JPH05315460A - 電子回路用配線 - Google Patents
電子回路用配線Info
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- JPH05315460A JPH05315460A JP4119430A JP11943092A JPH05315460A JP H05315460 A JPH05315460 A JP H05315460A JP 4119430 A JP4119430 A JP 4119430A JP 11943092 A JP11943092 A JP 11943092A JP H05315460 A JPH05315460 A JP H05315460A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は寄生容量が小さくなおかつレーザビ
ーム照射後に確実に電気的コンタクトのとれる電子回路
用配線を提供するものである。 【構成】 本発明は、基板と、この基板上に形成された
第１の導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁
膜と、この絶縁膜上に第１の導体膜と重畳配置するよう
に形成された第２の導体膜とを具備し、第１の導体膜と
第２の導体膜は重畳部分にレーザビームを照射すること
によって熔融して接続される状態にあり、第１の導体膜
と第２の導体膜のうち少なくとも一方の導体膜の重畳部
分のレーザビームの照射する領域の内側が除去されてい
ることを特徴とする電子回路用配線。
ーム照射後に確実に電気的コンタクトのとれる電子回路
用配線を提供するものである。 【構成】 本発明は、基板と、この基板上に形成された
第１の導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁
膜と、この絶縁膜上に第１の導体膜と重畳配置するよう
に形成された第２の導体膜とを具備し、第１の導体膜と
第２の導体膜は重畳部分にレーザビームを照射すること
によって熔融して接続される状態にあり、第１の導体膜
と第２の導体膜のうち少なくとも一方の導体膜の重畳部
分のレーザビームの照射する領域の内側が除去されてい
ることを特徴とする電子回路用配線。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビーム照射によ
り電気的導電性を図り得るレーザコンタクト部を備えた
電子回路用配線に関する。
り電気的導電性を図り得るレーザコンタクト部を備えた
電子回路用配線に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、従来のＣＲＴに代わる新しい表示
装置の開発が盛んに行われるようになってきた。その中
でも液晶表示装置は薄型で低電力動作が可能であるため
家電、ＯＡ機器の市場での期待は大きいものがある。
装置の開発が盛んに行われるようになってきた。その中
でも液晶表示装置は薄型で低電力動作が可能であるため
家電、ＯＡ機器の市場での期待は大きいものがある。
【０００３】特に、表示特性の優れた薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）をスイッチング素子に用いたアクティブマト
リクス方式の表示装置は大いに期待され、有望な商品の
開発が行われている。
（ＴＦＴ）をスイッチング素子に用いたアクティブマト
リクス方式の表示装置は大いに期待され、有望な商品の
開発が行われている。
【０００４】しかしながらこの様なアクティブマトリク
ス方式の液晶表示装置は、大型化、高精細化へ進んでお
り、画素数の増加あるいは画素密度の増加を招き、結果
として画素欠陥の発生率が高まるので、製造歩留まりが
著しく低下することが大きな問題となっている。
ス方式の液晶表示装置は、大型化、高精細化へ進んでお
り、画素数の増加あるいは画素密度の増加を招き、結果
として画素欠陥の発生率が高まるので、製造歩留まりが
著しく低下することが大きな問題となっている。
【０００５】この問題を解決する方法として、１画素に
電気的に接続されたＴＦＴと電気的に接続されていない
予備のＴＦＴを配置し、接続されたＴＦＴが正常に作動
しない場合にはレーザビームのような高エネルギービー
ムを用いて予備のＴＦＴを接続するという方法が提案さ
れている。図９を用いて、このレーザビームの照射によ
って接続される状態にある、重畳配置した導体膜（レー
ザコンタクト部）の構造を説明する。
電気的に接続されたＴＦＴと電気的に接続されていない
予備のＴＦＴを配置し、接続されたＴＦＴが正常に作動
しない場合にはレーザビームのような高エネルギービー
ムを用いて予備のＴＦＴを接続するという方法が提案さ
れている。図９を用いて、このレーザビームの照射によ
って接続される状態にある、重畳配置した導体膜（レー
ザコンタクト部）の構造を説明する。
【０００６】図９（ａ）は重畳配置した導体膜の平面図
である。図中９０１、９０２は導体膜である。２０６は
レーザビーム照射部を表している。レーザビームは断面
の裏面から照射するので実際にはまず導体膜９０１にレ
ーザビームは当たる。図において絶縁膜は省略してい
る。
である。図中９０１、９０２は導体膜である。２０６は
レーザビーム照射部を表している。レーザビームは断面
の裏面から照射するので実際にはまず導体膜９０１にレ
ーザビームは当たる。図において絶縁膜は省略してい
る。
【０００７】Ｄ1 Ｄ2 での断面図を図９（ｂ）に示す。
基板９０３上に導体膜９０１、絶縁膜９０４、導体膜９
０２、パッシベーション膜９０５が形成されている。実
際には基板９０３から見てパッシベーション膜９０５上
に液晶（図示せず。）が封入されている。
基板９０３上に導体膜９０１、絶縁膜９０４、導体膜９
０２、パッシベーション膜９０５が形成されている。実
際には基板９０３から見てパッシベーション膜９０５上
に液晶（図示せず。）が封入されている。
【０００８】図９（ｂ）のＥの方向からレーザを照射す
ると、先ず導体膜９０１がレーザのエネルギーを吸収し
急激に加熱され、液化あるいは気化し体積が膨張する。
その結果絶縁膜９０４、導体膜９０２、パッシベーショ
ン膜９０５が突き破られる。そのとき導体膜９０１の液
層はレーザ照射によって発生した穴の周囲に付着し、導
体膜９０２と電気的コンタクトをとる働きをする。その
結果導体膜９０１と導体膜９０２は電気的に接続され
る。
ると、先ず導体膜９０１がレーザのエネルギーを吸収し
急激に加熱され、液化あるいは気化し体積が膨張する。
その結果絶縁膜９０４、導体膜９０２、パッシベーショ
ン膜９０５が突き破られる。そのとき導体膜９０１の液
層はレーザ照射によって発生した穴の周囲に付着し、導
体膜９０２と電気的コンタクトをとる働きをする。その
結果導体膜９０１と導体膜９０２は電気的に接続され
る。
【０００９】ところがリペアしない場合レーザコンタク
ト部は導体膜が絶縁膜を介して重畳した構造であるた
め、当然寄生容量を有する。この様なレーザコンタクト
部の寄生容量は無視できない大きさである。したがっ
て、リペアした場合には寄生容量はなくなるので、リペ
アした画素としない画素とでは、その表示特性に大きな
差が生じるという問題を有している。したがって表示特
性の不均一を招き、品質が大きく低下してしまうという
問題を有している。
ト部は導体膜が絶縁膜を介して重畳した構造であるた
め、当然寄生容量を有する。この様なレーザコンタクト
部の寄生容量は無視できない大きさである。したがっ
て、リペアした場合には寄生容量はなくなるので、リペ
アした画素としない画素とでは、その表示特性に大きな
差が生じるという問題を有している。したがって表示特
性の不均一を招き、品質が大きく低下してしまうという
問題を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
レーザコンタクト部は無視できない寄生容量を持つため
ＬＣＤの表示特性に大きな影響を与える。また、リペア
した画素としない画素とではその寄生容量に大きな差が
生じてしまい画素の不均一を招きＬＣＤの品質が大きく
低下するという問題点があった。
レーザコンタクト部は無視できない寄生容量を持つため
ＬＣＤの表示特性に大きな影響を与える。また、リペア
した画素としない画素とではその寄生容量に大きな差が
生じてしまい画素の不均一を招きＬＣＤの品質が大きく
低下するという問題点があった。
【００１１】本発明は上記問題点に絡み成されたもの
で、寄生容量が小さく、なおかつレーザビーム照射後に
確実に電気的コンタクトのとれる電子回路用配線を提供
するものである。
で、寄生容量が小さく、なおかつレーザビーム照射後に
確実に電気的コンタクトのとれる電子回路用配線を提供
するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の［請求項１］記
載の電子用配線は、基板と、この基板上に形成された第
１の導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁膜
と、この絶縁膜上に前記第１の導体膜と重畳配置するよ
うに形成された第２の導体膜とを具備し、前記第１の導
体膜と第２の導体膜は、重畳部分にレーザビームを照射
することによって電気的に接続が可能な状態にあり、前
記第１の導体膜と第２の導体膜のうち少なくとも一方の
導体膜の重畳部分の少なくとも一部が除去されているこ
とを特徴とするものである。
載の電子用配線は、基板と、この基板上に形成された第
１の導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁膜
と、この絶縁膜上に前記第１の導体膜と重畳配置するよ
うに形成された第２の導体膜とを具備し、前記第１の導
体膜と第２の導体膜は、重畳部分にレーザビームを照射
することによって電気的に接続が可能な状態にあり、前
記第１の導体膜と第２の導体膜のうち少なくとも一方の
導体膜の重畳部分の少なくとも一部が除去されているこ
とを特徴とするものである。
【００１３】また、［請求項２］記載の電子回路用配線
は、基板と、この基板上に形成された第１の導体膜と、
この第１の導体膜上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
上に第１の導体膜と重畳配置するように形成された第２
の導体膜とを具備し、第１の導体膜と第２の導体膜は重
畳部分にレーザビームを照射することによって電気的に
接続される状態にあり、第１の導体膜と第２の導体膜の
うち少なくとも一方の導体膜の重畳部分のレーザビーム
の照射する領域の内側が除去されていることを特徴とす
るものである。
は、基板と、この基板上に形成された第１の導体膜と、
この第１の導体膜上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
上に第１の導体膜と重畳配置するように形成された第２
の導体膜とを具備し、第１の導体膜と第２の導体膜は重
畳部分にレーザビームを照射することによって電気的に
接続される状態にあり、第１の導体膜と第２の導体膜の
うち少なくとも一方の導体膜の重畳部分のレーザビーム
の照射する領域の内側が除去されていることを特徴とす
るものである。
【００１４】
【作用】本発明によれば、レーザコンタクト部のレーザ
ビーム照射部の内部を除去することにより、レーザ照射
の際第１の導体膜と第２の導体膜が電気的に接続可能な
状態を維持しながら、重畳配置された導体膜の寄生容量
を低減することができる。
ビーム照射部の内部を除去することにより、レーザ照射
の際第１の導体膜と第２の導体膜が電気的に接続可能な
状態を維持しながら、重畳配置された導体膜の寄生容量
を低減することができる。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス
型ＴＦＴ液晶表示装置について説明する。図１はＴＦＴ
アレイの一つの画素に関する平面構成図である。層間絶
縁膜を除去した状態を示している。
る。本発明の第１の実施例に係るアクティブマトリクス
型ＴＦＴ液晶表示装置について説明する。図１はＴＦＴ
アレイの一つの画素に関する平面構成図である。層間絶
縁膜を除去した状態を示している。
【００１６】走査線１０１はゲート電極１０２に接続さ
れており、信号線１０３はドレイン電極１０４と接続さ
れている。また、ソース電極１０５は画素電極１０６と
接続されており、ソース電極１１２はレーザコンタクト
部１１０を介して画素電極に接続されている。レーザコ
ンタクト部１１０は電気的に絶縁されソース電極１１２
及び画素電極１０６に重畳配置されている。１０７はＴ
ＦＴであり、１０８は予備のＴＦＴである。配線１０９
はアースされていて、画素電極１０６と絶縁層を介しコ
ンデンサを形成している。
れており、信号線１０３はドレイン電極１０４と接続さ
れている。また、ソース電極１０５は画素電極１０６と
接続されており、ソース電極１１２はレーザコンタクト
部１１０を介して画素電極に接続されている。レーザコ
ンタクト部１１０は電気的に絶縁されソース電極１１２
及び画素電極１０６に重畳配置されている。１０７はＴ
ＦＴであり、１０８は予備のＴＦＴである。配線１０９
はアースされていて、画素電極１０６と絶縁層を介しコ
ンデンサを形成している。
【００１７】以上のように構成されたＴＦＴアレイにお
いて信号線１０３に信号電圧、走査線１０１に走査電圧
が与えられた場合、個々のＴＦＴのスイッチングが行わ
れ画素電極１０６に信号が入力される。
いて信号線１０３に信号電圧、走査線１０１に走査電圧
が与えられた場合、個々のＴＦＴのスイッチングが行わ
れ画素電極１０６に信号が入力される。
【００１８】ここで、ＴＦＴ１０７は画素電極１０６と
接続されているが、予備のＴＦＴ１０８は待機した状態
になっており、画素電極１０６とはレーザコンタクト部
１１０を介して配置され電気的に接続されていない。仮
に、ＴＦＴ１０７が不良であった場合、レーザビーム照
射により２か所のレーザコンタクト部１１０を電気的に
接続し、同じくレーザビーム照射によってＴＦＴ１０７
のソース電極１０５を１１１部分で切断する。こうする
ことにより予備のＴＦＴ１０８を画素電極１０６と電気
的に接続する。２個のＴＦＴの両方が不良となる確率は
極めて低いため、この方法によりＴＦＴに関する不良点
欠陥画素はほぼ１００％修復できる。
接続されているが、予備のＴＦＴ１０８は待機した状態
になっており、画素電極１０６とはレーザコンタクト部
１１０を介して配置され電気的に接続されていない。仮
に、ＴＦＴ１０７が不良であった場合、レーザビーム照
射により２か所のレーザコンタクト部１１０を電気的に
接続し、同じくレーザビーム照射によってＴＦＴ１０７
のソース電極１０５を１１１部分で切断する。こうする
ことにより予備のＴＦＴ１０８を画素電極１０６と電気
的に接続する。２個のＴＦＴの両方が不良となる確率は
極めて低いため、この方法によりＴＦＴに関する不良点
欠陥画素はほぼ１００％修復できる。
【００１９】図２（ａ）は図１のレーザコンタクト部分
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中２０１、
２０２は第１の導体膜、第２の導体膜である。２０６は
レーザビーム照射部を表している。レーザビームは基板
側から照射するので実際にはまず導体膜２０１が照射さ
れる。（以下同様。）図中絶縁膜は省略している。導体
膜２０２はレーザビーム照射部の内部が除去されており
本実施例では重なり合う部分の面積はレーザビーム照射
部の内部が除去されないものと比べて約３０％に抑えら
れている。このため、実質的な重畳面積が低減されてお
り、レーザコンタクト部の寄生容量を低減することがで
きる。
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中２０１、
２０２は第１の導体膜、第２の導体膜である。２０６は
レーザビーム照射部を表している。レーザビームは基板
側から照射するので実際にはまず導体膜２０１が照射さ
れる。（以下同様。）図中絶縁膜は省略している。導体
膜２０２はレーザビーム照射部の内部が除去されており
本実施例では重なり合う部分の面積はレーザビーム照射
部の内部が除去されないものと比べて約３０％に抑えら
れている。このため、実質的な重畳面積が低減されてお
り、レーザコンタクト部の寄生容量を低減することがで
きる。
【００２０】図２（ａ）中のＡ1 Ａ2 での断面図を図２
（ｂ）に示す。基板２０３上に導体膜２０１、絶縁膜２
０４、導体膜２０２、パッシベーション膜２０５が形成
されている。基板２０３から見てパッシベーション膜２
０５上に液晶が封入されている。
（ｂ）に示す。基板２０３上に導体膜２０１、絶縁膜２
０４、導体膜２０２、パッシベーション膜２０５が形成
されている。基板２０３から見てパッシベーション膜２
０５上に液晶が封入されている。
【００２１】図２（ｂ）のＥの方向からレーザビームを
照射すると、先ず導体膜２０１がレーザビームのエネル
ギーを吸収し急激に加熱され、液化あるいは気化し体積
が膨張する。その結果絶縁膜２０４、パッシベーション
膜２０５が突き破られる。そのとき導体膜２０１の液層
はレーザ照射によって発生した穴の周囲に付着し、導体
膜２０２と電気的コンタクトをとる。導体膜２０２の穴
の周辺部は除去されていないので、電気的コンタクトに
関しては全く問題はなく、リペア成功率は維持される。
照射すると、先ず導体膜２０１がレーザビームのエネル
ギーを吸収し急激に加熱され、液化あるいは気化し体積
が膨張する。その結果絶縁膜２０４、パッシベーション
膜２０５が突き破られる。そのとき導体膜２０１の液層
はレーザ照射によって発生した穴の周囲に付着し、導体
膜２０２と電気的コンタクトをとる。導体膜２０２の穴
の周辺部は除去されていないので、電気的コンタクトに
関しては全く問題はなく、リペア成功率は維持される。
【００２２】ところで、導体膜２０２はあらかじめレー
ザビーム照射部の内部が除去されているので、レーザ照
射により液晶中に飛散する導体膜を大幅に低減させるこ
とができる。したがって液晶中の飛散物によるダメージ
は低減され、その結果表示欠陥の発生も抑えられること
が本発明者の実験により明らかとなった。
ザビーム照射部の内部が除去されているので、レーザ照
射により液晶中に飛散する導体膜を大幅に低減させるこ
とができる。したがって液晶中の飛散物によるダメージ
は低減され、その結果表示欠陥の発生も抑えられること
が本発明者の実験により明らかとなった。
【００２３】なお、導体膜２０２の除去される部分は照
射するレーザビームの照射する面積の大きさより若干小
さい程度が望ましく、これによりリペア成功率をさらに
維持しながら、寄生容量を小さくすることが可能とな
る。また導体膜２０２除去部分は２カ所以上でも良い。
射するレーザビームの照射する面積の大きさより若干小
さい程度が望ましく、これによりリペア成功率をさらに
維持しながら、寄生容量を小さくすることが可能とな
る。また導体膜２０２除去部分は２カ所以上でも良い。
【００２４】ところでＴＦＴアレイでは、トランジスタ
のＯＦＦ時にスイッチングノイズが発生し画素電位がシ
フトしてしまうことが知られている。図３、図４を用い
てこの画素電位のシフトについて説明する。
のＯＦＦ時にスイッチングノイズが発生し画素電位がシ
フトしてしまうことが知られている。図３、図４を用い
てこの画素電位のシフトについて説明する。
【００２５】図３はＴＦＴアレイ１画素の等価回路であ
る。ＴＦＴ３０１、ＴＦＴのゲートソース間の寄生容量
３０２、液晶容量３０３、蓄積容量３０４が図３に示す
ように接続されている。端子Ａは信号線、端子Ｂは走査
線にそれぞれ接続され、端子Ｄ、端子Ｅは対向電極。
る。ＴＦＴ３０１、ＴＦＴのゲートソース間の寄生容量
３０２、液晶容量３０３、蓄積容量３０４が図３に示す
ように接続されている。端子Ａは信号線、端子Ｂは走査
線にそれぞれ接続され、端子Ｄ、端子Ｅは対向電極。
【００２６】この回路に単位ＡにＶｄの電圧を印加し、
端子Ｂから図４（ａ）に示すような大きさｄＶｇ４０１
のパルス波を加えると、Ｃ点の電位は図４（ｂ）のグラ
フに示すような特性を示す。縦軸は画素電位、横軸は時
間である。４０２の電圧シフトは、トランジスタの寄生
容量３０２のために起こる現象である。
端子Ｂから図４（ａ）に示すような大きさｄＶｇ４０１
のパルス波を加えると、Ｃ点の電位は図４（ｂ）のグラ
フに示すような特性を示す。縦軸は画素電位、横軸は時
間である。４０２の電圧シフトは、トランジスタの寄生
容量３０２のために起こる現象である。
【００２７】ここで電圧シフト４０２をｄＶｐ、トラン
ジスタＯＦＦ時のゲート電圧のシフト量４０１をｄＶ
ｇ、ＴＦＴのゲートソース間の寄生容量３０２をＣｇ
ｓ、液晶容量３０３をＣｌｃ、蓄積容量３０４をＣｓと
すると ｄＶｐ＝Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（１） で求められる。画素の明るさは図４（ｂ）に示す実効電
圧によって決まるので、ｄＶｐは表示特性に大きな影響
を与えることが知られており、パネル内でｄＶｐを均一
にする必要がある。図５にリペア前とリペア後の等価回
路を示す。
ジスタＯＦＦ時のゲート電圧のシフト量４０１をｄＶ
ｇ、ＴＦＴのゲートソース間の寄生容量３０２をＣｇ
ｓ、液晶容量３０３をＣｌｃ、蓄積容量３０４をＣｓと
すると ｄＶｐ＝Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（１） で求められる。画素の明るさは図４（ｂ）に示す実効電
圧によって決まるので、ｄＶｐは表示特性に大きな影響
を与えることが知られており、パネル内でｄＶｐを均一
にする必要がある。図５にリペア前とリペア後の等価回
路を示す。
【００２８】図５（ａ）はリペア前の等価回路図で、第
１のＴＦＴのゲートソース間の寄生容量を示すコンデン
サ５０１、予備のＴＦＴのゲートソース間の寄生容量５
０２、レーザコンタクト部の寄生容量５０３、液晶容量
３０３、蓄積容量３０４が図に示すように接続されてい
る。端子Ｇは走査線に接続されていて、端子Ｄ、端子Ｅ
はそれぞれコモン電極に接続されている。
１のＴＦＴのゲートソース間の寄生容量を示すコンデン
サ５０１、予備のＴＦＴのゲートソース間の寄生容量５
０２、レーザコンタクト部の寄生容量５０３、液晶容量
３０３、蓄積容量３０４が図に示すように接続されてい
る。端子Ｇは走査線に接続されていて、端子Ｄ、端子Ｅ
はそれぞれコモン電極に接続されている。
【００２９】図５（ｂ）はリペア後の等価回路で、リペ
ア後には第１のＴＦＴは切断し、またレーザコンタクト
部で電気的に接続するので、第１のＴＦＴのゲートソー
ス間の寄生容量５０１及び、レーザコンタクト部での寄
生容量５０３は消滅する。したがって図５（ｂ）に示す
ような等価回路で表される。端子Ｇは走査線に接続され
ていて端子Ｂ、端子Ｃはそれぞれコモン電極に接続され
ている。
ア後には第１のＴＦＴは切断し、またレーザコンタクト
部で電気的に接続するので、第１のＴＦＴのゲートソー
ス間の寄生容量５０１及び、レーザコンタクト部での寄
生容量５０３は消滅する。したがって図５（ｂ）に示す
ような等価回路で表される。端子Ｇは走査線に接続され
ていて端子Ｂ、端子Ｃはそれぞれコモン電極に接続され
ている。
【００３０】ここで図５（ａ）に示す回路では、第１の
ＴＦＴの寄生容量５０１、予備のＴＦＴの寄生容量５０
２をともにＣｇｓ、レーザコンタクト部の寄生容量５０
３をＣとするとこれらの見かけ上の容量の大きさは Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（Ｃｇｓ＋Ｃ））…（２） となり、この値を用いて電圧シフトｄＶｐ1 を求めると
（１）式のＣｇｓの代わりに（２）式で表される容量を
代入することにより ｄＶｐ1 ＝Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（Ｃｇｓ＋Ｃ））／（Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（ Ｃｇｓ＋Ｃ））＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（３） と表せる。また図５（ｂ）に示す回路で突き抜け電圧し
ｄＶｐ2 を求めると（１）式より ｄＶｐ2 ＝Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（４） となる。（３）式と（４）式を比べるとレーザコンタク
ト部の寄生容量Ｃの値は常に正であるからｄＶｐ1 −ｄ
Ｖｐ2 ＞０が必ず成り立つ。従来のようにレーザコンタ
クト部の寄生容量Ｃの値が大きいとｄＶｐ1 −ｄＶｐ2
の値は大きくなりリペア前後での電圧シフトが大きく変
化してしまう。このことは画素の表示特性に大きく影響
を与えてしまう。ｄＶｐ1 とｄＶｐ2 の差をできるだけ
小さくするためには、レーザコンタクト部の寄生容量Ｃ
をできるだけ小さくすることが望ましい。本発明者の実
験によると重なり合う部分を従来の７０％以下に抑え、
レーザコンタクト部の寄生容量Ｃを７０％程度に抑える
と表示特性の向上が得られた。また本発明はＬＣＤに限
るものではない。以下同一箇所は同一符号を用いてその
詳しい説明を省いた。次に図６において、本発明の第２
の実施例を説明する。
ＴＦＴの寄生容量５０１、予備のＴＦＴの寄生容量５０
２をともにＣｇｓ、レーザコンタクト部の寄生容量５０
３をＣとするとこれらの見かけ上の容量の大きさは Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（Ｃｇｓ＋Ｃ））…（２） となり、この値を用いて電圧シフトｄＶｐ1 を求めると
（１）式のＣｇｓの代わりに（２）式で表される容量を
代入することにより ｄＶｐ1 ＝Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（Ｃｇｓ＋Ｃ））／（Ｃｇｓ×（１＋Ｃ／（ Ｃｇｓ＋Ｃ））＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（３） と表せる。また図５（ｂ）に示す回路で突き抜け電圧し
ｄＶｐ2 を求めると（１）式より ｄＶｐ2 ＝Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｌｃ＋Ｃｓ）×ｄＶｇ…（４） となる。（３）式と（４）式を比べるとレーザコンタク
ト部の寄生容量Ｃの値は常に正であるからｄＶｐ1 −ｄ
Ｖｐ2 ＞０が必ず成り立つ。従来のようにレーザコンタ
クト部の寄生容量Ｃの値が大きいとｄＶｐ1 −ｄＶｐ2
の値は大きくなりリペア前後での電圧シフトが大きく変
化してしまう。このことは画素の表示特性に大きく影響
を与えてしまう。ｄＶｐ1 とｄＶｐ2 の差をできるだけ
小さくするためには、レーザコンタクト部の寄生容量Ｃ
をできるだけ小さくすることが望ましい。本発明者の実
験によると重なり合う部分を従来の７０％以下に抑え、
レーザコンタクト部の寄生容量Ｃを７０％程度に抑える
と表示特性の向上が得られた。また本発明はＬＣＤに限
るものではない。以下同一箇所は同一符号を用いてその
詳しい説明を省いた。次に図６において、本発明の第２
の実施例を説明する。
【００３１】図６（ａ）は図１のレーザコンタクト部分
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中６０１、
６０２は導体膜である。２０６はレーザビーム照射部を
表している。導体膜６０１はレーザビーム照射部の内部
が除去されており本実施例では重なり合う部分の面積は
レーザビーム照射部の内部が除去されないものと比べて
約３０％に抑えられている。このため、実質的な重畳面
積が低減されており、レーザコンタクト部の寄生容量を
低減することができる。
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中６０１、
６０２は導体膜である。２０６はレーザビーム照射部を
表している。導体膜６０１はレーザビーム照射部の内部
が除去されており本実施例では重なり合う部分の面積は
レーザビーム照射部の内部が除去されないものと比べて
約３０％に抑えられている。このため、実質的な重畳面
積が低減されており、レーザコンタクト部の寄生容量を
低減することができる。
【００３２】Ｂ1 Ｂ2 での断面図を図６（ｂ）に示す。
基板２０３上に導体膜６０１、絶縁膜２０４、導体膜６
０２、パッシベーション膜２０５が形成されている。基
板２０３から見てパッシベーション膜２０５上に液晶が
封入されている。
基板２０３上に導体膜６０１、絶縁膜２０４、導体膜６
０２、パッシベーション膜２０５が形成されている。基
板２０３から見てパッシベーション膜２０５上に液晶が
封入されている。
【００３３】図６（ｂ）のＥの方向からレーザビームを
照射すると、導体膜６０１の中心部付近は除去されてい
るので、導体膜６０１と導体膜６０２が同時にレーザビ
ームのエネルギーを吸収し急激に加熱され、液化あるい
は気化し体積が膨張する。この結果絶縁膜２０４、パッ
シベーション膜２０５が突き破られる。そのとき導体膜
６０１と導体膜６０２の液層はレーザビーム照射によっ
て発生した穴の周囲に付着しお互いに電気的コンタクト
をとる。導体膜６０２のレーザビーム照射部の周辺部は
除去されていないので、電気的コンタクトに関しては全
く問題はなく、リペア成功率は維持される。
照射すると、導体膜６０１の中心部付近は除去されてい
るので、導体膜６０１と導体膜６０２が同時にレーザビ
ームのエネルギーを吸収し急激に加熱され、液化あるい
は気化し体積が膨張する。この結果絶縁膜２０４、パッ
シベーション膜２０５が突き破られる。そのとき導体膜
６０１と導体膜６０２の液層はレーザビーム照射によっ
て発生した穴の周囲に付着しお互いに電気的コンタクト
をとる。導体膜６０２のレーザビーム照射部の周辺部は
除去されていないので、電気的コンタクトに関しては全
く問題はなく、リペア成功率は維持される。
【００３４】ところで、導体膜６０１はあらかじめレー
ザビーム照射部の内部が除去されているので、レーザビ
ーム照射により液晶中に飛散する導体膜を大幅に低減さ
せることができる。したがって液晶へのダメージによる
表示欠陥の発生も抑えられることが本発明者の実験によ
り明らかとなった。
ザビーム照射部の内部が除去されているので、レーザビ
ーム照射により液晶中に飛散する導体膜を大幅に低減さ
せることができる。したがって液晶へのダメージによる
表示欠陥の発生も抑えられることが本発明者の実験によ
り明らかとなった。
【００３５】なお、導体膜６０１の除去される部分は照
射するレーザビームの面積の大きさより若干小さい程度
が望ましい。これによりリペア成功率をさらに維持しな
がら、寄生容量を小さくすることが可能となる。また導
体膜６０１除去部分は２カ所以上でも良い。次に図７に
おいて、本発明の第３の実施例を説明する。
射するレーザビームの面積の大きさより若干小さい程度
が望ましい。これによりリペア成功率をさらに維持しな
がら、寄生容量を小さくすることが可能となる。また導
体膜６０１除去部分は２カ所以上でも良い。次に図７に
おいて、本発明の第３の実施例を説明する。
【００３６】図７（ａ）は図１のレーザコンタクト部分
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中７０１、
７０２は導体膜である。２０６はレーザビーム照射部を
表す。導体膜７０１はレーザビーム照射部の内部が除去
されコの形に、導体膜７０２もレーザビーム照射部の内
部が除去されてカギ状に形成されている。本実施例では
重なり合う部分の面積はレーザビーム照射部の内部が除
去されないものと比べて約２５％に抑えられている。こ
のため、実質的な重畳面積が低減されており、レーザコ
ンタクト部の寄生容量を低減することができる。
で、重畳配置した導体膜の平面図である。図中７０１、
７０２は導体膜である。２０６はレーザビーム照射部を
表す。導体膜７０１はレーザビーム照射部の内部が除去
されコの形に、導体膜７０２もレーザビーム照射部の内
部が除去されてカギ状に形成されている。本実施例では
重なり合う部分の面積はレーザビーム照射部の内部が除
去されないものと比べて約２５％に抑えられている。こ
のため、実質的な重畳面積が低減されており、レーザコ
ンタクト部の寄生容量を低減することができる。
【００３７】Ｃ1 Ｃ2 での断面図を図７（ｂ）に示す。
基板２０３上に導体膜７０１、絶縁膜２０４、導体膜７
０２、パッシベーション膜２０５が形成されている。基
板２０３から見てパッシベーション膜２０５側に液晶が
封入されている。
基板２０３上に導体膜７０１、絶縁膜２０４、導体膜７
０２、パッシベーション膜２０５が形成されている。基
板２０３から見てパッシベーション膜２０５側に液晶が
封入されている。
【００３８】図７（ｂ）のＥの方向からレーザビームを
照射すると、導体膜７０１、導体膜７０２のレーザビー
ム照射部の内部は除去されているので、導体膜７０１と
導体膜７０２が同時にレーザのエネルギーを吸収し急激
に加熱され、液化あるいは気化し体積が膨張する。この
結果絶縁膜２０４、パッシベーション膜２０５が突き破
られる。そのとき導体膜７０１と導体膜７０２の液層は
レーザビーム照射によって発生した穴の周囲に付着しお
互いに電気的コンタクトをとる。導体膜７０１、導体膜
７０２のレーザビーム照射部の内部の一部は除去されて
いないので、電気的コンタクトに関しては全く問題はな
く、リペア成功率は維持される。
照射すると、導体膜７０１、導体膜７０２のレーザビー
ム照射部の内部は除去されているので、導体膜７０１と
導体膜７０２が同時にレーザのエネルギーを吸収し急激
に加熱され、液化あるいは気化し体積が膨張する。この
結果絶縁膜２０４、パッシベーション膜２０５が突き破
られる。そのとき導体膜７０１と導体膜７０２の液層は
レーザビーム照射によって発生した穴の周囲に付着しお
互いに電気的コンタクトをとる。導体膜７０１、導体膜
７０２のレーザビーム照射部の内部の一部は除去されて
いないので、電気的コンタクトに関しては全く問題はな
く、リペア成功率は維持される。
【００３９】ところで、導体膜７０１、導体膜７０２は
あらかじめレーザビーム照射部の内部が除去されている
ので、レーザビーム照射により液晶中に飛散する導体膜
を大幅に低減させることができる。したがって液晶への
ダメージによる表示欠陥の発生も抑えられることが本発
明者の実験により明らかとなった。
あらかじめレーザビーム照射部の内部が除去されている
ので、レーザビーム照射により液晶中に飛散する導体膜
を大幅に低減させることができる。したがって液晶への
ダメージによる表示欠陥の発生も抑えられることが本発
明者の実験により明らかとなった。
【００４０】なお、導体膜７０１の除去される部分は照
射するレーザビームの大きさより若干小さい程度が望ま
しい。これによりリペア成功率をさらに維持しながら、
寄生容量を小さくすることが可能となる。また上部電極
除去部分は２カ所以上でも良い。
射するレーザビームの大きさより若干小さい程度が望ま
しい。これによりリペア成功率をさらに維持しながら、
寄生容量を小さくすることが可能となる。また上部電極
除去部分は２カ所以上でも良い。
【００４１】なお以上の実施例ではＬＣＤについて説明
してきたが本発明の目的はレーザコンタクト部の寄生容
量を低減することにあり、広く集積回路全般に当てはま
るものである。以下に集積回路について説明する。図８
は本発明による集積回路の平面図である。
してきたが本発明の目的はレーザコンタクト部の寄生容
量を低減することにあり、広く集積回路全般に当てはま
るものである。以下に集積回路について説明する。図８
は本発明による集積回路の平面図である。
【００４２】基板８０１例えばシリコン基板表面に素子
８０２例えばトランジスタ、レーザコンタクト部８０
３、配線８０４が図８に示すように形成されている。図
中８０２のように四角で表されているのは素子、８０３
のように線で表されているのは配線、８０４のように丸
で表されているのはレーザコンタクト部である。この場
合レーザービーム照射は基板上面より行う。この様な装
置を製作しておいて任意のレーザコンタクト部を電気的
に接続することによって全体として任意の装置が提供で
きる。この様に素子形成後フレキシブルに装置の修正、
修理が可能になるのでオーダメイドによる装置を早く納
入でき、見込み生産をするよりも歩留まり向上に役立
つ。さらにレーザコンタクト部の寄生容量を大きく抑え
ているので不必要な寄生容量の低減が実現でき装置の信
頼性も格段に向上する。また本実施例のレーザコンタク
ト部では２つの導体膜について説明してきたが３つ以上
の導体膜が重畳配置されたものについても応用できるも
のである。
８０２例えばトランジスタ、レーザコンタクト部８０
３、配線８０４が図８に示すように形成されている。図
中８０２のように四角で表されているのは素子、８０３
のように線で表されているのは配線、８０４のように丸
で表されているのはレーザコンタクト部である。この場
合レーザービーム照射は基板上面より行う。この様な装
置を製作しておいて任意のレーザコンタクト部を電気的
に接続することによって全体として任意の装置が提供で
きる。この様に素子形成後フレキシブルに装置の修正、
修理が可能になるのでオーダメイドによる装置を早く納
入でき、見込み生産をするよりも歩留まり向上に役立
つ。さらにレーザコンタクト部の寄生容量を大きく抑え
ているので不必要な寄生容量の低減が実現でき装置の信
頼性も格段に向上する。また本実施例のレーザコンタク
ト部では２つの導体膜について説明してきたが３つ以上
の導体膜が重畳配置されたものについても応用できるも
のである。
【００４３】また本発明は、配線だけを集積することも
可能でありこの配線チップをレーザビーム照射によって
任意のパターンに加工することもできる。この場合にも
不要な寄生容量を低減でき信頼性の向上に貢献できる。
その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
可能でありこの配線チップをレーザビーム照射によって
任意のパターンに加工することもできる。この場合にも
不要な寄生容量を低減でき信頼性の向上に貢献できる。
その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
ペア成功率を維持したままレーザコンタクト部の寄生容
量を低減することができるので、レーザコンタクト部の
寄生容量による素子の劣化を抑えることができ、リペア
前後での素子特性の差異を抑えることが可能となる。
ペア成功率を維持したままレーザコンタクト部の寄生容
量を低減することができるので、レーザコンタクト部の
寄生容量による素子の劣化を抑えることができ、リペア
前後での素子特性の差異を抑えることが可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係る第１のＴＦＴと
予備のＴＦＴを含むＬＣＤの１画素を表す基板の裏から
見た平面図。
予備のＴＦＴを含むＬＣＤの１画素を表す基板の裏から
見た平面図。
【図２】 本発明の第１の実施例に係るレーザコンタク
ト部の平面図及び断面図。
ト部の平面図及び断面図。
【図３】 ＴＦＴＬＣＤ１画素の等価回路。
【図４】 トランジスタのＯＦＦ時のスイッチングノイ
ズにより画素電位がシフトする様子を表すグラフ。
ズにより画素電位がシフトする様子を表すグラフ。
【図５】 第１のＴＦＴと予備のＴＦＴを含むＬＣＤ１
画素のリペア前後の等価回路。
画素のリペア前後の等価回路。
【図６】 本発明の第２の実施例に係るレーザコンタク
ト部の平面図及び断面図。
ト部の平面図及び断面図。
【図７】 本発明の第３の実施例に係るレーザコンタク
ト部の平面図及び断面図。
ト部の平面図及び断面図。
【図８】 本発明の第４の実施例に係る集積回路の平面
図。
図。
【図９】 従来のレーザコンタクト部の平面図及び断面
図。
図。
１０１…走査線 １０２…ゲート電極 １０３…信号線 １０４…ドレイン電極 １０５…ソース電極 １０６…画素電極 １０７…第１のＴＦＴ １０８…予備のＴＦＴ １０９…画素電極とコンデンサを形成する配線 １１０…レーザコンタクト部 １１１…リペアする場合第１のＴＦＴの切断部 １１２…ソース電極 ２０１…下部導体膜 ２０２…上部導体膜 ２０３…硝子基板 ２０４…絶縁膜 ２０５…パッシベーション膜 ２０６…レーザビーム照射部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に形成された第１の
導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁膜と、
この絶縁膜上に前記第１の導体膜と重畳配置するように
形成された第２の導体膜とを具備し、 前記第１の導体膜と第２の導体膜は、重畳部分にレーザ
ビームを照射することによって電気的に接続が可能な状
態にあり、前記第１の導体膜と第２の導体膜のうち少な
くとも一方の導体膜の重畳部分の少なくとも一部が除去
されていることを特徴とする電子回路用配線。 - 【請求項２】 基板と、この基板上に形成された第１の
導体膜と、この第１の導体膜上に形成された絶縁膜と、
この絶縁膜上に前記第１の導体膜と重畳配置するように
形成された第２の導体膜とを具備し、 前記第１の導体膜と第２の導体膜は重畳部分にレーザビ
ームを照射することによって電気的に接続される状態に
あり、前記第１の導体膜と第２の導体膜のうち少なくと
も一方の導体膜の重畳部分の前記レーザビームの照射す
る領域の内側が除去されていることを特徴とする電子回
路用配線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11943092A JP3272028B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 電子回路 |
| US08/060,542 US5373379A (en) | 1992-05-13 | 1993-05-13 | Repairable liquid crystal display panel with laser fusible links |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11943092A JP3272028B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 電子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315460A true JPH05315460A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3272028B2 JP3272028B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=14761244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11943092A Expired - Fee Related JP3272028B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 電子回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5373379A (ja) |
| JP (1) | JP3272028B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458840B1 (ko) * | 1997-04-03 | 2005-09-28 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치의 수리부 |
| JP2007043115A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2007310180A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその欠陥画素修復方法 |
| WO2010116574A1 (ja) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | シャープ株式会社 | アクティブマトリックス基板、表示パネル、表示装置、およびレーザ照射方法 |
| JP2010281972A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5572050A (en) * | 1994-12-06 | 1996-11-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Fuse-triggered antifuse |
| US5473452A (en) * | 1994-12-21 | 1995-12-05 | Goldstar Co., Ltd. | Liquid crystal display device with repair structure |
| US5793095A (en) * | 1996-08-21 | 1998-08-11 | Vlsi Technology, Inc. | Custom laser conductor linkage for integrated circuits |
| JP3687309B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2005-08-24 | カシオ計算機株式会社 | 液晶パネルの欠陥修正方法 |
| US5949323A (en) * | 1998-06-30 | 1999-09-07 | Clear Logic, Inc. | Non-uniform width configurable fuse structure |
| JP3450195B2 (ja) * | 1998-09-07 | 2003-09-22 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示装置及びその修復方法 |
| JP4011002B2 (ja) * | 2003-09-11 | 2007-11-21 | シャープ株式会社 | アクティブ基板、表示装置およびその製造方法 |
| JP2007292878A (ja) * | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI334647B (en) * | 2007-03-03 | 2010-12-11 | Au Optronics Corp | Method for manufacturing pixel structure |
| CN106169486A (zh) | 2016-09-30 | 2016-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829481A (en) * | 1985-08-20 | 1989-05-09 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Defective element disabling circuit having a laser-blown fuse |
| FR2601500B1 (fr) * | 1986-07-11 | 1988-10-21 | Bull Sa | Procede de liaison programmable par laser de deux conducteurs superposes du reseau d'interconnexion d'un circuit integre, et circuit integre en resultant |
| JPH0766132B2 (ja) * | 1987-09-03 | 1995-07-19 | 旭硝子株式会社 | アクティブマトリックス型表示素子 |
| US5025300A (en) * | 1989-06-30 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuits having improved fusible links |
| US5062690A (en) * | 1989-06-30 | 1991-11-05 | General Electric Company | Liquid crystal display with redundant FETS and redundant crossovers connected by laser-fusible links |
| JPH0421823A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Hosiden Corp | 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 |
| JP2766563B2 (ja) * | 1991-03-27 | 1998-06-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5303074A (en) * | 1991-04-29 | 1994-04-12 | General Electric Company | Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices |
| JP2633407B2 (ja) * | 1991-05-08 | 1997-07-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH0566415A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Toshiba Corp | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
| US5260818A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Display panel provided with repair capability of defective elements |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP11943092A patent/JP3272028B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-05-13 US US08/060,542 patent/US5373379A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458840B1 (ko) * | 1997-04-03 | 2005-09-28 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치의 수리부 |
| JP2007043115A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2007310180A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその欠陥画素修復方法 |
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