JPH0421823A - 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は液晶に電圧を印加しない状態で透明であるノ
ーマリボワイトモードのアクティブ液晶表示素子、及び
その点欠陥の黒欠陥化法に関する。
ーマリボワイトモードのアクティブ液晶表示素子、及び
その点欠陥の黒欠陥化法に関する。
「従来の技術」
従来の液晶表示素子を第９図を参照して説明する。ガラ
スのような透明基板１１及び１２が近接対向して設けら
れ、その周縁部にはスペーサ１３が介在され、これら透
明基板１１□ １２間に液晶１４が封入されている。一
方の透明基板１１の内面に画素電極１５が複数形成され
、これら各画素電極１５に接してそれぞれスイッチング
素子としてＴＰＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成され
、そのＴ Ｆ Ｔ Ｉ ６のドレインは画素電極１５に
接続されている。これら複数の画素電極１５と対向して
他方の透明基板１２の内面に透明な共通電極１７が形成
されている。
スのような透明基板１１及び１２が近接対向して設けら
れ、その周縁部にはスペーサ１３が介在され、これら透
明基板１１□ １２間に液晶１４が封入されている。一
方の透明基板１１の内面に画素電極１５が複数形成され
、これら各画素電極１５に接してそれぞれスイッチング
素子としてＴＰＴ（薄膜トランジスタ）１６が形成され
、そのＴ Ｆ Ｔ Ｉ ６のドレインは画素電極１５に
接続されている。これら複数の画素電極１５と対向して
他方の透明基板１２の内面に透明な共通電極１７が形成
されている。
第１０図に示すように、透明基板１１上にほぼ正方形の
画素電極１５が行及び列に近接配列されており、画素電
極１５の各行配列と近接し、かつこれに沿ってそれぞれ
ゲートバス１８が形成され、また画素電極１５の各列配
列と近接してそれに沿ってソースバス１９がそれぞれ形
成されている。
画素電極１５が行及び列に近接配列されており、画素電
極１５の各行配列と近接し、かつこれに沿ってそれぞれ
ゲートバス１８が形成され、また画素電極１５の各列配
列と近接してそれに沿ってソースバス１９がそれぞれ形
成されている。
これら各ゲートバス１８及びソースバス１９の交叉点に
おいてＴＦＴ１６が設けられ、各ＴＦＴ １６のゲート
は両バスの交叉点位置においてゲートバス１８にそれぞ
れ接続され、各ソースはソースバス１９にそれぞれ接続
され、更に各ドレインは画素電極１５にそれぞれ接続さ
れている。
おいてＴＦＴ１６が設けられ、各ＴＦＴ １６のゲート
は両バスの交叉点位置においてゲートバス１８にそれぞ
れ接続され、各ソースはソースバス１９にそれぞれ接続
され、更に各ドレインは画素電極１５にそれぞれ接続さ
れている。
これらゲートバスＩ８とソースバス１９との各−つを選
択してそれら間に電圧を印加し、その電圧が印加された
ＴＦＴ１６のみが導通し、その導通したＴＦＴ］６のド
レインに接続された画素電極１５に電荷を蓄積して画素
電極１５と共通電極１７との間の液晶１４の部分におい
てのみ電圧を印加し、これによって画素電極１５の部分
のみを光透明或は光遮断とすることによって選択的な表
示を行う。この画素電極１５に蓄積した電荷を放電させ
ることによって表示を消去させることができる。
択してそれら間に電圧を印加し、その電圧が印加された
ＴＦＴ１６のみが導通し、その導通したＴＦＴ］６のド
レインに接続された画素電極１５に電荷を蓄積して画素
電極１５と共通電極１７との間の液晶１４の部分におい
てのみ電圧を印加し、これによって画素電極１５の部分
のみを光透明或は光遮断とすることによって選択的な表
示を行う。この画素電極１５に蓄積した電荷を放電させ
ることによって表示を消去させることができる。
ＴＦＴ１６は例えば第１１図及び第１２図に示すように
構成される。即ち透明基板１１上にＴＦＴＩ６の位置と
対応してクロム、モリブデンなどの光を遮断する金属の
ライトシールド２１が形成され、その上に絶縁層２２が
透明基板１１の全面に形成され、その絶縁層２２上に画
素電極１５とソースバス１９とがＩＴＯのような透明導
電膜によって形成され、画素電極１５及びソースバス１
９の互に平行近接した部分間にまたがってアモルファス
シリコンのような半導体層２３が形成され、更にその」
二に窒化シリコンなどのゲート絶縁膜２４が形成される
。このゲート絶縁膜２４上において半導体層２３を介し
て画素電極１５及びソースバス１９とそれぞれ一部重な
ってゲート電極２５が形成される。ゲート電極２５の一
端はゲートバス１８に接続される。このようにしてゲー
ト電極２５とそれぞれ対向した画素電極１５、ソースバ
ス１９はそれぞれドレイン電極１５ａ、ソース電極１９
ａを構成し、これら電極１５ａ、１９ａ１半導体層２３
、ゲート絶縁膜２４、ゲート電極２５によってＴＦＴ１
６が構成される。ゲート電極２５及びゲートバス１８は
同時に形成され、例えばアルミニウムによって構成され
る。液晶に対する保護のためにゲート電極２５上に全体
を覆って保護層２６が形成されている。ライトシールド
２１は半導体層２３に光が入射されて、光導電効果が生
ずるのを防止している。
構成される。即ち透明基板１１上にＴＦＴＩ６の位置と
対応してクロム、モリブデンなどの光を遮断する金属の
ライトシールド２１が形成され、その上に絶縁層２２が
透明基板１１の全面に形成され、その絶縁層２２上に画
素電極１５とソースバス１９とがＩＴＯのような透明導
電膜によって形成され、画素電極１５及びソースバス１
９の互に平行近接した部分間にまたがってアモルファス
シリコンのような半導体層２３が形成され、更にその」
二に窒化シリコンなどのゲート絶縁膜２４が形成される
。このゲート絶縁膜２４上において半導体層２３を介し
て画素電極１５及びソースバス１９とそれぞれ一部重な
ってゲート電極２５が形成される。ゲート電極２５の一
端はゲートバス１８に接続される。このようにしてゲー
ト電極２５とそれぞれ対向した画素電極１５、ソースバ
ス１９はそれぞれドレイン電極１５ａ、ソース電極１９
ａを構成し、これら電極１５ａ、１９ａ１半導体層２３
、ゲート絶縁膜２４、ゲート電極２５によってＴＦＴ１
６が構成される。ゲート電極２５及びゲートバス１８は
同時に形成され、例えばアルミニウムによって構成され
る。液晶に対する保護のためにゲート電極２５上に全体
を覆って保護層２６が形成されている。ライトシールド
２１は半導体層２３に光が入射されて、光導電効果が生
ずるのを防止している。
第１３図に示すように、画素電極１５の一端部は、隣接
するゲートバス１８の下側において、ゲートバス１８の
ほぼ中間位置まで延長されてそのゲートバス１８との間
に付加容量部２７が構成される。この付加容量部２７の
容量は画素電極１５の静電容量を補ってＴＰＴ１６のチ
ャンネル部の抵抗値とで作る時定数を大きくするために
必要とされる。
するゲートバス１８の下側において、ゲートバス１８の
ほぼ中間位置まで延長されてそのゲートバス１８との間
に付加容量部２７が構成される。この付加容量部２７の
容量は画素電極１５の静電容量を補ってＴＰＴ１６のチ
ャンネル部の抵抗値とで作る時定数を大きくするために
必要とされる。
「発明が解決しようとする課題」
このようなアクティブ液晶表示素子において画素電極１
５と共通電極１７との間に電圧が印加されていない状態
でその部分が光透明状態となるもの、いわゆるノーマリ
ホワイトモードのものにおいては、欠陥画素が生じると
、その欠陥画素の画素電極と共通電極との間は常に透明
となり、白欠陥となり、これは常番こ不透明となる黒欠
陥よりも目立ち、表示品位が著しく劣化する。このため
ノーマリブラックモードの液晶表示素子（欠陥画素が常
時、不透明の黒欠陥となる）においては許容される程度
の欠陥画素の数（密度）でも、ノーマリホワイトモート
の液晶表示素子では許容されないものとなり、それだけ
歩留りが著しく悪かった。
５と共通電極１７との間に電圧が印加されていない状態
でその部分が光透明状態となるもの、いわゆるノーマリ
ホワイトモードのものにおいては、欠陥画素が生じると
、その欠陥画素の画素電極と共通電極との間は常に透明
となり、白欠陥となり、これは常番こ不透明となる黒欠
陥よりも目立ち、表示品位が著しく劣化する。このため
ノーマリブラックモードの液晶表示素子（欠陥画素が常
時、不透明の黒欠陥となる）においては許容される程度
の欠陥画素の数（密度）でも、ノーマリホワイトモート
の液晶表示素子では許容されないものとなり、それだけ
歩留りが著しく悪かった。
「課題を解決するための手段Ｊ
請求項１の発明によれば絶縁層を介する二つの金属層を
外部から短絡される手法、例えばレーザ溶接により、欠
陥画素の画素電極を、共通電極と異なる電位が与えられ
るバスに接続することによりその欠陥画素を特徴とする 請求項２の発明によれば、各画素電極とその近傍のソー
スバスとのそれぞれの一部と絶縁層を介して対向した短
絡用金属層がそれぞれ形成されてあり、その短絡用金属
層とそれぞれ対向する画素電極の部分に溶接用金属層が
形成されている。従って、欠陥画素の短絡用金属層をレ
ーザ溶接によりその画素電極とソースバスとに溶接する
ことにより短絡用金属層を通じてその画素電極がソース
バスに接続され、ソースバスには共通電極と異なる電位
が与えられているため、その欠陥画素は黒欠陥となる。
外部から短絡される手法、例えばレーザ溶接により、欠
陥画素の画素電極を、共通電極と異なる電位が与えられ
るバスに接続することによりその欠陥画素を特徴とする 請求項２の発明によれば、各画素電極とその近傍のソー
スバスとのそれぞれの一部と絶縁層を介して対向した短
絡用金属層がそれぞれ形成されてあり、その短絡用金属
層とそれぞれ対向する画素電極の部分に溶接用金属層が
形成されている。従って、欠陥画素の短絡用金属層をレ
ーザ溶接によりその画素電極とソースバスとに溶接する
ことにより短絡用金属層を通じてその画素電極がソース
バスに接続され、ソースバスには共通電極と異なる電位
が与えられているため、その欠陥画素は黒欠陥となる。
請求項３の発明によれば欠陥画素の画素電極は、共通電
極と異なる電位が与えられるバスに短絡され、かつゲー
トバスから切離されている。従ってこの欠陥画素は黒欠
陥となる。
極と異なる電位が与えられるバスに短絡され、かつゲー
トバスから切離されている。従ってこの欠陥画素は黒欠
陥となる。
［実施例ｊ
第１図にこの発明の実施例の一部を示し、第１１図と対
応する部分に同一符号を付けである。この例では画素電
極１５及びソースバス１９の各−部とそれぞれ絶縁層を
介して対向している短絡用金属層２８が形成される。ま
た短絡用金属層２８と対向している画素電極１５及びソ
ースバス１９の各部分に溶接用金属層２９．３１がそれ
ぞれ形成される。例えば第２図に示すように透明基板１
１上に、ライトシールド２１（第１２図）を形成する際
に同一材（Ｃｒ 、 Ｍｏなど）で短絡用金属層２８を
形成し、その後、絶縁層２２を形成し、画素電極１５及
びソースバス１９を形成し、次に画素電極１５、ソース
バス１９上にそれぞれＣｒ 。
応する部分に同一符号を付けである。この例では画素電
極１５及びソースバス１９の各−部とそれぞれ絶縁層を
介して対向している短絡用金属層２８が形成される。ま
た短絡用金属層２８と対向している画素電極１５及びソ
ースバス１９の各部分に溶接用金属層２９．３１がそれ
ぞれ形成される。例えば第２図に示すように透明基板１
１上に、ライトシールド２１（第１２図）を形成する際
に同一材（Ｃｒ 、 Ｍｏなど）で短絡用金属層２８を
形成し、その後、絶縁層２２を形成し、画素電極１５及
びソースバス１９を形成し、次に画素電極１５、ソース
バス１９上にそれぞれＣｒ 。
Ｍｏなどの溶接用金属層２９．３１を形成し、その後、
ゲート絶縁膜２４を形成する。
ゲート絶縁膜２４を形成する。
あるいは第３図に示すように画素電極１５、ソースバス
１９上に溶接用金属層２９．３１をそれぞれ形成し、ゲ
ート絶縁膜２４を形成し、その後、ゲートバス１８及び
ゲート電極２５を形成する際に、同−利、例えばアルミ
ニウムで短絡用金属層２８を形成してもよい。第２図、
第３図において、ソースバス１９はその電圧降下を小さ
くするために、ＩＴＯなどの透明材層を形成した上にＣ
ｒなどの金属層を重ねることがあるが、この場合はその
ＩＴＯ上の金属層の形成と同時に、溶接用金属層２９を
形成し、ソースバス１９上には溶接用金属層を特に形成
する必要はない。
１９上に溶接用金属層２９．３１をそれぞれ形成し、ゲ
ート絶縁膜２４を形成し、その後、ゲートバス１８及び
ゲート電極２５を形成する際に、同−利、例えばアルミ
ニウムで短絡用金属層２８を形成してもよい。第２図、
第３図において、ソースバス１９はその電圧降下を小さ
くするために、ＩＴＯなどの透明材層を形成した上にＣ
ｒなどの金属層を重ねることがあるが、この場合はその
ＩＴＯ上の金属層の形成と同時に、溶接用金属層２９を
形成し、ソースバス１９上には溶接用金属層を特に形成
する必要はない。
例えば第４図に示すように、ＴＦＴ１６の部分のゲート
バス１８（ゲート電極）が画素電極１５上に延長されて
この画素が欠陥となった場合は、この延長部３２から、
線３３で示すように画素電極１５を外部からレーザカッ
トにより切り離し、かつ外部から例えば第２図に示すよ
うに溶接用金属層２９．３１と短絡用金属層２８との重
なり部分にレーザ３４をそれぞれ照射して、これら金属
層を溶かし、かつ絶縁層２２を破壊し、溶融金属３５．
３６でそれぞれ短絡用金属層２８と溶接用金属層２９．
３１とを短絡する、っまりレーザ溶接する。従ってこの
画素電極１５は短絡用金属層２８を通じてソースバス１
９と接続され、ソースバス１９は共通電極１７（第９図
）と通常若干の直流的電位差があるため、その欠陥画素
の画素電極１５と共通電極１７との間の液晶に電圧が印
加され、この欠陥画素は常時、不透明の黒欠陥となる。
バス１８（ゲート電極）が画素電極１５上に延長されて
この画素が欠陥となった場合は、この延長部３２から、
線３３で示すように画素電極１５を外部からレーザカッ
トにより切り離し、かつ外部から例えば第２図に示すよ
うに溶接用金属層２９．３１と短絡用金属層２８との重
なり部分にレーザ３４をそれぞれ照射して、これら金属
層を溶かし、かつ絶縁層２２を破壊し、溶融金属３５．
３６でそれぞれ短絡用金属層２８と溶接用金属層２９．
３１とを短絡する、っまりレーザ溶接する。従ってこの
画素電極１５は短絡用金属層２８を通じてソースバス１
９と接続され、ソースバス１９は共通電極１７（第９図
）と通常若干の直流的電位差があるため、その欠陥画素
の画素電極１５と共通電極１７との間の液晶に電圧が印
加され、この欠陥画素は常時、不透明の黒欠陥となる。
第３図の構成においても欠陥画素の画素電極１５を、同
様にレーザ溶接により、短絡用金属層２８を通してソー
スバス１９に接続することができる。第４図に示すよう
に付加容量部２７に×印で示す短絡部３７が生じて欠陥
画素となった場合は線３８で示すようにレーザカットに
よりその付加容量部２７を画素電極１５から切り離すと
共に、レーザ溶接により画素電極１５を短絡用金属層２
８を通してソースバス１９に接続する。このようにして
この欠陥画素を黒欠陥化することができる。
様にレーザ溶接により、短絡用金属層２８を通してソー
スバス１９に接続することができる。第４図に示すよう
に付加容量部２７に×印で示す短絡部３７が生じて欠陥
画素となった場合は線３８で示すようにレーザカットに
よりその付加容量部２７を画素電極１５から切り離すと
共に、レーザ溶接により画素電極１５を短絡用金属層２
８を通してソースバス１９に接続する。このようにして
この欠陥画素を黒欠陥化することができる。
液晶表示素子の構成によっては短絡用金属層２８を特に
設＆Ｊることなく、欠陥画素の画素電極をゲートバスに
接続することができる。すなわち第１図に示した例では
ＴＦＴ１６のゲート電極ばゲートバスス１８と一致して
いるが、第５図に示すようにゲート電極２５がゲートバ
ス１８から分岐されて形成されている場合は、欠陥画素
に対し、第６図に示すように、ドレイン電極１５ａ（画
素電極１５の一部）及びソース電極１９ａと、ライトシ
ールド２１の一部及びケート電極２５の一部との重なり
部分にそれぞれレーザ３４を照射することにより、ライ
トシールド２１、ゲート電極２５がそれぞれ溶けて溶融
金属４１．４２によりそれぞれドレイン電極１５ａ１ソ
ース電極１９ａはそれぞれライトシールド２１、ゲート
電極２５と短絡され、画素電極１５はライトシールド２
１及びゲート電極２５を通じてソースバス１９と接続さ
れる。第５図に線４３で示すようにゲート電極２５をゲ
ートバス１８からレーザカッＩ・で切り離す。
設＆Ｊることなく、欠陥画素の画素電極をゲートバスに
接続することができる。すなわち第１図に示した例では
ＴＦＴ１６のゲート電極ばゲートバスス１８と一致して
いるが、第５図に示すようにゲート電極２５がゲートバ
ス１８から分岐されて形成されている場合は、欠陥画素
に対し、第６図に示すように、ドレイン電極１５ａ（画
素電極１５の一部）及びソース電極１９ａと、ライトシ
ールド２１の一部及びケート電極２５の一部との重なり
部分にそれぞれレーザ３４を照射することにより、ライ
トシールド２１、ゲート電極２５がそれぞれ溶けて溶融
金属４１．４２によりそれぞれドレイン電極１５ａ１ソ
ース電極１９ａはそれぞれライトシールド２１、ゲート
電極２５と短絡され、画素電極１５はライトシールド２
１及びゲート電極２５を通じてソースバス１９と接続さ
れる。第５図に線４３で示すようにゲート電極２５をゲ
ートバス１８からレーザカッＩ・で切り離す。
このようにすれば、従来の液晶表示素子に対しても欠陥
画素を黒欠陥化することができる。
画素を黒欠陥化することができる。
第１３図に示したようにイ」加容量をゲートバスを利用
して設ける場合に限らず、第７図及び第８図に示すよう
に画素電極１５と絶縁膜４４を介して対向した付加容量
用バス４５を複数の画素電極１５に共通に設け、この付
加容量用バス４５と画素電極１５との間の容量を画素電
極１５の容量に付加することがある。この場合は付加容
量用バス４５がＩＴＯのような透明電極材の場合は、各
画素電極１５に溶接用金属層２９を形成し、これと対向
して溶接用金属層４６を付加容量用バス４５にも形成し
ておく。欠陥画素の画素電極１５の溶接用金属層２９と
溶接用金属層４９とをレーザ溶接して、その画素電極工
５を付加容量用バス４５に接続する。付加容量用バス４
５を共通電極１７と異なる電位としておくことにより、
欠陥画素を黒欠陥化することができる。付加容量用バス
４５が金属材の場合は溶接用金属層４９を省略できる。
して設ける場合に限らず、第７図及び第８図に示すよう
に画素電極１５と絶縁膜４４を介して対向した付加容量
用バス４５を複数の画素電極１５に共通に設け、この付
加容量用バス４５と画素電極１５との間の容量を画素電
極１５の容量に付加することがある。この場合は付加容
量用バス４５がＩＴＯのような透明電極材の場合は、各
画素電極１５に溶接用金属層２９を形成し、これと対向
して溶接用金属層４６を付加容量用バス４５にも形成し
ておく。欠陥画素の画素電極１５の溶接用金属層２９と
溶接用金属層４９とをレーザ溶接して、その画素電極工
５を付加容量用バス４５に接続する。付加容量用バス４
５を共通電極１７と異なる電位としておくことにより、
欠陥画素を黒欠陥化することができる。付加容量用バス
４５が金属材の場合は溶接用金属層４９を省略できる。
上述ではゲート電極２５を半導体層２３に対し、透明基
板１１と反対側としたトップゲート形ＴＰＴを示したが
、ゲート電極２５が半導体層２３に対して透明基板１１
側に設けるボトムゲート形ＴＦＴとしてもよい。
板１１と反対側としたトップゲート形ＴＰＴを示したが
、ゲート電極２５が半導体層２３に対して透明基板１１
側に設けるボトムゲート形ＴＦＴとしてもよい。
「発明の効果」
以上述べたようにこの発明によれば、ノーマリボワイト
モードの液晶表示素子の欠陥画素を黒欠陥化することが
でき、従来よりも表示品位が向上し、このため歩留りを
向上させることができる。
モードの液晶表示素子の欠陥画素を黒欠陥化することが
でき、従来よりも表示品位が向上し、このため歩留りを
向上させることができる。
第１図はこの発明の実施例の一部を示す平面図、第２図
は第１図のＡＡ線断面の一例を示す図、第３図は第１図
のＡＡ線断面の他の例を示す図、第４図は欠陥例とその
対応処理を示す平面図、第５図は従来の分岐ゲート電極
形ＴＰＴの液晶表示素子の一部を示す平面図、第６図は
この発明方法を適用した状態の第５図のＢＢ線断面を示
す図、第７図はこの発明の他の実施例の一部を示す平面
図、第８図は第７図のＣＣ線断面図、第９図は従来の液
晶表示素子の一部を示す断面図、第１０図は液晶表示素
子の画素電極配列とＴＰＴ接続とを示す回路回、第１１
図は従来の液晶表示素子の一部を示す平面図、第１２図
は第１１図のＤＤ線断面図、第１３図は第１１図のＥＥ
線断面図である。 特許出願人 星電器製造株式会社
は第１図のＡＡ線断面の一例を示す図、第３図は第１図
のＡＡ線断面の他の例を示す図、第４図は欠陥例とその
対応処理を示す平面図、第５図は従来の分岐ゲート電極
形ＴＰＴの液晶表示素子の一部を示す平面図、第６図は
この発明方法を適用した状態の第５図のＢＢ線断面を示
す図、第７図はこの発明の他の実施例の一部を示す平面
図、第８図は第７図のＣＣ線断面図、第９図は従来の液
晶表示素子の一部を示す断面図、第１０図は液晶表示素
子の画素電極配列とＴＰＴ接続とを示す回路回、第１１
図は従来の液晶表示素子の一部を示す平面図、第１２図
は第１１図のＤＤ線断面図、第１３図は第１１図のＥＥ
線断面図である。 特許出願人 星電器製造株式会社
Claims (3)
- （１）透明基板に複数のソースバスと複数のゲートバス
とが互いに直交して形成され、これらの各交叉点ごとに
そのゲートバス及びソースバスに薄膜トランジスタを介
して接続された画素電極がそれぞれ形成され、これら画
素電極と液晶を介して対向した共通電極が設けられ、そ
の共通電極と画素電極との間に電圧を印加しない状態で
透明である液晶表示素子において、 絶縁層を介する二つの金属層を外部から短絡させること
により欠陥画素の画素電極を、上記共通電極と異なる電
位が与えられるバスに接続してその欠陥画素を黒欠陥化
することを特徴とする液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化
法。 - （２）透明基板に複数のソースバスと複数のゲートバス
とが互いに直交して形成され、これらの各交叉点ごとに
そのゲートバス及びソースバスに薄膜トランジスタを介
して接続された画素電極がそれぞれ形成され、これら画
素電極と液晶を介して対向した共通電極が設けられ、そ
の共通電極と画素電極との間に電圧を印加しない状態で
透明である液晶表示素子において、 上記各画素電極とその近くのソースバスとのそれぞれの
各一部とそれぞれ絶縁層を介して対向した短絡用金属層
がそれぞれ形成され、 その短絡用金属層と対向する上記画素電極の部分に溶接
用金属層が形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。 - （３）透明基板に複数のソースバスと複数のゲートバス
とが互いに直交して形成され、これらの各交叉点ごとに
そのゲートバス及びソースバスに薄膜トランジスタを介
して接続された画素電極が設けられ、これら画素電極と
液晶を介して対向した共通電極が設けられ、その共通電
極と画素電極との間に電圧を印加しない状態で透明であ
る液晶表示素子において、 欠陥画素の画素電極は上記共通電極と異なる電位が与え
られるバスに短絡され、かつ上記ゲートバスから切離さ
れていることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126280A JPH0421823A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 |
| US07/695,912 US5121236A (en) | 1990-05-16 | 1991-05-06 | Liquid crystal display element and method for treating defective pixels therein |
| KR1019910007937A KR940006155B1 (ko) | 1990-05-16 | 1991-05-16 | 액정표시소자 |
| DE69108611T DE69108611T2 (de) | 1990-05-16 | 1991-05-16 | Flüssigkristallanzeigeelement und Verfahren zur Behandlung seiner defekten Bildpunkte. |
| EP91107957A EP0461417B1 (en) | 1990-05-16 | 1991-05-16 | Liquid crystal display element and method for treating defective pixels therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2126280A JPH0421823A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421823A true JPH0421823A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14931307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2126280A Pending JPH0421823A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5121236A (ja) |
| EP (1) | EP0461417B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0421823A (ja) |
| KR (1) | KR940006155B1 (ja) |
| DE (1) | DE69108611T2 (ja) |
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- 1991-05-06 US US07/695,912 patent/US5121236A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-16 KR KR1019910007937A patent/KR940006155B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 1991-05-16 DE DE69108611T patent/DE69108611T2/de not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| KR940006155B1 (ko) | 1994-07-08 |
| EP0461417A3 (en) | 1992-03-25 |
| US5121236A (en) | 1992-06-09 |
| EP0461417A2 (en) | 1991-12-18 |
| KR910020474A (ko) | 1991-12-20 |
| DE69108611T2 (de) | 1995-09-28 |
| DE69108611D1 (de) | 1995-05-11 |
| EP0461417B1 (en) | 1995-04-05 |
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