JP2015175857A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置を提供する。【解決手段】TFT基板SUB1は、ガラス基板GB1と、ガラス基板GB1に形成されたゲート線GL、データ線DL、画素電極PIT及び共通電極CITと、を備え、CF基板SUB2は、ガラス基板GB2と、ガラス基板GB2に形成されたカラーフィルタCF及びブラックマトリクスBMと、を備え、ガラス基板GB2の内部に、光の透過量を減少させる減光部10が形成されており、減光部10は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている。【選択図】図5
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
各種表示装置のうち例えば液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に発生する電界を、一対の基板に挟持される液晶層に印加して液晶を駆動させることにより、画素電極と共通電極との間の領域を透過する光の量を調整して画像表示を行う。
従来、例えば液晶表示装置において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる、所謂、輝点欠陥(画素欠陥ともいう。)の問題が知られている。輝点欠陥は、例えば、液晶表示装置の製造工程において一対の基板間に異物が混入し、この異物によって、液晶の配向が乱されたり、画素電極と共通電極とが短絡したりすることにより生じる。
上記輝点欠陥を修正する方法が、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1の方法では、異物の周縁部分の共通電極にレーザを照射して、異物が接触する共通電極を他の回路から分離させている。
しかしながら、特許文献1の方法では、レーザを共通電極に照射して共通電極を破壊させているため、破壊時に電極材料が飛散したり、熱エネルギーが他の回路に悪影響を及ぼしたりする問題が生じ得る。このため、従来の方法では、特に高精細化した近年の表示装置において、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることは困難である。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、背面側に配置された第1基板と、前記第1基板に対向して表示面側に配置された第2基板とを備え、前記第1基板は、第1ガラス基板と、前記第1ガラス基板に形成された複数の信号線及び表示用電極と、を備え、前記第2基板は、第2ガラス基板と、前記第2ガラス基板に形成された複数の光透過部及び遮光部と、を備え、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に、光の透過量を減少させる減光部が形成されており、前記減光部は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている、ことを特徴とする。
本発明に係る表示装置では、前記減光部の周囲は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料で覆われていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、平面的に見て、前記第1基板と前記第2基板との間、前記第1ガラス基板と該第1ガラス基板の表面に形成された第1偏光板との間、及び、前記第2ガラス基板と該第2ガラス基板の表面に形成された第2偏光板との間、の少なくとも何れか一つに混入された、前記輝度欠陥を生じさせる混入物を覆うように形成されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部において、背面側に形成されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料と同一材料からなっていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記減光部は、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に高エネルギービームが照射されることにより形成されてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記減光部は着色されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記第1基板は、さらに、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、前記複数の画素は、赤色に対応する赤色画素と、緑色に対応する緑色画素と、青色に対応する青色画素とを含み、前記減光部は、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成されていてもよい。
本発明に係る表示装置では、前記緑色画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率は、他の色の画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率よりも低くてもよい。
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第1基板を製造する第1基板製造工程と、第2基板を製造する第2基板製造工程と、前記第1基板及び前記第2基板を備える表示パネルの点灯検査を行う検査工程と、前記表示パネルに生じた輝度欠陥を修正する修正工程と、を含む表示装置の製造方法であって、前記検査工程は、前記輝度欠陥が生じる領域の位置を検出する検出工程を含み、前記修正工程は、前記第1基板を構成する第1ガラス基板と、前記第2基板を構成する第2ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、高エネルギービームを照射する照射工程と、前記高エネルギービームを照射することにより、光の透過量を減少させる減光部を形成する形成工程と、を含む、ことを特徴とする。
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第1基板製造工程は、前記第1ガラス基板の表面に第1偏光板を形成する工程を含み、前記第2基板製造工程は、前記第2ガラス基板の表面に第2偏光板を形成する工程を含み、前記照射工程では、前記第1偏光板が形成された前記第1ガラス基板と、前記第2偏光板が形成された前記第2ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射してもよい。
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第1基板製造工程及び前記第2基板製造工程の少なくとも何れか一方は、対応する前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方に、着色用材料をドープするドープ工程を含み、前記照射工程では、前記着色用材料がドープされた前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射してもよい。
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記第1基板製造工程は、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素を含む画素を形成する画素形成工程を含み、前記照射工程では、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて、前記高エネルギービームの強度を調整して照射してもよい。
本発明に係る表示装置の製造方法では、前記高エネルギービームは、レーザ光、紫外光、X線、及びガンマ線の何れかであることが好ましい。
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる。
本発明の実施形態について、図面を用いて以下に説明する。以下の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機EL表示装置等であってもよい。
図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す平面図である。液晶表示装置LCDは、画像を表示する表示パネルDPと、表示パネルDPを駆動する駆動回路(データ線駆動回路、ゲート線駆動回路)と、駆動回路を制御する制御回路(図示せず)と、表示パネルDPに背面側から光を照射するバックライト(図示せず)とを含んでいる。
図2は、表示パネルDPの一部の構成を示す平面図である。図3は、図2のA1−A2線で切断した断面図である。なお、図2及び図3では、1つの画素Pを示している。
表示パネルDPは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板SUB1(以下、TFT基板という。)(第1基板)と、表示面側に配置され、TFT基板SUB1に対向するカラーフィルタ基板SUB2(以下、CF基板という。)(第2基板)と、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の間に挟持される液晶層LCと、を含んでいる。
TFT基板SUB1には、列方向に延在する複数のデータ線DLと、行方向に延在する複数のゲート線GLとが形成され、複数のデータ線DLと複数のゲート線GLとのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタTFTが形成されている。また、隣り合う2本のデータ線DLと隣り合う2本のゲート線GLとにより囲まれる矩形領域が、1つの画素Pとして規定される。画素Pは、TFT基板SUB1において、マトリクス状に複数配置されている。
画素Pには、スズ添加酸化インジウム(ITO)等の透明導電膜からなる画素電極PIT(表示用電極)が形成されている。図2に示すように、画素電極PITは、開口部(例えばスリット)を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタTFTは、ゲート絶縁膜GSN(図3参照)上に、非晶質シリコン(aSi)からなる半導体層SEMが形成され、半導体層SEM上にドレイン電極DM及びソース電極SMが形成されている(図2参照)。ドレイン電極DMは、データ線DLに電気的に接続されている。ソース電極SMと画素電極PITとは、コンタクトホールCONTを介して互いに電気的に接続されている。
画素Pを構成する各部の積層構造は、図3の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。例えば図3に示す構成では、TFT基板SUB1において、ガラス基板GB1上にゲート線GL(図2参照)が形成され、ゲート線GLを覆うようにゲート絶縁膜GSNが形成されている。また、ゲート絶縁膜GSN上にデータ線DLが形成され、データ線DLを覆うように絶縁膜PASが形成されている。また、絶縁膜PAS上に共通電極CIT(表示用電極)が形成され、共通電極CITを覆うように上層絶縁膜UPASが形成されている。さらに、上層絶縁膜UPAS上に画素電極PITが形成され、画素電極PITを覆うように配向膜AFが形成されている。ガラス基板GB1の背面側には、偏光板POL1(第1偏光板)が形成されている。
また、CF基板SUB2において、ガラス基板GB2上にブラックマトリクスBM(遮光部)及びカラーフィルタCF(例えば、赤色部、緑色部、青色部)(光透過部)が形成され、これらを覆うようにオーバコート層OCが形成されている。ガラス基板GB2の表示面側には、偏光板POL2(第2偏光板)が形成されている。
図3に示す構成によれば、液晶表示装置LCDは、いわゆるIPS(In Plane Switching)方式の構成を有しているが、本実施形態に係る液晶表示装置はこれに限定されない。
次に、液晶表示装置LCDの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路から出力された走査用のゲート電圧がゲート線GLに供給され、データ線駆動回路から出力された映像用のデータ電圧がデータ線DLに供給される。ゲート線GLにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタTFTの半導体層SEMが低抵抗となり、データ線DLに供給されたデータ電圧が、ソース電極SMを介して画素電極PITに供給される。また、共通電極駆動回路(図示せず)から出力された共通電圧が、共通電極CITに供給される。これにより、画素電極PITと共通電極CITとの間に電界(駆動用電界)が発生し、該電界により液晶層LCが駆動され、画像が表示される。
ここで、液晶表示装置LCDは、その製造工程において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる輝点欠陥(画素欠陥)が生じる場合がある。図4には、画素Pが輝点欠陥となる場合の一例を示している。図4では、液晶表示装置LCDの製造工程において、TFT基板SUB1とCF基板SUB2との間に有機物や金属等の異物が混入した場合を例示している。図4に示す画素Pでは、異物(混入物)によって液晶の配向が乱されることにより、バックライト光の光漏れが生じて輝点欠陥となる。
本実施形態に係る液晶表示装置LCDでは、上記輝点欠陥を抑えるための構成を有している。具体的には、図5に示すように、CF基板SUB2のガラス基板GB2の内部に、バックライト光の透過量を減少させる減光部10が形成されている。減光部10は、ガラス基板GB2の内部に形成されているため、その周囲がガラス基板GB2のガラス材料に覆われている。
減光部10は、ガラス基板GB2に高エネルギービームを照射することにより形成される。高エネルギービームは、例えば、レーザ光、紫外光、X線、ガンマ線等である。高エネルギービームを、ガラス基板の所望の位置に焦点を合わせて照射することにより、無色のガラスが着色する。なお、無色ガラスに高エネルギービームを照射して、着色ガラスを生成する技術は、公知の技術を用いることができる。一般的に、着色されたガラス材料は、透明ガラス材料と比較して光の透過量(透過率)が低くなる。よって、高エネルギービームによってガラス基板の着色された領域(着色部)が、上記減光部10となる。減光部10が形成されている部分は、該部分の光の透過率が、減光部10が形成されていない部分の光の透過率に対して例えば70%以下になるように、ガラス基板に着色されている。
減光部10の透過率は、高エネルギービームの強度、密度、波長、照射時間等の設定条件を調整することにより可変させることができる。このため、例えば、輝度欠陥となる画素の輝度の大きさに応じて、減光部10の光の透過率を設定してもよい。具体的には、輝度欠陥となる画素の輝度が大きい程、高エネルギービームの強度を強く設定してガラス基板に照射してもよい。
また、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素ごとに、見た目の輝度が異なるため、対応する色ごとに減光部10の光の透過率を設定してもよい。例えば、緑色画素は赤色画素及び緑色画素よりも見た目の輝度が高いため、緑色画素が輝度欠陥となる場合は、赤色画素又は緑色画素が輝度欠陥となる場合よりも、減光部10の光の透過率を低く設定してもよい。
また、減光部10は、表示パネルDPを平面的に見て、異物を覆うように形成されている。また、図5に示すように、減光部10は、表示パネルDPを斜め方向から見たときに、光漏れを防ぐことができる大きさを有していることが好ましい。なお、減光部10の平面的な形状は、円状であってもよいし矩形状であってもよい。また、減光部10の大きさは、減光部10が異物に近い程小さく(図6の幅W1)、減光部10が異物から遠い程大きい(図7のW2)ことが好ましい(W1<W2)。
減光部10は、TFT基板SUB1のガラス基板GB1に形成されていてもよい。また、減光部10は、ガラス基板GB1及びガラス基板GB2の両方に形成されていてもよい。すなわち、減光部10は、TFT基板SUB1のガラス基板GB1及びCF基板SUB2のガラス基板GB2の少なくとも何れか一方に形成されていればよい。また、ガラス基板GB1に形成される減光部10aのガラス基板GB1内部の位置と、ガラス基板GB2に形成される減光部10bのガラス基板GB2内部の位置とは、同じであってもよいし異なっていてもよい。例えば、減光部10aは、ガラス基板GB1内部のバックライト側に形成され、減光部10bは、ガラス基板GB2内部の液晶層LC側に形成されていてもよい。
上記構成によれば、輝度欠陥となる画素の輝度を低くすることができるため、輝度欠陥(光漏れ)を目立たなくすることができる。これにより、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができるとともに、液晶表示装置LCDの製造歩留まりを高めることができる。
次に、液晶表示装置LCDの製造方法について説明する。液晶表示装置LCDの製造方法は、TFT基板SUB1の製造工程と、CF基板SUB2の製造工程と、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の貼り合わせ工程と、液晶注入工程と、表示パネルDPの点灯検査工程と、輝度欠陥修正工程とを含んでいる。
上記各工程のうち、TFT基板SUB1の製造工程、CF基板SUB2の製造工程、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の貼り合わせ工程、液晶注入工程、及び点灯検査工程は、周知の方法を適用することができる。
例えば、TFT基板SUB1の製造工程は、ガラス基板GB1上に、ゲート線GL、データ線DL、画素電極PIT、共通電極CIT、各種絶縁膜、及び偏光板POL1を形成する工程を含む。TFT基板SUB1で規定される画素Pは、赤色に対応する赤色画素Pr、緑色に対応する緑色画素Pg、及び青色に対応する青色画素Pbを含んでもよい。また、CF基板SUB2の製造工程は、ガラス基板GB2上に、ブラックマトリクスBM、カラーフィルタCF、及び偏光板POL2を形成する工程を含む。
以下では、点灯検査工程及び輝度欠陥修正工程について説明する。
先ず、点灯検査工程では、検査装置(図示せず)により、輝度欠陥を検出する。例えば、検査装置は、表示パネルDPを全点灯又は1ラインごとに点灯させて各画素の輝度を測定する。そして、検査装置は、閾値を超える輝度が測定された画素を輝度欠陥(画素欠陥)として検出する。検査装置は、輝度欠陥として検出した画素の位置情報を、後述の輝度欠陥修正装置100に出力する。輝度欠陥の検出は、作業者による目視で行ってもよい。
輝度欠陥が検出されると、輝度欠陥修正工程に移行する。図8は、輝度欠陥の修正方法を模式的に示した断面図である。図8には、輝度欠陥修正装置100の概略構成を示している。輝度欠陥修正装置100は、高エネルギービーム発信器101と、スリット102と、集光レンズ103とを含んでいる。
輝度欠陥修正工程では、先ず、輝度欠陥修正装置100が、検査装置から輝度欠陥の画素の位置情報を取得する。次に、取得した位置情報に基づいて、輝度欠陥修正装置100の光学系を位置合わせする。次に、輝度欠陥修正装置100は、高エネルギービームの焦点Fが、ガラス基板GB2内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Fの位置は、例えば、輝度欠陥の原因となる異物の大きさや、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図9に示すように、ガラス基板GB2内部において、異物の近傍側に高エネルギービームの焦点Fが合うように調整する。次に、輝度欠陥修正装置100は、高エネルギービーム発信器101から高エネルギービームを出射させる。これにより、高エネルギービーム発信器101から出射された高エネルギービームは、スリット102を通り、集光レンズ103により、ガラス基板GB2内部の焦点Fに集光されて照射される。次に、高エネルギービームの照射位置を移動させつつ、高エネルギービームを連続的に照射することにより、減光部10を形成する。図6は、減光部10が形成された表示パネルDPの構成を模式的に示している。
なお、上述したように、減光部10はガラス基板GB1に形成されてもよいし、ガラス基板GB1及びガラス基板GB2の両方に形成されてもよい。ガラス基板GB2に減光部10を形成する場合は、背面側からガラス基板GB2に高エネルギービームを照射すればよい。
輝度欠陥修正工程では、ガラス基板に焦点を合わせて高エネルギービームを照射することにより、ガラス材料を着色させているため、ガラス基板自体の形状変化は起こらない。例えば、ガラス基板の内部や表面が破壊されて外形が変化することはない。そのため、例えばTFT基板SUB1及びCF基板SUB2に偏光板POL1、POL2を形成した状態で、すなわち、表示パネルDPの完成後に、上記輝度欠陥修正工程を実行することができる。また、減光部10は、ガラス基板と同一材料からなるため、屈折率が変化することもない。
輝度欠陥修正工程では、輝度欠陥となる部分に対応する画素の色に応じて、高エネルギービームの強度を調整して照射してもよい。これにより、減光部10は、輝度欠陥となる部分に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成される。例えば、緑色画素に対応する輝度欠陥が生じる領域を覆う減光部10は、該減光部10の光の透過率が、他の色の画素(例えば、赤色画素、青色画素)に対応する輝度欠陥が生じる領域を覆う減光部10の光の透過率よりも低くなるように、形成されていてもよい。
TFT基板SUB1の製造工程は、ガラス基板GB1に着色用材料をドープするドープ工程を含んでもよい。同様に、CF基板SUB2の製造工程は、ガラス基板GB2に着色用材料をドープするドープ工程を含んでもよい。ドープ工程では、例えば、着色用材料をガラス材料に混入させてもよいし、着色用材料をガラス基板の表面に被覆させてもよい。着色用材料としては、金、銀、銅、アルミニウム、鉛、白金等の微粒子、およびこれら金属の合金の微粒子を用いることができる。着色用材料がドープされたガラス基板に高エネルギービームを照射することにより、減光部10は、着色用材料に応じた色に着色される。よって、輝度欠陥となる部分を所望の色に着色して、光漏れを目立たなくすることができる。
上記の説明では、TFT基板SUB1とCF基板SUB2との間に異物が混入した場合の輝度欠陥を示したが、輝度欠陥の原因はこれに限定されない。例えば、薄膜トランジスタTFTの不具合による光漏れや、基板間に配置されるスペーサに起因した光漏れ等が起こり得る。本実施形態に係る輝度欠陥修正方法は、これらの輝度欠陥にも適用することができる。
また、輝度欠陥が生じ得る異物の混入位置は、TFT基板SUB1とCF基板SUB2との間に限定されない。例えば、ガラス基板GB1と偏光板POL1との間に異物が混入した場合も輝度欠陥が生じ得る。この場合は、図10に示すように、減光部10が、ガラス基板GB1内部における異物の近傍に形成されていてもよい。また、ガラス基板GB2と偏光板POL2との間に異物が混入した場合も輝度欠陥が生じ得る。この場合は、図11に示すように、減光部10が、ガラス基板GB2内部における異物の近傍に形成されていてもよい。このように、異物は、表示パネルDPの不特定の位置に混入し得る。そのため、例えば、1枚の表示パネルDPにおいて、輝度欠陥を生じさせる異物が、ガラス基板GB1及び偏光板POL1の間(第1位置)と、ガラス基板GB2及び偏光板POL2の間(第2位置)とに混入した場合、第1減光部10が、第1位置の異物に対応して、ガラス基板GB1内部における異物の近傍に形成され(図10参照)、第2減光部10が、第2位置の異物に対応して、ガラス基板GB2内部における異物の近傍に形成されていてもよい(図11参照)。なお、この場合に、輝度欠陥修正工程の作業効率を考慮して、第1減光部10及び第2減光部10の両方が、ガラス基板GB2の表示面側に形成されていてもよい。また、図10の第1減光部10と、図11の第2減光部10とは、互いに透過率が異なるように形成されていてもよい。
また、減光部10は、ガラス基板の内部に限定されず、ガラス基板の表面に形成されていてもよい。例えば、図12に示すように、減光部10は、ガラス基板GB1の表示面側の表面と、ガラス基板GB2の背面側の表面とに形成されていてもよい。また、減光部10は、ガラス基板GB1の背面側の表面と、ガラス基板GB2の表示面側の表面とに形成されていてもよい。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
LCD 液晶表示装置、DP 表示パネル、SUB1 TFT基板、SUB2 CF基板、LC 液晶層、GB1,GB2 ガラス基板、GSN,PAS,UPAS 絶縁膜、GL ゲート線、DL データ線、SM ソース電極、DM ドレイン電極、SEM 半導体層、CIT 共通電極、PIT 画素電極、AF 配向膜、CF カラーフィルタ、BM ブラックマトリクス、OC オーバコート層、POL1,POL2 偏光板、CONT コンタクトホール、10 減光部、100 輝度欠陥修正装置、101 高エネルギービーム発信器、102 スリット、103 集光レンズ、F 焦点。
Claims (14)
- 背面側に配置された第1基板と、前記第1基板に対向して表示面側に配置された第2基板とを備え、
前記第1基板は、第1ガラス基板と、前記第1ガラス基板に形成された複数の信号線及び表示用電極と、を備え、
前記第2基板は、第2ガラス基板と、前記第2ガラス基板に形成された複数の光透過部及び遮光部と、を備え、
前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に、光の透過量を減少させる減光部が形成されており、
前記減光部は、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように形成されている、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記減光部の周囲は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料で覆われている、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記減光部は、平面的に見て、前記第1基板と前記第2基板との間、前記第1ガラス基板と該第1ガラス基板の表面に形成された第1偏光板との間、及び、前記第2ガラス基板と該第2ガラス基板の表面に形成された第2偏光板との間、の少なくとも何れか一つに混入された、前記輝度欠陥を生じさせる混入物を覆うように形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記減光部は、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部において、背面側に形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記減光部は、前記減光部が形成されるガラス基板のガラス材料と同一材料からなる、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記減光部は、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方の内部に高エネルギービームが照射されることにより形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記減光部は着色されている、ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1基板は、さらに、マトリクス状に配置された複数の画素を備え、
前記複数の画素は、赤色に対応する赤色画素と、緑色に対応する緑色画素と、青色に対応する青色画素とを含み、
前記減光部は、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて光の透過率が異なるように形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記緑色画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率は、他の色の画素に対応する前記輝度欠陥が生じる領域を覆う前記減光部の光の透過率よりも低い、
ことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。 - 第1基板を製造する第1基板製造工程と、第2基板を製造する第2基板製造工程と、前記第1基板及び前記第2基板を備える表示パネルの点灯検査を行う検査工程と、前記表示パネルに生じた輝度欠陥を修正する修正工程と、を含む表示装置の製造方法であって、
前記検査工程は、前記輝度欠陥が生じる領域の位置を検出する検出工程を含み、
前記修正工程は、
前記第1基板を構成する第1ガラス基板と、前記第2基板を構成する第2ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、高エネルギービームを照射する照射工程と、
前記高エネルギービームを照射することにより、光の透過量を減少させる減光部を形成する形成工程と、を含む、
ことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第1基板製造工程は、前記第1ガラス基板の表面に第1偏光板を形成する工程を含み、
前記第2基板製造工程は、前記第2ガラス基板の表面に第2偏光板を形成する工程を含み、
前記照射工程では、前記第1偏光板が形成された前記第1ガラス基板と、前記第2偏光板が形成された前記第2ガラス基板との少なくとも何れか一方における、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射する、
ことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1基板製造工程及び前記第2基板製造工程の少なくとも何れか一方は、対応する前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方に、着色用材料をドープするドープ工程を含み、
前記照射工程では、前記着色用材料がドープされた前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも何れか一方における、前記検査工程で検出された前記輝度欠陥が生じる領域に対応する部分に、前記高エネルギービームを照射する、
ことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1基板製造工程は、赤色に対応する赤色画素、緑色に対応する緑色画素、及び青色に対応する青色画素を含む画素を形成する画素形成工程を含み、
前記照射工程では、前記輝度欠陥が生じる領域に対応する画素の色に応じて、前記高エネルギービームの強度を調整して照射する、
ことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記高エネルギービームは、レーザ光、紫外光、X線、及びガンマ線の何れかである、
ことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
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