JP2007011328A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007011328A JP2007011328A JP2006163599A JP2006163599A JP2007011328A JP 2007011328 A JP2007011328 A JP 2007011328A JP 2006163599 A JP2006163599 A JP 2006163599A JP 2006163599 A JP2006163599 A JP 2006163599A JP 2007011328 A JP2007011328 A JP 2007011328A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- insulating film
- data line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 38
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41758—Source or drain electrodes for field effect devices for lateral devices with structured layout for source or drain region, i.e. the source or drain region having cellular, interdigitated or ring structure or being curved or angular
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Abstract
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲートライン、及びダミーパターンを形成する段階と、ゲート電極及びゲートライン上に第1絶縁膜を形成する段階と、ゲート電極の上部にソース電極、ドレイン電極、及びアクティブ層で構成されるスイッチング素子を形成する段階と、ゲートラインと交差し、少なくとも一側面にダミーパターンが位置するように、基板上にデータラインを形成する段階と、基板上に第2絶縁膜を形成する段階と、第2絶縁膜の一部領域を除去してドレイン電極の一部を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、第1コンタクトホールを介してドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する段階とを含む。
【選択図】図6
Description
図7は一般の液晶表示装置の構造を概略的に示す分解斜視図である。
図7に示すように、一般の液晶表示装置は、第1基板であるカラーフィルタ基板5と、第2基板であるアレイ基板10と、カラーフィルタ基板5とアレイ基板10との間に形成された液晶層30とから構成される。
また、開口率を向上させるために、画素電極をデータラインにオーバーラップさせるか、近接させて形成した場合は、前記データラインと前記画素電極との間に寄生容量が発生する。これにより、前記データラインの左右に位置する液晶層が所望しない方向に配列されて光漏れが発生するという問題があった。
図1は、本発明の第1の実施の形態による液晶表示装置のアレイ基板の一部を概略的に示す平面図である。
実際のアレイ基板には、N個のゲートラインとM個のデータラインとが交差してM×N個の画素が存在するが、説明を簡単にするために、図には(m、n)番目の画素のみを示す。
このとき、第1n+非晶質シリコン薄膜パターン130’も同じ形状にパターニングして、ソース/ドレイン電極122、123とアクティブ層120’の所定領域との間をオーミックコンタクトさせるオーミックコンタクト層125を形成する。
なお、図中符号460”は第1ストレージ電極416’の上部に形成された第2ストレージ電極を示し、第2ストレージ電極460”は、前記第2絶縁膜に形成された第2コンタクトホール440Bを介して、上部の(m、n+1)番目の画素電極418n+1と電気的に接続される。
Claims (21)
- 基板上にゲート電極、ゲートライン、及びダミーパターンを形成する段階と、
前記ゲート電極及び前記ゲートライン上に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極の上部にソース電極、ドレイン電極、及びアクティブ層で構成されるスイッチング素子を形成する段階と、
前記ゲートラインと交差し、少なくとも一側面に前記ダミーパターンが位置するように、前記基板上にデータラインを形成する段階と、
前記基板上に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜の一部領域を除去して、前記ドレイン電極の一部を露出させる第1コンタクトホールを形成する段階と、
前記第1コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ダミーパターンとの接続により、断線した前記データラインをリペアする段階と、
前記基板上に第2絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記データラインの一部は、前記第1絶縁膜上に形成することを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜を前記ダミーパターン上に形成することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜を前記ダミーパターン上の一部に形成することを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ダミーパターンは、前記データラインの両側または一側のいずれかに形成することを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ダミーパターンは、前記ゲート電極及び前記ゲートラインと実質的に同じ製造工程により形成することを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 断線した前記データラインと前記ダミーパターンとの間を断線部分の両側において電気的に接続してリペアすることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記断線したデータラインは、レーザを利用した溶接により、前記ダミーパターンと断線部分の両側において電気的に接続することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、ガラス粉末を用いて形成することを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、プリンティングティングと焼結方式により形成することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1絶縁膜は、蒸着と焼結方式により形成することを特徴とする請求項10に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 基板上に形成されたゲート電極、ゲートライン、及びダミーパターンと、
前記ゲート電極及び前記ゲートライン上にガラス粉末で形成された第1絶縁膜と、
前記ゲート電極の上部に形成され、ソース電極、ドレイン電極、及びアクティブ層で構成されるスイッチング素子と、
前記基板上に前記ゲートラインと交差するように形成され、少なくとも一側面に前記ダミーパターンが位置するデータラインと、
前記基板上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させる第1コンタクトホールを含む第2絶縁膜と、
前記基板上に形成され、前記第1コンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続する画素電極と
を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 断線した前記データラインと前記ダミーパターンとを接続する接続ラインをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインの一部は、前記第1絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項13または14に記載の液晶表示装置。
- 前記第1絶縁膜は、前記ダミーパターン上に形成されることを特徴とする請求項15に記載の液晶表示装置。
- 前記第1絶縁膜は、前記ダミーパターン上の一部に形成されることを特徴とする請求項13から15までのいずれか1項に記載の液晶表示装置。
- 前記ダミーパターンは、前記データラインの両側または一側のいずれかに位置することを特徴とする請求項13または14に記載の液晶表示装置。
- 前記ダミーパターンは、前記ゲート電極及び前記ゲートラインを構成する物質と同じ導電性物質からなることを特徴とする請求項13または14に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインの断線発生時、リペア工程により、断線した前記データラインと前記ダミーパターンとの間が断線部分の両側において電気的に接続されることを特徴とする請求項13または14に記載の液晶表示装置。
- 前記断線したデータラインは、レーザを利用した溶接により、前記ダミーパターンと断線部分の上側と下側において電気的に接続されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050057341 | 2005-06-29 | ||
KR1020060044415A KR101234215B1 (ko) | 2005-06-29 | 2006-05-17 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007011328A true JP2007011328A (ja) | 2007-01-18 |
JP4543013B2 JP4543013B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=37678244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006163599A Expired - Fee Related JP4543013B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-13 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7773170B2 (ja) |
JP (1) | JP4543013B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010271610A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置 |
KR101244897B1 (ko) | 2007-02-13 | 2013-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치 |
KR101374078B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2014-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101058461B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2011-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
KR101156433B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5572562B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2014-08-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP5825812B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-12-02 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法 |
KR101878333B1 (ko) * | 2012-01-09 | 2018-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 |
CN104064516B (zh) | 2014-07-17 | 2017-12-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN112652272B (zh) | 2019-10-11 | 2022-04-26 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09113930A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその断線修正方法 |
JPH1026771A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Nec Corp | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
JPH11119694A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 表示装置用電極及びその製造方法 |
JP2000250436A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
JP2006011162A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置用基板及び該基板の補修方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100283733B1 (ko) * | 1995-10-16 | 2001-03-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법 |
KR100244181B1 (ko) * | 1996-07-11 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정표시장치의리페어구조및그를이용한리페어방법 |
US6014191A (en) * | 1996-07-16 | 2000-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines that cross data lines twice and cross gate lines in the active area and related repairing methods |
CN1148600C (zh) * | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
JP2000044277A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Central Glass Co Ltd | 表示装置の絶縁性被膜形成材および表示装置 |
JP2001343667A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Sharp Corp | 表示装置およびその欠陥修正方法 |
KR100372579B1 (ko) * | 2000-06-21 | 2003-02-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
TW499606B (en) * | 2000-11-06 | 2002-08-21 | Hannstar Display Corp | Signal line repairing structure and forming method thereof |
KR100391157B1 (ko) | 2001-10-25 | 2003-07-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-06-13 JP JP2006163599A patent/JP4543013B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-14 US US11/452,785 patent/US7773170B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-07 US US12/831,747 patent/US7944516B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09113930A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその断線修正方法 |
JPH1026771A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Nec Corp | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
JPH11119694A (ja) * | 1997-08-13 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 表示装置用電極及びその製造方法 |
JP2000250436A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
JP2006011162A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置用基板及び該基板の補修方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101244897B1 (ko) | 2007-02-13 | 2013-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치 |
KR101374078B1 (ko) * | 2007-06-04 | 2014-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 |
JP2010271610A (ja) * | 2009-05-25 | 2010-12-02 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7944516B2 (en) | 2011-05-17 |
US7773170B2 (en) | 2010-08-10 |
US20070018169A1 (en) | 2007-01-25 |
US20100273276A1 (en) | 2010-10-28 |
JP4543013B2 (ja) | 2010-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4543013B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP4680879B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
US8237881B2 (en) | Display panel, array substrate and manufacturing method thereof | |
CN101211863B (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
JP2008225448A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR20080044645A (ko) | 액정표시패널 및 이의 제조방법 | |
KR20160059530A (ko) | 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판의 리페어 방법 및 이에 의해 리페어된 표시 기판 | |
KR101234215B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101483024B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US20070211200A1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
KR101356171B1 (ko) | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101697587B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20130030649A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US8259246B2 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display apparatus, television receiver, and a method for manufacturing active matrix substrate | |
KR101369258B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치의 제조방법 | |
KR101604273B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20090054277A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101141535B1 (ko) | 전극패턴의 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치의제조방법 | |
KR101604271B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20080057034A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101108421B1 (ko) | 리페어방법 및 이를 적용한 액정표시장치 | |
KR20060078238A (ko) | 리페어방법 및 이를 적용한 액정표시장치 | |
KR101358219B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
JP2017156701A (ja) | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 | |
KR20070079217A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100622 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100628 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4543013 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |