JP2005091391A - アクティブ基板、表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置において、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側に、レーザ余剰パワー吸収用および導体破片の飛び散り防止用を兼ねた保護膜8を配置する。また、点欠陥を守勢するためのレーザ照射部の上層側に、導体破片の飛び散り防止用および導体の盛り上がり防止用を兼ねたPS部81を配置する。
【選択図】 図1
Description
図1(a)は、本発明のアクティブ型液晶表示装置の実施形態1において、液晶層を間に挟んで対向配置される一対の基板のうちの一方のアクティブマトリクス基板の構成例を示す平面図であり、図1(b)は(a)のA−A’線部分の断面図である。なお、図32(a)〜図32(c)の従来の構成部材とほぼ同様の作用効果を奏する構成部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
この対向基板110Bは、厚み0.5mmのガラス基板40上に厚み100nmの透明電極である対向電極41が形成され、その上に配向膜42が印刷された後、この配向膜42に対して所定のラビング処理が行われている。
本実施形態2では、点欠陥を修正するためのレーザ照射部の上層側(背後部側)に、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部(PS部)を設ける場合について説明する。
上記実施形態2では、PS部81をTFT基板側に形成したが、本実施形態3では、その他の事例として、PS部82として対向基板側に形成する場合について更に説明する。
レーザリペア作業において、メルト処理とカット処理の両方の作業を実施して、絵素部の点欠陥を修復する場合には、メルト処理よりもカット処理を先に行う方が処理が効率的になる。
上記実施例1〜4では、半導体シリコン(Si)層の上層側に制御電極としてのゲート電極(ゲート金属層;ゲートメタル)が配置されているトップゲート構造について説明したが、本実施形態5では、半導体シリコン(Si)層の下層側に制御電極としてのゲート電極(ゲート金属層;ゲートメタル)が配置されているボトムゲート構造においても、本発明は適用可能であり、レーザ照射部の上層側に保護部材としての保護膜8,9やPS部81,82を形成することができる。
1a ゲート領域
2 ソースバスライン
2A コンタクトホール部
3 絵素電極(透明電極)
4 TFT
5 付加容量バスライン(ゲートメタル)
5A ゲートメタル
6 ソースメタル
6A コンタクトホール
7,7B ゲートメタル突出部
8,8A,9,9A ソースメタル(保護膜)
10 ガラス基板
11 ベースコート膜
12 半導体層
12a チャネル領域
12b N−層(LDD領域)
12c N+層(ソース領域、ドレイン領域)
13 ゲート絶縁膜
14 層間膜
15 樹脂層
16 反射膜
17,42 配向膜(PI)
40 ガラス基板
41 対向電極
43 CF(RED、GREEN、BLUE)
44 CF(WHITE)
81,82 PS部
110 液晶表示装置
110A アクティブマトリクス基板(TFT基板)
110B 対向基板(CF基板)
111 液晶層
Claims (33)
- 二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、
点欠陥を修正するためのエネルギー照射部の背後側に、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第1の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第2の保護部材のうちいずれかが設けられているアクティブ基板。 - 二次元状に複数配列された複数の絵素部に欠陥絵素部が存在する場合に、該欠陥絵素部の点欠陥をエネルギー照射により修復可能に構成したアクティブ基板において、
点欠陥を修正するための複数のエネルギー照射部の各背後側にそれぞれ、エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の第1の保護部材と、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の第2の保護部材のうちいずれかがそれぞれ設けられているアクティブ基板。 - 前記絵素部は、信号配線が一方駆動領域に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子の他方駆動領域に接続された絵素電極とを有する請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 走査配線が平行に複数設けられ、前記信号配線が該複数の走査配線と交叉するように平行に複数設けられ、両配線の交叉部毎に前記絵素電極がそれぞれマトリクス状に配設され、該走査配線が前記スイッチング素子の制御領域に接続されている請求項3に記載のアクティブ基板。
- 前記エネルギー照射部は、メルト部であり、前記スイッチング素子の他方駆動領域を構成する半導体層または該半導体層に接続された導電性物質層からなる第1層と、前記信号配線に接続された導電性物質層または半導体層からなる第2層とが間に絶縁膜を挟んで、エネルギー付与により短絡可能なように一部重畳されている請求項3に記載のアクティブ基板。
- 前記第1層は、前記スイッチング素子の他方駆動領域から突出した第1の突出部であり、前記第2層は、前記信号配線とコンタクトホール部を介して接続され、該信号配線から該第1の突出部側に一部重畳するように突出した第2の突出部である請求項5に記載のアクティブ基板。
- 前記第1の突出部と第2の突出部とはそれぞれ、その重畳部よりもさらに所定量だけ互いにそれぞれ突出している請求項6に記載のアクティブ基板。
- 前記エネルギー照射部は、カット部であり、前記スイッチング素子から前記絵素電極までにある半導体層の一部である請求項3に記載のアクティブ基板。
- 前記第1の保護部材は、前記エネルギー余剰パワー吸収および導体破片飛び散り防止用の保護膜である請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 前記第2の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜である請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜は、前記エネルギー照射部の上層側であって、前記絵素部毎に設けられた絵素電極の下層側に配設されている請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜は、前記エネルギー照射部側の面が、該エネルギー照射部側に開く凹形状に構成されている請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 前記第2の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材であって、最上層から所定距離だけ突出している請求項1または2に記載のアクティブ基板。
- 前記第2の保護部材は、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用の保護膜と、前記導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材とからなり、該スペーサ部材は最上層から所定距離だけ突出している請求項2に記載のアクティブ基板。
- 前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタ素子、MIM素子、MOSトランジスタ素子およびダイオードのいずれかである請求項3に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、半導体層として多結晶シリコン層を用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタである請求項15に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の上層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたトップゲート構造である請求項15に記載のアクティブ基板。
- 前記薄膜トランジスタ素子は、チャネル層の下層側に絶縁層を介して制御領域が設けられたボトムゲート構造である請求項15に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜は、前記走査配線または信号配線と同じ金属層からなる請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜は、着色樹脂層からなる請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜の形状は、平面視で正方形、長方形、円形、楕円形、多角形および十字形のいずれかである請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 前記保護膜の平面視サイズは、前記エネルギー照射として、レーザ照射スポットの基準サイズになっている請求項9または10に記載のアクティブ基板。
- 請求項1〜22のいずれかに記載のアクティブ基板と、該アクティブ基板との間に表示媒体を挟んで該アクティブ基板に対向配置され、該アクティブ基板の複数の絵素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とを有し、該絵素電極と対向電極間に印加される表示信号により該表示媒体を駆動して画面表示可能とする表示装置。
- 前記複数の絵素部の少なくともいずれかが欠陥絵素部の場合に、該欠陥絵素部のエネルギー照射部にエネルギー照射が為されてメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかが為されている請求項23に記載の表示装置。
- 前記表示媒体は、液晶、EL発光層およびプラズマ発光体のいずれかである請求項23に記載の表示装置。
- 前記第2の保護部材として、導体破片飛び散り防止および導体盛り上がり防止用のスペーサ部材が、前記アクティブ基板および対向基板のいずれかに設けられている請求項23に記載の表示装置。
- 透過型、反射型、透過と反射の二つのモードを有する半透過型のいずれかで表示が行われる請求項23に記載の表示装置。
- 請求項23に記載の表示装置の絵素電極と対向電極間に、前記走査配線および信号配線から所定の信号を印加して前記絵素部の点欠陥を検出する欠陥検出工程と、
該点欠陥が検出された欠陥絵素部のエネルギー照射部に対して、基板外側からエネルギー照射を行ってメルト処理およびカット処理の少なくともいずれかを行うエネルギー照射工程とを有する表示装置の製造方法。 - 前記エネルギー照射工程において、前記第1の突出部と第2の突出部との重畳部から更に互いに突出した両突出部分および該重畳部を含む隅部にエネルギー照射を行う請求項28に記載の表示装置の製造方法。
- 前記エネルギーとしてレーザ光を用いる請求項28または29に記載の表示装置の製造方法。
- 前記保護部材は、レーザ照射位置を位置決めするための目印として用いられる請求項30に記載の表示装置の製造方法。
- 前記保護部材としての保護膜の平面視サイズは、レーザ照射スポットの基準サイズを確認するための目印として用いられる請求項30に記載の表示装置の製造方法。
- 前記メルト処理およびカット処理の両方の処理がある場合には、該メルト処理よりも該カット処理を先に実施する請求項28に記載の表示装置の製造方法。
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