JPH055895A

JPH055895A - アクテイブマトリクス表示装置

Info

Publication number: JPH055895A
Application number: JP15055291A
Authority: JP
Inventors: Ken Kanamori; 謙金森; Katsumi Irie; 勝美入江; Nobuyuki Kawase; 伸行川瀬; Naofumi Kondo; 直文近藤
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1991-06-21
Filing date: 1991-06-21
Publication date: 1993-01-14

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】絵素欠陥の確認、修正を容易に行えるように
して、アクティブマトリクス表示装置の歩留りの向上お
よびコストダウンを図る。【構成】ソースバスライン２１の途中に絵素電極４１
側に向けて突出するソースバスライン突出部４６を形成
し、これの先端下方にゲート絶縁膜を介して第１導電体
片４３の一端部を重畳する。また、第１導電体片４３の
他端上方にゲート絶縁膜を介して第２導電体片４４を重
畳する。第１導電体片４３はゲートバスライン２１、ソ
ースバスライン２３および絵素電極４１と電気的に非接
触状態にあり、第２導電体片４４は絵素電極と電気的に
接続されている。不良絵素が発生すると、ソースバスラ
イン突出部４６と第１導電体片４３との重畳部および第
１導電体片４３と第２導電体片４４との重畳部にレーザ
ー光を照射する。これにより、ソースバスライン２３と
絵素電極４１とが短絡される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表示用絵素電極にスイ
ッチング素子を介して駆動信号を印加することにより、
表示を実行する表示装置に関し、特に絵素電極をマトリ
クス状に配列して高密度表示を行うアクティブマトリク
ス駆動方式の表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装
置、プラズマ表示装置等においては、マトリクス状に配
設された絵素電極を選択駆動することにより、画面上に
表示パターンが形成される。表示絵素の選択方式とし
て、個々の独立した絵素電極を配設し、この絵素電極の
それぞれにスイッチング素子を接続して表示駆動するア
クティブマトリクス駆動方式が知られている。絵素電極
を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＦＴ（薄
膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁層−金属）
素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード、バリスタ
等が一般的に使用され、絵素電極とこれに対向する対向
電極間に印加される電圧をスイッチング素子でスイッチ
ングして、両電極間に介在させた液晶、ＥＬ発光層ある
いはプラズマ発光体等の表示媒体を光学的に変調して、
該光学的変調が表示パターンとして視認される。このよ
うな、アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラス
トの表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロ
セッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されて
いる。

【０００３】図９及び図１０はアクティブマトリクス液
晶表示装置の従来例を示しており、図９に示される従来
例では、対向配置される一対の基板の内の一方の基板上
に、ゲートバスライン２１、２１…を横方向に配線し、
これと直交する縦方向にソースバスライン２３、２３…
を配線してなる。隣接するゲートバスライン２１、２１
およびソースバスライン２３、２３で囲まれた矩形の各
領域には、絵素電極４１が配設される。

【０００４】加えて、ゲートバスライン２１から分岐
（突出）したゲートバス支線２２上には、スイッチング
素子として機能するＴＦＴ３１が形成されている。ＴＦ
Ｔ３１のドレイン電極３３は絵素電極４１に電気的に接
続され、ソース電極３２はソースバスライン２３に接続
される。

【０００５】図１０に示される従来例では、ソースバス
ライン２３から分岐（突出）したソースバス支線９０が
ゲートバスライン２１に重畳し、その重畳部分にＴＦＴ
３１が形成される。ＴＦＴ３１のドレイン電極３３は絵
素電極４１に電気的に接続され、ソース電極３２はソー
スバス支線９０を介してソースバスライン２３に接続さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
アクティブマトリクス表示装置において、例えばスイッ
チング素子が不良素子として形成されると、その不良素
子に接続された絵素電極には本来与えられるべき信号が
入力されないため、表示画面上では点状の絵素欠陥、即
ち、点欠陥として認識される。このような点欠陥は、表
示装置の表示品位を著しく損ない、製品歩留りの観点か
ら大きな問題になる。

【０００７】絵素不良の主たる原因は、以下の２種類の
ものに大別される。１つは、走査信号（ゲートバスライ
ンからの信号）によってスイッチング素子が選択されて
いる時間内に、絵素電極を十分に充電できないために起
こる不良（以下ON不良という）であり、今１つは、スイ
ッチング素子の非選択時に絵素電極に充電した電荷が漏
洩する不良（以下OFF不良という）である。

【０００８】ここで、ON不良はスイッチング素子の不良
に起因するが、OFF不良はスイッチング素子を介して電
気的漏洩が起こる場合と、絵素電極とバスラインとの間
に電気的漏洩が起こる場合との２種類がある。ON不良、
OFF不良いずれの場合も、絵素電極と対向電極との間に
印加される電圧が必要な値に達しなくなるため、ノーマ
リホワイトモード（液晶に印加される電圧が０の時に光
の透過率等が最大になる表示モード）を採用する場合
は、絵素不良部が輝点に見え、ノーマリブラックモード
（電圧０で透過率が最低になる表示モード）を採用する
場合は黒点に見えることになる。

【０００９】このような点欠陥はスイッチング素子が配
設される基板の作成段階で発見されれば、レーザートリ
ミング等で修正可能である。しかしながら、該基板の作
成途中で膨大な数の絵素の中からかかる点欠陥を検出す
るのは極めて困難であり、製造時間や製造コストを考慮
すると、量産レベルでは不可能といってよい。特に、絵
素数が１０万〜５０万個におよぶ大型表示パネルでは完
全に不可能であるといえる。

【００１０】その一方、該基板に対向側基板を貼り合わ
せ、液晶を封入した段階でバスラインに検査用の電気信
号を加えて点欠陥を目視で検出する方法があり、この方
法によれば点欠陥を容易に検出できる。しかるに、この
方法によれば、製品の歩留りを向上する上で、その後
に、例えばソースバスラインと絵素電極とを短絡させ、
ゲートの選択、非選択にかかわらず、ソースバスライン
からの信号電圧により絵素電極の電荷の充放電を行わせ
る修正作業を要することになるが、図９および図１０に
示される従来例では、ソースバスライン２３と絵素電極
４１との配置構造により、かかる修正が困難であり、結
局、点欠陥を有する製品を破棄しなければならず、コス
ト的にデメリットを伴うという欠点がある。

【００１１】上記した理由により、製品の歩留りの向上
を図る上で大きな制約があったのが現状である。

【００１２】本発明は、このような従来技術の欠点を解
決するものであり、絵素欠陥が生じても、これを容易に
修正でき、製品の歩留りを格段に向上できるアクティブ
マトリクス表示装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、一対の絶縁性基板の何れか一方の基
板上に走査線および信号線を格子状に配線し、該走査線
および信号線で囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設
すると共に、該絵素電極と該走査線および信号線にそれ
ぞれスイッチング素子を接続したアクティブマトリクス
表示装置において、該信号線に該絵素電極に向けて突出
し、該絵素電極と電気的に非接触の信号線突出部を設け
る一方、該信号線、該走査線および該絵素電極と電気的
に非接触の第１導電体片の一端部を絶縁膜を介して該信
号線突出部に重畳し、かつ該第１導電体片の他端部に、
該絵素電極と電気的に接続され、該信号線突出部と電気
的に非接触の第２導電体片を絶縁膜を介して重畳してな
り、そのことにより上記目的が達成される。

【００１４】

【作用】上記構成のアクティブマトリクス表示装置にお
いて、スイッチング素子が配設される基板と対向電極側
の基板とを貼り合わせ、両者間に液晶を封入した後、ゲ
ートバスライン（走査線）、ソースバスライン（信号
線）および絵素電極に適当な駆動信号を与えると、アク
ティブマトリクス表示装置が表示パターンを表示するの
で、その表示画面を視認することにより、点欠陥を容易
に発見できる。

【００１５】そして、点欠陥を発見すると、まず、ソー
スバスライン突出部（信号線突出部）と第１導電体片と
の重畳部に基板外方よりレーザー光等のエネルギを照射
する。このとき、重畳部の面積に比して小さなスポット
にレーザー光等を照射する。これにより、両者間の絶縁
膜が破壊され、上下の金属が溶融されるので、ソースバ
スライン突出部と第１導電体片が電気的に接続される。

【００１６】続いて、第１導電体片と第２導電体片との
重畳部に前記のものよりも更に小さなスポットでレーザ
ー光を照射する。これにより、上記同様にして第１導電
体片と第２導電体片とが電気的に接続される。ここで、
第２導電体片は絵素電極に予め電気的に接続されてい
る。従って、上記２回のレーザー光照射により、結果的
にソースバスラインと絵素電極とが短絡される。

【００１７】このようにソースバスラインと絵素電極を
短絡すると、絵素電極にはゲートバスラインからのゲー
ト信号にかかわらず、ソースバスラインのソース信号が
そのまま入力されることになる。それ故、正常状態の絵
素では絵素電極にゲートバスラインの選択時間内に供給
されたソース信号のみが充電され、これを１周期分（次
の選択時間が来るまでの時間）保持するのに対し、点欠
陥を発生し、上記のようにソースバスラインと絵素電極
が短絡される不良絵素では、ゲートバスラインの選択、
非選択にかかわらず絵素電極に常にソース信号が充電さ
れることになる。従って、１周期を通して見ると、この
間に入力されたソース電圧の実行値が液晶に印加される
ことになる。

【００１８】それ故、不良絵素は該不良絵素の帰属する
ソースバスラインに付属した全ての絵素の平均的な明る
さに点灯することになる。これは完全な輝点ても黒点で
もない。この結果、上記修正処理が施された絵素は、正
常に作動している訳ではないものの、視覚上、欠陥とし
て極めて判別しにくい状態になる。すなわち、表示上正
常な絵素といってよい状態になる。

【００１９】なお、短絡された部分での電気抵抗はスイ
ッチング素子の選択状態での抵抗（ON抵抗）よりも小さ
い値に設定する必要がある。以下にその理由を示す。通
常、ON抵抗はスイッチング素子の選択時間内に絵素電極
に電荷を充電できるだけの電流が流れるように設定され
ており、短絡された抵抗がこのON抵抗よりも大きい場合
には、スイッチング素子の選択時間の幅をもって次々に
入力されるソース信号を忠実に書き込むことが時間的に
できなくなり、絵素電極にかかる電圧の実効値が小さく
なってしまい、他の絵素との明るさが目立ってしまい、
不良絵素と認識されることになるからである。

【００２０】

【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。

【００２１】図１〜図４は本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置を示しており、この表示装置は、上下一対
の透明絶縁性基板１、２間に液晶１８を封入してなる。
下側の基板１上には、走査線として機能する複数本のゲ
ートバスライン２１、２１…および信号線として機能す
る複数本のソースバスライン２３、…が縦横に配線さ
れ、両バスライン２１、２３で囲まれる矩形上の領域そ
れぞれに絵素電極４１がマトリクス状に配設される。ゲ
ートバスライン２１にはこれから絵素電極４１側に向け
て突出するゲートバス支線２２が形成され、該ゲートバ
ス支線２２の先端寄りの部分にＴＦＴ３１が形成され
る。従って、ゲートバス支線２２の一部はゲート電極と
して機能する。ＴＦＴ３１はスイッチング素子として機
能し、絵素電極４１に接続される。

【００２２】また、ソースバスライン２３のＴＦＴ３１
形成部から適長離隔した位置には、絵素電極４１側に向
けてソースバスライン突出部４６が形成される。ソース
バスライン突出部４６の先端部下方には、ゲート絶縁膜
１３（図２および図３参照）を介して第１導電体片４３
の一端部が重畳される。該第１導電体片４３の他端部上
方にはこれよりも小面積の第２導電体片４４がゲート絶
縁膜１３を介して重畳される。なお、第１導電体片４３
はソースバスライン突出部４６と直交する方向に長い矩
形状をなし、以上の構造により、この部分に冗長構造が
形成される。

【００２３】以下各部の詳細を制作手順に従って説明す
る。図２に示すように、まず透明絶縁性基板１上にゲー
トバスライン２１を作製する。この作製は、一般にＴ
ａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層又は多層の金属をスパッ
タリング法により透明絶縁性基板１上に堆積し、その後
にパターニングして作製される。この時、同時にゲート
バスライン突出部２２および第１導電体片４３が作製さ
れる。本実施例では透明絶縁性基板１としてガラス基板
１を用いた。なお、図４に示すように、ゲートバスライ
ン２１の下にベースコート膜としてＴａ₂Ｏ₅等の絶縁膜
１１を形成することにしてもよい。

【００２４】次いで、ゲートバスライン２１（ゲートバ
ス支線２２を含む）上にゲート絶縁膜１３を積層する。
本実施例では、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ_x膜を３
００ｎｍ堆積してゲート絶縁膜１３とした。なお、ゲー
ト絶縁膜１３を形成する前に、ゲートバスライン２１を
陽極酸化して、Ｔａ₂Ｏ₅からなる酸化膜１２を形成して
もよい。但し、この場合、第１導電体片４３は外部から
選択的に電圧を与えることができないので、陽極酸化膜
を形成することはできない。

【００２５】次いで、プラズマＣＶＤ法により半導体層
１４およびエッチングストッパ層１５をゲート絶縁膜１
３の上に連続して形成する。半導体層１４はアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）層で構成され、エッチングスト
ッパ層１５はＳｉＮ_x層で構成される。それぞれの膜厚
は３０ｎｍ、２００ｎｍとする。そして、エッチングス
トッパ層１５をパターニングし、その後、リンを添加し
たｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６（コンタクト層）をプラズマＣ
ＶＤ法で８０ｎｍの厚みで積層する。このｎ⁺型ａ−Ｓ
ｉ層１６は半導体層１４と、その後に積層されるソース
電極３２又はドレイン電極３３とのオーミックコンタク
トを良好にするために形成される。

【００２６】次いで、ｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６をパターニ
ングし、その後、ソース金属をスパッタリング法により
積層する。ソース金属としては、一般に、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｍｏ、Ｃｒ等が用いられるが、本実施例ではＴｉを使用
した。そして、Ｔｉ金属層をパターニングし、ソース電
極３２およびドレイン電極３３を得る。これにより、図
２にその構造を示すＴＦＴ３１が作成される。この時、
図４に示すソースバスライン突出部４６と第２導電体片
４４が同時に形成される。

【００２７】次いで、絵素電極４１となる透明導電性物
質を積層する。本実施例では透明導電性物質として、Ｉ
ＴＯ（Indium tin oxide）をスパッタリング法により積
層し、これをパターニングして絵素電極４１を得る。該
絵素電極４１は上記のようにゲートバスライン２１とソ
ースバスライン２３で囲まれた矩形の領域に積層形成さ
れ、図２に示すように、その端部はＴＦＴ３１のドレイ
ン電極３３の端部に積層され、また、図３に特にわかり
やすく示されるように、第２導電体片４４上に積層され
る。これにより、絵素電極４１とＴＦＴ３１のドレイン
電極３３および第２導電体片４４が導通状態になる。

【００２８】絵素電極４１を形成したガラス基板１上の
全面には、ＳｉＮ_xからなる保護膜１７が堆積される。
該保護膜１７は、絵素電極４１の中央部で除去した窓あ
き形状にしてもよい。保護膜１７上には配向膜１９が形
成される。図２に示すように、ガラス基板１に対向する
ガラス基板２上には、対向電極３及び配向膜９が形成さ
れる。そして、これらのガラス基板１、２の間に液晶１
８を封入し、本実施例のアクティブマトリクス表示装置
が作成される。

【００２９】次に、本実施例のアクティブマトリクス表
示装置において絵素欠陥が生じた場合の修復方法につい
て説明する。通常、絵素電極４１はＴＦＴ３１により駆
動され、ＴＦＴ３１が正常に動作している限り、ゲート
バスライン２１とソースバスライン２３に囲まれた領域
の絵素は正常に動作し、表示上の問題は発生しない。と
ころが、ＴＦＴ３１が異常を来たしたり、ソースバスラ
イン２３と絵素電極４１の間に弱い電流リークが発生し
たりすると、絵素欠陥が現れ、表示上の問題として認識
される。この問題を本実施例においては以下のようにし
て修復する。

【００３０】すなわち、アクティブマトリクス表示装置
を駆動して、絵素欠陥を確認すると、図３に示すよう
に、ソースバスライン突出部４６と第１導電体片４３の
一端部との重畳部における図中破線で囲まれた領域５２
に、光エネルギの一例としてＹＡＧレーザー光を照射す
る。これにより、図４において、ゲート絶縁膜１３が破
壊され、上下の金属、すなわち、ソースバスライン突出
部４６と第１導電体片４３が溶融し、両者が導通され
る。なお、レーザー光の照射はＴＦＴ３１が配設される
基板１側から行ってもよいし、或は対向電極側の基板２
側から行うことにしてもよいが、本実施例のアクティブ
マトリクス表示装置では、基板２の表面側が遮光用の金
属で覆われ、直接レーザー光を照射できないので、基板
１側から行うものとする。図４にレーザー光の照射方向
を白抜き矢符で示す。

【００３１】次いで、同様の破線で示される領域５３、
すなわち、第１導電体片４３の他端部と第２導電体片４
４との重畳部分にレーザー光を照射する。この領域５３
へのレーザー光の照射によってゲート絶縁膜１３が破壊
され、該第１導電体片４３と第２導電体片４４とが溶融
し、これにより両者が電気的に導通する。以上２回のレ
ーザー光照射によって、領域５２及び５３の二箇所で上
下の金属配線を導通状態にすると、結局、ソースバスラ
イン２３と導電体片４４、即ち絵素電極４１が短絡され
る。

【００３２】この短絡によって、上記した理由により、
不良絵素が全絵素の平均的な明るさに点灯され、表示上
欠陥が解消されることになる。一方、ゲートバスライン
突出部２２とＴＦＴ３１とは保護膜１７で保護されてい
るため、レーザー光の照射によって溶融した金属原子が
表示媒体である液晶１８中に混入することがない。従っ
て、液晶１８の特性が劣化することがない。

【００３３】なお、領域５２、５３に対するレーザー光
の照射順序は、上記順序に限定されるものではない。ま
た、照射スポットも図示の領域に限定されるものではな
く、例えば、領域５２、５３については上下に導電体層
が重畳されている部分であればどこでもよい。

【００３４】次に、図５に従い絵素電極４１とソースバ
スライン２３を上記のようにして短絡したときの、ＴＦ
Ｔ３１の動作について説明する。図５において、Ｇnは
ｎ番目のゲートバスライン２１の信号（電圧信号）、Ｓ
mはｍ番目のソースバスライン２３の信号、Ｐn、mはｎ
番目のゲートバスライン２１とｍ番目のソースバスライ
ン２３との交差部分に存在する絵素電極４１に与えられ
る信号を模式的に示している。

【００３５】図５（ａ）に示すように、ゲートバスライ
ン２１の信号の電位がＶgh（ハイレベル）の時にＴＦＴ
３１が選択され、電位がＶgl（ローレベル）の時にＴＦ
Ｔ３１が非選択状態になる。図５（ｃ）に示すように、
ＴＦＴ３１が選択されると、パルス状の信号Ｖ0が絵素
電極４１に充電される。絵素電極４１が正常に作動して
いる時はこの信号を図５（ａ）に示される非選択時間Ｔ
offの間保持し、次の選択時間Ｔonの時に−Ｖ0の信号を
ソースバスライン２３に書き込むことになる。

【００３６】図５（ｂ）に示すＧn+1は(n+1)番目のゲー
トバスライン２１に与えられる信号を示しており、該信
号Ｇn+1はｎ番目のゲートバスライン２１の選択時間Ｔo
nが終了したときに選択状態が開始され、このときにソ
ースバスライン２１に−Ｖ1の信号を書き込むことにな
る（図５（ｃ）参照）。図５（ａ）および（ｂ）からわ
かるように、ゲートバスライン２１へ入力される信号は
ライン番号と共に順次遅れて行き、次にｎ番目のゲート
バスライン２１に選択状態が循環してくるまで上記時間
Ｔoffにわたって非選択状態が続く。この非選択状態に
おいても、ソースバスライン２１には各絵素電極４１毎
に書き込むべき信号が絶えず入力されている。

【００３７】図５（ｄ）に示すように、正常な絵素電極
４１は、ゲート信号Ｇnが選択状態にあるときに、ソー
スバスライン２３から入力される信号Ｓmに応じて絵素
電極４１に電荷が充電され、上記基板２側の対向電極３
との間の電位差で液晶１８の分子配列が変わり、表示機
能を果たしている。このときゲートバスライン２１の非
選択時間Ｔoff内にソースバスライン２３に入力されて
いる信号Ｓmは全く表示には寄与しない。

【００３８】一方、前述のようにレーザー光の照射によ
って絵素電極４１とソースバスライン２３とが短絡され
ている状態では、ゲートバスライン２１の選択・非選択
にかかわらず、絵素電極４１はソースバスライン２３か
ら入力された信号Ｓmの全てに反応し、その電荷を充電
・放電する。この際の信号を図５（ｅ）にＰ'n、mで示
す。レーザー光の照射によって修正された絵素電極４１
には、非選択時間Ｔoffの間にソースバスライン２３の
信号Ｓmがそのまま入力されるため、上記液晶１８に作
用する電圧は印加された信号Ｓmの実効値になる。この
ため、ソースバスライン２３に与えられた信号Ｓmが全
てＶ0となるとき以外は、信号Ｐ'n、mの実効値がＶ0に
なることはあり得ないが、信号電圧Ｐ'n、mの実効値の
電圧はｍ番目のソースバスライン２３に接続される全て
の絵素電極４１の平均的な値になる。このことは、表示
装置としてはｍ番目のソースバスライン２３に沿って配
列された各絵素電極４１の平均的な明るさで点灯するこ
とを意味し、通常の表示状態においては各絵素電極４１
の明るさは表示品位をほとんど損なうことがない。

【００３９】図６は上記実施例の変形例を示しており、
この変形例では、ゲート絶縁膜１３と第１導電体片４４
およびソースバスライン突出部４６との間に、下方より
半導体層１４、エッチングストッパ層１５およびｎ⁺型
ａ−Ｓｉ層１６を挿入する構成をとる。この変形例によ
れば、上下の導電体間の絶縁性を向上できる利点があ
る。なお、これら半導体層１４、エッチングストッパ層
１５およびｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６を全て挿入する代わり
に、半導体層１４とエッチングストッパ層１５のみを挿
入する構成及びｎ⁺型ａ−Ｓｉ層１６のみを挿入する構
成をとることもできる。

【００４０】上記した第１導電体片４３および第２導電
体片４４の位置は図１の位置に限定されるものではな
く、ソースバスライン２３の近傍位置でありさえすれば
よい。すなわち、図７に示すように、ＴＦＴ３１の近傍
にソースバスライン突出部４６を形成し、該ソースバス
ライン突出部４６の近傍に第１導電体片４４および第２
導電体片４４を配置する構成をとってもよい。

【００４１】更には、図８に示すように、ソースバスラ
イン突出部４６の突出方向に第１導電体片４３を配置
し、該第１導電体片４３の基端部をソースバスライン突
出部４６の先端下方に重畳し、第１導電体片４３の先端
上方に第２導電体片４４を重畳する構成をとってもよ
い。

【００４２】また、上記各実施例では、ゲートバスライ
ン２１、ソースバスライン２３およびＴＦＴ３１等でア
クティブマトリクス表示装置用の基板を構成したが、こ
の構成に付加容量を付加した構成をとることもできる。
このような付加容量を付設すると、絵素電極４１の電荷
保持能力が向上し、表示装置の表示特性を向上できる利
点がある。

【００４３】また、上記実施例では、絵素電極を駆動す
るスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、これに限
定されず、ＭＩＭ素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイ
オード或はバリスタを用いることもできる。また、ＴＦ
Ｔの構造についても上記実施例のものに限定されず、ソ
ースバスラインを下面に配置し、ゲートバスラインを上
面に配置した構造であってもよい。

【００４４】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス表示装置
は、その構造により、該表示装置の全絵素電極を駆動し
た状態において、絵素欠陥を容易に検出できる。しか
も、基板外方よりレーザー光等のエネルギを照射するこ
とにより絵素欠陥の修正を容易に行える。従って、本発
明によれば、高い歩留りで表示装置を生産することがで
き、表示装置のコストダウンに寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のアクティブマトリクス表示装置の平面
図。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。

【図３】図１の部分拡大図。

【図４】図３のＢ−Ｂ線断面図。

【図５】ゲートバスライン、ソースバスラインおよび絵
素電極に入力される信号を示すタイミングチャート。

【図６】本発明の変形例を示す図４同様の断面図。

【図７】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図８】本発明の他の実施例を示す平面図。

【図９】従来のアクティブマトリクス表示装置を示す平
面図。

【図１０】従来のアクティブマトリクス表示装置を示す
平面図。

【符号の説明】

１絵素電極が配設される側のガラス基板２対向電極が配設される側のガラス基板３対向電極１３ゲート絶縁膜１８液晶２１ゲートバスライン２３ソースバスライン３１…ＴＦＴ３２…ソース電極３３…ドレイン電極４１…絵素電極４３…第１導電体片４４…第２導電体片４６…ソースバスライン突出部５２、５３…レーザー光の照射領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 29/784 (72)発明者近藤直文大阪市阿倍野区長池町22番22号シヤープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】【請求項１】一対の絶縁性基板の何れか一方の基板上に
走査線および信号線を格子状に配線し、該走査線および
信号線で囲まれた領域に絵素電極をそれぞれ配設すると
共に、該絵素電極と該走査線および信号線にそれぞれス
イッチング素子を接続したアクティブマトリクス表示装
置において、該信号線に該絵素電極に向けて突出し、該
絵素電極と電気的に非接触の信号線突出部を設ける一
方、該信号線、該走査線および該絵素電極と電気的に非
接触の第１導電体片の一端部を絶縁膜を介して該信号線
突出部に重畳し、かつ該第１導電体片の他端部に、該絵
素電極と電気的に接続され、該信号線突出部と電気的に
非接触の第２導電体片を絶縁膜を介して重畳したアクテ
ィブマトリクス表示装置。