JPH04265943A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイ
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置
、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配設
された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に表
示パターンが形成される。表示絵素の選択方式として、
個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極のそれ
ぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極を選
択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）素子
、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が
一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向電極
間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチング
して、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層あるいは
プラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、該光
学的変調が表示パターンとして視認される。このような
、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラストの
表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセッ
サ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されている
。

【０００３】図９及び図１０はアクティブマトリクス液
晶表示装置の従来例を示しており、図９に示される従来
例では、対向配置される一対の基板の内の一方の基板上
に、ゲートバスライン２１、２１…を横方向に配線し、
これと直交する縦方向にソースバスライン２３、２３…
を配線してなる。隣接するゲートバスライン２１、２１
およびソースバスライン２３、２３で囲まれた矩形の各
領域には、絵素電極４１が配設される。

【０００４】加えて、ゲートバスライン２１から分岐（
突出）したゲートバス支線２２上には、スイッチング素
子として機能するＴＦＴ３１が形成されている。ゲート
バス支線２２はＴＦＴ３１のゲート電極として機能する
部分と、該部分より幅の小さい部分とを有する。ＴＦＴ
３１のドレイン電極３３は絵素電極４１に電気的に接続
され、ソース電極３２はソースバスライン２３に接続さ
れる。

【０００５】図１０に示される従来例では、ソースバス
ライン２３から分岐（突出）したソースバス支線９０が
ゲートバスライン２１に重畳し、その重畳部分にＴＦＴ
３１が形成される。ＴＦＴ３１のドレイン電極３３は絵
素電極４１に電気的に接続され、ソース電極３２はソー
スバス支線９０を介してソースバスライン２３に接続さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
アクティブマトリクス表示装置において、例えばスイッ
チング素子が不良素子として形成されると、その不良素
子に接続された絵素電極には本来与えられるべき信号が
入力されないため、表示画面上では点状の絵素欠陥、即
ち、点欠陥として認識される。このような点欠陥は、表
示装置の表示品位を著しく損ない、製品歩留りの観点か
ら大きな問題になる。

【０００７】絵素不良の主たる原因は、以下の２種類の
ものに大別される。１つは、走査信号（ゲートバスライ
ンからの信号）によってスイッチング素子が選択されて
いる時間内に、絵素電極を十分に充電できないために起
こる不良（以下ＯＮ不良という）であり、今１つは、ス
イッチング素子の非選択時に絵素電極に充電した電荷が
漏洩する不良（以下ＯＦＦ不良という）である。

【０００８】ここで、ＯＮ不良はスイッチング素子の不
良に起因するが、ＯＦＦ不良はスイッチング素子を介し
て電気的漏洩が起こる場合と、絵素電極とバスラインと
の間に電気的漏洩が起こる場合との２種類がある。ＯＮ
不良、ＯＦＦ不良いずれの場合も、絵素電極と対向電極
との間に印加される電圧が必要な値に達しなくなるため
、ノーマリホワイトモード（液晶に印加される電圧が０
の時に光の透過率等が最大になる表示モード）を採用す
る場合は、絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラック
モード（電圧０で透過率が最低になる表示モード）を採
用する場合は黒点に見えることになる。

【０００９】このような点欠陥はスイッチング素子が配
設される基板の作成段階で発見されれば、レーザートリ
ミング等で修正可能である。しかしながら、該基板の作
成途中で膨大な数の絵素の中からかかる点欠陥を検出す
るのは極めて困難であり、製造時間や製造コストを考慮
すると、量産レベルでは不可能といってよい。特に、絵
素数が１０万〜５０万個におよぶ大型表示パネルでは完
全に不可能であるといえる。

【００１０】その一方、該基板に対向側基板を貼り合わ
せ、液晶を封入した段階でバスラインに検査用の電気信
号を加えて点欠陥を目視で検出する方法があり、この方
法によれば点欠陥を容易に検出できる。しかるに、この
方法によれば、製品の歩留りを向上する上で、その後に
、例えばソースバスラインと絵素電極とを短絡させ、ゲ
ートの選択、非選択にかかわらず、ソースバスラインか
らの信号電圧により絵素電極の電荷の充放電を行わせる
修正作業を要することになるが、図９および図１０に示
される従来例では、ソースバスライン２３と絵素電極４
１との配置構造により、かかる修正が困難であり、結局
、点欠陥を有する製品を破棄しなければならず、コスト
的にデメリットを伴うという欠点がある。

【００１１】上記した理由により、製品の歩留りの向上
を図る上で大きな制約があったのが現状である。

【００１２】本発明は、このような従来技術の欠点を解
決するものであり、絵素欠陥が生じても、これを容易に
修正でき、製品の歩留りを格段に向上できるアクティブ
マトリクス表示装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基
板上にゲートバスラインおよびソースバスラインを格子
状に配線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極を
それぞれ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラ
インおよびソースバスラインにそれぞれスイッチング素
子を接続したアクティブマトリクス液晶表示装置におい
て、該ソースバスラインに該絵素電極に向けて突出し、
該絵素電極と電気的に非接触のソースバスライン突出部
を設ける一方、該ゲートバスラインに該絵素電極に向け
て突出するゲートバスライン突出部を設け、該ゲートバ
スライン突出部に該ソースバスラインを絶縁膜を挟んで
重畳すると共に、該ゲートバスライン突出部の先端に絶
縁膜を挟んで導電体片を設け、該導電体片を該絵素電極
に電気的に接触させる一方、該ソースバスライン突出部
と電気的に非接触にしてなり、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１４】また、本発明のアクティブマトリクス表示
装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上にゲー
トバスラインおよびソースバスラインを格子状に配線し
、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配
設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインおよび
ソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接続し
、且つ該絵素電極の下部に付加容量を形成する付加容量
バスラインを絶縁膜を挟んで形成したアクティブマトリ
クス液晶表示装置において、該ソースバスラインに該絵
素電極に向けて突出し、該絵素電極と電気的に非接触の
ソースバスライン突出部を設ける一方、該付加容量バス
ラインに該絵素電極に向けて突出する付加容量バスライ
ン突出部を設け、該付加容量バスライン突出部に該ソー
スバスラインを絶縁膜を挟んで重畳すると共に、該ゲー
トバスライン突出部の先端に絶縁膜を挟んで導電体片を
設け、該導電体片を該絵素電極に電気的に接触させる一
方、該ソースバスライン突出部と電気的に非接触にして
なり、そのことにより上記目的が達成される。

【００１５】また、本発明のアクティブマトリクス表示
装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上にゲー
トバスラインおよびソースバスラインを格子状に配線し
、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配
設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインおよび
ソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接続し
たアクティブマトリクス液晶表示装置において、各絵素
電極の一部は隣接した該ゲートバスラインに重畳され、
該ゲートバスラインと絶縁膜を挟んで付加容量を形成し
、且つ該ソースバスラインに該絵素電極に向けて突出し
、該絵素電極と電気的に非接触のソースバスライン突出
部を設ける一方、該ゲートバスラインに該絵素電極に向
けて突出するゲートバスライン突出部を設け、該ゲート
バスライン突出部に該ソースバスラインを絶縁膜を挟ん
で重畳すると共に、該ゲートバスライン突出部の先端に
絶縁膜を挟んで導電体片を設け、該導電体片を該絵素電
極に電気的に接触させる一方、該ソースバスライン突出
部と電気的に非接触にしてなり、そのことにより上記目
的が達成される。

【００１６】

【作用】上記構成のアクティブマトリクス表示装置にお
いて、スイッチング素子が配設される基板と対向電極側
の基板とを貼り合わせ、両者間に液晶を封入した後、ゲ
ートバスライン、ソースバスラインおよび絵素電極に適
当な駆動信号を与えると、アクティブマトリクス表示装
置が表示パターンを表示するので、その表示画面を視認
することにより、点欠陥を容易に発見できる。

【００１７】そして、点欠陥を発見すると、まず、ゲー
トバスラインとゲートバスライン突出部との間に基板外
方よりレーザー光等のエネルギを照射し、両者間の電気
的な接続状態を解除する。次いで、ソースバスライン突
出部とゲートバスライン突出部の重畳部に同様にレーザ
ー光を照射する。レーザー光の照射スポットは重畳部分
の面積に比して十分に小さいものとする。これにより、
重畳部における絶縁膜が破壊され、絶縁膜の両側に位置
する金属配線、つまりソースバスラインとゲートバスラ
インの突出部が溶融し、両者が電気的に接続される。す
なわち、ソースバスライン突出部およびゲートバスライ
ン突出部を備え、かつ両者の重畳部を設けたことにより
両者を容易に電気的に接続できるのである。

【００１８】次いで、ゲートバスライン突出部の先端部
とここに重畳されている導電体片の重なり部分に該重な
り部分より小面積のレーザースポツトを照射し、上記同
様にしてゲートバスライン突出部と導電体片間を電気的
に接続する。この接続作業も、構造上容易に行える。

【００１９】ここで、導電体片は予め絵素電極に電気的
に接続されているので、後の２回のレーザー照射により
、ソースバスラインと絵素電極が電気的に接続されるこ
とになる。すなわち、両者が短絡されるのである。

【００２０】このようにソースバスラインと絵素電極を
短絡すると、絵素電極にはゲートバスラインからのゲー
ト信号にかかわらず、ソースバスラインのソース信号が
そのまま入力されることになる。それ故、正常状態の絵
素では絵素電極にゲートバスラインの選択時間内に供給
されたソース信号のみが充電され、これを１周期分（次
の選択時間が来るまでの時間）保持するのに対し、点欠
陥を発生し、上記のようにソースバスラインと絵素電極
が短絡される不良絵素では、ゲートバスラインの選択、
非選択にかかわらず絵素電極に常にソース信号が充電さ
れることになる。従って、１周期を通して見ると、この
間に入力されたソース電圧の実行値が液晶に印加される
ことになる。

【００２１】それ故、不良絵素は該不良絵素の帰属する
ソースバスラインに付属した全ての絵素の平均的な明る
さに点灯することになる。これは完全な輝点ても黒点で
もない。この結果、上記修正処理が施された絵素は、正
常に作動している訳ではないものの、視覚上、欠陥とし
て極めて判別しにくい状態になる。すなわち、表示上正
常な絵素といってよい状態になる。

【００２２】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２３】図１〜図４は本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一対
の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる。 下側の基板１上には、走査線として機能する複数本のゲ
ートバスライン２１、２１…および信号線として機能す
る複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線され
、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形上の領域それ
ぞれに絵素電極４１がマトリクス上に配設される。ゲー
トバスライン２１にはこれから分岐したゲートバス支線
２２が形成され、該ゲートバス支線２２の先端部にはＴ
ＦＴ３１が形成される。ＴＦＴ３１はスイッチング素子
として機能し、絵素電極４１に接続される。図示する絵
素電極４１に接続されたゲートバスライン２１ａに隣接
するゲートバスライン２１ｂには、絵素電極４１の隅部
に突出するゲートバスライン突出部４３が突出形成され
る。ゲートバスライン突出部４３の先端部にはゲート絶
縁膜１３（図２および図３参照）を介して導電体片４４
が重畳される。

【００２４】一方、ソースバスライン２３の絵素電極４
１の前記隅部に相当する部分にはソースバスライン突出
部４６が突出形成され、該ソースバスライン突出部４６
の先端部はゲート絶縁膜１３を介して前記ゲートバスラ
イン突出部４３に重畳されている。

【００２５】以下各部の詳細を制作手順に従って説明す
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作成する。この作成は、一般にＴａ
、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッタ
リング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後に
パターニングして作成される。この時、同時にゲートバ
ス支線２２およびゲートバスライン突出部４３が作成さ
れる。本実施例では透明絶縁性基板１としてガラス基板
１を用いた。なお、図４に示すように、ゲートバスライ
ン２１の下にベースコート膜としてＴａ２Ｏ５等の絶縁
膜１１を形成することにしてもよい。

【００２６】次いで、ゲートバスライン２１（ゲートバ
ス支線２２及びゲートバスライン突出部４３を含む）上
にゲート絶縁膜１３を積層する。本実施例では、プラズ
マＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜を３００ｎｍ堆積してゲー
ト絶縁膜１３とした。なお、ゲート絶縁膜１３を形成す
る前に、ゲートバスライン２１を陽極酸化して、Ｔａ２
Ｏ５からなる酸化膜１２を形成してもよい。

【００２７】次いで、プラズマＣＶＤ法により半導体層
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮｘ層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をプラズマＣＶＤ法で８０ｎｍ
の厚みで積層する。このｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６は半導体
層１４と、その後に積層されるソース電極３２又はドレ
イン電極３３（図２参照）とのオーミックコンタクトを
良好にするために形成される。

【００２８】次いで、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６をパターニ
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。これにより、図
２にその構造を示すＴＦＴ３１が作成される。この時、
図４に示すようにソースバスライン突出部４６と導電体
片４４が同時に形成される。

【００２９】次いで、絵素電極４１となる透明導電性物
質を積層する。本実施例では透明導電性物質として、Ｉ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）をスパッタ
リング法により積層し、これをパターニングして絵素電
極４１を得る。該絵素電極４１は上記のようにゲートバ
スライン２１とソースバスライン２３で囲まれた矩形の
領域に積層形成され、図２に示すように、その端部はＴ
ＦＴ３１のドレイン電極３３の端部に積層され、また、
図３に特にわかりやすく示されるように、導電体片４４
上に積層される。 これにより、絵素電極４１とＴＦＴ３１のドレイン電極
３３および導電体片４４が導通状態になる。

【００３０】絵素電極４１を形成したガラス基板１上の
全面には、ＳｉＮｘからなる保護膜１７が堆積される。 該保護膜１７は、絵素電極４１の中央部で除去した窓あ
き形状にしてもよい。保護膜１７上には配向膜１９が形
成される。該保護膜１７についても、その中央部を除去
した窓あき形状にしてもよい。図２に示すように、ガラ
ス基板１に対向するガラス基板２上には、対向電極３及
び配向膜９が形成される。そして、これらのガラス基板
１、２の間に液晶１８を封入し、本実施例のアクティブ
マトリクス表示装置が作成される。

【００３１】次に、本実施例のアクティブマトリクス表
示装置において絵素欠陥が生じた場合の修復方法につい
て説明する。通常、絵素電極４１はＴＦＴ３１ＴＦＴ３
１によって駆動され、ＴＦＴ３１が正常に動作している
限り、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３に
囲まれた領域の絵素は正常に動作し、表示上の問題は発
生しない。ところが、ＴＦＴ３１が異常を来たしたり、
ソースバスライン２３と絵素電極４１の間に弱い電流リ
ークが発生したりすると、絵素欠陥が現れ、表示上の問
題として認識される。この問題を本実施例においては以
下のようにして修復する。

【００３２】すなわち、アクティブマトリクス表示装置
を駆動して、絵素欠陥を確認すると、図３に示すように
、破線で囲まれた領域５１に、光エネルギの一例として
ＹＡＧレーザー光を照射し、該領域５１の金属を四散さ
せ、これによりゲートバスライン２１とゲートバスライ
ン突出部４３との電気的な接続状態を解除する。次いで
、同じく破線で囲まれた領域５２にレーザー光を照射し
、ソースバスライン突出部４６とゲートバスライン突出
部４３との間にあるゲート絶縁膜１３を破壊し、両突出
部４６、４３の金属を溶融させて両者を導通する。

【００３３】なお、レーザー光の照射はＴＦＴ３１が配
設される基板１側から行ってもよいし、或は対向電極側
の基板２側から行うことにしてもよいが、本実施例のア
クティブマトリクス表示装置では、基板２の表面側が遮
光用の金属で覆われ、直接レーザー光を照射できないの
で、基板１側から行うものとする。図４にレーザー光の
照射方向を白抜き矢符で示す。

【００３４】次いで、同様の破線で示される領域５３、
すなわち、ゲートバスライン突出部４３と導電体片４４
との重畳部分にレーザー光を照射する。この領域５３へ
のレーザー光の照射によってゲート絶縁膜１３が破壊さ
れ、該ゲートバスライン突出部４３と導電体片４４とが
溶融し、これにより両者が電気的に導通する。以上のレ
ーザー照射によって、領域５２及び５３の二箇所で上下
の金属配線を導通状態にすると、結局、ソースバスライ
ン２３と導電体片４４、即ち絵素電極４１が短絡される
。

【００３５】この短絡によって、上記した理由により、
不良絵素が全絵素の平均的な明るさに点灯され、表示上
欠陥が解消されることになる。一方、ゲートバス支線２
２とＴＦＴ３１とは保護膜１７で保護されているため、
レーザー光の照射によって溶融した金属原子が表示媒体
である液晶１８中に混入することがない。従って、液晶
１８の特性が劣化することがない。

【００３６】なお、領域５１、５２、５３に対するレー
ザー光の照射順序は、上記順序に限定されるものではな
い。また、照射スポットも図示の領域に限定されるもの
ではなく、例えば、領域５２、５３については上下に導
電体層が重畳されている部分であればどこでもよい。

【００３７】次に、図５に従い絵素電極４１とソースバ
スライン２３を上記のようにして短絡したときの、ＴＦ
Ｔ３１の動作について説明する。図５において、Ｇｎは
ｎ番目のゲートバスライン２１の信号（電圧信号）、Ｓ
ｍはｍ番目のソースバスライン２３の信号、Ｐｎ、ｍは
ｎ番目のゲートバスライン２１とｍ番目のソースバスラ
イン２３との交差部分に存在する絵素電極４１に与えら
れる信号を模式的に示している。

【００３８】図５（ａ）に示すように、ゲートバスライ
ン２１の信号の電位がＶｇｈ（ハイレベル）の時にＴＦ
Ｔ３１が選択され、電位がＶｇｌ（ローレベル）の時に
ＴＦＴ３１が非選択状態になる。図５（ｃ）に示すよう
に、ＴＦＴ３１が選択されると、パルス状の信号Ｖ０が
絵素電極４１に充電される。絵素電極４１が正常に作動
している時はこの信号を図５（ａ）に示される非選択時
間Ｔｏｆｆの間保持し、次の選択時間Ｔｏｎの時に−Ｖ
０の信号をソースバスライン２３に書き込むことになる
。

【００３９】図５（ｂ）に示すＧｎ＋１は（ｎ＋１）番
目のゲートバスライン２１に与えられる信号を示してお
り、該信号Ｇｎ＋１はｎ番目のゲートバスライン２１の
選択時間Ｔｏｎが終了したときに選択状態が開始され、
このときにソースバスライン２１に−Ｖ１の信号を書き
込むことになる（図５（ｃ）参照）。図５（ａ）および
（ｂ）からわかるように、ゲートバスライン２１へ入力
される信号はライン番号と共に順次遅れて行き、次にｎ
番目のゲートバスライン２１に選択状態が循環してくる
まで上記時間Ｔｏｆｆにわたって非選択状態が続く。こ
の非選択状態においても、ソースバスライン２１には各
絵素電極４１毎に書き込むべき信号が絶えず入力されて
いる。

【００４０】図５（ｄ）に示すように、正常な絵素電極
４１は、ゲート信号Ｇｎが選択状態にあるときに、ソー
スバスライン２３から入力される信号Ｓｍに応じて絵素
電極４１に電荷が充電され、上記基板２側の対向電極３
との間の電位差で液晶１８の分子配列が変わり、表示機
能を果たしている。このときゲートバスライン２１の非
選択時間Ｔｏｆｆ内にソースバスライン２３に入力され
ている信号Ｓｍは全く表示には寄与しない。

【００４１】一方、前述のようにレーザー光の照射によ
って絵素電極４１とソースバスライン２３とが短絡され
ている状態では、ゲートバスライン２１の選択・非選択
にかかわらず、絵素電極４１はソースバスライン２３か
ら入力された信号Ｓｍの全てに反応し、その電荷を充電
・放電する。この際の信号を図５（ｅ）にＰ’ｎ、ｍで
示す。レーザー光の照射によって修正された絵素電極４
１には、非選択時間Ｔｏｆｆの間にソースバスライン２
３の信号Ｓｍがそのまま入力されるため、上記液晶１８
に作用する電圧は印加された信号Ｓｍの実効値になる。 このため、ソースバスライン２３に与えられた信号Ｓｍ
が全てＶ０となるとき以外は、信号Ｐ’ｎ、ｍの実効値
がＶ０になることはあり得ないが、信号電圧Ｐ’ｎ、ｍ
の実効値の電圧はｍ番目のソースバスライン２３に接続
される全ての絵素電極４１の平均的な値になる。このこ
とは、表示装置としてはｍ番目のソースバスライン２３
に沿って配列された各絵素電極４１の平均的な明るさで
点灯することを意味し、通常の表示状態においては各絵
素電極４１の明るさは表示品位をほとんど損なうことが
ない。

【００４２】図６は上記実施例の変形例を示しており、
この変形例では、ゲート絶縁膜１３と導電体片４４との
間及びゲート絶縁膜１３とソースバスライン突出部４６
との間に、半導体層１４、エッチングストッパ層１５、
コンタクト層１６を挿入した構造になっている。これら
の層１４〜１６は上下の導電体間の絶縁性を高めるため
に設けられている。また、図示されていないが、半導体
層１４とエッチングストッパ層１５或はコンタクト層１
６のみを挿入する構造であってもよい。

【００４３】図７は本発明の他の実施例を示しており、
この実施例では、各絵素電極４１が付加容量４２を有す
る構成をとる。付加容量４２は、ゲートバスライン２１
に平行に設けられた付加容量バスライン２４と、絵素電
極４１との間に介在される前記ゲート絶縁膜１３とで構
成される。今少し説明すると、ゲートバスライン２１が
絵素電極４１に重畳され、ゲートバスライン２１と絵素
電極４１との重畳部に図中斜線で示す付加容量４２が形
成される。付加容量バスライン２４は上記ゲートバスラ
イン２１と同じ金属を積層し、ゲートバスライン２１の
パターニングの際に同時に形成される。

【００４４】本実施例では、付加容量バスライン２４に
上記対向電極３と同じ信号が入力されるようになってい
る。従って、付加容量４２は電気回路的には絵素電極４
１とガラス基板２との間に封入される液晶１８の液晶容
量に並列に設けられることになる。このような付加容量
４２の存在により、絵素電極４１の電荷保持能力が向上
し、結局、表示装置としての性能を向上できることにな
る。本実施例においても、上記実施例同様に絵素欠陥の
修正を行うことができる。

【００４５】図８は本発明の更に他の実施例を示してお
り、この実施例では、上記他の実施例のように付加容量
４２を設けると、表示特性を向上できるものの、付加容
量バスライン２４の部分だけ光の遮断領域が増加し、結
果的に画面全体が暗くなるので、これを解決すべく隣接
するゲートバスライン２１上に付加容量４２を設ける構
成をとる。

【００４６】すなわち、付加容量バスライン２４がゲー
トバスライン２１に重畳して設けられ、前記ゲート絶縁
膜１３を介在させた絵素電極４１とゲートバスライン２
１との重畳部に図中斜線で示される付加容量４２を形成
した構成をとる。本実施例では、隣接するゲートバスラ
イン２１が非選択状態のときにガラス基板２上の対向電
極３と同じ信号をゲートバスライン２１に入力し、該ゲ
ートバスライン２１を付加容量バスライン２４として使
用する。これにより、光の遮断領域が減少し、表示画面
が暗くなるのを防止できる。この実施レーザー光邸によ
れば、表示特性を更に一層向上できることになる。

【００４７】図示する実施例の全容は以上の通りである
が、本発明は以下に示す各種の変更が可能である。すな
わち、絵素電極を駆動するスイッチング素子はＴＦＴに
限定されず、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダ
イオード或はバリスタを用いることもできる。また、Ｔ
ＦＴの構造についても上記実施例のものに限定されず、
ソースバスラインを下面に配置し、ゲートバスラインを
上面に配置した構造であってもよい。

【００４８】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
は、その構造により、該表示装置の全絵素電極を駆動し
た状態において、絵素欠陥を容易に検出できる。しかも
、基板外方よりレーザー光等のエネルギを照射すること
により絵素欠陥の修正を容易に行える。従って、本発明
によれば、高い歩留りで表示装置を生産することができ
、表示装置のコストダウンに寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の平面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１のＢ部拡大図。

【図４】図３のＣ−Ｃ線断面図。

【図５】ゲートバスライン、ソースバスラインおよび絵
素電極に入力される信号を示すタイミングチャート。

【図６】本発明の変形例を示す図４同様の断面図。

【図７】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図８】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図９】従来のアクティブマトリクス表示装置を示す平
面図。

【図１０】従来のアクティブマトリクス表示装置を示す
平面図。

【符号の説明】

１　　絵素電極が配設される側のガラス基板２　　対向
電極が配設される側のガラス基板３　　対向電極 １３　　ゲート絶縁膜 １８　　液晶 ２１　　（２１ａ、２１ｂ）　　ゲートバスライン２２
…ゲートバス支線 ２３　　ソースバスライン ２４…付加容量バスライン ３１…ＴＦＴ ３２…ソース電極 ３３…ドレイン電極 ４１…絵素電極 ４２…付加容量 ４３…ゲートバスライン突出部 ４４…導電体片 ４６…ソースバスライン突出部

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
   ゲートバスラインおよびソースバスラインを格子状に配
   線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞ
   れ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインお
   よびソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接
   続したアクティブマトリクス液晶表示装置において、該
   ソースバスラインに該絵素電極に向けて突出し、該絵素
   電極と電気的に非接触のソースバスライン突出部を設け
   る一方、該ゲートバスラインに該絵素電極に向けて突出
   するゲートバスライン突出部を設け、該ゲートバスライ
   ン突出部に該ソースバスラインを絶縁膜を挟んで重畳す
   ると共に、該ゲートバスライン突出部の先端に絶縁膜を
   挟んで導電体片を設け、該導電体片を該絵素電極に電気
   的に接触させる一方、該ソースバスライン突出部と電気
   的に非接触にしたアクティブマトリクス表示装置。
2. 【請求項２】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
   ゲートバスラインおよびソースバスラインを格子状に配
   線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞ
   れ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインお
   よびソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接
   続し、且つ該絵素電極の下部に付加容量を形成する付加
   容量バスラインを絶縁膜を挟んで形成したアクティブマ
   トリクス液晶表示装置において、該ソースバスラインに
   該絵素電極に向けて突出し、該絵素電極と電気的に非接
   触のソースバスライン突出部を設ける一方、該付加容量
   バスラインに該絵素電極に向けて突出する付加容量バス
   ライン突出部を設け、該付加容量バスライン突出部に該
   ソースバスラインを絶縁膜を挟んで重畳すると共に、該
   ゲートバスライン突出部の先端に絶縁膜を挟んで導電体
   片を設け、該導電体片を該絵素電極に電気的に接触させ
   る一方、該ソースバスライン突出部と電気的に非接触に
   したアクティブマトリクス表示装置。
3. 【請求項３】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
   ゲートバスラインおよびソースバスラインを格子状に配
   線し、両バスラインで囲まれた領域に絵素電極をそれぞ
   れ配設すると共に、該絵素電極と該ゲートバスラインお
   よびソースバスラインにそれぞれスイッチング素子を接
   続したアクティブマトリクス液晶表示装置において、各
   絵素電極の一部は隣接した該ゲートバスラインに重畳さ
   れ、該ゲートバスラインと絶縁膜を挟んで付加容量を形
   成し、且つ該ソースバスラインに該絵素電極に向けて突
   出し、該絵素電極と電気的に非接触のソースバスライン
   突出部を設ける一方、該ゲートバスラインに該絵素電極
   に向けて突出するゲートバスライン突出部を設け、該ゲ
   ートバスライン突出部に該ソースバスラインを絶縁膜を
   挟んで重畳すると共に、該ゲートバスライン突出部の先
   端に絶縁膜を挟んで導電体片を設け、該導電体片を該絵
   素電極に電気的に接触させる一方、該ソースバスライン
   突出部と電気的に非接触にしたアクティブマトリクス表
   示装置。