絶
縁膜や画素電極を形成する。又は、点欠陥画素のスイッ
チング素子のソース電極とドレイン電極とにわたって金
属有機溶液を塗布して加熱することにより、そのソース
電極とドレイン電極とを接続する導電性膜を形成し、そ
の後で層間絶縁膜や画素電極を形成する。或いは、点欠
陥画素の画素電極とそれに信号電圧を供給する信号配線
の露出部分とにわたって金属有機溶液を塗布して加熱す
ることにより、その画素電極と信号配線とを接続する導
電性膜を形成し、その後で層間絶縁膜や画素電極を形成
する。

【００３８】その修正画素では、画素電極と信号配線と
が短絡されることになり、走査配線（ゲートバスライ
ン）の選択・非選択にかかわらず、常に信号（ソース信
号）が入力されて充電される。従って、１周期を通じて
見ると、その間に入力されたソース電圧の実効値が液晶
に印加されて、その画素に対応する信号配線に接続され
た全ての画素の平均的な明るさに点灯する。これは、不
良画素が完全な輝点でも黒点でもなく、中間的な輝度で
点灯することを意味する。従って、このような修正が施
された画素は、正常に動作しているわけではないが、点
欠陥として極めて確認されにくい状態になり、点欠陥が
実質的に修復されたと言える状態になる。このように対
向基板と貼り合わせて液晶を注入する前のアクティブマ
トリクス基板の状態で修正を行うことができるので、表
示装置の歩留り向上及び製造コストの低減を図ることが
可能である。

【００３９】絶縁膜の所定の部分を除去する場合、各画
素毎に信号配線の一部を露出させてもよく、点欠陥画素
に信号電圧を供給する信号配線の一部のみを露出させて
もよい。例えば、エッチングにより各画素毎に信号配線
の一部を露出させることができる。この工程は、画素電
極の形成後に行ってもよいが、画素電極とスイッチング
素子とを接続するためのコンタクトホールを層間絶縁膜
に形成する工程と同時に行うこともできる。或いはレー
ザトリミングにより点欠陥画素に信号電圧を供給する信
号配線の一部のみを制御性良く露出させることができ
る。

【００４０】上記金属有機溶液としては、金属錯体を含
む溶液、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少なく
とも一種類の金属微粒子を含む溶液等を用いることがで
きる。これらの金属有機溶液は、例えばレーザ光を用い
て局所加熱するか、又は基板全体を加熱することによ
り、容易に画素電極と信号配線との短絡を行うことがで
きる。また、従来の欠陥修正方法のように導電体が飛散
することはなく、画素電極と信号配線とを接続するため
の導電体片を予め設けておく必要もない。また、これら
の金属有機溶液は描画距離が長く、細線描画を行うのが
容易である。さらに、この金属有機溶液を用いて配線の
断線修復を行うことも可能であるので、欠陥修正工程の
簡略化を図ることができる。

【００４１】本発明にあっては、走査配線及び信号配線
を一部覆うように設けられた有機絶縁膜上に画素電極を
設けた、所謂ＰＯＰ構造のアクティブマトリクス基板に
おける点欠陥の修正を行うこともできる。

【００４２】さらに、スイッチング素子のゲート電極と
走査配線との接続部をレーザ光照射により切断してもよ
い。ＴＦＴのチャンネル部のリークが大きく、ゲート電
極とドレイン電極とがリークしている場合、修正による
ソースバスラインと画素電極との短絡でソースバスライ
ンとゲートバスラインとがショートしてしまい、別の欠
陥を発生させてしまうおそれがあるが、ゲート電極の基
端部を切断することでゲートバスラインとソースバスラ
インとのショートを防ぐことができる。或いは、ＴＦＴ
のドレイン電極と画素電極との接続部（接続電極で接続
されている場合には接続電極の一部）をレーザ光照射に
より切断してもよい。特に、ゲートバスライン上にＴＦ
Ｔを有する場合には、この方法によりソースバスライン
とゲートバスラインとのショートを防ぐことができる。

【００４３】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正装置にあっては、ＸＹステージと、レーザ発振器
と、電動スリット等の制御手段と、集光レンズ等の集光
手段とを備えている。これにより、レーザ光の照射パル
スに同期してＸＹステージを制御し、レーザ光を直線状
又は曲線状に任意に走査して、被修正基板の欠陥画素に
精度良くレーザ光を照射することができる。

【００４４】この欠陥修正装置に導電性材料を含む金属
有機溶液を塗布する塗布手段を設け、ＸＹステージを制
御することにより、欠陥画素に細線描画を行って精度良
くペーストを塗布することができる。

【００４５】さらに、基本波である赤外波、第２高長波
及び第４高長波を発振可能なレーザ発振器を搭載するこ
とにより、赤外波により金属有機溶液を硬化させること
ができ、第４高長波により層間絶縁膜を除去することが
でき、第２高調波により絶縁膜及び導電膜（金属膜）を
トリミングすることができるので、欠陥修正のためのレ
ーザトリミングと金属有機溶液の硬化とを同一の欠陥修
正装置で行うことができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００４７】（実施形態１）図１は実施形態１のアクテ
ィブマトリクス基板の欠陥修正方法を説明するための平
面図である。なお、この図及び以下の図において、従来
技術と同様の機能を有する部分には同じ番号を付して説
明を行う。

【００４８】このアクティブマトリクス基板１は、対向
基板との間に液晶を封入した表示装置に用いられるもの
であり、透明絶縁性基板２６上に、走査配線として機能
する複数本のゲートバスライン１１及び信号配線として
機能する複数本のソースバスライン１２が互いに交差し
て設けられている。これらのゲートバスライン１１とソ
ースバスライン１２とは、その一部が画素電極１３の外
周部分とオーバーラップして設けられている。このゲー
トバスライン１１から分岐してスイッチング素子である
ＴＦＴ３９のゲート電極１４が設けられ、ゲート電極１
４に入力される走査信号によってＴＦＴ３９がオン・オ
フ駆動される。また、ＴＦＴ３９のソース電極は金属層
１５と透明導電膜１７ｃの２層構造のソースバスライン
１２に接続され、データ信号（ソース信号）が入力され
る。さらに、ＴＦＴ３９のドレイン電極は接続電極１７
ａによりコンタクトホール１８を介して画素電極１３と
接続されており、接続電極１７ａは付加容量の一方の電
極である付加容量電極１７ｂとも接続されている。

【００４９】ＴＦＴ３９は、図１のＡ−Ａ’線部分の断
面図である図２に示すように、透明絶縁性基板２６上に
ゲート電極１４が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁
膜２７が設けられている。ゲート絶縁膜２７の上にはゲ
ート電極１４と重畳するように半導体層４０が設けら
れ、その中央部にチャンネル保護層３６が設けられてい
る。このチャンネル保護層３６の両端部及び半導体層４
０の一部を覆ってチャンネル保護層間絶縁膜３６の上で
２つに分断された状態で、ソース電極３４及びドレイン
電極３５となるｎ⁺Ｓｉ層が設けられている。ソース電
極３４である一方のｎ⁺Ｓｉ層の上には透明導電膜１７
ｃと金属層１５が設けられて２層構造のソースバスライ
ン１２となっている。また、ドレイン電極３５である他
方のｎ⁺Ｓｉ層の上には透明導電膜からなる接続電極１
７ａと金属層１６とが設けられ、透明導電膜１７ａは延
長形成されてドレイン電極３５と画素電極１３を接続す
る接続電極１７ａとなり、付加容量の一方の電極である
付加容量電極１７ｂに接続されている。そして、ＴＦＴ
３９、ゲートバスライン１１、ソースバスライン１２及
び接続電極１７ａの上部を覆って２層の層間絶縁膜２
８、２９が設けられている。この層間絶縁膜２９の上に
は透明導電膜からなる画素電極１３が設けられ、層間絶
縁膜２８、２９を貫くコンタクトホール１８を介して接
続電極１７ａによりＴＦＴ３９のドレイン電極３５と接
続されている。この画素電極１３は、ＴＦＴ３９を覆
い、ゲートバスライン１１及びソースバスライン１２と
一部重畳するように設けられている。

【００５０】ＴＦＴ３９が接続されたゲートバスライン
１１と隣接するゲートバスライン１１との間には、付加
容量を形成するための付加容量バスライン１９がゲート
バスライン１１と平行に形成されている。この付加容量
バスライン１９の上にはゲート絶縁膜を挟んで付加容量
電極１７ｂが形成されている。この付加容量電極１７ｂ
は層間絶縁膜２８、２９に設けられたコンタクトホール
１８を介して画素電極１３と接続されている。

【００５１】このアクティブマトリクス基板１におい
て、不良状態のスイッチング素子をそのまま組み込んだ
場合にはスイッチング素子に接続される画素電極に本来
印加されるべき信号が入力されないため、表示装置上に
おいて点欠陥として認識されることになる。従って、こ
のような点欠陥が生じた場合には、以下のようにして欠
陥修正を行う。

【００５２】まず、図１のＢ−Ｂ’線部分を示す断面図
である図３に示すように、画素電極１３の形成後、各画
素毎に層間絶縁膜２８、２９の一部３８を除去してこれ
らを貫くコンタクトホールを形成し、ソースバスライン
１２を一部露出させる。このコンタクトホールの形成
は、画素電極１３の形成前に層間絶縁膜にコンタクトホ
ール１８を形成する際に同時に行うこともできる。

【００５３】次に、画素欠陥を検出する手段にて画素欠
陥を検出する。例えば、ゲートバスライン及びソースバ
スラインに所定の電圧を印加してＴＦＴをＯＮ状態に
し、画素電極に電位をチャージさせる。そして、電気光
学素子を画素電極に対向するように設置して容量（Ｃ）
を測定し、欠陥状態か正常状態がを判断する。

【００５４】続いて、図１のＢ−Ｂ’線部分を示す断面
図である図４に示すように、検出された欠陥画素部分の
露出したソースバスライン１２と画素電極１３とにわた
って金属有機溶液３７を塗布し、これを加熱することに
よりソースバスライン１２と画素電極１３とを短絡させ
る導電性膜を析出させる。

【００５５】この金属有機溶液としては、金属錯体（Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の錯体）を有機溶媒に溶解させた溶液
や、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少なくとも一種
類の金属超微粒子に添加剤（界面活性剤等）を加えた溶
液等を用いることができる。

【００５６】そして、導電性膜を形成するための加熱
は、金属有機溶液を塗布した部分の周辺にレーザ光を照
射してもよく、基板全体を焼成してもよい。この実施形
態では、金属有機溶液として金属超微粒子Ａｕ又はＡｇ
を溶媒に溶解させた溶液を用い、赤外レーザ光（波長１
０６４ｎｍ）を照射することにより画素電極１３とソー
スバスライン１２とを短絡させる導電性膜を形成した。

【００５７】さらに、図１に示したＴＦＴ３９のゲート
電極１４の基端部４１にレーザ光を照射して切断する。

【００５８】その結果、画素電極１３とソースバスライ
ン１２とが導電性膜により短絡された画素では、ゲート
バスライン１１の選択・非選択にかかわらず、常にソー
ス信号が入力され、１周期の間にソース電圧の実効値が
液晶に印加されることになる。従って、その不良画素に
対応するソースバスライン１２に接続された全ての画素
の平均的な明るさに点灯し、点欠陥が実質的に修復され
る。

【００５９】なお、この金属有機溶液を硬化させるため
のレーザ光の照射、及びＴＦＴのゲート電極の基端部４
１を切断するためのレーザ光の照射は、例えば、図５に
示すような欠陥修正装置を用いて行うことができる。

【００６０】この図５において、５１はＹＡＧレーザ発
振器、５２は波長変更素子、５３はエネルギー減衰フィ
ルター、５４はハーフミラー、５５及び５６はレーザ光
の照射スポットを写すための光源及びＣＣＤカメラ、５
７はレーザ光の照射領域を制御するための電動スリッ
ト、５８は照射されたレーザ光の強度を検出するパワー
検出器、５９は照射されたレーザ光を拡大又は縮小する
ための集光レンズ、６０は金属有機溶液を塗布するため
のガラスピペット、６１はガラスピペットを保持し、そ
の位置決めを行うマニピュレータ、６２は互いに直交す
る２方向への移動が可能なＸＹステージ、６３はインタ
ーフェイス、６４は制御部、６５は外部コントローラ、
６６はモニタ、６７は被検査体（被修正基板）、６８は
バックライトである。

【００６１】この欠陥修正装置において、ＹＡＧレーザ
発振器５１は被修正基板を搭載したＸＹステージ６２の
上に配置され、ＹＡＧレーザ発振器５１から発振された
１０６４ｎｍ（ＹＡＧレーザの基本波長）のレーザ光
は、波長変更素子５２を介してＹＡＧレーザの第２高長
波及び第４高長波に変換される。この変換されたレーザ
光は、エネルギー減衰フィルター６３によってその強度
が調節される。例えば、金属有機溶液を硬化させる際に
は基本波長（赤外波）のレーザ光を発振し、ＴＦＴ３９
のゲート電極１４の基端部４１を切断する際には第２高
調波のレーザ光を発振する。

【００６２】このＹＡＧレーザ発振器５１、波長変換素
子５２、エネルギー減衰フィルター５３、光源５５、Ｃ
ＣＤカメラ５６、電動スリット５７、パワー検出器５
８、集光レンズ５９、マニピュレータ６１及びＸＹステ
ージ６２は、インターフェイス６３を介してＣＰＵやＲ
ＯＭ、ＲＡＭを備えた制御部６４に接続されており、外
部コントローラ６５の命令を受けて動作する。これによ
り、レーザ光の照射パルスに同期してＸＹステージ６２
を制御してレーザ光を直線状又は曲線状に任意に走査し
て被修正基板に照射することができる。また、ＣＣＤカ
メラ６６が撮像したレーザ照射スポットの様子はモニタ
に映し出される。

【００６３】この欠陥修正装置において、材料の粘度や
マニピュレータ６１のギャッピング等の制御を行うこと
により、１０μｍまでの細線描画を行うことが可能であ
る。

【００６４】このようにして欠陥を修正したアクティブ
マトリクス基板１に配向膜を形成後、対向電極やカラー
フィルタ等が設けられた対向基板と貼り合わせ、両基板
の間隙に液晶を注入することにより液晶表示装置が完成
する。

【００６５】このように本実施形態１においては、液晶
注入前のアクティブマトリクス基板の状態で画素欠陥の
修正を行うことができる。従って、従来のように冗長構
造に設けた導電体をレーザで熔融する必要もなく、液晶
内に導電性ダストが溜まることがないので、画素電極と
対向電極とのリーク不良や配向不良による光漏れも発し
エッチングしない。さらに、上記金属有機溶液は熱熔融
でほとんど飛散しないので、従来に比べて導電体の飛散
を少なくすることができる。さらに、上記金属有機溶液
は描画距離が長く、１０μｍまでの細線を描画可能であ
るので、確実に画素欠陥の修正を行うことが可能であ
る。

【００６６】さらに、上記欠陥修正装置により、欠陥修
正のための金属有機溶液の硬化及びＴＦＴのゲート電極
の基端部の切断を精度良く行って欠陥修正の信頼性を向
上させることができる。

【００６７】（実施形態２）本実施形態２においては、
図１に示した構造のアクティブマトリクス基板１の欠陥
修正を以下のようにして行った。

【００６８】まず、画素電極１３の形成後、実施形態１
と同様にして画素欠陥を検出する。

【００６９】次に、図１のＢ−Ｂ’線部分を示す断面図
である図６に示すように、検出された欠陥画素にデータ
信号を供給するソースバスライン１２上の層間絶縁膜２
８、２９の一部３８をＹＡＧレーザの第４高長波を用い
てトリミングしてソースバスライン１２を一部露出させ
る。

【００７０】続いて、図１のＢ−Ｂ’線部分を示す断面
図である図７に示すように、検出された欠陥画素部分の
露出したソースバスライン１２と画素電極１３とにわた
って金属有機溶液３７を塗布し、これを加熱することに
よりソースバスライン１２と画素電極１３とを短絡させ
る導電性膜を析出させる。

【００７１】この金属有機溶液としては、実施形態１と
同様なものを用いることができ、実施形態１と同様に加
熱することにより導電性膜を形成することができる。こ
の実施形態では、金属有機溶液として金属超微粒子Ａｕ
又はＡｇを溶媒に溶解させた溶液を用い、赤外レーザ光
（波長１０６４ｎｍ）を照射することにより画素電極１
３とソースバスライン１２とを短絡させる導電性膜を形
成した。

【００７２】さらに、図１に示したＴＦＴ３９のゲート
電極１４の基端部４１にレーザ光を照射して切断する。

【００７３】その結果、画素電極１３とソースバスライ
ン１２とが導電性膜により短絡された画素では、ゲート
バスライン１１の選択・非選択にかかわらず、常にソー
ス信号が入力され、１周期の間にソース電圧の実効値が
液晶に印加されることになる。従って、その不良画素に
対応するソースバスライン１２に接続された全ての画素
の平均的な明るさに点灯し、点欠陥が実質的に修復され
る。

【００７４】なお、この金属有機溶液を硬化させるため
のレーザ光の照射、及びＴＦＴのゲート電極の基端部４
１を切断するためのレーザ光の照射は、実施形態１にお
いて図５に示した欠陥修正装置を用いて行うことができ
る。

【００７５】このようにして欠陥を修正したアクティブ
マトリクス基板１に配向膜を形成後、対向電極やカラー
フィルタ等が設けられた対向基板と貼り合わせ、両基板
の間隙に液晶を注入することにより液晶表示装置が完成
する。

【００７６】このように本実施形態２においても、実施
形態１と同様に、液晶注入前のアクティブマトリクス基
板の状態で画素欠陥の修正を行うことができる。従っ
て、従来のように冗長構造に設けた導電体をレーザで熔
融する必要もなく、液晶内に導電性ダストが溜まること
がないので、画素電極と対向電極とのリーク不良や配向
不良による光漏れも発しエッチングしない。さらに、上
記金属有機溶液は熱熔融でほとんど飛散しないので、従
来に比べて導電体の飛散を少なくすることができる。さ
らに、上記金属有機溶液は描画距離が長く、１０μｍま
での細線を描画可能であるので、確実に画素欠陥の修正
を行うことが可能である。

【００７７】本実施形態２においては、実施形態１と同
様に上記欠陥修正装置により、欠陥修正のための金属有
機溶液の硬化及びＴＦＴのゲート電極の基端部の切断を
精度良く行って欠陥修正の信頼性を向上させることがで
きる。さらに、層間絶縁膜のトリミングについても、欠
陥修正装置により欠陥画素のみ制御性良く行うことがで
きるので、さらに欠陥修正の信頼性を向上させることが
できる。

【００７８】（実施形態３）本実施形態３においては、
図１に示した構造のアクティブマトリクス基板１の製造
工程において、層間絶縁膜及び画素電極の形成前に欠陥
修正を以下のようにして行った。

【００７９】まず、図８、図８のＣ−Ｃ’線部分の断面
図である図９、及び図８のＤ−Ｄ’線部分の断面図であ
る図１０に示すように、ゲートバスライン１１、ソース
バスライン１２、付加容量バスライン１９、ＴＦＴ３
９、接続電極１７ａ及び付加容量電極１７ｂを形成した
アクティブマトリクス基板１に対して、画素欠陥を検出
する手段にて画素欠陥を検出する。この画素欠陥の検出
は、実施形態１と同様にして行うことができる。

【００８０】次に、図８のＣ−Ｃ’線部分を示す断面図
である図１１に示すように、検出された欠陥画素にデー
タ信号を供給するソースバスライン１２と接続電極１７
ａとにわたって金属有機溶液３７を塗布し、これを加熱
することによりソースバスライン１２と接続電極１７ａ
とを短絡させる導電性膜を析出させる。

【００８１】この金属有機溶液としては、実施形態１と
同様なものを用いることができ、実施形態１と同様に加
熱することにより導電性膜を形成することができる。こ
の実施形態では、金属有機溶液として金属超微粒子Ａｕ
又はＡｇを溶媒に溶解させた溶液を用い、赤外レーザ光
（波長１０６４ｎｍ）を照射することにより接続電極１
７ａとソースバスライン１２とを短絡させる導電性膜を
形成した。

【００８２】さらに、図１に示したＴＦＴ３９のゲート
電極１４の基端部４１にレーザ光を照射して切断する。

【００８３】その後、図１に示した層間絶縁膜２８、２
９を形成してコンタクトホール１８を設け、その上にＴ
ＦＴ３９を覆い、ゲートバスライン１１及びソースバス
ライン１２と一部重畳するように画素電極１３を形成す
る。

【００８４】その結果、画素電極１３とソースバスライ
ン１２とが接続電極１７ａを介して導電性膜により短絡
され、その画素では、ゲートバスライン１１の選択・非
選択にかかわらず、常にソース信号が入力され、１周期
の間にソース電圧の実効値が液晶に印加されることにな
る。従って、その不良画素に対応するソースバスライン
１２に接続された全ての画素の平均的な明るさに点灯
し、点欠陥が実質的に修復される。

【００８５】なお、この金属有機溶液を硬化させるため
のレーザ光の照射、及びＴＦＴのゲート電極の基端部４
１を切断するためのレーザ光の照射は、実施形態１にお
いて図５に示した欠陥修正装置を用いて行うことができ
る。

【００８６】このようにして欠陥を修正したアクティブ
マトリクス基板１に配向膜を形成後、対向電極やカラー
フィルタ等が設けられた対向基板と貼り合わせ、両基板
の間隙に液晶を注入することにより液晶表示装置が完成
する。

【００８７】このように本実施形態３においても、実施
形態１及び実施形態２と同様に、液晶注入前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で画素欠陥の修正を行うことが
できる。従って、従来のように冗長構造に設けた導電体
をレーザで熔融する必要もなく、液晶内に導電性ダスト
が溜まることがないので、画素電極と対向電極とのリー
ク不良や配向不良による光漏れも発しエッチングしな
い。さらに、上記金属有機溶液は熱熔融でほとんど飛散
しないので、従来に比べて導電体の飛散を少なくするこ
とができる。さらに、上記金属有機溶液は描画距離が長
く、１０μｍまでの細線を描画可能であるので、確実に
画素欠陥の修正を行うことが可能である。

【００８８】本実施形態３においても、実施形態１及び
実施形態２と同様に上記欠陥修正装置により、欠陥修正
のための金属有機溶液の硬化及びＴＦＴのゲート電極の
基端部の切断を精度良く行って欠陥修正の信頼性を向上
させることができる。

【００８９】（実施形態４）本実施形態４においては、
図１に示した構造のアクティブマトリクス基板１の製造
工程において、層間絶縁膜及び画素電極の形成前に欠陥
修正を以下のようにして行った。

【００９０】まず、図１２及び図１２のＥ−Ｅ’線部分
の断面図である図１３に示すように、ゲートバスライン
１１、ソースバスライン１２、付加容量バスライン１
９、ＴＦＴ３９、接続電極１７ａ及び付加容量電極１７
ｂを形成したアクティブマトリクス基板１に対して、実
施形態３と同様にして画素欠陥を検出する。

【００９１】次に、図１２のＥ−Ｅ’線部分を示す断面
図である図１４に示すように、検出された欠陥画素のＴ
ＦＴ３９のソース電極３４とドレイン電極３５とにわた
って金属有機溶液３７を塗布し、これを加熱することに
よりソース電極３４とドレイン電極３５とを短絡させる
導電性膜を析出させる。

【００９２】この金属有機溶液としては、実施形態１と
同様なものを用いることができ、実施形態１と同様に加
熱することにより導電性膜を形成することができる。こ
の実施形態では、金属有機溶液として金属超微粒子Ａｕ
又はＡｇを溶媒に溶解させた溶液を用い、赤外レーザ光
（波長１０６４ｎｍ）を照射することによりソース電極
３４とドレイン電極３５とを短絡させる導電性膜を形成
した。

【００９３】さらに、図１に示したＴＦＴ３９のゲート
電極１４の基端部４１にレーザ光を照射して切断する。

【００９４】その後、図１に示した層間絶縁膜２８、２
９を形成してコンタクトホール１８を設け、その上にＴ
ＦＴ３９を覆い、ゲートバスライン１１及びソースバス
ライン１２と一部重畳するように画素電極１３を形成す
る。

【００９５】その結果、画素電極１３とソースバスライ
ン１２とがＴＦＴ３９のソース電極３４及びドレイン電
極３５を短絡する導電性膜により短絡され、その画素で
は、ゲートバスライン１１の選択・非選択にかかわら
ず、常にソース信号が入力され、１周期の間にソース電
圧の実効値が液晶に印加されることになる。従って、そ
の不良画素に対応するソースバスライン１２に接続され
た全ての画素の平均的な明るさに点灯し、点欠陥が実質
的に修復される。

【００９６】なお、この金属有機溶液を硬化させるため
のレーザ光の照射、及びＴＦＴのゲート電極の基端部４
１を切断するためのレーザ光の照射は、実施形態１にお
いて図５に示した欠陥修正装置を用いて行うことができ
る。

【００９７】このようにして欠陥を修正したアクティブ
マトリクス基板１に配向膜を形成後、対向電極やカラー
フィルタ等が設けられた対向基板と貼り合わせ、両基板
の間隙に液晶を注入することにより液晶表示装置が完成
する。

【００９８】このように本実施形態４においても、実施
形態１から実施形態３と同様に、液晶注入前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で画素欠陥の修正を行うことが
できる。従って、従来のように冗長構造に設けた導電体
をレーザで熔融する必要もなく、液晶内に導電性ダスト
が溜まることがないので、画素電極と対向電極とのリー
ク不良や配向不良による光漏れも発しエッチングしな
い。さらに、上記金属有機溶液は熱熔融でほとんど飛散
しないので、従来に比べて導電体の飛散を少なくするこ
とができる。さらに、上記金属有機溶液は描画距離が長
く、１０μｍまでの細線を描画可能であるので、確実に
画素欠陥の修正を行うことが可能である。

【００９９】本実施形態４においても、実施形態１から
実施形態３と同様に上記欠陥修正装置により、欠陥修正
のための金属有機溶液の硬化及びＴＦＴのゲート電極の
基端部の切断を精度良く行って欠陥修正の信頼性を向上
させることができる。

【０１００】なお、上記実施形態では図１に示したよう
なゲートバスライン１１の分岐部にＴＦＴ３９のゲート
電極１４を形成した構造のアクティブマトリクス基板１
に本発明を適用したが、ＴＦＴがゲートバスラインの上
に形成されたアクティブマトリクス基板についても本発
明は適用可能である。この場合、ＴＦＴのドレイン電極
と画素電極との接続部（接続電極で接続されている場合
には接続電極の一部）をレーザ光照射により切断して、
ソースバスラインとゲートバスラインとのショートを防
いでもよい。

【０１０１】さらに、上記実施形態ではＴＦＴ３９、ゲ
ートバスライン１１及びソースバスライン１２を覆う層
間絶縁膜２８、２９上に画素電極１３を形成してゲート
バスライン１１及びソースバスライン１２と一部重畳さ
せる、所謂ＰＯＰ（ＰｉｘｅｌｏｎＰａｓｓｉｖａ
ｔｉｏｎ）構造のアクティブマトリクス基板１に本発明
を適用したが、本発明はこのような層間絶縁膜２８、２
９を設けずにＴＦＴのドレイン電極に画素電極を一部重
畳させ、ゲートバスライン及びソースバスラインで区切
られた領域よりも内側に画素電極を設けた構造のアクテ
ィブマトリクス基板についても適用可能である。

【０１０２】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、冗長構造を設けなくても、対向基板と貼り合わせ
て液晶を注入する前のアクティブマトリクス基板の状態
で精度良く欠陥修正を行うことができる。従って、液晶
に影響を与えることなく画素欠陥の修正を行って、表示
装置の製造歩留りを向上し、大幅なコストダウンを図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための平面図である。

【図２】実施形態１のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための図１のＡ−Ａ’線部分の断面
図である。

【図３】実施形態１のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための図１のＢ−Ｂ’線部分の断面
図である。

【図４】実施形態１のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための図１のＢ−Ｂ’線部分の断面
図である。

【図５】実施形態１の欠陥修正装置の構成を示す図であ
る。

【図６】実施形態２のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための図１のＢ−Ｂ’線部分の断面
図である。

【図７】実施形態２のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正方法を説明するための図１のＢ−Ｂ’線部分の断面
図である。

【図８】実施形態３のアクティブマトリクス基板の製造
方法を説明するための平面図である。

【図９】実施形態３のアクティブマトリクス基板の製造
方法を説明するための図８のＣ−Ｃ’線部分の断面図で
ある。

【図１０】実施形態３のアクティブマトリクス基板の製
造方法を説明するための図８のＤ−Ｄ’線部分の断面図
である。

【図１１】実施形態３のアクティブマトリクス基板の製
造方法を説明するための図８のＣ−Ｃ’線部分の断面図
である。

【図１２】実施形態４のアクティブマトリクス基板の製
造方法を説明するための平面図である。

【図１３】実施形態４のアクティブマトリクス基板の製
造方法を説明するための図８のＥ−Ｅ’線部分の断面図
である。

【図１４】実施形態４のアクティブマトリクス基板の製
造方法を説明するための図８のＥ−Ｅ’線部分の断面図
である。

【図１５】従来の表示装置の欠陥修正方法を説明するた
めの平面図である。

【図１６】従来の表示装置の欠陥修正方法を説明するた
めの図１５のＦ−Ｆ’線部分の断面図である。

【図１７】従来の表示装置の欠陥修正方法を説明するた
めの図１５のＧ−Ｇ’線部分の断面図である。

【図１８】従来の他の表示装置の欠陥修正方法を説明す
るための平面図である。

【符号の説明】

１アクティブマトリクス基板１１ゲートバスライン１２ソースバスライン１３画素電極１４ゲート電極１５、１６金属層１７ａ接続電極１７ｂ付加容量電極１７ｃ透明導電膜１８コンタクトホール１９付加容量バスライン２６透明絶縁性基板２７ゲート絶縁膜２８、２９層間絶縁膜３０絶縁膜３４ソース電極３５ドレイン電極３６チャンネル保護膜３７金属有機溶液３８層間絶縁膜の除去部分３９ＴＦＴ４０半導体層４１ＴＦＴのゲート電極の基端部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに交差する複数の走査配線及び複数
の信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、
該走査配線に入力される走査信号によりオン・オフされ
るスイッチング素子と、該信号配線に入力される信号電
圧が該スイッチング素子を介して供給される画素電極と
を有するアクティブマトリクス基板の点欠陥を修正する
方法であって、該信号配線を覆う絶縁膜の所定の部分を除去して該信号
配線の一部を露出させ、点欠陥画素の画素電極とそれに
信号電圧を供給する信号配線の露出部分とにわたって金
属有機溶液を塗布して加熱することにより、点欠陥画素
の画素電極と該当する信号配線とを接続する導電性膜を
形成するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
【請求項２】前記絶縁膜の所定の部分をエッチングに
より除去して、各画素毎に信号配線の一部を露出させる
請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修正
方法。
【請求項３】前記絶縁膜の所定の部分をＹＡＧレーザ
を用いてトリミングして、点欠陥画素に信号電圧を供給
する信号配線の一部を露出させる請求項１に記載のアク
ティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
【請求項４】前記金属有機溶液の加熱を、基板全体の
加熱、又はレーザによる局所加熱により行う請求項１乃
至請求項３のいずれかに記載のアクティブマトリクス基
板の欠陥修正方法。
【請求項５】前記走査配線及び前記信号配線を一部覆
うように設けられた有機絶縁膜上に前記画素電極が設け
られているアクティブマトリクス基板に対して点欠陥の
修正を行う請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のア
クティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
【請求項６】前記金属有機溶液として、金属錯体を含
む溶液、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少なく
とも一種類の金属微粒子を含む溶液を用いる請求項１乃
至請求項５のいずれかに記載のアクティブマトリクス基
板の欠陥修正方法。
【請求項７】さらに、前記スイッチング素子のゲート
電極と前記走査配線との接続部をレーザ光照射により切
断するか、又は該スイッチング素子のドレイン電極と前
記画素電極との接続部をレーザ光照射により切断する工
程を含む請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のアク
ティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
【請求項８】互いに交差する複数の走査配線及び複数
の信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、
該走査配線に入力される走査信号によりオン・オフされ
るスイッチング素子と、該信号配線に入力される信号電
圧が該スイッチング素子及びそのドレイン電極に接続さ
れた接続電極を介して供給される画素電極とを有するア
クティブマトリクス基板を製造する方法であって、該走査配線、該信号配線、該スイッチング素子及び該接
続電極を形成する工程と、点欠陥画素に信号電圧を供給する信号配線と点欠陥画素
のスイッチング素子のドレイン電極に接続された接続電
極とにわたって金属有機溶液を塗布して加熱することに
より、該当する信号配線と接続電極とを接続する導電性
膜を形成する工程と、少なくとも該信号配線を覆う絶縁膜及び該画素電極を形
成する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方
法。
【請求項９】互いに交差する複数の走査配線及び複数
の信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けられ、
該走査配線に入力される走査信号によりオン・オフされ
るスイッチング素子と、該信号配線に入力される信号電
圧が該スイッチング素子を介して供給される画素電極と
を有するアクティブマトリクス基板を製造する方法であ
って、該走査配線、該信号配線、該スイッチング素子を形成す
る工程と、点欠陥画素のスイッチング素子のソース電極とドレイン
電極とにわたって金属有機溶液を塗布して加熱すること
により、点欠陥画素のスイッチング素子のソース電極と
ドレイン電極とを接続する導電性膜を形成する工程と、少なくとも該信号配線を覆う絶縁膜及び該画素電極を形
成する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方
法。
【請求項１０】互いに交差する複数の走査配線及び複
数の信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けら
れ、該走査配線に入力される走査信号によりオン・オフ
されるスイッチング素子と、該信号配線に入力される信
号電圧が該スイッチング素子を介して供給される画素電
極とを有するアクティブマトリクス基板を製造する方法
であって、該走査配線、該信号配線、該スイッチング素子を形成
し、少なくとも該信号配線を覆う絶縁膜を形成すると共
に該絶縁膜の所定の部分を除去して該信号配線の一部を
露出させる工程と、該画素電極を形成する工程と、点欠陥画素の画素電極とそれに信号電圧を供給する信号
配線の露出部分とにわたって金属有機溶液を塗布して加
熱することにより、点欠陥画素の画素電極と該当する信
号配線とを接続する導電性膜を形成する工程とを含むア
クティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１１】前記金属有機溶液の加熱を、基板全体
の加熱、又はレーザによる局所加熱により行う請求項８
乃至請求項１０のいずれかに記載のアクティブマトリク
ス基板の製造方法。
【請求項１２】前記走査配線及び前記信号配線を一部
覆うように有機絶縁膜を形成し、該有機絶縁膜上に前記
画素電極を形成する請求項８乃至請求項１１のいずれか
に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１３】前記金属有機溶液として、金属錯体を
含む溶液、又はＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ及びＡｌのうちの少な
くとも一種類の金属微粒子を含む溶液を用いる請求項８
乃至請求項１２のいずれかに記載のアクティブマトリク
ス基板の製造方法。
【請求項１４】さらに、前記スイッチング素子のゲー
ト電極と前記走査配線との接続部をレーザ光照射により
切断するか、又は該スイッチング素子のドレイン電極と
前記画素電極との接続部をレーザ光照射により切断する
工程を含む請求項８乃至請求項１３のいずれかに記載の
アクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１５】互いに交差する複数の走査配線及び複
数の信号配線と、両配線で区切られた領域毎に設けら
れ、該走査配線に入力される走査信号によりオン・オフ
されるスイッチング素子と、該信号配線に入力される信
号電圧が該スイッチング素子を介して供給される画素電
極とを有するアクティブマトリクス基板の点欠陥を修正
するために用いられる欠陥修正装置であって、修正基板を搭載するＸＹステージと、該ステージ上方部に配置されたレーザ発振器と、該レーザ発振器から発振されたレーザ光の照射領域を制
御する制御手段と、該制御手段を通過したレーザ光を拡大又は縮小するため
の集光手段とを少なくとも備え、該レーザ光の照射パルスに同期して該ＸＹステージを制
御することにより、該レーザ光を直線状又は曲線状に任
意に走査して該修正基板に照射するアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正装置。
【請求項１６】前記修正基板に導電性材料を含む金属
有機溶液を塗布する塗布手段を備えている請求項１５に
記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修正装置。
【請求項１７】前記レーザ発振器は、基本波である赤
外波、第２高長波及び第４高長波を発振可能である請求
項１５又は請求項１６に記載のアクティブマトリクス基
板の欠陥修正装置。