JP2018084692A - 表示装置とその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置とその製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 表示装置には、第1ガラス基板GB1及び第2ガラス基板GB2の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部133を覆う減光部1は、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層2−1と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層2−2とを含み、第1着色層と第2着色層とは、厚さ方向に異なる位置に配され、かつ、表示面側から見て互いの中心部が重複するように配される。【選択図】 図10

Description

本発明は、表示装置とその製造方法に関するものである。
各種表示装置のうち例えば液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に発生する電界を、一対の基板に挟持される液晶層に印加して液晶を駆動させることにより、画素電極と共通電極との間の領域を透過する光の量を調整して画像表示を行う。
従来、例えば液晶表示装置において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる、所謂、輝点欠陥(画素欠陥ともいう。)の問題が知られている。輝点欠陥は、例えば、液晶表示装置の製造工程において、一対の基板間に異物が混入し、この異物によって、液晶の配向が乱されたり、画素電極と共通電極とが短絡したりすることにより生じる。
前記輝点欠陥を修正する方法が、例えば特許文献1に開示されている。特許文献1の方法では、ガラス基板内部にレーザを照射して、平面的に見て、輝度欠陥が生じる領域を覆うように着色層を形成させ、着色層で光の透過量を減少させている。
特開2015−175857号公報
しかしながら、従来技術では、レーザの面走査によって着色部を形成する際の最終走査部が薄くなり、光漏れが発生して、輝点欠陥の不良が十分に修正されないことがあった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる表示装置とその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の1つの態様に係る表示装置は、
第1ガラス基板と、
前記第1ガラス基板と対向して表示面側に位置する第2ガラス基板と、を備える表示装置であって、
前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも一方の内部において、前記表示面側から見て輝点欠陥部を覆う減光部を有し、
前記減光部は、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層と、を含み、
前記第1着色層と前記第2着色層とは、厚さ方向に異なる位置に配され、かつ、前記表示面側から見て互いの中心部が重複するように配される。
前記目的を達成するために、本発明の1つの態様に係る表示装置の製造方法は、
第1ガラス基板と、前記第1ガラス基板と対向して表示面側に位置する第2ガラス基板と、を備える表示装置の製造方法であって、
前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検査検出工程と、
前記輝点欠陥部を覆うように前記第1又は第2ガラス基板にレーザ光を照射して、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも一方の内部において、前記表示面側から見て前記輝点欠陥部を覆う減光部を構成し、かつ、それぞれ最終走査部の光漏れが異なる位置となり前記表示面側から見て互いの中心部が重複するように配されるとともに厚さ方向に互いに異なる位置に配されるように、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層とを形成する照射工程と、を有し、
前記照射工程で照射される前記レーザ光は、波長が100nm以上かつ10000nm以下、パルス幅が1フェムト秒以上100ピコ秒以下、パルスエネルギが1μJ以上20μJ以下であり、かつ、NAが0.3以上0.9以下のレンズで集光される。
以上のように、本発明の前記態様にかかる表示装置とその製造方法によれば、前記減光部は、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層とを備えて、前記第1着色層と前記第2着色層とは、厚さ方向に異なる位置に配され、かつ、前記表示面側から見て互いの中心部が重複するように配されるため、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えた表示装置を提供することができる。
本発明の第1実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図 図1の液晶表示装置の表示パネルの一部の構成を示す平面図 図2のA1−A2線で切断した切断部の端面図 図1の液晶表示装置での輝点欠陥の一例を模式的に示す断面図 第1実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の構成を示す断面図 ガラス内部加工時の焦点の近傍の模式図 ガラス内部に直線加工を行ったものを平面的に見た画像を示す図 図7の直線加工の断面を見た画像を示す図 (a)及び(b)はそれぞれ直線加工を並べて正方形の面加工を行った際の走査方向を示す図及び加工痕を平面的に見た画像を示す図 本発明の第1実施形態に係る減光部の形成パターンの一例と異なる走査方向で渦巻き加工をした際の加工痕を平面的に見た画像を示す図 第2実施形態に係る液晶表示装置において、輝点欠陥の修正方法を示すフロー図 輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置のブロック図 第2実施形態の変形例に係る液晶表示装置において、輝点欠陥の修正方法を示すフロー図 第2実施形態に係る液晶表示装置の製造装置の構成を示す模式図
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
以下の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機EL表示装置又はプラズマディスプレイパネル等であってもよい。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の一例としての液晶表示装置LCDの全体構成を示す平面図である。
液晶表示装置LCDは、画像を表示する表示パネルDPと、表示パネルDPを駆動する表示パネル用駆動回路(データ線駆動回路30、ゲート線駆動回路31)と、表示パネル用駆動回路を制御する制御回路(図示せず)と、表示パネルDPに背面側から光を照射するバックライト光を照射するバックライト134とを含んでいる。
図2は、表示パネルDPの一部の構成を示す平面図である。図3は、図2のA1−A2線で切断した切断部の端面図である。なお、図2及び図3では、表示パネルDPのうちの1つの画素Pを示している。
表示パネルDPは、図3に示すように、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板SUB1(以下、TFT基板SUB1という。)と、表示面側に配置され、TFT基板SUB1に対向するカラーフィルタ基板SUB2(以下、CF基板SUB2という。)と、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の間に挟持される液晶層LCと、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板SUB1は第1基板の一例として機能する。カラーフィルタ基板SUB2は第2基板の一例として機能する。
TFT基板SUB1には、列方向に延在する複数のデータ線DLと、行方向に延在する複数のゲート線GLとが形成され、複数のデータ線DLと複数のゲート線GLとのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタTFTが形成されている。また、隣り合う2本のデータ線DLと隣り合う2本のゲート線GLとにより囲まれる矩形領域が、1つの画素Pとして規定される。画素Pは、TFT基板SUB1において、マトリクス状に複数配置されている。
画素Pには、例えばスズ添加酸化インジウム(ITO)等の透明(又は透光性)導電膜からなる画素電極(表示用電極)PITが形成されている。図2に示すように、画素電極PITは、開口部32(例えばスリット)を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタTFTは、ゲート絶縁膜GSN(図3参照)上に、非晶質シリコン(aSi)からなる半導体層SEMが形成され、半導体層SEM上にドレイン電極DM及びソース電極SMが形成されている(図2参照)。ドレイン電極DMは、データ線DLに電気的に接続されている。ソース電極SMと画素電極PITとは、コンタクトホールCONTを介して互いに電気的に接続されている。
画素Pを構成する各部の積層構造は、図3の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。例えば図3に示す構成では、TFT基板SUB1において、第1ガラス基板GB1上にゲート線GL(図2参照)が形成され、ゲート線GLを覆うようにゲート絶縁膜GSNが形成されている。また、ゲート絶縁膜GSN上にデータ線DLが形成され、データ線DLを覆うように絶縁膜PASが形成されている。また、絶縁膜PAS上に共通電極CIT(表示用電極)が形成され、共通電極CITを覆うように上層絶縁膜UPASが形成されている。さらに、上層絶縁膜UPAS上に画素電極PITが形成され、画素電極PITを覆うように配向膜AFが形成されている。第1ガラス基板GB1の背面側には、偏光板POL1(第1偏光板)が形成されている。
また、CF基板SUB2において、第2ガラス基板GB2(図3の第2ガラス基板GB2の下面側)上にブラックマトリクスBM(遮光部の一例)及びカラーフィルタCF(例えば、赤色部、緑色部、青色部)(光透過部の一例)が形成され、これらを覆うようにオーバコート層OCが形成されている。第2ガラス基板GB2の表示面側には、偏光板POL2(第2偏光板)が形成されている。よって、第2ガラス基板GB2は、第1ガラス基板GB1と対向して表示面側に位置しているとともに、液晶層LCは、第1ガラス基板GB1と第2ガラス基板GB2との間に配置されている。
図3に示す構成によれば、液晶表示装置LCDは、いわゆるIPS(In Plane Switching)方式の構成を有しているが、第1実施形態に係る液晶表示装置LCDはこれに限定されない。
次に、液晶表示装置LCDの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路31から出力された走査用のゲート電圧がゲート線GLに供給され、データ線駆動回路30から出力された映像用のデータ電圧がデータ線DLに供給される。ゲート線GLにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタTFTの半導体層SEMが低抵抗となり、データ線DLに供給されたデータ電圧が、ソース電極SMを介して画素電極PITに供給される。また、共通電極駆動回路(図示せず)から出力された共通電圧が、共通電極CITに供給される。これにより、画素電極PITと共通電極CITとの間に電界(駆動用電界)が発生し、該電界により液晶層LCが駆動され、画像が表示される。
ここで、液晶表示装置LCDは、その製造工程において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる輝点欠陥(画素欠陥)が生じる場合がある。図4には、画素Pが輝点欠陥部133となる場合の一例を示している。図4では、液晶表示装置LCDの製造工程において、TFT基板SUB1とCF基板SUB2との間に有機物又は金属等の異物33が混入した場合を例示している。図4に示す画素Pでは、異物(混入物)33によって液晶の配向が乱されることにより、バックライト光34の光漏れが生じて輝点欠陥がある輝点欠陥部133となる。
第1実施形態に係る液晶表示装置LCDでは、前記輝点欠陥を抑えるための構成を有している。具体的には、図5に示すように、CF基板SUB2の第2ガラス基板GB2の内部に、バックライト光34の透過量を減少させる減光部1が形成されている。減光部1は、平面的に配列されており、第2ガラス基板GB2の表示面側から見た際に、異物33による輝点欠陥部133を覆い隠すように形成されている。すなわち、第1ガラス基板GB1及び第2ガラス基板GB2の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部133を覆う減光部1を配置している。減光部1では、第1ガラス基板GB1及び第2ガラス基板GB2のそれぞれと色が異なる着色層2と、着色層2の下に複数のすなわち多数のボイドが形成されたボイド層3とで形成されている。なお、後述するように着色層2を複数層で構成する場合には、ボイド層3の上に複数の着色層2−1,2−2が配置されることを意味している。
図6は、ガラス内部加工時の焦点(集光点)Fの近傍の模式図である。図7は、ガラス内部に直線加工を行ったものを平面的に見た画像を示す図である。図8は、図7の直線加工の断面を見た画像を示す図である。
図6に示すように、超短パルスレーザ光4を高集光レンズ8によってガラス基板GBの内部に集光させると、焦点Fの近傍ではエネルギ密度が非常に高くなり、直径1nm以上50μm以下の微小な空孔(ボイド)形成(図6の領域70参照)が起きる。このとき、ガラス基板GBの、焦点Fよりも表面に近いところ(図6の領域71参照)では、ガラスが溶融しており、その周囲は熱の影響で茶色に着色する(図6の領域72参照)。この着色92は非架橋酸素ホールセンタによって起きる。超短パルスレーザ光4とガラス基板GBとの位置を直線状に相対的に移動させることで、図7に示すように、平面的に見ると焦点の走査箇所は着色が薄く、その両側が濃く着色された加工痕が残る。このときの加工断面を見ると、図8に示すように、ガラス基板GBの表面から遠いところ(図8の楕円形の底部付近)にボイドが形成され、ボイドより表面に近いところで薄く着色、その縁(図8の楕円形の上部の縁部付近)が濃く着色している。
超短パルスレーザ光4とガラス基板GBとの位置を面方向に相対的に移動させることで、このボイドが形成される領域と着色が形成される領域とがガラス基板GBの内部で面方向に広がって、ボイド層3と着色層2とが形成される。この着色層2とボイド層3とで構成される減光部1に対して、ガラス基板GBの裏面から照射したバックライト光34は、着色層2によって吸収されることで減光され、減光された光がガラス基板GBの表面に出てくるので、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる。超短パルスレーザ光4は、ガラス基板GBの内部で着色領域及びボイド形成領域ができるようなパルス幅、波長、及びパルスエネルギである必要があり、波長が100以上10000nm以下、パルス幅が1fs以上〜100ps以下、パルスエネルギが1μJ以上20μJ以下であることが好ましい。また、高集光レンズはNA(開口数)が0.3以上0.9以下であることが好ましく、収差補正機能を持ったものであれば尚よい。この条件のレーザ光4をガラス基板GBに照射することで、焦点Fの位置で図8のような多数の空孔を含むボイド層3が形成され、焦点Fの位置よりもガラス基板GBの表面に近い位置に、着色層2が形成される。
図9の(a)及び(b)は、それぞれ、直線加工を並べて正方形の面加工を行った際の走査方向を示す図と、加工後に加工痕を平面的に見た画像を示す図である。
図9にあるように、超短パルスレーザ光4とガラス基板GBとの位置を面方向に相対的に移動させて、面加工によって着色層2を形成すると、最終の走査箇所において着色の薄い領域が残り、そこから光漏れが起きる(図9の(b)の楕円で囲まれた最終走査部光漏れの領域を参照。)。これは、超短パルスレーザを走査していく際、一度、非架橋酸素ホールセンタを形成して濃く着色した領域の上から超短パルスレーザが照射され、濃く着色した領域が溶融する際に、非架橋酸素ホールセンタの構造が崩れ脱色されてしまうことが原因である。走査を繰り返すことで、脱色された箇所も再度着色されるが、最終の走査箇所だけ脱色されたままの着色の薄い領域が残り、そこから光漏れが起きる。このとき、濃く着色した箇所は、可視光透過率が0%以上50%以下となるが、光漏れ箇所の可視光透過率は60%以上と高い。また、面加工のコーナー部においても、加工領域と未加工領域の間で応力が発生するため光漏れ(図9の(b)のコーナー部光漏れの領域を参照)が発生する。
この問題に対し、図10の(a)〜(c)は、本発明の第1実施形態に係る減光部1の複数の着色層2−1,2−2,2−3の概略分解斜視図と、これらを平面的に見た画像をそれぞれ示す図である。
減光部1の着色層2−1,2−2を複数個、形成する場合、ガラス基板GBの表面から遠い方から順番に加工していく。これにより、加工の際に既に形成された減光部1が光線を遮ることがないようにする。
以下の例では、一例として、着色層2を3個、形成する場合について説明する。なお、別の例として、着色層2を2個、形成する場合には、下記の第1着色層2−1と第2着色層2−2とを形成すればよい。
まず、第1層目の第1着色層2−1は、外周から中心にかけて渦巻き状に着色層を形成する。この第1着色層2−1は、画素サイズ又はガラス基板GBの裏面からの距離にもよるが、第1着色層2−1の外径すなわち直径は10μm以上500μm以下のサイズである。なお、第1層目の第1着色層2−1は、ガラス基板GBの底面から5μm以上250μm以下の位置に配置されている。底面から5μm未満の場合では、ガラス内部加工ではなく裏面加工となってしまうため、カラーフィルタCF又はブラックマトリックスBMなどにダメージを確実に与えてしまう可能性がある。また、底面から250μmを越える場合は、パネルを斜めから見たときにも輝点不良を着色層で覆う必要があり、着色層の直径を500μmより大きくすることになり、3画素以上が確実に潰れて良品と呼べなくなる。
また、第1着色層2−1の直径が10μmより小さい場合、パネルを斜めから見たときに輝点不良を着色層で覆うことができなくなる。一方、着色層2−1の直径が500μmを越える場合、着色層を形成した箇所はLCDパネルの画素を潰すことになり、3画素以上が確実に潰れて良品と呼べなくなる。このとき、第1着色層2−1での光漏れは、中心部分で発生する。すなわち、第1層目の第1着色層2−1は、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い。具体的には、第1着色層2−1を平面視した際に、その中心部に光漏れ部9−1が位置し、光漏れ部9−1を囲うように光遮蔽部10−1が外周部に配される。光漏れ部9−1の可視光透過率は60%以上であり、光遮蔽部10−1の可視光透過率が0%以上50%以下である。
次いで、第2層目の第2着色層2−2は、第1層目の第1着色層2−1よりもガラス基板GBの厚さ方向において10μm以上200μm以下だけ、ガラス基板GBの表面に近い位置に形成する。第2層目の第2着色層2−2は、中心から外周にかけて渦巻き状に着色層を形成する。第2層目の第2着色層2−2の直径は、第1層目の第1着色層2−1の直径の10%以上90%以下にする。第2着色層2−2の直径が第1着色層2−1の直径の10%未満の場合には、第1層の第1着色層2−1及び第3層の第3着色層2−3の中心部光漏れを光遮蔽部10−2として十分に減光できない。また、第2着色層2−2の直径が第1着色層2−1の直径の90%を越える場合には、第2層の第2着色層2−2の外周部の光漏れ部9−2で漏れた光が外側に向かって散乱を起こす場合でも、第1層の第1着色層2−1の光遮蔽部10−1及び第3層の第3着色層2−3の光遮蔽部10−3によって減光するためである。これにより、第2層目の着色層2−2は、中心部では濃く着色しており、光漏れは外周部で発生する。すなわち、第2層目の第2着色層2−2は、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い。具体的には、第2着色層2−2を平面視した際に、その中心部に光遮蔽部10−2が位置し、光遮蔽部10−2を囲うように光漏れ部9−2が外周部に配される。光漏れ部9−2の可視光透過率は60%以上であり、光遮蔽部10−2の可視光透過率が0%以上50%以下である。なお、第1層目の第1着色層2−1と第2層目の第2着色層2−2とでは、光漏れ部9−1,9−2と光遮蔽部10−1,10−2の配置が逆の関係である。また、第1層目の第1着色層2−1と第2層目の第2着色層2−2とは、互いの中心部が、ガラス基板GBの厚さ方向と直交する面内で重なるように配される。すなわち、第1層目の第1着色層2−1の光漏れ部9−1と第2層目の第2着色層2−2の光遮蔽部10−2とは平面視において(すなわち、表示面側から見て)重複する。
次いで、第3層目の第3着色層2−3は、第2層目の第2着色層2−2よりガラス基板GBの厚さ方向において10μm以上200μm以下だけ、ガラス基板GBの表面に近い位置に形成する。第3層目の第3着色層2−3は第1層目の第1着色層2−1と同じサイズで、外周から中心にかけて渦巻き状に着色層を形成する。第3層目の第3着色層2−3の光漏れ部9−3と光遮蔽部10−3は、第1層目の第1着色層2−1の光漏れ部9−1と光遮蔽部10−1とガラス基板GBの厚さ方向と直交する面内において同じ位置関係に配置される。
以上のように3層の第1,第2,第3着色層2−1,2−2,2−3を形成することで、中心部の光漏れは第2着色層2−2の光遮蔽部10−2が、外周部の光漏れは第1着色層2−1の光遮蔽部10−1と第3着色層2−3の光遮蔽部10−3とが抑制する。
ここで、第1層目の第1着色層2−1の光遮蔽部10−1の箇所は、外周部に配するほうが好ましい。なぜなら、表示パネルDPを斜めから見た場合、輝点欠陥を減光できるのは、第1層目の第1着色層2−1の外周部のみだからである。第1層目の第1着色層2−1の外周部で光漏れが起こる場合、斜視での光漏れを第2層目の第2着色層2−2で減光するためには、第2層目の第2着色層2−2を第1層目の第1着色層2−1よりも大きなサイズで加工する必要がある。そうすると、正面から見たときの加工サイズが大きくなるため、輝点欠陥の周辺を広く減光してしまうことになり好ましくない。そのため、第1層目の第1着色層2−1は光漏れ箇所(すなわち、光漏れ部9−1)が中心部に形成されるように加工し、第2層目の第2着色層2−2で中心部を光遮蔽部10−2として濃く着色させ、第1層目の第1着色層2−1での光漏れを減光する形が望ましい。
また、着色層2の平面的な形状を円形にすることで、コーナー部で発生していた応力を緩和し、図9で示したコーナー部光漏れを抑制する。このときの着色層2の加工痕の形状は、コーナー部の応力が緩和される形状であればよく、八角形以上の多角形又は角丸の多角形などでもよい。例えば、輝点欠陥を発生させている異物が糸屑のような細長い形状の場合、その形に合わせて、楕円又はオーバル形状に加工することで、輝点欠陥の形状に合った着色層2を有する減光部1を形成することができる。
第2層目の第2着色層2−2のサイズを第1層の第1着色層2−1のサイズ及び第3層の第3着色層2−3のサイズよりも小さくするのは、第2層の第2着色層2−2の外周部で漏れた光が外側に向かって散乱を起こす場合でも、第1層の第1着色層2−1及び第3層の第3着色層2−3によって減光するためである。ただし、第2着色層2−2のサイズが小さすぎると、第1層の第1着色層2−1及び第3層の第3着色層2−3の中心部光漏れを十分に減光できないため、第2層の第2着色層2−2のサイズは、第1層の第1着色層2−1のサイズ又は第3層の第3着色層2−3のサイズの10%以上90%以下が望ましい。
第1実施形態によれば、第1ガラス基板GB1及び第2ガラス基板GB2の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部133を覆う減光部1の着色層2−1,2−2,2−3を複数層重ねて有し、かつ、着色層2−1,2−2,2−3のレーザ光4の最終走査部が異なるように形成されており、平面的に見て円形に形成されている。このように構成することにより、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態として、第1実施形態にかかる液晶表示装置LCDの製造方法について説明する。当該方法は、第1ガラス基板GB1と、前記第1ガラス基板GB1と対向して表示面側に位置する第2ガラス基板GB2と、を備える表示装置の製造方法について説明する。
この表示装置の製造方法は、前記表示装置の点灯検査を行って前記画素の輝点欠陥部133を検出する検出工程と、前記輝点欠陥部133を覆うように前記第1又は第2ガラス基板GB1又はGB2にレーザ光4を照射して、複数の着色層2及びボイド層3を形成する照射工程と、を有する。前記照射工程で照射されるレーザ光4は、波長が100nm以上かつ10000nm以下、パルス幅が1フェムト秒以上100ピコ秒以下、パルスエネルギが1μJ以上20μJ以下であり、かつ、NAが0.3以上0.9以下のレンズで集光される。レンズには収差補正機能が付いていると尚良い。
より詳細には、本製造方法は、TFT基板SUB1の製造工程と、CF基板SUB2の製造工程と、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の貼り合わせ工程と、液晶注入工程と、表示パネルDPの点灯検査工程と、輝点欠陥修正工程とを含んでいる。
前記各工程のうち、TFT基板SUB1の製造工程、CF基板SUB2の製造工程、TFT基板SUB1及びCF基板SUB2の貼り合わせ工程、液晶注入工程、及び点灯検査工程は、周知の方法を適用することができる。
例えば、TFT基板SUB1の製造工程は、第1ガラス基板GB1上に、ゲート線GL、データ線DL、画素電極PIT、共通電極CIT、各種絶縁膜、及び偏光板POL1を形成する工程を含む。TFT基板SUB1で規定される画素Pは、赤色に対応する赤色画素Pr、緑色に対応する緑色画素Pg、及び青色に対応する青色画素Pbを含んでもよい。また、CF基板SUB2の製造工程は、第2ガラス基板GB2上に、ブラックマトリクスBM、カラーフィルタCF、及び偏光板POL2を形成する工程を含む。
以下では、本製造方法のうちの点灯検査工程及び輝点欠陥修正工程について説明する。
図11Aは、輝点欠陥の修正方法のフロー図を示す。図11Bは、輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置95のブロック図を示す。
表示装置の製造装置95は、少なくとも、表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥を検出する検査装置90と、輝点欠陥修正装置6とを備えている。製造装置95は、さらに、制御装置93と演算部91とを備えていても良い。制御装置93は、検査装置90と演算部91と輝点欠陥修正装置6とをそれぞれ動作制御する。演算部91は、後述するように所定の演算を行う。
先ず、点灯検査工程では、検査装置90により、輝点欠陥を検出する。例えば、検査装置90は、表示パネルDPを全点灯又は1ラインごとに点灯させて、各画素の輝度を測定する(ステップS001)。
次に、検査装置90は、閾値を超える輝度が測定された画素を輝点欠陥部133(画素欠陥部)として検出する(ステップS002)。検査装置90は、輝点欠陥部133として検出した画素の位置情報を、後述の輝点欠陥修正装置6に出力する。輝点欠陥部133の検出は、作業者による目視で行ってもよい。輝点欠陥部133が検出されると、輝点欠陥修正工程(ステップS030)に移行する。輝点欠陥部133が検出されないときは、このフローを終了する。
図13には、輝点欠陥修正工程(ステップS030)を行うための輝点欠陥修正装置6の概略構成を示している。輝点欠陥修正装置6は、超短パルスレーザ発振機構7と、高集光レンズ8などの光学系とを含んでいる。
第2実施形態では、一例として、超短パルスレーザ発振機構7として、1552nmのレーザ光の波長及びパルス幅800fsのレーザ光を用いている。
輝点欠陥修正工程(ステップS030)は、ステップS003〜ステップS006の工程を含む。
輝点欠陥修正工程(ステップS030)では、先ず、輝点欠陥修正装置6が、検査装置90から、輝点欠陥の画素の位置情報及び形状情報(例えば、位置、大きさ、形状)を取得する(ステップS003)。
次に、取得した形状情報より、演算部91において、超短パルスレーザ光4を照射して形成する減光部1の形状及び位置情報(例えば、位置、大きさ、形状)を演算する(ステップS004)。
次に、制御装置93での制御の下に、演算部91で演算して取得した減光部1の位置情報に基づいて、輝点欠陥修正装置6の高集光レンズ8などの光学系を位置合わせする。
次に、制御装置93での制御の下に、輝点欠陥修正装置6は、超短パルスレーザ光4の焦点Fの位置が、第2ガラス基板GB2の内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Fの位置は、例えば、輝点欠陥の原因となる異物の大きさ、又は、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図13に示すように、第2ガラス基板GB2の内部において、異物33の近傍側に超短パルスレーザ光4の焦点Fが合うように調整する。
次に、制御装置93での制御の下に、輝点欠陥修正装置6は、超短パルスレーザ発振機構7から超短パルスレーザ光4を出射させる。これにより、超短パルスレーザ発振機構7から出射された超短パルスレーザ光4は、高集光レンズ8により、第2ガラス基板GB2の内部の焦点Fに集光されて照射される。
次に、制御装置93での制御の下に、超短パルスレーザ光4の照射位置を、移動装置92により移動させつつ、超短パルスレーザ光4を連続的に照射することにより、それぞれ最終走査箇所の異なる減光部1の複数の着色層2−1,2−2,2−3を形成し(ステップS005)、輝点欠陥修整工程(ステップS030)を完了する(ステップS006)。ステップS005では、着色層2−1,2−2,2−3のレーザ光4の最終走査部の位置が異なるようにそれぞれ形成される。
本発明の第2実施形態にかかる液晶表示装置LCDの製造方法によれば、既存の検査装置を用いての検査が可能であり、検査工程で欠陥が見つかったもののみ修正工程に流すので全体の工程タクトに影響を与えないという利点がある。
(変形例)
図12は、第2実施形態の変形例として、輝点欠陥の他の修正方法のフロー図を示す。
先ず、検査装置90において、表示装置を点灯させ(ステップS007)、輝点欠陥を検出する(ステップS008)。検査装置90は、ステップS002と同様に、閾値を超える輝度が測定された画素を輝点欠陥部133(画素欠陥部)として検出する。検査装置は、輝点欠陥部133として検出した画素の位置情報を輝点欠陥修正装置6に出力する。輝点欠陥部133の検出は、作業者による目視で行ってもよい。輝点欠陥部133が検出されると、輝点欠陥修正工程(ステップS040)に移行する。輝点欠陥部133が検出されないときは、このフローを終了する。
輝点欠陥修正工程(ステップS040)は、ステップS009〜ステップS013を含む。
輝点欠陥修正工程(ステップS040)では、まず、輝点欠陥修正装置6が、検査装置から、輝点欠陥の画素の位置情報及び形状情報(例えば、位置、大きさ、形状)を取得する(ステップS009)。
次に、取得した形状情報より、演算部91において、超短パルスレーザ光4を照射して形成する減光部1の形状及び位置情報(例えば、位置、大きさ、形状)を演算する(ステップS010)。
次に、制御装置93での制御の下に、演算部91で演算して取得した減光部1の位置情報に基づいて、輝点欠陥修正装置6の高集光レンズ8などの光学系を位置合わせする。
次に、制御装置93での制御の下に、輝点欠陥修正装置6は、超短パルスレーザ光4の焦点Fの位置が、第2ガラス基板GB2の内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Fの位置は、例えば、輝点欠陥の原因となる異物の大きさ、又は、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図13に示すように、第2ガラス基板GB2の内部において、異物33の近傍側に高エネルギービームである超短パルスレーザ光4の焦点Fが合うように調整する。
次に、制御装置93での制御の下に、輝点欠陥修正装置6は、超短パルスレーザ発振機構7から超短パルスレーザ光4を出射させる。これにより、超短パルスレーザ発振機構7から出射された超短パルスレーザ光4は、高集光レンズ8により、第2ガラス基板GB2の内部の焦点Fに集光されて照射される。
次に、制御装置93での制御の下に、超短パルスレーザ光4の照射位置を、移動装置92により移動させつつ、超短パルスレーザ光4を連続的に照射することにより、それぞれ最終走査位置が互いに異なる複数の着色層2−1,2−2,2−3を形成する(ステップS011)。
複数の着色層2−1,2−2,2−3を形成した後に、制御装置93での制御の下に、再度、点灯検査を行い(ステップS012)、輝点欠陥が消失していることを確認して、輝点欠陥修正工程(ステップS040)を完了する(ステップS013)。
制御装置93での制御の下に、2回目以降の点灯検査工程において輝点欠陥が検出された場合には、ステップS009に戻って、再度、輝点欠陥修正を行う(ステップS009からステップS011)。2回目以降の輝点欠陥修正において、1回目に形成した減光部1−1と形状、大きさ、又は層数が違っていてもよい。
この変形例によれば、修正後に再度検査することで修正が十分なされているか、着色により黒点不良化していないかを確認することができる。
このように、第2実施形態又はその変形例の輝点欠陥修正工程(ステップS030又はS040)では、ガラス基板GBに焦点を合わせて高エネルギービームを照射することにより、ガラス材料を着色させているため、ガラス基板自体の形状変化は起こらない。例えば、ガラス基板GBの内部又は表面が破壊されて外形が変化することはない。そのため、例えばTFT基板SUB1及びCF基板SUB2に偏光板POL1、POL2を形成した状態で、すなわち、表示パネルDPの完成後に、前記輝点欠陥修正工程(ステップS030又はS040)を実行することができる。また、減光部1は、ガラス基板GBと同一材料からなるため、屈折率が変化することもない。
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で前記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
また、前記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせ又は実施例同士の組み合わせ又は実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態又は実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
本発明の前記態様にかかる表示装置とその製造方法は、輝点欠陥に起因した表示品位の低下を抑えることができて、特に表示装置を内蔵する液晶ディスプレイ又は有機ELフラットパネルディスプレイに有用であり、高輝度及び高精細及び画質均一性が要求されるディスプレイの表示装置とその製造方法及び製造装置等、及び表示装置を有する電気機器又は装置に幅広く利用することができる。
AF 配向膜
BM ブラックマトリクス
CF カラーフィルタ
CIT 共通電極
CONT コンタクトホール
DL データ線
DM ドレイン電極
DP 表示パネル
GB,GB1,GB2 ガラス基板
GSN 絶縁膜
GL ゲート線
LC 液晶層
LCD 液晶表示装置
OC オーバコート層
PAS 絶縁膜
PIT 画素電極
POL1,POL2 偏光板
SEM 半導体層
SM ソース電極
SUB1 TFT基板
SUB2 CF基板
UPAS 絶縁膜
1 減光部
2 着色層
2−1,2−2,2−3 第1,第2,第3着色層
3 ボイド層
4 超短パルスレーザ光
5 屈折率変化層
6 輝点欠陥修正装置
7 超短パルスレーザ発振機構
8 高集光レンズ
9,9−1,9−2,9−3 光漏れ部
10,10−1,10−2,10−3 光遮蔽部
30 データ線駆動回路
31 ゲート線駆動回路
32 開口部
33 異物(混入物)
34 バックライト光
70 (ボイド)形成領域
71 溶融領域
72 着色領域
90 検査装置
91 演算部
93 制御装置
95 表示装置の製造装置
133 輝点欠陥部
134 バックライト
F 焦点

Claims (6)

  1. 第1ガラス基板と、
    前記第1ガラス基板と対向して表示面側に位置する第2ガラス基板と、を備える表示装置であって、
    前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも一方の内部において、前記表示面側から見て輝点欠陥部を覆う減光部を有し、
    前記減光部は、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層と、を含み、
    前記第1着色層と前記第2着色層とは、厚さ方向に異なる位置に配され、かつ、前記表示面側から見て互いの中心部が重複するように配される表示装置。
  2. 前記第1着色層と前記第2着色層は、それぞれ、平面的に見て、円形、または楕円形、角丸の多角形、オーバル形状、又は、八角形以上の多角形状である、請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記第2着色層は、前記第1着色層よりも前記表示面側に位置する、請求項1又は2に記載の表示装置。
  4. 前記第2着色層の外形は、前記第1着色層の外形と比べて、サイズが小さい、請求項1〜3いずれかに記載の表示装置。
  5. 前記第1着色層の前記中心部の可視光透過率は60%以上であり、前記外周部の可視光透過率は0%以上50%以下である、請求項1〜4いずれかに記載の表示装置。
  6. 第1ガラス基板と、前記第1ガラス基板と対向して表示面側に位置する第2ガラス基板と、を備える表示装置の製造方法であって、
    前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検査検出工程と、
    前記輝点欠陥部を覆うように前記第1又は第2ガラス基板にレーザ光を照射して、前記第1ガラス基板及び前記第2ガラス基板の少なくとも一方の内部において、前記表示面側から見て前記輝点欠陥部を覆う減光部を構成し、かつ、それぞれ最終走査部の光漏れが異なる位置となり前記表示面側から見て互いの中心部が重複するように配されるとともに厚さ方向に互いに異なる位置に配されるように、可視光の透過率が外周部に比べて中心部で高い第1着色層と、可視光の透過率が中心部に比べて外周部で高い第2着色層とを形成する照射工程と、を有し、
    前記照射工程で照射される前記レーザ光は、波長が100nm以上かつ10000nm以下、パルス幅が1フェムト秒以上100ピコ秒以下、パルスエネルギが1μJ以上20μJ以下であり、かつ、NAが0.3以上0.9以下のレンズで集光される、表示装置の製造方法。
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