WO2010116574A1 - アクティブマトリックス基板、表示パネル、表示装置、およびレーザ照射方法 - Google Patents

アクティブマトリックス基板、表示パネル、表示装置、およびレーザ照射方法 Download PDF

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WO2010116574A1
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laser
signal line
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notch
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PCT/JP2009/071760
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俊博 金子
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シャープ株式会社
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    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode

Definitions

  • the present invention relates to an active matrix substrate included in a display panel, the display panel itself, a display device including the display panel, and a laser irradiation method for the active matrix substrate.
  • a switching element such as a TFT (Thin Film Transistor) is used for pixel control.
  • a substrate on which such a switching element is mounted is called an active matrix substrate, and is used not only in a liquid crystal display device but also in various display devices.
  • a capacitive signal line 125 that is divided into a gate signal line 121 and a source signal line 122 and overlaps with a pixel (pixel electrode 124) arranged in a matrix. And shorting the drain electrode 115 of the TFT 110.
  • the laser is irradiated to the tip 126 of the drain electrode 115 (hereinafter referred to as the auxiliary capacitance electrode 126) that overlaps the capacitance signal line 125 through the gate insulating film of the TFT 110 (note that the laser irradiation region is not irradiated).
  • FIG. 15 which is a cross-sectional view taken along the line bb ′ in FIG. 14, the layered capacitive signal line 125, gate insulating film 112, and auxiliary capacitive electrode 126 are irradiated with laser.
  • the symbol w means the diameter of the laser spot sp).
  • the intensity adjustment of this laser must be set appropriately.
  • the auxiliary capacitance electrode 126 is scattered and the auxiliary capacitance electrode 126 and the capacitance signal are scattered.
  • the line 125 is difficult to be connected.
  • the intensity of the laser is too weak, as shown in FIG. 17, the contact hole hl is not formed in the gate insulating film 112, and the auxiliary capacitor electrode 126 and the capacitor signal line 125 are not connected. Therefore, in these cases, the signal flowing through the capacitor signal line 125 is not supplied to the pixel electrode 124 (that is, the pixel) in place of the source signal, and the bright spot or the like is not eliminated.
  • the present invention has been made to solve the above problems.
  • the purpose of this is to irradiate the active matrix substrate with a laser, such as an active matrix substrate that enables the supply of various laser energy to the irradiated member, and further supply of such various laser energy. It is an object of the present invention to provide a laser irradiation method that enables the above.
  • the active matrix substrate includes a substrate, a switching element attached to the substrate, a gate signal line connected to the gate electrode of the switching element, a source signal line connected to the source electrode of the switching element, a drain electrode of the switching element, and a drain electrode
  • a cutout or an opening is formed in the partial electrode.
  • the active matrix substrate built in the display panel includes switching elements that control the pixels.
  • This switching element supplies a source signal flowing through the source signal line to the pixel based on the gate signal flowing through the gate signal line.
  • the partial electrode which is a part of the drain electrode becomes an auxiliary capacitance by facing the capacitance signal line through the insulating film.
  • the switching element may be damaged.
  • the pixel controlled by the switching element becomes, for example, a bright spot and contributes to image quality degradation.
  • the partial electrode and the capacitive signal line are welded with a laser that irradiates a part of the active matrix substrate so that the signal flowing through the capacitive signal line is supplied to the pixel instead of the source signal.
  • the laser is irradiated in this way, if a notch or an opening is formed in the partial electrode in the active matrix substrate, while a vacant part such as a notch passes a part in the laser spot, A peripheral portion such as a notch blocks another part of the laser spot. The following can be said depending on whether or not such a laser is shielded.
  • the intensity of the laser is set to be relatively low.
  • a contact hole for connecting the partial electrode and the capacitive signal line may not be formed in the insulating film covered with the partial electrode.
  • a notch or the like is formed in the partial electrode
  • the peripheral portion such as the notch overlapping the laser spot is appropriately Melt.
  • a laser spot that overlaps a vacant part such as a notch supplies laser energy to the insulating film without passing through a partial electrode, so that laser energy is supplied to the insulating film without loss.
  • a contact hole is formed.
  • various laser energy can be supplied to the irradiated member even though the laser intensity does not change.
  • the laser energy corresponding to the required processing for example, formation of a contact hole in an insulating film or melting a partial electrode to be welded to a capacitance signal line
  • Supply becomes possible.
  • a part of the partial electrode is surely welded to the capacitive signal line through the contact hole (in short, the pixel can be supplied with the signal of the capacitive signal line and is less likely to become a bright spot).
  • the center portion is stronger than the edge portion. Therefore, when a part of the partial electrode and the capacitance signal line are welded by laser irradiation, the following is desirable.
  • the notch width of the notch or the aperture width of the aperture is narrower than the laser spot diameter, so that the empty part of the notch or the empty part of the aperture allows the light in the center part of the laser spot to pass through and passes through the insulating film.
  • the peripheral portion of the notch or the peripheral portion of the aperture which is a part of the partial electrode, receives the light of the edge portion of the laser spot.
  • the center portion of the relatively strong laser spot passes through a vacant portion such as a notch and hits the insulating film, thereby reliably forming a contact hole.
  • the partial electrode since the light at the edge of the laser spot corresponding to the peripheral part such as a notch is weaker than the center part of the laser spot, the partial electrode is not melted excessively and scattered. Therefore, a part of the partial electrode is reliably welded to the capacitive signal line through the contact hole.
  • the shape of the overlapping portion of the peripheral portion of the notch or the peripheral portion of the aperture and the edge portion of the laser spot is an enclosing shape surrounding the empty portion of the notch or an enclosing shape surrounding the empty portion of the aperture (L-shaped, V-shaped, U-shaped, C-shaped, or O-shaped) is desirable.
  • the center portion of the laser spot irradiates the empty portion such as a notch in the partial electrode, and the edge portion of the laser spot irradiates the peripheral portion such as the notch in the partial electrode.
  • a display panel on which the above active matrix substrate is mounted can also be said to be the present invention.
  • a display device equipped with such a display panel can also be said to be the present invention.
  • a substrate a switching element attached to the substrate, a gate signal line connected to the gate electrode of the switching element, a source signal line connected to the source electrode of the switching element, a drain electrode of the switching element, and a part of the drain electrode Irradiating a portion of the active matrix substrate including a partial electrode, a capacitive signal line facing the partial electrode, and an insulating film interposed between the partial electrode and the capacitive signal line to supply laser energy
  • the laser irradiation method is as follows. That is, the amount of laser energy received by the insulating film is changed depending on whether light is blocked by the partial electrodes.
  • the amount of laser energy received is different between the insulating film covered by the partial electrode and the insulating film not covered by the partial electrode.
  • the partial electrode absorbs the laser energy supplied to a part of the insulating film, the amount of laser energy received by a part of the insulating film covered by the partial electrode, and other insulating films (covering the partial electrode). There is a difference in the amount of laser energy received by the insulating film. Then, although the intensity of the laser does not change, various laser energy can be supplied to the irradiated member, and the laser energy can be supplied according to necessary processing.
  • a laser that passes through a part that transmits light instead of being shielded by a partial electrode supplies laser energy to the insulating film, forms a contact hole in the insulating film, and a laser corresponding to a part that shields light from the partial electrode It is desirable to melt a part of the partial electrode with energy and weld the partial electrode to the capacitive signal line through the contact hole.
  • a part of the partial electrode is surely welded to the capacitive signal line through the contact hole, and a signal flowing through the capacitive signal line is supplied to the pixel in place of the source signal.
  • the bright spot becomes inconspicuous.
  • the central portion of the relatively strong laser spot hits the insulating film without passing through the partial electrode, and a contact hole is surely formed.
  • the edge portion of the laser spot having a relatively low laser intensity hits the partial electrode, the partial electrode is surely welded to the capacitive signal line through the contact hole without being melted and scattered. .
  • the partial electrode is formed with a notch or an opening, and the portion that is shielded by the partial electrode is the peripheral portion of the notch or the peripheral portion of the aperture, and the partial electrode transmits light instead of shielding light. It is desirable that the part to be formed is a notch empty part or an opening empty part.
  • the edge portion of the laser spot is irradiated to the peripheral portion of the notch or the peripheral portion of the opening, and the shape of the irradiated portion is set to an enclosing shape surrounding the notch empty portion or an opening surrounding the opening empty portion (for example, , L-shape, V-shape, U-shape, C-shape, or O-shape).
  • the active matrix substrate when the active matrix substrate is irradiated with laser, the amount of laser energy received by the irradiated member can be changed. Therefore, it becomes possible to supply laser energy according to the required processing.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A ′ in the partial cross-sectional view of the liquid crystal display panel of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line B-B ′ in the partial cross-sectional view of the liquid crystal display panel of FIG. 1.
  • These are sectional drawings which show the liquid crystal display panel in which the 2nd contact hole etc. were formed by laser irradiation. These are the elements on larger scale of FIG.
  • FIG. 5 in which the position of the laser spot changed.
  • FIG. 8 is another example of FIGS.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line b-b ′ in the partial cross-sectional view of the liquid crystal display panel of FIG. 14. These are sectional views showing a conventional liquid crystal display panel in which contact holes and the like are formed by laser irradiation. These are sectional drawings which show the conventional liquid crystal display panel in which the contact hole was not formed by laser irradiation.
  • the liquid crystal display device includes a backlight unit that is a lighting device and a liquid crystal display panel that can display an image by receiving light from the backlight unit.
  • the liquid crystal display panel 49 includes a color filter substrate 39, an active matrix substrate, and the like. 29, the liquid crystal 41 is sandwiched (a spacer (not shown) is provided between the color filter substrate 39 and the active matrix substrate 29 to secure an interval for sandwiching the liquid crystal 41).
  • the color filter substrate 39 includes a first transparent substrate TB1, a color filter 31, a black matrix 32, an overcoat layer 33, a common electrode 34, and a first alignment film AL1.
  • the first transparent substrate TB1 is an insulating and transmissive substrate and serves as a base for the color filter substrate 39.
  • the material of the first transparent substrate TB1 is not particularly limited, and may be glass or resin, for example.
  • the color filter 31 is a filter that transmits light traveling outside through the liquid crystal 41 by overlapping one surface of the first transparent substrate TB1 facing the liquid crystal 41 side. That is, the color filter 31 supplies light colored by transmitting light to the outside.
  • color filters 31 of red (RED), green (GREEN), and blue (BLUE) which are the three primary colors of light.
  • the red color filter 31R, the green color filter 31G, and the blue color filter 31B are arranged with a certain regularity.
  • a delta arrangement in which the color filters 31R, 31G, and 31B are arranged in a triangular shape, a stripe arrangement in which the color filters 31R, 31G, and 31B are alternately arranged in a row, and a mosaic arrangement in which the color filters 31R, 31G, and 31B are arranged in a mosaic shape Can be mentioned.
  • the black matrix 32 overlaps one surface of the first transparent substrate TB1 facing the liquid crystal 41 side.
  • the black matrix 32 is divided by individually enclosing the color filters 31 of the respective colors (the divided area becomes one pixel).
  • the black matrix 32 is made of a reflective metal (for example, aluminum, chrome, or silver). For this reason, light does not pass from one color filter 31 to the other color filter 31 through the boundary between the color filters 31. That is, the black matrix 14 ensures the light blocking property of each pixel (mixing of light is prevented).
  • the overcoat layer 33 is an acrylic resin layer, for example, and protects the color filter 31 and the black matrix 32 by overlapping them.
  • the common electrode 34 is a transparent conductive electrode facing the liquid crystal 41 while being superimposed on the overcoat layer 33.
  • the common electrode 34 sandwiches the liquid crystal 41 with a pixel electrode 24 of an active matrix substrate 29 described later, and applies a control voltage to the liquid crystal 41 (note that a signal supplied to the common electrode is a common electrode). Called signal).
  • the material of the common electrode 34 is not particularly limited, and examples thereof include ITO (Indium Tin Oxide).
  • the first alignment film AL1 is a film that directly touches the liquid crystal 41 by overlapping the common electrode 34.
  • the first alignment film AL1 sandwiches the liquid crystal 41 with a second alignment film AL2 of the active matrix substrate 29 described later, and aligns the alignment of the liquid crystal 41 in a certain direction.
  • the active matrix substrate 29 includes a second transparent substrate TB2, a gate signal line 21, a source signal line 22, a TFT (Thin Film Transistor) 10, an interlayer insulating film 23, a pixel electrode 24, a second alignment film AL2, and a capacitance signal line 25. including.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the second transparent substrate (substrate) TB2 is an insulating and transmissive substrate like the first transparent substrate TB1 of the color filter substrate 39.
  • the second transparent substrate TB2 becomes a base of the active matrix substrate 29.
  • the material of the second transparent substrate TB2 is not particularly limited as in the case of the first transparent substrate TB1, and for example, it may be glass or resin.
  • the gate signal line 21 is a lead that supplies a gate signal, which is a control signal, to the TFT 10 under the control of a gate driver (not shown). Note that the gate signal lines 21 are arranged in a row on the one surface facing the liquid crystal 41 on the second transparent substrate TB2.
  • the source signal line 22 is a lead that supplies a source signal (image data) to the pixel through the TFT 10 under the control of a source driver (not shown).
  • the source signal lines 22 are arranged in a row in a direction crossing the parallel direction of the gate signal lines 21. For this reason, a region divided by the source signal line 22 and the gate signal line 21 is in a matrix shape, and one divided region is a pixel.
  • the TFT 10 is a semiconductor switching element that is formed near the intersection of the source signal line 22 and the gate signal line 21 and controls the operation of each pixel. That is, the TFT 10 is a transistor for writing image data.
  • the TFT (switching element) 10 includes a gate electrode 11, a gate insulating film 12, a semiconductor layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15.
  • the gate electrode 11 is formed by a part of the gate signal line 21. Therefore, the gate electrode 11 is formed on one surface facing the liquid crystal 41 on the second transparent substrate TB2 (note that the protruding direction of the gate electrode 11 with respect to the gate signal line 21 is the same direction as the extending direction of the source signal line 22). Yes; see Figure 1).
  • the gate insulating film (insulating film) 12 is formed so as to cover the gate electrode 11 and prevents the occurrence of leakage current (leakage current).
  • the semiconductor layer 13 is formed on the gate electrode 11 via the gate insulating film 12. Then, using the characteristics of the semiconductor layer 13, the TFT 10 controls the flow of the source signal according to the voltage applied to the gate electrode 11.
  • the material of the semiconductor layer 13 includes, for example, amorphous silicon, but is not limited to this.
  • the source electrode 14 is formed so as to cover the semiconductor layer 13 and the gate insulating film 12 and is formed by a part of the source signal line 22 (note that the source electrode 14 protrudes from the source signal line 22) Is the same as the extending direction of the gate signal line 21; see FIG.
  • the drain electrode 15 is formed so as to cover the semiconductor layer 13 and the gate insulating film 12 similarly to the source electrode 14. That is, the drain electrode 15 and the source electrode 14 face each other on the semiconductor layer 13 and the gate insulating film 12. Then, the flow of current from the source electrode 14 to the drain electrode 15 is controlled according to the voltage applied to the gate electrode 11.
  • the drain electrode 15 is extended so as to overlap a capacitance signal line 25 described later (details will be described later).
  • the interlayer insulating film 23 covers the TFT 10 to ensure insulation between the TFT 10 and other members (for example, the pixel electrode 24).
  • the interlayer insulating film 23 also serves to cover the uneven TFT 10 in order to form the pixel electrode 24 flat.
  • the pixel electrode 24 is an electrode formed of, for example, ITO like the common electrode 34, and overlaps the flat interlayer insulating film 23.
  • the pixel electrode 24 is electrically connected to the drain electrode 15 (specifically, a later-described auxiliary capacitance electrode 26) through the first contact hole HL1 formed in the interlayer insulating film 23. Therefore, when the TFT 10 is turned on, the source signal flows to the pixel electrode 24 through the drain electrode 15, and when the TFT 10 is turned off, the supply of the source signal to the pixel electrode 24 is interrupted.
  • the voltage applied to the liquid crystal 41 sandwiched between the pixel electrode 24 and the common electrode 34 is controlled in accordance with the application of the voltage to the pixel electrode 24 (note that the pixel electrode 24 and the common electrode sandwiching the liquid crystal 41 are controlled.
  • the electrode 34 forms a liquid crystal capacitance).
  • the second alignment film AL2 is a film that directly touches the liquid crystal 41 by overlapping the pixel electrode 24.
  • the second alignment film AL2 sandwiches the liquid crystal 41 with the first alignment film AL1 of the color filter substrate 39, and aligns the alignment of the liquid crystal 41 in a certain direction.
  • the capacitance signal line 25 is a conducting wire for supplying a signal for forming an auxiliary capacitance, and is arranged in the same direction as the gate signal line 21 and located between the gate signal lines 21 surrounding each pixel. Similarly to the gate electrode 11 and the gate signal line 21, the capacitive signal line 25 is formed on one surface facing the liquid crystal 41 on the second transparent substrate TB ⁇ b> 2 and is covered with the gate insulating film 12.
  • one end 26 of the drain electrode 15 (one end not connected to the TFT 10) extends so as to overlap the capacitive signal line 25. Therefore, the capacitance signal line 25 and one end 26 of the drain electrode 15 face each other through the gate insulating film 12 serving as a dielectric layer to form an auxiliary capacitance (note that one end 26 of the drain electrode 15 is connected to the auxiliary capacitance electrode 26. Called).
  • an image is displayed as follows on the liquid crystal display panel 49 in which the liquid crystal (for example, nematic liquid crystal) 41 is sandwiched between the two substrates TB1 and TB2 having a multilayer structure.
  • the liquid crystal for example, nematic liquid crystal
  • the source signal line 22 is connected through the source electrode 14 and the drain electrode 15 of the TFT 10.
  • the source signal voltage at is supplied to the pixel electrode 24.
  • the voltage of the source signal is written into the liquid crystal (liquid crystal capacitor) sandwiched between the pixel electrode 24 and the common electrode 34.
  • the TFT 10 when the TFT 10 is OFF, the source signal voltage is held by the liquid crystal capacitor and the auxiliary capacitor (until the period until the next source signal voltage is applied, the source signal voltage is supplied by the liquid crystal capacitor and the auxiliary capacitor. Voltage is maintained). That is, by repeating ON / OFF of the TFT 10, the liquid crystal 41 changes the light transmission amount, and an image is displayed on the liquid crystal display panel 49.
  • the liquid crystal display panel 49 as described above is inspected for the presence of defective pixels before shipment.
  • a voltage that causes the liquid crystal 41 to display black is applied to the normally white mode liquid crystal display panel 49 via the pixel electrode 24 and the common electrode 34.
  • the pixel is detected as a defect (Note that this inspection may be performed by human vision or automatically. This may be done with a device that detects bright spots).
  • a signal flowing through the capacitance signal line 25 is supplied to the pixel electrode 24 through the drain electrode 15 in place of the source signal (a method for realizing this is a defect). Also called a correction method).
  • the pixel electrode 24 is supplied with a signal flowing through the capacitance signal line 25 and can apply a voltage to the liquid crystal 41 together with the common electrode 34.
  • a part of the active matrix substrate 29 is irradiated with laser as follows. First, a part from the auxiliary capacitance electrode 26 of the drain electrode 15 to the TFT 10 is cut by a laser, for example, a laser with a wavelength of 1064 nm by a YAG laser (note that a number 51 is given to the cut portion). Thereby, the supply of the source signal to the pixel electrode 24 is reliably cut off.
  • a laser for example, a laser with a wavelength of 1064 nm by a YAG laser (note that a number 51 is given to the cut portion).
  • the auxiliary capacitor electrode 26 that overlaps the capacitor signal line 25 is irradiated with laser through the gate insulating film 12 (note that the capacitor signal line 25 is viewed from the direction perpendicular to the in-plane direction of the liquid crystal display panel 49).
  • a cutout 27 is formed in the outer edge portion of the auxiliary capacitance electrode (partial electrode) 26 (more specifically, the cutout 27 gathers to form a comb-like outer edge portion). Then, a part of the light in the laser (a part of the laser spot SP) passes through the empty part 27P of the notch 27 as shown in FIG. 3 which is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. The insulating film 12 is reached. Further, another part of the light in the laser reaches the peripheral portion 27S of the notch 27 in the auxiliary capacitance electrode 26.
  • the amount of laser energy received by the gate insulating film 12 varies depending on whether or not light is blocked by the auxiliary capacitance electrode 26. More specifically, the amount of laser energy received differs between the gate insulating film 12 covered with the auxiliary capacitance electrode 26 and the gate insulating film 12 not covered with the auxiliary capacitance electrode 26.
  • the storage capacitor electrode 26 absorbs the laser energy supplied to a part of the gate insulating film 12, and the amount of laser energy received by a part of the gate insulating film 12 covered by the storage capacitor electrode 26, and the others There is a difference in the amount of laser energy received by the gate insulating film 12 (gate insulating film 12 not covered by the auxiliary capacitance electrode 26). Then, although the intensity of the laser does not change, various laser energy can be supplied to the irradiated member, and the laser energy can be supplied according to necessary processing.
  • the intensity of the laser is set to be relatively low.
  • the second contact hole HL2 for connecting the auxiliary capacitance electrode 26 and the capacitance signal line 25 (for short-circuiting) is formed in the gate insulating film 12 covered with the auxiliary capacitance electrode 26.
  • a cutout 27 is formed in the auxiliary capacitance electrode 26, it is preferable to irradiate the cutout 27 with a laser that does not melt the auxiliary capacitance electrode 26 excessively.
  • the peripheral portion 27S of the notch 27 that overlaps the laser spot SP (the portion that is shielded from light by the partial electrode) is appropriately melted.
  • the laser spot SP that overlaps the empty portion 27P of the notch 27 (the portion that transmits light instead of being blocked by the partial electrode) supplies laser energy to the gate insulating film 12 without passing through the auxiliary capacitance electrode 26. Therefore, relatively high laser energy is supplied to the gate insulating film 12. Therefore, the second contact hole HL2 is reliably formed in the gate insulating film 12.
  • the laser that has passed through the empty portion 27P of the notch 27 in the auxiliary capacitance electrode 26 supplies laser energy to the gate insulating film 12,
  • the second contact hole HL2 is reliably formed in the gate insulating film 12.
  • the peripheral energy 27 of the auxiliary capacitor electrode 26 is melted by the laser energy corresponding to the peripheral portion 27S of the notch 27, and is reliably welded to the capacitive signal line 25 through the second contact hole HL2 (note that the auxiliary capacitance is melted). Since the electrode 26 surrounds the second contact hole HL2, a part of the auxiliary capacitance electrode 26 melted in the second contact hole HL2 easily flows in, and the auxiliary capacitance electrode 26 is easily short-circuited to the capacitance signal line 25). Then, the signal flowing through the capacitance signal line 25 is supplied to the pixel electrode 24 (that is, the pixel) instead of the source signal, and the bright spot becomes inconspicuous.
  • the notch width W27 of the notch 27 is larger than the diameter of the laser spot SP (laser spot diameter; symbol W). Therefore, the empty portion 27P of the notch 27 passes the light of the central portion SPc of the laser spot SP and guides it to the gate insulating film 12, and the peripheral portion 27S of the notch 27 is the light of the edge portion SPs of the laser spot SP. Receive.
  • the edge portion SPs of the laser spot SP is irradiated to the peripheral portion 27S that is shielded by the auxiliary capacitance electrode 26, and the laser spot SP is irradiated to the empty portion 27P that transmits light instead of being shielded by the auxiliary capacitance electrode 26.
  • the central portion SPc is irradiated.
  • the central portion SPc of the relatively strong laser spot SP hits the gate insulating film 12 without passing through the auxiliary capacitance electrode 26, and the second contact hole HL2 is surely formed.
  • the edge portion SPs of the laser spot SP having a relatively low laser intensity corresponds to the peripheral portion 27S of the notch 27 in the auxiliary capacitance electrode 26, the peripheral portion 27S is not melted too much and scattered. It is surely welded to the capacitance signal line through the contact hole HL2 (note that the shading indicating the laser in FIG. 3 means that the dark portion has a higher laser intensity than the light portion).
  • the presence or absence of light shielding by the auxiliary capacitance electrode 26 and the difference in intensity distribution of the laser itself enables further supply of laser energy according to the required processing.
  • the second contact hole HL2 can be reliably formed, and the auxiliary capacitance electrode 26 and the capacitance signal line 25 can be short-circuited reliably.
  • the shape of the overlapping portion of the peripheral portion 27S of the cutout 27 and the edge portion SPs of the laser spot SP may be a U-shape surrounding the empty portion 27P of the cutout 27 (see the thick dotted line in FIG. 5). Or may be L-shaped (see the thick dotted line in FIG. 6).
  • the shape of the overlapping portion is also changed. For example, as shown in FIG. 7, when the peripheral portion 27 ⁇ / b> S corresponding to the bottom of the notch 27 is curved, the overlapping portion tends to be C-shaped. Further, as shown in FIG. 8, when the peripheral edge portion 27S corresponding to the bottom of the notch 27 is tapered, the overlapping portion tends to be V-shaped.
  • the peripheral portion 27S corresponding to the bottom of the notch 27 may have a shape having a bending point.
  • the overlapping portion has a shape surrounding the empty portion 27P of the notch 27 (see the thick dotted line in FIGS. 9 and 10).
  • the cutout 27 is formed in the auxiliary capacitance electrode 26.
  • the present invention is not limited to this, and an opening 28 is formed in the auxiliary capacitance electrode 26 as shown in the partial plan view of FIG. May be. This is because the amount of laser energy received by the gate insulating film 12 varies depending on the presence of a laser that passes through the aperture 28 and a laser that does not pass through the aperture 28, that is, whether or not light is blocked by the auxiliary capacitance electrode 26 (required). In spite of the fact that the laser intensity does not change, various laser energy can be supplied to the irradiated member, and laser energy can be supplied according to necessary processing).
  • the same defect correction as the active matrix substrate 29 on which the auxiliary capacitance electrode 26 having the notch 27 is mounted can be performed.
  • laser energy is supplied to the gate insulating film 12 by a laser that has passed through the aperture 28 that allows light to pass through the auxiliary capacitance electrode 26, and the second contact hole HL 2 is formed in the gate insulating film 12. Further, the peripheral portion 28S is melted by the laser energy of the laser that is shielded by the auxiliary capacitance electrode 26 (peripheral portion 28S of the opening 28), and the auxiliary capacitive electrode 26 is connected to the capacitive signal line 25 through the second contact hole HL2. Welds. As a result, the signal flowing through the capacitance signal line 25 is supplied to the pixel electrode 24 instead of the source signal, and the bright spot becomes inconspicuous.
  • the aperture width W28 of the aperture 28 is narrower than the diameter of the laser spot SP, a vacant portion 28P of the aperture 28 in the auxiliary capacitance electrode 26 (a portion where light is transmitted but not blocked by the partial electrode). Then, the light of the central portion SPc of the laser spot SP is passed and guided to the gate insulating film 12.
  • the peripheral portion 28S (portion shielded by the partial electrode) of the opening 28 in the auxiliary capacitance electrode 26 receives the light of the edge portion SPs of the laser spot SP.
  • the central portion SPc of the relatively intense laser spot SP hits the gate insulating film 12 without passing through the auxiliary capacitance electrode 26, and the second contact hole HL2 is reliably formed.
  • the edge portion SPs of the laser spot SP having a relatively low laser intensity corresponds to the peripheral portion 28S of the opening 28 in the auxiliary capacitance electrode 26, the peripheral portion 28S is not melted too much and scattered. 2 is reliably welded to the capacitance signal line 25 via the contact hole HL2.
  • the central portion SPc of the laser spot SP is used as a vacant portion 28P of the opening 28 in the auxiliary capacitance electrode 26, and the edge portion SPs of the laser spot SP is used as the opening 28 in the auxiliary capacitance electrode 26.
  • the following is preferable.
  • the shape of the overlapping portion of the peripheral portion 28S of the opening 28 and the edge portion SPs of the laser spot SP may be an O-shape surrounding the empty portion 28P of the opening 28 (the very thick portion in FIG. 12). It may be C-shaped (see dotted line) (see very thick dotted line in FIG. 13). In short, it is preferable that the overlapping portion has a shape surrounding the empty portion 28P of the opening 28.
  • the peripheral portion 27S of the notch 27 or the peripheral portion 28S of the opening 28 is irradiated with the edge portion SPs of the laser spot SP, and the shape of the irradiated portion is a surrounding shape or an opening surrounding the empty portion 27P of the notch 27. It is desirable to form a surrounding shape (for example, an L shape, a V shape, a U shape, a C shape, or an O shape) that surrounds the 28 empty portions 28P.
  • a surrounding shape for example, an L shape, a V shape, a U shape, a C shape, or an O shape
  • the number of the apertures 28 or notches 27 formed in the auxiliary capacitance electrode 26 may be singular or plural. This is because, if there is at least one aperture 28 or notch 27, the laser spot SP is irradiated there, so that various laser energy can be supplied to the irradiated member, depending on the required processing. This is because laser energy can be supplied.
  • the auxiliary capacitance electrode 26 (and consequently the drain electrode 15) is melted by the laser energy. Therefore, the material is not particularly limited as long as it is a conductor that can be melted with a constant laser energy (for example, a metal may be used). Similarly, the gate insulating film 12 is melted by laser energy. Therefore, the material is not particularly limited as long as it is an insulator that can be melted with a constant laser energy (for example, a resin may be used).
  • a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser is used as an example of the laser.
  • the present invention is not limited to this, and another laser may be used.
  • Laser irradiation may be performed by an automatic control type defect correction apparatus (laser irradiation apparatus) equipped with a laser transmitter, or may be performed by other methods.
  • the microcomputer unit built in the defect correction apparatus adjusts the laser irradiation position (position of the laser spot SP). .
  • This adjustment is realized by a laser spot position adjustment program.
  • this program is a program that can be executed by a computer, and may be recorded on a computer-readable recording medium. This is because the program recorded on the recording medium becomes portable.
  • Examples of the recording medium include a tape system such as a separated magnetic tape and a cassette tape, a disk system of an optical disk such as a magnetic disk and a CD-ROM, a card system such as an IC card (including a memory card) and an optical card. Or a semiconductor memory system such as a flash memory.
  • a tape system such as a separated magnetic tape and a cassette tape
  • a disk system of an optical disk such as a magnetic disk and a CD-ROM
  • a card system such as an IC card (including a memory card) and an optical card.
  • a semiconductor memory system such as a flash memory.
  • the microcomputer unit may acquire the laser spot position adjustment program by communication from the communication network.
  • the communication network includes the Internet, infrared communication, etc. regardless of wired wireless.
  • a liquid crystal display device has been described as an example of a display device, but the present invention is not limited to this.
  • a plasma display device, an organic EL (Electro-Luminescence) display device, or the like may be used.
  • any display panel or display device on which the active matrix substrate 29 is mounted may be used.

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Abstract

　ＴＦＴ（１０）のドレイン電極（１５）の一部（補助容量電極２６）と、容量信号線（２５）とを重ね合わせたアクティブマトリックス基板（２９）にて、補助容量電極（２６）は、切欠（２７）を含む。

Description

アクティブマトリックス基板、表示パネル、表示装置、およびレーザ照射方法
　本発明は、表示パネルに含まれるアクティブマトリックス基板、表示パネルそのもの、表示パネルを搭載する表示装置、さらには、アクティブマトリックス基板に対するレーザの照射方法に関する。
　液晶表示装置のような表示装置では、画素制御にＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）のようなスイッチング素子が用いられる。このようなスイッチング素子を搭載した基板は、アクティブマトリックス基板と称され、液晶表示装置に限らず、種々の表示装置に採用される。
　そして、このようなアクティブマトリックス基板を搭載する表示パネルには、近年、高精細化が求められ、画素数が数十万個以上になる。ただし、欠陥を全く無くした画素だけで構成される表示パネルの製造は極めて難しい。通常、表示パネルの製造工程にて、ダストまたは成膜条件等により、各配線の断線、短絡、またはスイッチング素子の特性不良等が生じやすく、それに起因して、数多くある画素の一部が、点状または線状の欠陥（輝点等）になるためである。しかしながら、このような画素の欠陥を修正する技術は、従来から提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００３－２４１１５５号公報
　画素の欠陥を修正する技術の一例としては、図１４に示すように、ゲート信号線１２１とソース信号線１２２とに区分けされ、マトリックス配置になった画素（画素電極１２４）に重なる容量信号線１２５と、ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１５とを短絡させることが挙げられる。
　この技術の場合、画素電極１２４に容量信号線１２５の信号を供給するために、まず、ドレイン電極１１５の先端１２６からＴＦＴ１１０に至るまでの一部が、レーザで切断される（なお、切断箇所に、番号１５１を付す）。これにより、画素電極１２４へのソース信号の供給が確実に断たれる。
　次に、ＴＦＴ１１０のゲート絶縁膜を介して、容量信号線１２５に重なるドレイン電極１１５の先端１２６（以降、補助容量電極１２６と称する）に対し、レーザが照射される（なお、レーザの照射領域には、番号１５２を付す）。具体的には、図１４のｂ－ｂ’線矢視断面図である図１５に示すように、層になった容量信号線１２５、ゲート絶縁膜１１２、補助容量電極１２６に、レーザが照射される（なお、記号ｗは、レーザスポットｓｐの径を意味する）。ただし、このレーザの強度調整は、適切に設定されていなくてはならない。
　例えば、レーザの強度が強すぎてしまうと、図１６に示すように、ゲート絶縁膜１１２にコンタクトホールｈｌが形成されるものの、補助容量電極１２６が飛散して、その補助容量電極１２６と容量信号線１２５とが接続されにくい。逆に、レーザの強度が弱すぎてしまうと、図１７に示すように、ゲート絶縁膜１１２にコンタクトホールｈｌが形成されず、補助容量電極１２６と容量信号線１２５とが接続されない。したがって、これらのような場合、容量信号線１２５を流れる信号が、ソース信号に換わって画素電極１２４（すなわち画素）に供給されず、輝点等が解消されない。
　本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。そして、その目的は、アクティブマトリックス基板に対してレーザを照射する場合、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給を可能にするアクティブマトリックス基板等、さらには、そのような多様なレーザエネルギーの供給を可能にするレーザ照射方法を提供することにある。
　アクティブマトリックス基板は、基板と、基板に取り付けられたスイッチング素子と、スイッチング素子のゲート電極につながるゲート信号線と、スイッチング素子のソース電極につながるソース信号線と、スイッチング素子のドレイン電極と、ドレイン電極の一部である部分電極と、部分電極に対向する容量信号線と、部分電極と容量信号線との間に介在する絶縁膜と、を含む。そして、このアクティブマトリックス基板では、部分電極には、切欠または開孔が形成される。
　表示パネルに内蔵されるアクティブマトリックス基板には、画素を制御するスイッチング素子が含まれる。このスイッチング素子は、ゲート信号線を流れるゲート信号に基づき、ソース信号線を流れるソース信号を画素に供給する。そして、そのソース信号の保持のために、ドレイン電極の一部である部分電極は、絶縁膜を介して容量信号線と向かい合うことで、補助容量となる。
　ところで、このようなアクティブマトリックス基板にて、スイッチング素子が破損することもあり、そのような場合、スイッチング素子により制御される画素が、例えば輝点になって、画質劣化の一因になる。輝点等を極力解消させるために、アクティブマトリックス基板の一部分にレーザを照射し、レーザエネルギーを供給することが知られている。
　詳説すると、容量信号線に流れる信号を、ソース信号に換えて画素に供給すべく、アクティブマトリックス基板の一部分に照射するレーザで、部分電極と容量信号線とを溶着させる。そして、このようにレーザが照射される場合に、アクティブマトリックス基板での部分電極に、切欠または開孔が形成されていると、切欠等の空き部分がレーザスポットにおける一部を通過させる一方で、切欠等の周縁部分がレーザスポットにおける別の一部を遮れる。そして、このようなレーザが遮光されるか否かで、以下のようなことがいえる。
　例えば、部分電極が溶融しすぎて飛散することを防止しようとした場合に、レーザの強度は比較的低く設定される。一方、レーザの強度が低すぎると、部分電極に覆われる絶縁膜に、部分電極と容量信号線とをつなげるためのコンタクトホールが形成できないこともある。
　しかしながら、部分電極に切欠等が形成されている場合、この切欠等に向けて、部分電極を溶融させすぎない程度のレーザが照射されると、レーザスポットに重なる切欠等の周縁部分は、適度に溶融する。一方で、切欠等の空き部分に重なるレーザスポットは、部分電極を介すことなく、絶縁膜にレーザエネルギーを供給することになるので、損失することなくレーザエネルギーが絶縁膜に供給されることになり、コンタクトホールが形成される。
　つまり、レーザの強度が変わらないにもかかわらず、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給が可能になる。その結果、このようなアクティブマトリックス基板だと、必要な加工（例えば、絶縁膜へのコンタクトホールの形成、または、部分電極を溶かすことで、容量信号線に溶着させること）に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。その結果、部分電極の一部が、コンタクトホールを介して、容量信号線に確実に溶着する（要は、画素が容量信号線の信号供給を受けられるようになり、輝点になりにくくなる）。
　ところで、通常、レーザスポットにおける中心部分と縁部分とのレーザの強度を比較すると、中心部分が縁部分よりも強い。そこで、レーザ照射によって、部分電極の一部と容量信号線とが溶着される場合には、以下のようになっていると望ましい。
　すなわち、切欠の切欠幅または開孔の開孔幅が、レーザスポット径よりも狭いことで、切欠の空き部分または開孔の空き部分が、レーザスポットの中心部分の光を通過させ、絶縁膜に導き、部分電極の一部である切欠の周縁部分または開孔の周縁部分が、レーザスポットの縁部分の光を受けると望ましい。
　このようになっていると、比較的強度の強いレーザスポットの中心部分が、切欠等の空き部分を通過して絶縁膜にあたり、確実にコンタクトホールを形成する。一方で、切欠等の周縁部分にあたるレーザスポットの縁部分の光は、レーザスポットの中心部分に比べて弱いので、部分電極を過剰に溶融させて飛散させない。そのため、部分電極の一部が、コンタクトホールを介して、容量信号線に確実に溶着する。
　また、切欠の周縁部分または開孔の周縁部分と、レーザスポットの縁部分との重畳部分の形状が、切欠の空き部分を囲む囲み状または開孔の空き部分を囲む囲み状（Ｌ字状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｃ字状、またはＯ字状）であると望ましい。
　このようになっていると、レーザスポットの中心部分が部分電極における切欠等の空き部分、レーザスポットの縁部分が部分電極における切欠等の周縁部分に、照射することになる。
　なお、以上のアクティブマトリックス基板を搭載する表示パネルも本発明といえる。また、そのような表示パネルを搭載する表示装置も本発明といえる。
　また、基板と、基板に取り付けられたスイッチング素子と、スイッチング素子のゲート電極につながるゲート信号線と、スイッチング素子のソース電極につながるソース信号線と、スイッチング素子のドレイン電極と、ドレイン電極の一部である部分電極と、部分電極に対向する容量信号線と、部分電極と容量信号線との間に介在する絶縁膜と、を含むアクティブマトリックス基板の一部分にレーザを照射し、レーザエネルギーを供給するレーザ照射方法は、以下の通りである。すなわち、絶縁膜の受けるレーザエネルギー量を、部分電極による遮光の有無で変える。
　このようになっていると、部分電極に覆われる絶縁膜と、部分電極に覆われない絶縁膜とでは、受けるレーザエネルギー量が異なる。いいかえると、部分電極が、絶縁膜の一部に供給されるレーザエネルギーを吸収し、その部分電極に覆われる絶縁膜の一部の受けるレーザエネルギー量と、それ以外の絶縁膜（部分電極に覆われない絶縁膜）の受けるレーザエネルギー量とに、差異が生じる。すると、レーザの強度が変わらないにもかかわらず、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給が可能になり、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。
　例えば、部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分を経たレーザで、絶縁膜にレーザエネルギーを供給し、その絶縁膜にコンタクトホールを形成させ、部分電極にて遮光をなす部分にあたるレーザのレーザエネルギーで、部分電極の一部を溶かし、コンタクトホールを通じて、容量信号線に部分電極を溶着させると望ましい。
　このようになっていると、部分電極の一部が、コンタクトホールを介して、容量信号線に確実に溶着し、容量信号線を流れる信号が、ソース信号に換わって画素に供給され、画素の輝点が目立たなくなる。
　また、部分電極にて遮光をなす部分に、レーザスポットの縁部分を照射させ、部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分に、レーザスポットの中心部分を照射させると望ましい。
　このようになっていると、比較的強度の強いレーザスポットの中心部分が、部分電極を介すことなく絶縁膜にあたり、確実にコンタクトホールを形成する。一方で、比較的レーザ強度の低いレーザスポットの縁部分が、部分電極にあたるので、その部分電極が溶融しすぎて飛散したりせずに、コンタクトホールを介して、容量信号線に確実に溶着する。
　要は、部分電極による遮光の有無と、レーザ自体の強度分布差とで、一層、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。その結果、容量信号線を流れる信号が、ソース信号に換わって画素に供給され、画素に輝点等が目立たなくなる。
　なお、部分電極には、切欠または開孔が形成されており、部分電極にて遮光をなす部分が、切欠の周縁部分または開孔の周縁部分であり、部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分が、切欠の空き部分または開孔の空き部分であると望ましい。
　また、レーザスポットの縁部分を、切欠の周縁部分または開孔の周縁部分に照射させ、その照射部分の形状を、切欠の空き部分を囲む囲み状または開孔の空き部分を囲む囲み状（例えば、Ｌ字状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｃ字状、またはＯ字状である）にすると望ましい。
　本発明によれば、アクティブマトリックス基板に対してレーザを照射する場合、被照射部材の受けるレーザエネルギー量を変えられる。そのため、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。
は、液晶表示パネルの部分平面図である。 は、図１の液晶表示パネルの部分断面図におけるＡ－Ａ’線矢視断面図である。 は、図１の液晶表示パネルの部分断面図におけるＢ－Ｂ’線矢視断面図である。 は、レーザ照射によって、第２コンタクトホール等の形成された液晶表示パネルを示す断面図である。 は、図１の部分拡大図である。 は、レーザスポットの位置が変わった図５の別例図である。 は、切欠の周縁部分の形状が変わった図５の別例図である。 は、切欠の周縁部分の形状が変わった図５～図７の別例図である。 は、切欠の周縁部分の形状が変わった図５～図８の別例図である。 は、レーザスポットの位置が変わった図９の別例図である。 は、開孔の形成された補助容量電極を含む液晶表示パネルの部分平面図である。 は、図１１の部分拡大図である。 は、レーザスポットの位置が変わった図１２の別例図である。 は、従来の液晶表示パネルを示す部分平面図である。 は、図１４の液晶表示パネルの部分断面図におけるｂ－ｂ’線矢視断面図である。 は、レーザ照射によって、コンタクトホール等の形成された従来の液晶表示パネルを示す断面図である。 は、レーザ照射によって、コンタクトホールが形成されなかった従来の液晶表示パネルを示す断面図である。
　［実施の形態１］
　実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、便宜上、ハッチングおよび部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。
　液晶表示装置は、照明装置であるバックライトユニットと、そのバックライトユニットからの光を受けることで画像表示可能になる液晶表示パネルとを含む。そして、図１の部分平面図と図２の部分断面図（図１のＡ－Ａ’線矢視断面図）とに示すように、液晶表示パネル４９は、カラーフィルタ基板３９と、アクティブマトリックス基板２９とで、液晶４１を挟む（なお、カラーフィルタ基板３９とアクティブマトリックス基板２９との間には、液晶４１を挟むための間隔を確保するための不図示のスペーサーが挟まれる）。
　カラーフィルタ基板３９は、第１透明基板ＴＢ１、カラーフィルタ３１、ブラックマトリックス３２、オーバーコート層３３、コモン電極３４、および第１配向膜ＡＬ１を含む。
　第１透明基板ＴＢ１は、絶縁性かつ透過性を有する基板であり、カラーフィルタ基板３９の土台となる。なお、第１透明基板ＴＢ１の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、ガラスであっても樹脂であってもかまわない。
　カラーフィルタ３１は、液晶４１側に向く第１透明基板ＴＢ１の一面に重なることで、液晶４１を経て外部に進行する光を透過させるフィルタである。つまり、このカラーフィルタ３１は、光を透過させることで着色された光を外部に供給する。一例としては、光の三原色である、赤色（ＲＥＤ）、緑色（ＧＲＥＥＮ）、および青色（ＢＬＵＥ）のカラーフィルタ３１が挙げられる。
　なお、赤色のカラーフィルタ３１Ｒ、緑色のカラーフィルタ３１Ｇ、青色のカラーフィルタ３１Ｂは、一定の規則性をもって配列する。例えば、カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂが三角状に並ぶデルタ配列、カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂが交互で列状に並ぶストライプ配列、カラーフィルタ３１Ｒ、３１Ｇ、３１Ｂがモザイク状に並ぶモザイク配列、が挙げられる。
　ブラックマトリックス３２は、カラーフィルタ３１同様に、液晶４１側に向く第１透明基板ＴＢ１の一面に重なる。ただし、ブラックマトリックス３２は、各色のカラーフィルタ３１を個別に囲むことで区分けする（なお、区分けされた領域が１つの画素となる）。
　そして、このブラックマトリックス３２は、反射性を有する金属（例えば、アルミニウム、クロム、または銀）で形成される。そのため、カラーフィルタ３１同士の境界を通じて、一方のカラーフィルタ３１から他方のカラーフィルタ３１へ光が透過することはない。つまり、ブラックマトリックス１４は、画素毎における光の遮光性を確保する（光の混色が防がれる）。
　オーバーコート層３３は、例えばアクリル樹脂の層であり、カラーフィルタ３１およびブラックマトリックス３２に重なることで、それらを保護する。
　コモン電極３４は、オーバーコート層３３に重りつつ液晶４１に向いた透明導電性電極である。そして、このコモン電極３４は、後述するアクティブマトリックス基板２９の画素電極２４とで、液晶４１を挟み込み、かつ、その液晶４１に対する制御電圧を印加する（なお、コモン電極に供給される信号は、コモン信号と称される）。なお、コモン電極３４の材質は、特に限定されるものではなく、例えば、ＩＴＯ（Indium　Tin　Oxide）が挙げられる。
　第１配向膜ＡＬ１は、コモン電極３４に重なることで、直接、液晶４１に触れる膜である。そして、この第１配向膜ＡＬ１は、後述するアクティブマトリックス基板２９の第２配向膜ＡＬ２とで、液晶４１を挟み込み、その液晶４１の配向を一定方向に配列させる。
　次に、アクティブマトリックス基板２９について説明する。アクティブマトリックス基板２９は、第２透明基板ＴＢ２、ゲート信号線２１、ソース信号線２２、ＴＦＴ（Thin　Film　Transistor）１０、層間絶縁膜２３、画素電極２４、第２配向膜ＡＬ２、および容量信号線２５を含む。
　第２透明基板（基板）ＴＢ２は、カラーフィルタ基板３９の第１透明基板ＴＢ１同様に、絶縁性かつ透過性を有する基板である。そして、この第２透明基板ＴＢ２は、アクティブマトリックス基板２９の土台となる。なお、第２透明基板ＴＢ２の材質も、第１透明基板ＴＢ１同様に、特に限定されるものではなく、例えば、ガラスであっても樹脂であってもかまわない。
　ゲート信号線２１は、不図示のゲートドライバーの管理下で、ＴＦＴ１０に対して制御用信号であるゲート信号を供給する導線である。なお、ゲート信号線２１は、第２透明基板ＴＢ２にて液晶４１に向く一面に、列状に並べられる。
　ソース信号線２２は、不図示のソースドライバーの管理下で、ＴＦＴ１０を介してソース信号（画像データ）を画素に供給する導線である。なお、このソース信号線２２は、ゲート信号線２１の並列方向に対して交差する方向に、列状に並べられる。そのため、ソース信号線２２とゲート信号線２１とで区分けされる領域がマトリックス状になり、さらに、１つの区分けされた領域が画素となる。
　ＴＦＴ１０は、ソース信号線２２とゲート信号線２１との交点近傍に形成され、画素毎の動作を制御する半導体スイッチング素子である。すなわち、ＴＦＴ１０は、画像データの書き込み用のトランジスタである。そして、ＴＦＴ（スイッチング素子）１０は、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体層１３、ソース電極１４、およびドレイン電極１５を含む。
　ゲート電極１１は、ゲート信号線２１の一部で形成される。そのため、ゲート電極１１は、第２透明基板ＴＢ２にて液晶４１に向く一面に形成される（なお、ゲート信号線２１に対するゲート電極１１の突出方向は、ソース信号線２２の延び方向と同方向である；図１参照）。
　ゲート絶縁膜（絶縁膜）１２は、ゲート電極１１の覆うように形成され、漏れ電流（リーク電流）の発生を防止する。
　半導体層１３は、ゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１１上に形成される。そして、この半導体層１３の特性を利用して、ＴＦＴ１０は、ゲート電極１１に印加される電圧に応じて、ソース信号の流れを制御する。なお、半導体層１３の材質には、例えばアモルファスシリコンが挙げられるが、これに限定されるものではない。
　ソース電極１４は、半導体層１３とゲート絶縁膜１２とを覆うように形成されており、かつ、ソース信号線２２の一部で形成される（なお、ソース信号線２２に対するソース電極１４の突出方向は、ゲート信号線２１の延び方向と同方向である；図１参照）。
　ドレイン電極１５は、ソース電極１４同様に、半導体層１３とゲート絶縁膜１２とを覆うように形成される。つまり、ドレイン電極１５とソース電極１４とは、半導体層１３およびゲート絶縁膜１２の上で向かい合う。そして、ゲート電極１１に印加される電圧に応じて、ソース電極１４からドレイン電極１５への電流の流れが制御される。なお、ドレイン電極１５は、後述する容量信号線２５に重なるように延長される（詳細は後述）。
　層間絶縁膜２３は、ＴＦＴ１０を覆うことで、ＴＦＴ１０等と他の部材（例えば、画素電極２４）との間の絶縁性を確保する。また、この層間絶縁膜２３は、画素電極２４を平坦に形成すべく、凹凸になったＴＦＴ１０を覆う役割も果たす。
　画素電極２４は、コモン電極３４同様、例えばＩＴＯで形成される電極で、平坦な層間絶縁膜２３に重なる。そして、この画素電極２４は、層間絶縁膜２３に形成された第１コンタクトホールＨＬ１を介して、ドレイン電極１５（詳説すると、後述の補助容量電極２６）に導通する。したがって、ＴＦＴ１０がＯＮになった場合、ソース信号がドレイン電極１５を介して画素電極２４に流れ、ＴＦＴ１０がＯＦＦになった場合、画素電極２４へのソース信号の供給が遮断される。
　つまり、この画素電極２４への電圧の印加に応じて、この画素電極２４とコモン電極３４とに挟まれる液晶４１に印加される電圧が制御される（なお、液晶４１を挟み込む画素電極２４とコモン電極３４とで、液晶容量が形成される）。
　第２配向膜ＡＬ２は、画素電極２４に重なることで、直接、液晶４１に触れる膜である。そして、この第２配向膜ＡＬ２は、カラーフィルタ基板３９の第１配向膜ＡＬ１とで、液晶４１を挟み込み、その液晶４１の配向を一定方向に配列させる。
　容量信号線２５は、補助容量を形成させるための信号を流す導線で、ゲート信号線２１と同方向に並び、かつ、各画素を囲むゲート信号線２１同士の間に位置する。また、容量信号線２５は、ゲート電極１１およびゲート信号線２１と同様に、第２透明基板ＴＢ２にて液晶４１に向く一面に形成され、ゲート絶縁膜１２に覆われる。
　そして、この容量信号線２５に対して重なるように、ドレイン電極１５の一端２６（ＴＦＴ１０につながっていない一端）が延びる。そのため、容量信号線２５とドレイン電極１５の一端２６とは、誘電体層となるゲート絶縁膜１２を介して向かい合い、補助容量を形成する（なお、ドレイン電極１５の一端２６を補助容量電極２６と称する）。
　以上を踏まえると、多層積層構造の２枚の基板ＴＢ１・ＴＢ２で、液晶（例えば、ネマティック液晶）４１を挟み込む液晶表示パネル４９では、以下のようにして画像が表示される。
　すなわち、以上のような液晶表示パネル４９では、ゲート信号線２１を介して与えられるゲート信号電圧でＴＦＴ１０がＯＮされる場合、そのＴＦＴ１０のソース電極１４・ドレイン電極１５を介して、ソース信号線２２におけるソース信号電圧が画素電極２４に与えられる。そして、そのソース信号電圧に応じて、画素電極２４およびコモン電極３４に挟持される液晶（液晶容量）に、ソース信号の電圧が書き込まれる。
　一方、ＴＦＴ１０がＯＦＦの場合、ソース信号電圧は液晶容量と補助容量とによって保持されたままである（次のソース信号電圧が印加されるまでの期間までは、液晶容量と補助容量とによって、ソース信号電圧が保持される）。つまり、ＴＦＴ１０のＯＮ／ＯＦＦの繰り返しにより、液晶４１が光の透過量を変化させ、液晶表示パネル４９に画像が表示される。
　そして、以上のような液晶表示パネル４９は、出荷前に欠陥画素の有無を検査される。この検査では、まず、ノーマリーホワイトモードの液晶表示パネル４９が、画素電極２４とコモン電極３４とを介して、液晶４１を黒表示にする電圧を印加される。そして、黒表示になるべき画素のうち、輝点となる画素があれば、その画素が欠陥として検出される（なお、この検査は、人間の視覚によって、行われてもよいし、自動的に輝点を検出する装置で行われてもよい）。
　なお、輝点となる画素の故障原因は種々考えられる。例えば、ＴＦＴ１０を形成する場合に、ゲート絶縁膜１２にダストが混入していたり、パターニングされる半導体層１３、画素電極２４の一部が除去されずに残ったりすることが、原因として挙げられる。
　例えば、図１に示すように、ＴＦＴ１０の一部に故障(BREAKDOWN)が生じ、ソース信号がドレイン電極１５を介して、画素電極２４に供給されない場合、そのＴＦＴ１０にて制御されている画素の液晶４１には、例えば黒表示にする電圧が適切に印加されないことになり、その画素は輝点（欠陥）となる。
　そこで、輝点を目立たなくするために、ドレイン電極１５を介して、容量信号線２５を流れる信号が、ソース信号に換わって画素電極２４に供給されるようにする（これを実現させる方法を欠陥修正方法とも称する）。なぜなら、このようになっていれば、画素電極２４が、容量信号線２５を流れる信号の供給を受け、コモン電極３４とともに、液晶４１に電圧を印加させられるためである。
　画素電極２４に容量信号線２５の信号を供給するためには、以下のようにして、アクティブマトリックス基板２９の一部に、レーザが照射される。まず、ドレイン電極１５の補助容量電極２６からＴＦＴ１０に至るまでの一部が、レーザ、例えばＹＡＧレーザによる波長１０６４ｎｍのレーザで切断される（なお、切断箇所に、番号５１を付す）。これにより、画素電極２４へのソース信号の供給が確実に断たれる。
　次に、ゲート絶縁膜１２を介して、容量信号線２５に重なる補助容量電極２６に対し、レーザが照射される（なお、液晶表示パネル４９の面内方向に対する垂直方向からみて、容量信号線２５は、補助容量電極２６を包含する面積を有する）。詳説すると、容量信号線２５に重なる補助容量電極２６の外縁部分に、レーザが照射される（なお、レーザの照射領域には、番号５２を付す）。
　ただし、この補助容量電極（部分電極）２６の外縁部分には、切欠２７が形成される（詳説すると、切欠２７が集まることで櫛歯状の外縁部分が形成される）。すると、レーザにおける光の一部（レーザスポットＳＰの一部）は、図１のＢ－Ｂ’線矢視断面図である図３に示すように、切欠２７の空き部分２７Ｐを通過し、ゲート絶縁膜１２に到達する。また、レーザにおける光の別の一部は、補助容量電極２６における切欠２７の周縁部分２７Ｓに到達する。
　このようになっていると、ゲート絶縁膜１２の受けるレーザエネルギー量が、補助容量電極２６による遮光の有無で変わる。詳説すると、補助容量電極２６に覆われるゲート絶縁膜１２と、補助容量電極２６に覆われないゲート絶縁膜１２とでは、受けるレーザエネルギー量が異なる。
　要は、補助容量電極２６が、ゲート絶縁膜１２の一部に供給されるレーザエネルギーを吸収し、その補助容量電極２６に覆われるゲート絶縁膜１２の一部の受けるレーザエネルギー量と、それ以外のゲート絶縁膜１２（補助容量電極２６に覆われないゲート絶縁膜１２）の受けるレーザエネルギー量とに、差異が生じる。すると、レーザの強度が変わらないにもかかわらず、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給が可能になり、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。
　例えば、補助容量電極２６が溶融しすぎて飛散することを防止しようとした場合に、レーザの強度は比較的低く設定される。一方、レーザの強度が低すぎると、補助容量電極２６に覆われるゲート絶縁膜１２に、補助容量電極２６と容量信号線２５とをつなげるための（短絡させるための）第２コンタクトホールＨＬ２が形成できないこともある。
　しかしながら、補助容量電極２６に切欠２７が形成されていれば、この切欠２７に向けて、補助容量電極２６を溶融させすぎない程度のレーザが照射されるとよい。このようになっていると、レーザスポットＳＰに重なる切欠２７の周縁部分２７Ｓ（部分電極にて遮光なす部分）は、適度に溶融する。
　一方で、切欠２７の空き部分２７Ｐ（部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分）に重なるレーザスポットＳＰは、補助容量電極２６を介すことなく、ゲート絶縁膜１２にレーザエネルギーを供給することになるので、比較的高いレーザエネルギーがゲート絶縁膜１２に供給される。したがって、ゲート絶縁膜１２に、第２コンタクトホールＨＬ２が確実に形成される。
　要は、図３および図４（図３におけるレーザ照射後の図）に示すように、補助容量電極２６における切欠２７の空き部分２７Ｐを経たレーザが、ゲート絶縁膜１２にレーザエネルギーを供給し、そのゲート絶縁膜１２に第２コンタクトホールＨＬ２が確実に形成される。
　また、補助容量電極２６における切欠２７の周縁部分２７Ｓにあたるレーザのレーザエネルギーで、その周縁部分２７Ｓが溶け、第２コンタクトホールＨＬ２を通じて、容量信号線２５に確実に溶着する（なお、溶融する補助容量電極２６が第２コンタクトホールＨＬ２を囲むために、第２コンタクトホールＨＬ２に溶けた補助容量電極２６の一部が流れ込みやすくなり、補助容量電極２６が容量信号線２５に短絡しやすい）。すると、容量信号線２５を流れる信号が、ソース信号に換わって画素電極２４（すなわち画素）に供給され、輝点が目立たなくなる。
　いいかえると、少ないレーザ照射回数であっても、欠陥修正が確実に実現する（また、レーザの発信器の動作が不安定だったとしても、欠陥修正が実現しやすい）。そのため、このレーザの照射方法は、レーザのスループットを過剰に高くせずに、短時間かつ低コストで、補助容量電極２６の一部（周縁部分２７Ｓ）を、第２コンタクトホールＨＬ２を介して、容量信号線２５に確実に溶着させ、欠陥画素を修正する。これにより、アクティブマトリックス基板２９、ひいては、液晶表示パネル４９の歩留まりが向上する。
　その上、レーザ照射によって、補助容量電極２６の一部と容量信号線２５とが溶着される場合には、切欠２７の切欠幅Ｗ２７が、レーザスポットＳＰの径（レーザスポット径；記号Ｗ）よりも狭いことで、切欠２７の空き部分２７Ｐが、レーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃの光を通過させ、ゲート絶縁膜１２に導き、切欠２７の周縁部分２７Ｓが、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓの光を受ける。
　いいかえると、補助容量電極２６にて遮光をなす周縁部分２７Ｓに、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓを照射させ、補助容量電極２６にて遮光ではなく通光をなす空き部分２７Ｐに、レーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃを照射させる。
　このようになっていると、比較的強度の強いレーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃが、補助容量電極２６を介すことなくゲート絶縁膜１２にあたり、確実に第２コンタクトホールＨＬ２を形成する。一方で、比較的レーザ強度の低いレーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓが、補助容量電極２６における切欠２７の周縁部分２７Ｓにあたるので、その周縁部分２７Ｓが溶融しすぎて飛散したりせずに、第２コンタクトホールＨＬ２を介して、容量信号線に確実に溶着する（なお、図３でのレーザを示す濃淡は、濃い部分が淡い部分よりも高いレーザ強度であることを意味する）。
　要は、補助容量電極２６による遮光の有無と、レーザ自体の強度分布差とで、一層、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる。その結果、第２コンタクトホールＨＬ２を確実に形成でき、さらに、補助容量電極２６と容量信号線２５とを確実に短絡させられる。
　なお、レーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃを補助容量電極２６における切欠２７の空き部分２７Ｐに、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓを補助容量電極２６における切欠２７の周縁部分２７Ｓに、照射させるためには、以下のようになっているとよい。
　すなわち、切欠２７の周縁部分２７Ｓと、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓとの重畳部分の形状が、切欠２７の空き部分２７Ｐを囲むＵ字状になっていてもよいし（図５の極太点線参照）、あるいは、Ｌ字状になっていてもよい（図６の極太点線参照）。
　また、切欠２７の周縁部分２７Ｓの形状が種々変わることで、重畳部分の形状も変わる。例えば、図７に示すように、切欠２７の底に相当する周縁部分２７Ｓが湾曲していると、重畳部分がＣ字状になりやすい。また、図８に示すように、切欠２７の底に相当する周縁部分２７Ｓが先細っていると、重畳部分がＶ字状になりやすい。
　また、図９および図１０に示すように、切欠２７の底に相当する周縁部分２７Ｓが屈曲点を有する形状になっていることもある。このような場合、重畳部分が、切欠２７の空き部分２７Ｐを囲める形状になっているとよい（図９および図１０の極太点線参照）。
　［その他の実施の形態］
　なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
　例えば、以上では、補助容量電極２６に切欠２７が形成されていたが、これに限定されることなく、図１１の部分平面図に示すように、補助容量電極２６に開孔２８が形成されていてもよい。なぜなら、開孔２８を通過するレーザと、開孔２８を通過しないレーザとの存在、すなわち、補助容量電極２６による遮光の有無で、ゲート絶縁膜１２の受けるレーザエネルギー量が変わるためである（要は、レーザの強度が変わらないにもかかわらず、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給が可能になり、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になる）。
　したがって、開孔２８を有する補助容量電極２６を搭載するアクティブマトリックス基板２９でも、切欠２７を有する補助容量電極２６を搭載するアクティブマトリックス基板２９同様の欠陥修正が可能になる。
　すなわち、補助容量電極２６にて通光をなす開孔２８を経たレーザで、ゲート絶縁膜１２にレーザエネルギーが供給され、そのゲート絶縁膜１２に第２コンタクトホールＨＬ２が形成される。また、補助容量電極２６にて遮光をなす部分（開孔２８の周縁部分２８Ｓ）にあたるレーザのレーザエネルギーで、周縁部分２８Ｓが溶け、第２コンタクトホールＨＬ２を通じて、容量信号線２５に補助容量電極２６が溶着する。これにより、容量信号線２５を流れる信号が、ソース信号に換わって画素電極２４に供給され、輝点が目立たなくなる。
　また、開孔２８の開孔幅Ｗ２８が、レーザスポットＳＰの径よりも狭ければ、補助容量電極２６における開孔２８の空き部分２８Ｐ（部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分）が、レーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃの光を通過させ、ゲート絶縁膜１２に導く。その上、補助容量電極２６における開孔２８の周縁部分２８Ｓ（部分電極にて遮光なす部分）が、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓの光を受ける。
　すなわち、切欠２７の場合と同様に、比較的強度の強いレーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃが、補助容量電極２６を介すことなくゲート絶縁膜１２にあたり、確実に第２コンタクトホールＨＬ２を形成する。一方で、比較的レーザ強度の低いレーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓが、補助容量電極２６における開孔２８の周縁部分２８Ｓにあたるので、その周縁部分２８Ｓが溶融しすぎて飛散したりせずに、第２コンタクトホールＨＬ２を介して、容量信号線２５に確実に溶着する。
　また、図１２および図１３に示すように、レーザスポットＳＰの中心部分ＳＰｃを補助容量電極２６における開孔２８の空き部分２８Ｐに、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓを補助容量電極２６における開孔２８の周縁部分２８Ｓに、照射させるためには、以下のようになっているとよい。
　すなわち、開孔２８の周縁部分２８Ｓと、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓとの重畳部分の形状が、開孔２８の空き部分２８Ｐを囲むＯ字状になっていてもよいし（図１２の極太点線参照）、あるいは、Ｃ字状になっていてもよい（図１３の極太点線参照）。要は、重畳部分が、開孔２８の空き部分２８Ｐを囲める形状になっているとよい。
　いいかえると、レーザスポットＳＰの縁部分ＳＰｓを、切欠２７の周縁部分２７Ｓまたは開孔２８の周縁部分２８Ｓに照射させ、その照射部分の形状を、切欠２７の空き部分２７Ｐを囲む囲み状または開孔２８の空き部分２８Ｐを囲む囲み状（例えば、Ｌ字状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｃ字状、またはＯ字状である）にすると望ましい。
　なお、補助容量電極２６に形成される開孔２８または切欠２７の個数は、単数であっても複数であってもかまわない。なぜなら、開孔２８または切欠２７が１つでも存在すれば、そこにレーザスポットＳＰが照射されることで、被照射部材に、多様なレーザエネルギーの供給が可能になり、必要な加工に応じたレーザエネルギーの供給が可能になるためである。
　また、レーザエネルギーによって、補助容量電極２６（ひいてはドレイン電極１５）は溶融する。そのため、一定のレーザエネルギーで溶融可能な導体であれば、特に材質は限定されない（例えば、金属であればよい）。同様に、ゲート絶縁膜１２も、レーザエネルギーによって溶融する。そのため、一定のレーザエネルギーで溶融可能な絶縁体であれば、特に材質は限定されない（例えば、樹脂であればよい）
　また、以上では、レーザの一例としてＹＡＧ（Yttrium　Aluminum　Garnet）レーザを挙げたが、これに限定されることなく、別のレーザであってもかまわない。また、レーザの照射は、レーザ発信器を搭載する自動制御型の欠陥修正装置（レーザ照射装置）で行ってもよいし、それ以外の方法で行ってもよい。
　なお、自動制御型の欠陥修正装置で、アクティブマトリックス基板２９に対してレーザが照射される場合、その欠陥修正装置に内蔵されるマイコンユニットが、レーザ照射位置（レーザスポットＳＰの位置）を調整する。そして、この調整は、レーザスポット位置調整プログラムで実現される。また、このプログラムは、コンピュータにて実行可能なプログラムであり、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録されてもよい。なぜなら、記録媒体に記録されたプログラムは、持ち運び自在になるためである。
　なお、この記録媒体としては、例えば分離される磁気テープやカセットテープ等のテープ系、磁気ディスクやＣＤ－ＲＯＭ等の光ディスクのディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）や光カード等のカード系、あるいはフラッシュメモリ等による半導体メモリ系が挙げられる。
　また、マイコンユニットは、通信ネットワークからの通信でレーザスポット位置調整プログラムを取得してもよい。なお、通信ネットワークとしては、有線無線を問わず、インターネット、赤外線通等が挙げられる。
　また、以上では、表示装置の一例として、液晶表示装置を挙げたが、これに限定されるものではない。例えば、プラズマディスプレイ装置、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ装置等であってもよい。要は、アクティブマトリックス基板２９を搭載する表示パネル、表示装置であればよい。
　　　　１０　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
　　　　１１　　　ゲート電極
　　　　１２　　　ゲート絶縁膜（絶縁膜）
　　　　ＨＬ２　　第２コンタクトホール（コンタクトホール）
　　　　１３　　　半導体層
　　　　１４　　　ソース電極
　　　　１５　　　ドレイン電極
　　　　２１　　　ゲート信号線
　　　　２２　　　ソース信号線
　　　　２３　　　層間絶縁膜
　　　　ＨＬ１　　第１コンタクトホール
　　　　２４　　　画素電極
　　　　２５　　　容量信号線
　　　　２６　　　補助容量電極（部分電極）
　　　　２７　　　切欠
　　　　２７Ｐ　　切欠の空き部分（部分電極にて遮光ではなく通光をなす
　　　　　　　　　部分）
　　　　２７Ｓ　　切欠の周縁部分（部分電極にて遮光をなす部分）
　　　　Ｗ２７　　切欠幅
　　　　２８　　　開孔
　　　　２８Ｐ　　開孔の空き部分（部分電極にて遮光ではなく通光をなす
　　　　　　　　　部分）
　　　　２８Ｓ　　開孔の周縁部分（部分電極にて遮光をなす部分）
　　　　Ｗ２８　　開孔幅
　　　　ＳＰ　　　レーザスポット
　　　　ＳＰｃ　　レーザスポットの中心部分
　　　　ＳＰｓ　　レーザスポットの縁部分
　　　　Ｗ　　　　レーザスポットの径
　　　　ＴＢ２　　第２透明基板（基板）
　　　　ＡＬ２　　第２配向膜
　　　　２９　　　アクティブマトリックス基板
　　　　３１　　　カラーフィルタ
　　　　３２　　　ブラックマトリックス
　　　　３３　　　オーバーコート層
　　　　３４　　　コモン電極
　　　　ＴＢ１　　第１透明基板
　　　　ＡＬ１　　第１配向膜
　　　　３９　　　カラーフィルタ基板
　　　　４９　　　液晶表示パネル

Claims (12)

  1. 　基板と、
    　上記基板に取り付けられたスイッチング素子と、
    　上記スイッチング素子のゲート電極につながるゲート信号線と、
    　上記スイッチング素子のソース電極につながるソース信号線と、
    　上記スイッチング素子のドレイン電極と、
    　上記ドレイン電極の一部である部分電極と、
    　上記部分電極に対向する容量信号線と、
    　上記部分電極と上記容量信号線との間に介在する絶縁膜と、
    が含まれ、
    　上記部分電極には、切欠または開孔が形成されるアクティブマトリックス基板。
  2. 　レーザ照射によって、上記部分電極の一部と上記容量信号線とが溶着される場合、
    　上記切欠の切欠幅または上記開孔の開孔幅が、レーザスポット径よりも狭いことで、
    　上記切欠の空き部分または上記開孔の空き部分が、レーザスポットの中心部分の光を通過させ、上記絶縁膜に導き、
    　上記部分電極の一部である上記切欠の周縁部分または上記開孔の周縁部分が、レーザスポットの縁部分の光を受ける請求項１に記載のアクティブマトリックス基板。
  3. 　上記切欠の周縁部分または上記開孔の周縁部分と、上記レーザスポットの縁部分との重畳部分の形状が、上記切欠の空き部分を囲む囲み状または上記開孔の空き部分を囲む囲み状である請求項２に記載のアクティブマトリックス基板。
  4. 　上記囲み状とは、Ｌ字状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｃ字状、またはＯ字状である請求項３に記載のアクティブマトリックス基板。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載のアクティブマトリックス基板を搭載する表示パネル。
  6. 　請求項５に記載の表示パネルを搭載する表示装置。
  7. 　基板と、
    　上記基板に取り付けられたスイッチング素子と、
    　上記スイッチング素子のゲート電極につながるゲート信号線と、
    　上記スイッチング素子のソース電極につながるソース信号線と、
    　上記スイッチング素子のドレイン電極と、
    　上記ドレイン電極の一部である部分電極と、
    　上記部分電極に対向する容量信号線と、
    　上記部分電極と上記容量信号線との間に介在する絶縁膜と、
    を含むアクティブマトリックス基板の一部分にレーザを照射し、レーザエネルギーを供給するレーザ照射方法にあって、
    　上記絶縁膜の受けるレーザエネルギー量を、上記部分電極による遮光の有無で変えるレーザ照射方法。
  8. 　上記部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分を経たレーザで、上記絶縁膜にレーザエネルギーを供給し、その絶縁膜にコンタクトホールを形成させ、
    　上記部分電極にて遮光をなす部分にあたるレーザのレーザエネルギーで、上記部分電極の一部を溶かし、上記コンタクトホールを通じて、上記容量信号線に上記部分電極を溶着させる請求項７に記載のレーザ照射方法。
  9. 　上記部分電極にて遮光をなす部分に、レーザスポットの縁部分を照射させ、
    　上記部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分に、レーザスポットの中心部分を照射させる請求項７または８に記載のレーザ照射方法。
  10. 　上記部分電極には、切欠または開孔が形成されており、
    　上記部分電極にて遮光をなす部分が、上記切欠の周縁部分または上記開孔の周縁部分であり、
    　上記部分電極にて遮光ではなく通光をなす部分が、上記切欠の空き部分または上記開孔の空き部分である請求項７～９のいずれか１項に記載のレーザ照射方法。
  11. 　レーザスポットの縁部分を、上記切欠の周縁部分または上記開孔の周縁部分に照射させ、その照射部分の形状を、上記切欠の空き部分を囲む囲み状または上記開孔の空き部分を囲む囲み状にする請求項１０に記載のレーザ照射方法。
  12. 　上記囲み状とは、Ｌ字状、Ｖ字状、Ｕ字状、Ｃ字状、またはＯ字状である請求項１１に記載のレーザ照射方法。
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