JP2912487B2 - 能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法 - Google Patents
能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、能動液晶表示装置お
よびその点欠陥弊害緩和処理方法に関し、特に点欠陥を
黒欠陥化或は白欠陥化することにより能動液晶表示装置
の点欠陥による表示品質低下を緩和する能動液晶表示装
置およびその点欠陥弊害緩和処理方法に関する。
よびその点欠陥弊害緩和処理方法に関し、特に点欠陥を
黒欠陥化或は白欠陥化することにより能動液晶表示装置
の点欠陥による表示品質低下を緩和する能動液晶表示装
置およびその点欠陥弊害緩和処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ここで、従来提案されている液晶表示素
子を図１および図２を参照して簡単に説明するに、透明
基板１１および透明基板１２がスペーサ１３を介して互
いに近接対向して具備され、透明画素電極１５の画素マ
トリックスが透明基板１１内面に形成される。透明画素
電極１５のそれぞれには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１
６が対応形成される。一方、透明基板１２の内面には透
明共通電極１７が形成されている。透明画素電極１５と
透明共通電極１７との間には液晶１４が封入される。薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６のゲートはゲートバス１
８に接続し、ソースはソースバス１９に接続している。
ゲートバス１８およびソースバス１９は図示される通り
互いに直交して多数本形成される。２０は蓄積容量バス
であり、ゲート絶縁膜２４の上面に形成されて透明画素
電極１５との間に蓄積容量を形成するためのものであ
る。ゲートバス１８に制御信号を供給して薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）１６がオンしたときにこれに対応する透
明画素電極１５と透明共通電極１７との間にソースバス
１９を介して電圧が印加されればこれら電極間の液晶の
光学的状態が変化する様に構成されている。
子を図１および図２を参照して簡単に説明するに、透明
基板１１および透明基板１２がスペーサ１３を介して互
いに近接対向して具備され、透明画素電極１５の画素マ
トリックスが透明基板１１内面に形成される。透明画素
電極１５のそれぞれには薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１
６が対応形成される。一方、透明基板１２の内面には透
明共通電極１７が形成されている。透明画素電極１５と
透明共通電極１７との間には液晶１４が封入される。薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６のゲートはゲートバス１
８に接続し、ソースはソースバス１９に接続している。
ゲートバス１８およびソースバス１９は図示される通り
互いに直交して多数本形成される。２０は蓄積容量バス
であり、ゲート絶縁膜２４の上面に形成されて透明画素
電極１５との間に蓄積容量を形成するためのものであ
る。ゲートバス１８に制御信号を供給して薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）１６がオンしたときにこれに対応する透
明画素電極１５と透明共通電極１７との間にソースバス
１９を介して電圧が印加されればこれら電極間の液晶の
光学的状態が変化する様に構成されている。
【０００３】ここで、液晶表示装置の製造工程を図４お
よび図３を参照して簡単に説明しておく。透明基板１１
の絶縁層２２上面に画素電極１５、ソースバス１９がＩ
ＴＯの如き透明導電体により形成され、更に画素電極１
５およびソースバス１９にまたがってＴＦＴ１６を構成
する半導体層２３が形成される。これらすべての上面に
亘って窒化シリコンより成るゲート絶縁膜２４を形成
し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２３に対応すると
ころにゲート電極２５を形成すると共にこれらゲート電
極２５に接続するゲートバス１８をソースバス１９に直
交するように形成し、更に蓄積容量バス２０をゲートバ
ス１８に平行に形成する。これらゲート電極２５、ゲー
トバス１８および蓄積容量バス２０を含むゲート絶縁膜
２４上面すべてに保護層２６を形成する。そして、保護
層２６と透明共通電極１７との間に液晶が封入される。
よび図３を参照して簡単に説明しておく。透明基板１１
の絶縁層２２上面に画素電極１５、ソースバス１９がＩ
ＴＯの如き透明導電体により形成され、更に画素電極１
５およびソースバス１９にまたがってＴＦＴ１６を構成
する半導体層２３が形成される。これらすべての上面に
亘って窒化シリコンより成るゲート絶縁膜２４を形成
し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２３に対応すると
ころにゲート電極２５を形成すると共にこれらゲート電
極２５に接続するゲートバス１８をソースバス１９に直
交するように形成し、更に蓄積容量バス２０をゲートバ
ス１８に平行に形成する。これらゲート電極２５、ゲー
トバス１８および蓄積容量バス２０を含むゲート絶縁膜
２４上面すべてに保護層２６を形成する。そして、保護
層２６と透明共通電極１７との間に液晶が封入される。
【０００４】上述の通りの能動液晶表示装置において、
これが例えばノーマリー・ホワイト・モードを採用する
能動液晶表示装置である場合、画素電極と共通電極との
間が常に無電圧となる画素欠陥が生ずると、この画素は
常に白である白欠陥画素となる。この白欠陥は欠陥とし
て大変に目立つものであるところから、ノーマリー・ホ
ワイト・モードを採用する液晶表示装置製造の歩留まり
は当然に悪くなる。この様な画素欠陥の弊害を緩和する
ために、欠陥画素電極をゲート・バス或いはソース・バ
スに短絡せしめて能動液晶表示装置の動作中これに電位
を与え、白欠陥を黒欠陥化する技術が開発されている。
そして、ノーマリー・ブラック・モードを採用する能動
液晶表示装置である場合も、同様に、画素電極をゲート
・バス１８或はソース・バス１９に接続することにより
黒欠陥を白欠陥とすることができる。
これが例えばノーマリー・ホワイト・モードを採用する
能動液晶表示装置である場合、画素電極と共通電極との
間が常に無電圧となる画素欠陥が生ずると、この画素は
常に白である白欠陥画素となる。この白欠陥は欠陥とし
て大変に目立つものであるところから、ノーマリー・ホ
ワイト・モードを採用する液晶表示装置製造の歩留まり
は当然に悪くなる。この様な画素欠陥の弊害を緩和する
ために、欠陥画素電極をゲート・バス或いはソース・バ
スに短絡せしめて能動液晶表示装置の動作中これに電位
を与え、白欠陥を黒欠陥化する技術が開発されている。
そして、ノーマリー・ブラック・モードを採用する能動
液晶表示装置である場合も、同様に、画素電極をゲート
・バス１８或はソース・バス１９に接続することにより
黒欠陥を白欠陥とすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の点欠陥緩和処理
とは逆に、ノーマリー・ホワイト・モードを採用する能
動液晶表示装置において黒欠陥を白欠陥化する方が点欠
陥がより緩和され、ノーマリー・ブラック・モードを採
用する能動液晶表示装置において白欠陥を黒欠陥化する
方が点欠陥がより緩和されると考えられるので、その旨
の点欠陥緩和処理をする場合もある。この点欠陥緩和処
理は、ノーマリー・ホワイト・モードを採用する能動液
晶表示装置がバックグラウンドを白地とされて白欠陥の
方が黒欠陥より目立たないと考えられる用途に供される
場合、およびノーマリー・ブラック・モードを採用する
能動液晶表示装置がＴＶ、ビデオその他の如き白欠陥よ
り黒欠陥が目立たないと考えられる用途に供される場合
に適用される。この点欠陥緩和処理は、具体的には欠陥
画素電極をＴＦＴ、蓄積容量用金属バスその他の電極か
らレーザ・カットにより切り離す処理を施すのである。
この処理は、確実になされないと点欠陥が再発する恐れ
があるところから、レーザ・カット切り離し処理は繰り
返して何度も施される。そのために、レーザ放射に起因
するシミの発生を誘発していた。
とは逆に、ノーマリー・ホワイト・モードを採用する能
動液晶表示装置において黒欠陥を白欠陥化する方が点欠
陥がより緩和され、ノーマリー・ブラック・モードを採
用する能動液晶表示装置において白欠陥を黒欠陥化する
方が点欠陥がより緩和されると考えられるので、その旨
の点欠陥緩和処理をする場合もある。この点欠陥緩和処
理は、ノーマリー・ホワイト・モードを採用する能動液
晶表示装置がバックグラウンドを白地とされて白欠陥の
方が黒欠陥より目立たないと考えられる用途に供される
場合、およびノーマリー・ブラック・モードを採用する
能動液晶表示装置がＴＶ、ビデオその他の如き白欠陥よ
り黒欠陥が目立たないと考えられる用途に供される場合
に適用される。この点欠陥緩和処理は、具体的には欠陥
画素電極をＴＦＴ、蓄積容量用金属バスその他の電極か
らレーザ・カットにより切り離す処理を施すのである。
この処理は、確実になされないと点欠陥が再発する恐れ
があるところから、レーザ・カット切り離し処理は繰り
返して何度も施される。そのために、レーザ放射に起因
するシミの発生を誘発していた。
【０００６】この発明は、上述の通りの問題を解消した
能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法を
提供しようとするものである。
能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法を
提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】透明基板１１上面に画素
電極１５、ソースバス１９が透明導電体により形成さ
れ、更に画素電極１５およびソースバス１９にまたがっ
て薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６を構成する半導体層
２３が形成され、これらを含む透明基板１１上面に絶縁
膜２４を形成し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２３
に対応するところにゲート電極２５を形成すると共にこ
れらゲート電極２５に接続するゲートバス１８をソース
バス１９に直交するように形成し、更に蓄積容量バス２
０をゲートバス１８に平行に形成し、これらゲート電極
２５、ゲートバス１８および蓄積容量バス２０を含むゲ
ート絶縁膜２４の上面に保護層２６を形成し、保護層２
６と透明共通電極１７との間に液晶が封入された画素分
割液晶表示素子において、画素電極１５と蓄積容量用金
属バス２０とが対向する領域の一部に金属パターン２１
を具備し、蓄積容量用金属バス２０の電位は液晶のいき
値以下に保持した。
電極１５、ソースバス１９が透明導電体により形成さ
れ、更に画素電極１５およびソースバス１９にまたがっ
て薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６を構成する半導体層
２３が形成され、これらを含む透明基板１１上面に絶縁
膜２４を形成し、この絶縁膜２４の上面の半導体層２３
に対応するところにゲート電極２５を形成すると共にこ
れらゲート電極２５に接続するゲートバス１８をソース
バス１９に直交するように形成し、更に蓄積容量バス２
０をゲートバス１８に平行に形成し、これらゲート電極
２５、ゲートバス１８および蓄積容量バス２０を含むゲ
ート絶縁膜２４の上面に保護層２６を形成し、保護層２
６と透明共通電極１７との間に液晶が封入された画素分
割液晶表示素子において、画素電極１５と蓄積容量用金
属バス２０とが対向する領域の一部に金属パターン２１
を具備し、蓄積容量用金属バス２０の電位は液晶のいき
値以下に保持した。
【０００８】
【実施例】この発明の実施例を図３および図５を参照し
て説明する。図５は図３におけるＡ−Ａにおける断面を
示す図である。この発明は、絶縁膜２４を介して画素電
極１５と対向する蓄積容量用金属バス２０が形成されて
おり、その蓄積容量用金属バス２０の電位は液晶層１４
を介して画素電極１５と対向する共通電極１７の電位と
同一とされており、画素電極１５と蓄積容量用金属バス
２０とが対向する領域の一部に金属パターン２１を具備
せしめたところをその特徴とするところである。図示さ
れる例においては、金属パターン２１は画素電極１５に
電気的機械的に接続せしめられている。
て説明する。図５は図３におけるＡ−Ａにおける断面を
示す図である。この発明は、絶縁膜２４を介して画素電
極１５と対向する蓄積容量用金属バス２０が形成されて
おり、その蓄積容量用金属バス２０の電位は液晶層１４
を介して画素電極１５と対向する共通電極１７の電位と
同一とされており、画素電極１５と蓄積容量用金属バス
２０とが対向する領域の一部に金属パターン２１を具備
せしめたところをその特徴とするところである。図示さ
れる例においては、金属パターン２１は画素電極１５に
電気的機械的に接続せしめられている。
【０００９】ここで、図５における矢印の向きにレーザ
光を放射してこれを金属パターン２１の近傍、ハッチン
グを施したところに集束せしめることにより金属パター
ン２１を溶融し、画素電極１５と蓄積容量用金属バス２
０とをレーザウェルドすることができる。画素電極１５
と蓄積容量用金属バス２０とが対向する領域の一部に金
属パターン２１を具備せしめることにより画素電極１５
を蓄積容量用金属バス２０に溶接するのが容易になる。
光を放射してこれを金属パターン２１の近傍、ハッチン
グを施したところに集束せしめることにより金属パター
ン２１を溶融し、画素電極１５と蓄積容量用金属バス２
０とをレーザウェルドすることができる。画素電極１５
と蓄積容量用金属バス２０とが対向する領域の一部に金
属パターン２１を具備せしめることにより画素電極１５
を蓄積容量用金属バス２０に溶接するのが容易になる。
【００１０】金属パターン２１の形成の仕方についてで
あるが、これは図４および図３を参照して説明された液
晶表示装置の製造工程における、透明基板１１の絶縁層
２２上面に画素電極１５、ソースバス１９および薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）１６を構成する半導体層２３が形
成される工程において画素電極１５上面に金属或は例え
ばＩＴＯの様な金属酸化物により形成し、その形成位置
は後にゲート絶縁膜２４上面に形成される蓄積容量バス
２０に対応するところとしておけばよい。
あるが、これは図４および図３を参照して説明された液
晶表示装置の製造工程における、透明基板１１の絶縁層
２２上面に画素電極１５、ソースバス１９および薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）１６を構成する半導体層２３が形
成される工程において画素電極１５上面に金属或は例え
ばＩＴＯの様な金属酸化物により形成し、その形成位置
は後にゲート絶縁膜２４上面に形成される蓄積容量バス
２０に対応するところとしておけばよい。
【００１１】金属パターン２１は画素電極１５に電気的
機械的に接続せしめられているが、必ずこうしなければ
ならないと言う訳ではなく、レーザウェルドを容易にす
る範囲内で両者の近傍に具備されさえすればよい。そし
て、蓄積容量用金属バス２０の電位は共通電極１７の電
位と同一とされれば能動液晶表示装置の動作は安定とな
るが、電位はこれに限られるものではなく、液晶のいき
値以下であればよい。また、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１６のタイプはトップゲート、ボトムゲートの何れ
のタイプであってもこの発明は実施することができる。
機械的に接続せしめられているが、必ずこうしなければ
ならないと言う訳ではなく、レーザウェルドを容易にす
る範囲内で両者の近傍に具備されさえすればよい。そし
て、蓄積容量用金属バス２０の電位は共通電極１７の電
位と同一とされれば能動液晶表示装置の動作は安定とな
るが、電位はこれに限られるものではなく、液晶のいき
値以下であればよい。また、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１６のタイプはトップゲート、ボトムゲートの何れ
のタイプであってもこの発明は実施することができる。
【００１２】
【発明の効果】欠陥画素を薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、蓄積容量用金属バスその他の電極からレーザ・カ
ットにより切り離す処理は確実になされないと点欠陥が
再発する恐れがあるところから、レーザ・カット切り離
し処理は繰り返して何度も施されてレーザ放射に起因す
るシミの発生を誘発していたが、この発明はレーザ・カ
ットを採用しないのでこの様なシミの発生の恐れはな
い。この発明は、欠陥画素電極を共通電極１７の電位と
同一或は液晶のいき値以下にするために金属パターン２
１を溶融して画素電極１５と蓄積容量用金属バス２０と
をレーザウェルドするのであるが、これは１回で確実に
できる。
Ｔ）、蓄積容量用金属バスその他の電極からレーザ・カ
ットにより切り離す処理は確実になされないと点欠陥が
再発する恐れがあるところから、レーザ・カット切り離
し処理は繰り返して何度も施されてレーザ放射に起因す
るシミの発生を誘発していたが、この発明はレーザ・カ
ットを採用しないのでこの様なシミの発生の恐れはな
い。この発明は、欠陥画素電極を共通電極１７の電位と
同一或は液晶のいき値以下にするために金属パターン２
１を溶融して画素電極１５と蓄積容量用金属バス２０と
をレーザウェルドするのであるが、これは１回で確実に
できる。
【図１】 能動液晶表示装置の従来例の断面を示す図。
【図２】 能動液晶表示装置の従来例の画素マトリック
スを示す図。
スを示す図。
【図３】 能動液晶表示装置の画素を示す図。
【図４】 図３の鎖線Ｄ−Ｄにおける断面を示す図。
【図５】 図３の鎖線Ａ−Ａにおける断面を示す図。
１１ 透明基板 １５ 画素電極 １６ ＴＦＴ １８ ゲートバス １９ ソースバス ２０ 蓄積容量バス ２１ 金属パターン ２３ 半導体層 ２４ 絶縁膜 ２５ ゲート電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/136 500
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上面に複数の画素電極とソース
バスが透明導電体により形成され、更に上記各画素電極
およびソースバスにまたがった薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を構成する半導体層が形成され、これらを含む透明
基板上面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上面の上記薄
膜トランジスタに対応するところにゲート電極を形成す
ると共に、これらゲート電極に接続するゲートバスを上
記ソースバスに直交するように形成し、更に蓄積容量バ
スを上記ゲートバスに平行に形成し、これらゲート電
極、ゲートバスおよび蓄積容量バスを含むゲート絶縁膜
の上面に保護層を形成し、これら保護層と透明共通電極
との間に液晶が封入された画素分割液晶表示素子におい
て、 欠陥となった画素電極と上記透明共通電極との間の電位
差を小さな値に保持する点欠陥弊害緩和処理方法。 - 【請求項２】 透明基板上面に複数の画素電極とソース
バスが透明導電体により形成され、更に上記各画素電極
およびソースバスにまたがった薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を構成する半導体層が形成され、これらを含む透明
基板上面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上面の上記薄
膜トランジスタに対応するところにゲート電極を形成す
ると共に、これらゲート電極に接続するゲートバスを上
記ソースバスに直交するように形成し、更に蓄積容量バ
スを上記ゲートバスに平行に形成し、これらゲート電
極、ゲートバスおよび蓄積容量バスを含むゲート絶縁膜
の上面に保護層を形成し、これら保護層と透明共通電極
との間に液晶が封入された画素分割液晶表示素子におい
て、上記 画素電極と上記蓄積容量用金属バスとが対向する領
域の一部に金属パターンを具備せしめ、上記蓄積容量用
金属バスの電位は液晶のいき値以下に保持されるもので
あることを特徴とする能動液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33076591A JP2912487B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33076591A JP2912487B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165043A JPH05165043A (ja) | 1993-06-29 |
| JP2912487B2 true JP2912487B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=18236292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33076591A Expired - Lifetime JP2912487B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 能動液晶表示装置およびその点欠陥弊害緩和処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2912487B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP33076591A patent/JP2912487B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05165043A (ja) | 1993-06-29 |
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