JPH09113930A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその断線修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 各信号配線に断線が発生すると、欠陥として
表示画面に現れる。この欠陥が増加すると歩留まりの低
下や、コストが上昇する。また、基板上に予備配線を設
けると、この予備配線は表示に関係しないので、基板の
面積が大きくなってしまう。さらに、１箇所の断線は救
済できても、同一信号配線に２個所以上の断線がある場
合、断線間で挟まれた部分は救済できないという問題点
がある。 【解決手段】 基板１１の上に、ゲート信号配線１５、
ゲート絶縁膜２２、画素電極１２を形成し、その上に、
救済用導電層４１を形成する。この救済用導電層４１は
ゲート信号配線１５と画素電極１２とが重なる位置で、
かつ画素電極１２に接するように形成される。ゲート信
号配線１５の断線部分２８をまたぐ位置に、断線救済用
導電層４１の上から、レーザーを照射することにより、
溶融した金属２９により、断線したゲート信号配線１５
を電気的に接続することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと表記する）などのスイッチング素子を
備え、高精細な表示を可能とするアクティブマトリクス
型表示装置およびその配線の欠陥を修正する方法に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の構成を図８に示す。図８において、このアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置には、複数の画素電極１２
がマトリクス状に形成されており、この画素電極１２に
は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１３が接続されている。このＴＦＴ１３のゲート電
極にはゲート信号配線１５が接続され、ゲート電極に入
力されるゲート信号によってＴＦＴ１３が駆動制御され
る。また、ＴＦＴ１３のソース電極にはソース信号配線
１７が接続され、ＴＦＴ１３の駆動時に、ＴＦＴ１３を
介してデータ（表示）信号が画素電極１２に入力され
る。各ゲート信号配線１５とソース信号配線１７とは、
マトリクス状に配列された画素電極１２の周囲を通り、
互いに直交差するように設けられている。さらに、ＴＦ
Ｔ１３のドレイン電極は画素電極１２および付加容量の
ためのＣｓ信号配線１６にも接続されている。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置のＴ
ＦＴ部分の断面図を図９に示す。図９において、ガラス
などの絶縁性の基板１１上に、ゲート電極２１が形成さ
れ、その上を覆ってゲート絶縁膜２２が形成されてい
る。さらにその上にシリコン半導体層２３を形成し、そ
の中央部上にチャネル層保護層であるエッチングストッ
パ２４を順次連続形成する。

【０００４】次に、第１のｎ＋シリコン膜２５と第２の
ｎ＋シリコン層２６とを分離して形成する。第２のｎ＋
シリコン層２６と、２層に形成されているソース電極２
７とが電気的に接続され、第１のｎ＋シリコン層２５
と、２層に形成されているドレイン電極１４とが電気的
に接続するように形成する。

【０００５】ゲート信号配線１５、Ｃｓ信号配線１６お
よびソース信号配線１７は製造工程中のピンホールや塵
埃によって、断線部分が発生する。その際、断線部分を
挟んで、駆動信号が与えられない箇所が生じ、表示がで
きなくなる。

【０００６】したがって、従来は、ゲート信号配線１
５、Ｃｓ信号配線１６およびソース信号配線１７の先端
側、つまり非端子側に予備配線パターンを設けていた。
断線が生じた信号配線に対して、予備配線パターンを接
続して予備配線パターンを通じて、断線によって駆動信
号が印加されない状態にある信号配線に、駆動信号を印
加できるように、救済措置を施していた。このことによ
り、断線により生じていた欠陥を無くすことができ、歩
留りを向上することができた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の高精細
化、大型化にともない、信号配線が増加することによ
り、信号配線の断線が増加する傾向にある。この信号配
線に断線が発生すると、画素電極に正常な電圧が印加さ
れない。そのため、電圧が印加されない部分は、欠陥と
して表示画面に現れる。この欠陥は致命的な欠陥であ
り、不良品として扱われる。このような不良品が増加す
ると表示装置の歩留まりの低下を招き、製品コストが上
昇するという問題がある。

【０００８】また、基板１１上に予備配線パターンを何
組か設ける場合、この予備配線パターンは表示に関係し
ないので、予備配線パターンのために基板１１の面積が
大きくなってしまうという問題がある。

【０００９】また、予備配線パターンを設けると、１箇
所の断線は救済できても、同一信号配線に２箇所以上の
断線がある場合、断線間で挟まれた部分は救済できない
という問題がある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に設け
られた複数の走査配線と、該走査配線と直交するように
形成された複数の信号配線と、隣り合う該走査配線と隣
り合う該信号配線とで囲まれた領域に配置される画素電
極と、該走査配線に印加される走査電圧によりオン・オ
フして該画素電極への該信号配線を介しての信号電圧の
印加をスイッチングするスイッチング素子とを備えたア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記画素
電極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線のうち少
なくとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なるように形
成され、前記重なり部が設けられた複数の画素電極のう
ちの少なくとも一か所で、画素電極と前記配線のうちの
少なくとも一つが電気的に接続されていることを特徴と
する。

【００１１】また、本発明は、基板上に設けられた複数
の走査配線と、該走査配線と直交するように形成された
複数の信号配線と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信
号配線とで囲まれた領域に配置される画素電極と、該走
査配線に印加される走査電圧によりオン・オフして該画
素電極への該信号配線を介しての信号電圧の印加をスイ
ッチングするスイッチング素子とを備えたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置において、前記画素電極が、走
査配線、信号配線、付加容量の配線のうち少なくとも一
つの配線と、絶縁膜を介して重なるように形成され、前
記配線と重なっている画素電極上に、導電性金属層が形
成されていることを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、基板上に設けられた複数
の走査配線と、該走査配線と直交するように形成された
複数の信号配線と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信
号配線とで囲まれた領域に配置される画素電極と、該走
査配線に印加される走査電圧によりオン・オフして該画
素電極への該信号配線を介しての信号電圧の印加をスイ
ッチングするスイッチング素子とを備え、前記画素電極
が、走査配線、信号配線、付加容量の配線のうち少なく
とも一つの配線と、絶縁膜を介して重なるように形成さ
れているアクティブマトリクス型液晶表示装置の断線修
正方法において、断線した配線と画素電極の重なりの位
置で、断線部分をまたぐ２箇所にレーザー照射すること
により、断線した配線が画素電極を介して電気的に接続
されることを特徴とする。

【００１３】また、本発明は、基板上に設けられた複数
の走査配線と、該走査配線と直交するように形成された
複数の信号配線と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信
号配線とで囲まれた領域に配置される画素電極と、該走
査配線に印加される走査電圧によりオン・オフして該画
素電極への該信号配線を介しての信号電圧の印加をスイ
ッチングするスイッチング素子とを備えたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の断線修正方法において、前記
画素電極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線のう
ち少なくとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なるよう
に形成され、前記配線と重なっている画素電極上に導電
性金属層が形成され、断線した配線と画素電極の重なり
の位置で、断線部分をまたぐ２箇所にレーザー照射する
ことにより、断線した配線が前記導電性金属層を用いて
電気的に接続されることを特徴とする。

【００１４】次に、その作用を説明する。以上のよう
に、本発明によれば、ゲート信号配線、Ｃｓ信号配線、
ソース信号配線のどこかに断線部分が発生しても、各信
号配線と画素電極が絶縁膜を介して重なっているため、
断線部分を挟んでその両側にレーザー照射することによ
り、断線部分を有する信号配線と画素電極１２とが電気
的に接続することができ、信号配線の断線を救済するこ
とができる。

【００１５】また、ゲート信号配線、Ｃｓ信号配線、ソ
ース信号配線のどこかに断線部分が発生しても、画素電
極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線のうち少な
くとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なるように形成
され、かつ、配線と重なっている画素電極上に、導電性
金属層を形成した構造であるため、断線部分を挟んでそ
の両側にレーザー照射することにより、断線部分を有す
る信号配線と画素電極とが容易に電気的に接続すること
ができ、信号配線の断線を救済することができる。

【００１６】また、本発明では、一画素に重なる信号配
線につき１箇所の断線がある場合に救済が可能であり、
この結果、歩留りが向上することができ、製造コストを
大きく下げることができる。

【００１７】また、基板上に、断線救済用の予備配線パ
ターンなどを形成しなくてもよいため、基板の面積を小
さくすることができ、表示に必要な有効面積の割合を高
めることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。

【００１９】（実施形態１）図１は本発明の実施形態１
のアクティブマトリクス型液晶表示装置における１画素
部分の構成を示す平面図である。図２はゲート信号配線
上の断線部分における断面の構成を示す断面図である。

【００２０】図１に示すように、このアクティブマトリ
クス型液晶表示装置には、複数の画素電極１２がマトリ
クス状に形成されており、この画素電極１２には、スイ
ッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１３が
接続されている。このＴＦＴ１３のゲート電極には走査
配線としてのゲート信号配線１５が接続され、ゲート電
極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ１３が駆動制
御される。また、ＴＦＴ１３のソース電極には信号配線
としてのソース信号配線１７が接続され、ＴＦＴ１３の
駆動時に、ＴＦＴ１３を介してデータ（表示）信号が画
素電極１２に入力される。各ゲート信号配線１５はソー
ス信号配線１７とは、マトリクス状に配列された画素電
極１２の周囲を通り、互いに直交差するように設けられ
ている。さらに、ＴＦＴ１３のドレイン電極は画素電極
１２にも接続されている。付加容量のためのＣｓ信号配
線も配線されている。

【００２１】図２（Ａ）に示すように、実施形態１で
は、アクティブマトリクス型液晶表示装置はゲート信号
配線１５上にゲート絶縁膜２２を介して画素電極１２が
存在するような構造である。同様に、ソース信号配線１
７、Ｃｓ信号配線１６の場合も同じような構成である。

【００２２】例えば、ガラスなどの絶縁性の基板１１の
上に、ゲート信号配線１５としてタンタルを約０．３μ
ｍの膜厚で形成し、さらに、ゲート絶縁膜２２として窒
化シリコンを約０．３μｍの膜厚で形成し、その上に画
素電極１２としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）を約０．１５μｍの膜厚で形成する。

【００２３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置の構造において、例えば図２（Ａ）に示すよう
に、ゲート信号配線１５の一部に断線部分２８が発生し
た場合について説明する。画素電極１２とゲート信号配
線１５とが重なってる位置で、かつ断線部分２８をまた
いだ２箇所（図１の×印で示す位置）に、ＹＡＧレーザ
ー（波長１０６０ｎｍ）を画素電極１２側から照射す
る。

【００２４】図２（Ｂ）に示すように、画素電極１２と
ゲート信号配線１５間に、レーザー照射により発生する
溶融した金属２９により、電気的に接続することができ
る。このことにより、断線したゲート信号配線は溶融金
属２９→画素電極１２→溶融金属２９というバイパスラ
インを通して、駆動信号が印加されない状態にある信号
配線に駆動信号を印加することができる。

【００２５】上記では、ゲート信号配線の場合について
説明したが、ソース信号配線１７、Ｃｓ信号配線１６の
場合も同様である。

【００２６】したがって、断線により生じていた欠陥を
無くすことができ、歩留りを向上することができる。

【００２７】（実施形態２）図３は本発明の実施形態２
のアクティブマトリクス型液晶表示装置における１画素
部分の構成を示す平面図である。図４はゲート信号配線
上の断線部分における断面の構成を示す断面図である。

【００２８】図３に示された実施形態２のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、図１に示された実施形態１
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の構成と同じで
あるので説明を省略する。

【００２９】図３および図４（Ａ）に示すように、実施
形態２のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、画
素電極１２がゲート信号配線１５と絶縁膜を介して重な
るように形成され、かつ、ゲート信号配線１５と重なっ
ている画素電極１２上に、導電性金属層４１を形成した
構造である。

【００３０】この導電性金属層４１はゲート信号配線１
５の断線を救済するために設けられており、タンタル、
チタン、モリブデン、クロムなどの金属材料から構成さ
れる。断線救済のための導電性金属層４１は下記以降で
は、ゲート断線救済用導電層４１と表現する。同様に、
ソース信号配線１７、Ｃｓ信号配線１６の場合も同じ構
成である。

【００３１】ゲート信号配線の場合について説明する。
図３および図４（Ａ）に示すように、絶縁性の基板１１
の上に、ゲート信号配線１５としてタンタルを約０．３
μｍの膜厚で形成し、さらに、ゲート絶縁膜２２として
窒化シリコンを約０．３μｍの膜厚で形成し、その上に
画素電極１２としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）を約０．１５μｍの膜厚で形成する。その上
に、ゲート断線救済用導電層４１としてタンタルを約
０．２μｍの膜厚で形成する。このゲート断線救済用導
電層４１は、画素電極１２がゲート信号配線１５と絶縁
膜を介して重なり、かつ、ゲート信号配線１５と重なっ
ている画素電極１２上に形成した導電性金属層である。

【００３２】また、ゲート断線救済用導電層４１は、図
３に示すようにソース信号配線１７と交差する部分を除
いて、ゲート信号配線１５上に島状に形成されている。

【００３３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置の構成において、ゲート信号配線１５の一部に断
線部分２８が発生した場合について説明する。この断線
部分２８をまたぐ位置（図３の×印で示す位置）におい
て、ゲート断線救済用導電層４１の上から、ＹＡＧレー
ザー（波長１０６０ｎｍ）を照射する。ゲート断線救済
用導電層４１とゲート信号配線１５の間を、レーザー照
射により発生する溶融した金属２９によって、電気的に
接続することができる。

【００３４】このことにより、断線したゲート信号配線
は溶融金属２９→断線救済用導電層４１→溶融金属２９
というバイパスラインを通して、駆動信号が印加されな
い状態にあるゲート信号配線に、駆動信号を印加するこ
とができる。

【００３５】また、このバイパスラインは溶融金属２９
→断線救済用導電層４１→画素電極１２→断線救済用導
電層４１→溶融金属２９という経路をたどることも可能
である。これは、例えばゲート信号配線１５の断線部分
２８上で断線救済用導電層４１が２つに分割（断線）さ
れた場合において、画素電極２１を経由して断線救済用
導電層４１へ行くため、ゲート信号配線１５の断線救済
が可能であることを示している。

【００３６】また、Ｃｓ信号配線１６の断線救済は、ゲ
ート信号配線の断線救済の場合と同様に、Ｃｓ断線救済
用導電層４２を設けることにより、Ｃｓ信号配線１６の
断線を救済することができる。

【００３７】また、ソース信号配線の場合について説明
する。図５はソース信号配線上の断線部分２８における
断面の構成を示す断面図である。

【００３８】図５に示すように、基板１１の上に、ゲー
ト絶縁膜２２として窒化シリコンを約０．３μｍの膜厚
で形成し、ソース信号配線１７としてタンタルを約０．
３μｍの膜厚で形成し、絶縁層４５として窒化シリコン
を約０．３μｍの膜厚で形成し、画素電極１２としてＩ
ＴＯを約０．１５μｍの膜厚で順次形成する。

【００３９】その上に、ソース断線救済用導電層４３と
してタンタルを約０．２μｍの膜厚で形成する。このソ
ース救済用導電層４３は、画素電極１２がソース信号配
線１７と、絶縁膜を介して重なり、かつ、ソース信号配
線１７と重なっている画素電極１２上に形成した導電性
金属層である。

【００４０】また、ソース断線救済用導電層４３は、図
３に示すようにゲート信号配線１５と交差する部分を除
いて、ソース信号配線１７上に島状に形成されている。

【００４１】ソース信号配線１７の断線救済は、ゲート
信号配線の断線救済の場合と同様に、レーザー照射によ
って発生する溶融した金属２９によって、断線部分２８
を電気的に接続することにより、ソース信号配線の断線
を救済することができる。

【００４２】以上のように、断線を修正することによ
り、歩留まりを向上することができる。ただし、本発明
の断線修正方法では、画素は点欠陥となる。従来ではラ
イン欠陥であったものが、この断線修正方法を用いれ
ば、点欠陥となり、点欠陥は小さいので目立たなくなっ
て表示品位がよくなり、歩留まりが向上する。

【００４３】（実施形態３）図６は本発明の実施形態３
のアクティブマトリクス型液晶表示装置における１画素
部分の構成を示す平面図である。

【００４４】図６において、アクティブマトリクス基板
には、複数の画素電極１２がマトリクス状に設けられて
おり、これらの画素電極１２の周囲を通り、互いに直交
差するように、ゲート信号配線１５と、ソース信号配線
１７が設けられている。これらのゲート信号配線１５と
ソース信号配線１７はその一部が画素電極１２の外周部
分とオーバーラップしている。また、画素電極１２には
スイッチング素子としてのＴＦＴ１３が接続されてい
る。このＴＦＴ１３のゲート電極にはゲート信号配線１
５が接続され、ゲート電極に入力される信号によってＴ
ＦＴ１３が駆動制御される。また、ＴＦＴ１３のソース
電極にはソース信号配線１７が接続され、ＴＦＴ１３の
ソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ
１３のドレイン電極は、接続電極３５さらにコンタクト
ホール３６を介して画素電極１２と接続されるととも
に、一方の電極３５ａと付加容量の他方の電極３７で付
加容量を形成している。この付加容量の他方の電極３７
は共通配線に接続されている。さらに、ＴＦＴ１３、ゲ
ート信号配線１５およびソース信号配線１７、接続電極
３５の上部を覆って層間絶縁膜３８が設けられている。

【００４５】この層間絶縁膜３８の上には、画素電極１
２となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３８を貫く
コンタクトホール３６を介して、接続電極３５である透
明導電膜によりＴＦＴ１３のドレイン電極と接続されて
いる。

【００４６】この付加容量の他方の電極３７は実施形態
１、２で説明しているＣｓ信号配線のことであるので、
以下の説明では、Ｃｓ信号配線として説明する。

【００４７】図７は、図６のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のソース信号配線１７上のＡ−Ａ断面での構
成を示す断面図である。

【００４８】図７に示すように、基板１１の上に、ゲー
ト絶縁膜２２、ソース信号配線１７を形成し、その上に
層間絶縁膜３８として樹脂を約２μｍの膜厚で形成す
る。画素電極１２としてＩＴＯを形成する。その上に、
ソース断線救済用導電層４３としてタンタルを約０．２
μｍの膜厚で形成する。画素電極１２とソース信号配線
１７との接続を容易にするために、ソース信号配線１７
上の層間絶縁膜３８は、樹脂を０．５μｍの膜厚で形成
し、他の部分より薄く形成した構成となっている。ま
た、このソース断線救済用導電層４３は、画素電極１２
が、ソース信号配線１７と絶縁膜４５を介して重なり、
かつ、ソース信号配線１７と重なっている画素電極１２
上に形成した導電性金属層である。

【００４９】また、ソース断線救済用導電層４３は、図
６に示すようにゲート信号配線１５と交差する部分を除
いて、ソース信号配線１７上に島状に形成されている。

【００５０】実施形態１、２と同様に、断線部分２８を
またぐ位置（図６の×印で示す位置）に、断線救済用導
電層４３の上から、レーザーを照射する。ソース断線救
済用導電層４３とソース信号配線１７の間を、レーザー
照射により発生する溶融した金属２９によって、電気的
に接続することができる。

【００５１】ソース断線救済用導電層４３の材料とし
て、タンタルを用いて説明したがチタン、モリブデン、
クロムといった材料でもよい。

【００５２】上記では、ソース信号配線１７の場合につ
いて説明したが、ゲート信号配線１５、Ｃｓ信号配線１
６の場合も同様である。

【００５３】なお、実施形態１、２、３で説明したよう
に、画素電極とすべての配線が修正可能なように絶縁膜
を介して重ねられているが、その限りでなく、断線する
配線に応じて、例えば、ソース信号配線のみ重ねるよう
に設けても良い。

【００５４】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ゲート
信号配線１５、Ｃｓ信号配線１６、ソース信号配線１７
のどこかに断線部分２８が形成されても、各信号配線１
５、１６、１７と画素電極１２が絶縁膜を介して重なっ
ているため、断線部分２８を挟んでその両側にレーザー
照射することにより、断線部分２８を有する信号配線と
画素電極１２とが電気的に接続することができ、信号配
線の断線を救済することができる。

【００５５】また、ゲート信号配線１５、Ｃｓ信号配線
１６、ソース信号配線１７のどこかに断線部分２８が形
成されても、画素電極１２が、各信号配線１５、１６、
１７と絶縁膜を介して重なるように形成され、かつ、各
信号配線１５、１６、１７と重なっている画素電極１２
上に、断線救済用導電層４１、４２、４３をを設けた構
造であるため、断線部分２８を挟んでその両側にレーザ
ー照射することにより、断線部分２８を有する信号配線
と画素電極１２とが容易に電気的に接続することがで
き、信号配線の断線を救済することができる。

【００５６】また、本発明では、１画素に重なる信号配
線につき１箇所の断線がある場合に救済が可能であり、
この結果、歩留りを向上することができ、製造コストを
大きく下げることができる。

【００５７】また、基板１１上に、断線救済用の予備配
線パターンなどを形成しなくてもよいため、基板１１の
面積を小さくすることができ、表示に必要な有効面積の
割合を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１のアクティブマトリクス型液晶表示
装置における１画素部分の構成を示す平面図である。

【図２】実施形態１におけるゲート信号配線上の断線部
分における断面の構成を示す断面図である。

【図３】 実施形態２のアクティブマトリクス型液晶表
示装置における１画素部分の構成を示す平面図である。

【図４】実施形態２におけるゲート信号配線上の断線部
分における断面の構成を示す断面図である。

【図５】実施形態２におけるソース信号配線上の断線部
分における断面の構成を示す断面図である。

【図６】実施形態３のアクティブマトリクス型液晶表示
装置における１画素部分の構成を示す平面図である。

【図７】実施形態３におけるソース信号配線上の断線部
分における断面の構成を示す断面図である。

【図８】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
構成を示す図である。

【図９】アクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ
部分の断面を示す断面図である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ 画素電極 １３ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） １４ ドレイン電極 １５ ゲート信号配線 １６ Ｃｓ信号配線 １７ ソース信号配線 ２１ ゲート電極 ２２ ゲート絶縁膜 ２７ ソース電極 ２８ 断線部分 ２９ 溶融した金属 ３５ 接続電極 ３６ コンタクトホール ３７ 付加容量の他方の電極 ３８ 層間絶縁膜 ４１ ゲート断線救済用導電層 ４２ Ｃｓ断線救済導電層 ４３ ソース断線救済導電層 ４５ 絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けられた複数の走査配線と、
   該走査配線と直交するように形成された複数の信号配線
   と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信号配線とで囲ま
   れた領域に配置される画素電極と、該走査配線に印加さ
   れる走査電圧によりオン・オフして該画素電極への該信
   号配線を介しての信号電圧の印加をスイッチングするス
   イッチング素子とを備えたアクティブマトリクス型液晶
   表示装置において、 前記画素電極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線
   のうち少なくとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なる
   ように形成され、 前記重なり部が設けられた複数の画素電極のうちの少な
   くとも一か所で、画素電極と前記配線のうちの少なくと
   も一つが電気的に接続されていることを特徴とするアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 基板上に設けられた複数の走査配線と、
   該走査配線と直交するように形成された複数の信号配線
   と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信号配線とで囲ま
   れた領域に配置される画素電極と、該走査配線に印加さ
   れる走査電圧によりオン・オフして該画素電極への該信
   号配線を介しての信号電圧の印加をスイッチングするス
   イッチング素子とを備えたアクティブマトリクス型液晶
   表示装置において、 前記画素電極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線
   のうち少なくとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なる
   ように形成され、 前記配線と重なっている画素電極上に、導電性金属層が
   形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス
   型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 基板上に設けられた複数の走査配線と、
   該走査配線と直交するように形成された複数の信号配線
   と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信号配線とで囲ま
   れた領域に配置される画素電極と、該走査配線に印加さ
   れる走査電圧によりオン・オフして該画素電極への該信
   号配線を介しての信号電圧の印加をスイッチングするス
   イッチング素子とを備え、前記画素電極が、走査配線、
   信号配線、付加容量の配線のうち少なくとも一つの配線
   と、絶縁膜を介して重なるように形成されているアクテ
   ィブマトリクス型液晶表示装置の断線修正方法におい
   て、 断線した配線と画素電極の重なりの位置で、断線部分を
   またぐ２箇所にレーザー照射することにより、断線した
   配線が画素電極を介して電気的に接続されることを特徴
   とする断線修正方法。
4. 【請求項４】 基板上に設けられた複数の走査配線と、
   該走査配線と直交するように形成された複数の信号配線
   と、隣り合う該走査配線と隣り合う該信号配線とで囲ま
   れた領域に配置される画素電極と、該走査配線に印加さ
   れる走査電圧によりオン・オフして該画素電極への該信
   号配線を介しての信号電圧の印加をスイッチングするス
   イッチング素子とを備えたアクティブマトリクス型液晶
   表示装置の断線修正方法において、 前記画素電極が、走査配線、信号配線、付加容量の配線
   のうち少なくとも一つの配線と、絶縁膜を介して重なる
   ように形成され、 前記配線と重なっている画素電極上に導電性金属層が形
   成され、 断線した配線と画素電極の重なりの位置で、断線部分を
   またぐ２箇所にレーザー照射することにより、断線した
   配線が前記導電性金属層を用いて電気的に接続されるこ
   とを特徴とする断線修正方法。