JP2001343667A - 表示装置およびその欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 確実に、且つ、効率良く欠陥の修正が可能な
表示装置およびその欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 走査配線２および信号配線３の少なくと
も一方は、第１導電層３ａおよび第２導電層３ｂを有す
る多層配線である表示装置１０であって、多層配線３
は、第２導電層３ｂが形成されていない低積層領域３’
を有する。
表示装置およびその欠陥修正方法を提供する。 【解決手段】 走査配線２および信号配線３の少なくと
も一方は、第１導電層３ａおよび第２導電層３ｂを有す
る多層配線である表示装置１０であって、多層配線３
は、第２導電層３ｂが形成されていない低積層領域３’
を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置およびそ
の欠陥修正方法に関し、特に、アクティブマトリクス型
表示装置およびその欠陥修正方法に関する。
の欠陥修正方法に関し、特に、アクティブマトリクス型
表示装置およびその欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、アクティブマトリクス型液晶表示
装置が広く利用されている。特に、スイッチング素子と
して、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と呼ぶ。）
を用いるＴＦＴ型液晶表示装置が広く利用されている。
装置が広く利用されている。特に、スイッチング素子と
して、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と呼ぶ。）
を用いるＴＦＴ型液晶表示装置が広く利用されている。
【０００３】ＴＦＴ型液晶表示装置は、マトリクス状に
配設された絵素電極と、絵素電極に対向するように設け
られた対向電極と、これらの間に設けられた液晶層によ
って、絵素を構成する。複数の絵素のそれぞれは、走査
配線および信号配線に接続されたＴＦＴを介して供給さ
れる電気信号によって表示状態が制御される。
配設された絵素電極と、絵素電極に対向するように設け
られた対向電極と、これらの間に設けられた液晶層によ
って、絵素を構成する。複数の絵素のそれぞれは、走査
配線および信号配線に接続されたＴＦＴを介して供給さ
れる電気信号によって表示状態が制御される。
【０００４】ＴＦＴ型液晶表示装置のＴＦＴが形成され
ている基板（以下、「ＴＦＴ基板」と呼ぶ。）は、絶縁
性基板上に、半導体膜、絶縁膜や導体膜を堆積する工程
と、これらの膜をパターニングする工程とを繰り返すこ
とによって作製される。このため、正常なＴＦＴ特性が
得られない欠陥ＴＦＴの発生や、走査配線や信号配線に
おける短絡、断線等の発生が避けられない。このような
欠陥を有するＴＦＴ基板を用いて製造された液晶表示装
置には、正常な電圧が印加されず、所定の表示ができな
い不良絵素（絵素欠陥）が存在する。
ている基板（以下、「ＴＦＴ基板」と呼ぶ。）は、絶縁
性基板上に、半導体膜、絶縁膜や導体膜を堆積する工程
と、これらの膜をパターニングする工程とを繰り返すこ
とによって作製される。このため、正常なＴＦＴ特性が
得られない欠陥ＴＦＴの発生や、走査配線や信号配線に
おける短絡、断線等の発生が避けられない。このような
欠陥を有するＴＦＴ基板を用いて製造された液晶表示装
置には、正常な電圧が印加されず、所定の表示ができな
い不良絵素（絵素欠陥）が存在する。
【０００５】特に、ノーマリホワイトモードの液晶表示
装置において、走査配線と信号配線との交差部に短絡が
発生した場合、図８に模式的に示すように、液晶パネル
２０の短絡が発生した交差部２２ａを起点に、走査配線
および信号配線に沿って十字状に輝線２２が発生し、表
示状態が著しく低下する。従来、このような表示欠陥を
修正するために、例えば、レーザ光を用いて、短絡が発
生した交差部２２ａを挟むように信号配線を切断するこ
とによって、短絡を修正していた。
装置において、走査配線と信号配線との交差部に短絡が
発生した場合、図８に模式的に示すように、液晶パネル
２０の短絡が発生した交差部２２ａを起点に、走査配線
および信号配線に沿って十字状に輝線２２が発生し、表
示状態が著しく低下する。従来、このような表示欠陥を
修正するために、例えば、レーザ光を用いて、短絡が発
生した交差部２２ａを挟むように信号配線を切断するこ
とによって、短絡を修正していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
光を用いた配線の切断方法を、例えば、図９に示すよう
に、第１導電層３ａと第２導電層３ｂを有する、多層配
線構造の信号配線３に適用すると、切断精度にばらつき
が大きく、ときには、信号配線３を完全に切断できない
という問題があることを本願発明者は見出した。
光を用いた配線の切断方法を、例えば、図９に示すよう
に、第１導電層３ａと第２導電層３ｂを有する、多層配
線構造の信号配線３に適用すると、切断精度にばらつき
が大きく、ときには、信号配線３を完全に切断できない
という問題があることを本願発明者は見出した。
【０００７】ＴＦＴ型液晶表示装置を例に従来の表示装
置の欠陥修正における問題点を説明したが、上述の問題
は、ＴＦＴ型液晶表示装置に限られず、多層配線構造を
有する配線を備える表示装置（例えば、有機ＥＬ表示装
置）に共通する問題である。
置の欠陥修正における問題点を説明したが、上述の問題
は、ＴＦＴ型液晶表示装置に限られず、多層配線構造を
有する配線を備える表示装置（例えば、有機ＥＬ表示装
置）に共通する問題である。
【０００８】本発明は、上記の問題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、確実に、且つ、効率良
く欠陥の修正が可能な表示装置およびその欠陥修正方法
を提供することにある。
されたものであり、その目的は、確実に、且つ、効率良
く欠陥の修正が可能な表示装置およびその欠陥修正方法
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の表示装置は、複
数の絵素を有し、前記複数の絵素のそれぞれは、走査配
線および前記走査配線と交差する信号配線に接続された
スイッチング素子を介して供給される電気信号によって
表示状態が制御される表示装置であって、前記走査配線
および前記信号配線の少なくとも一方は、第１導電層と
第２導電層とを有する多層配線であって、前記多層配線
は、第２導電層が形成されていない低積層領域を有し、
そのことによって、上記目的が達成される。
数の絵素を有し、前記複数の絵素のそれぞれは、走査配
線および前記走査配線と交差する信号配線に接続された
スイッチング素子を介して供給される電気信号によって
表示状態が制御される表示装置であって、前記走査配線
および前記信号配線の少なくとも一方は、第１導電層と
第２導電層とを有する多層配線であって、前記多層配線
は、第２導電層が形成されていない低積層領域を有し、
そのことによって、上記目的が達成される。
【００１０】多層配線である前記少なくとも一方の配線
は、前記走査配線と前記信号配線との交差部の他方の配
線の両側に、低積層領域を有する構成としてもよい。
は、前記走査配線と前記信号配線との交差部の他方の配
線の両側に、低積層領域を有する構成としてもよい。
【００１１】前記第１導電層は、前記第２導電層よりも
比抵抗値が小さい材料から形成されていることが好まし
い。
比抵抗値が小さい材料から形成されていることが好まし
い。
【００１２】前記第１導電層を切断するための最適レー
ザーパワーバンドの幅は、前記第２導電層を切断するた
めの最適レーザーパワーバンドの幅よりも広いことが好
ましい。前記表示装置は、前記複数の絵素が液晶層を有
する、液晶表示装置であってよい。
ザーパワーバンドの幅は、前記第２導電層を切断するた
めの最適レーザーパワーバンドの幅よりも広いことが好
ましい。前記表示装置は、前記複数の絵素が液晶層を有
する、液晶表示装置であってよい。
【００１３】本発明の表示装置の欠陥修正方法は、上記
構成を備える表示装置の欠陥を修正する方法であって、
低積層領域に形成された前記第１導電層に選択的にレー
ザ光を照射することによって、前記第１導電層を切断す
る工程を包含し、そのことによって、上記目的が達成さ
れる。
構成を備える表示装置の欠陥を修正する方法であって、
低積層領域に形成された前記第１導電層に選択的にレー
ザ光を照射することによって、前記第１導電層を切断す
る工程を包含し、そのことによって、上記目的が達成さ
れる。
【００１４】以下に、本発明の作用を説明する。
【００１５】第１導電層と第２導電層とを有する多層配
線は、第２導電層が形成されていない低積層領域を有す
る。従って、多層配線の低積層領域にレーザ光を照射す
れば、第２導電層の影響を受けることなく、確実に効率
良く、第１導電層（多層配線）を切断することができ
る。低積層領域は、例えば、第２導電層を形成する工程
において所定のパターンを有するマスクを用意すること
によって形成することができるので、低積層領域を形成
するために新たな工程が増加することはない。
線は、第２導電層が形成されていない低積層領域を有す
る。従って、多層配線の低積層領域にレーザ光を照射す
れば、第２導電層の影響を受けることなく、確実に効率
良く、第１導電層（多層配線）を切断することができ
る。低積層領域は、例えば、第２導電層を形成する工程
において所定のパターンを有するマスクを用意すること
によって形成することができるので、低積層領域を形成
するために新たな工程が増加することはない。
【００１６】勿論、多層配線は、第１導電層と第２導電
層に加え、さらに第３導電層を有してもよい。その場
合、多層配線が、第３導電層が形成されていない領域を
さらに有することが好ましく、その領域は、第２導電層
が形成されていない低積層領域であることが好ましいが
これに限られない。少なくとも１つの導電層が形成され
ていない低積層領域があれば、その領域にレーザ光を照
射すれば、他の領域よりも確実に効率良く、多層配線を
切断することができる。また、第２導電層は、第１導電
層上に形成されている方が好ましいが、これに限られな
い。レーザ光によって切断させ難い導電層を省略するこ
とが好ましい。勿論、多層配線が複数の導電層に加え、
半導体層や絶縁層を有してもよい。
層に加え、さらに第３導電層を有してもよい。その場
合、多層配線が、第３導電層が形成されていない領域を
さらに有することが好ましく、その領域は、第２導電層
が形成されていない低積層領域であることが好ましいが
これに限られない。少なくとも１つの導電層が形成され
ていない低積層領域があれば、その領域にレーザ光を照
射すれば、他の領域よりも確実に効率良く、多層配線を
切断することができる。また、第２導電層は、第１導電
層上に形成されている方が好ましいが、これに限られな
い。レーザ光によって切断させ難い導電層を省略するこ
とが好ましい。勿論、多層配線が複数の導電層に加え、
半導体層や絶縁層を有してもよい。
【００１７】低積層領域は、走査配線と信号配線との交
差部の他方の配線の両側に形成されていることが好まし
い。例えば、信号配線が多層配線の場合、交差部の走査
配線の両側、すなわち、交差部の走査配線を挟む位置
に、低積層領域が形成されていることが好ましい。
差部の他方の配線の両側に形成されていることが好まし
い。例えば、信号配線が多層配線の場合、交差部の走査
配線の両側、すなわち、交差部の走査配線を挟む位置
に、低積層領域が形成されていることが好ましい。
【００１８】第１導電層が、第２導電層よりも比抵抗値
が小さい材料から形成されていると、電気抵抗の低い多
層配線が容易に実現されるので、電気特性が良好な表示
装置が得られる。
が小さい材料から形成されていると、電気抵抗の低い多
層配線が容易に実現されるので、電気特性が良好な表示
装置が得られる。
【００１９】第１導電層を切断するための最適レーザー
パワーバンドの幅が、第２導電層を切断するための最適
レーザーパワーバンドの幅よりも広いと、低積層領域の
切断を容易に行うことができる。
パワーバンドの幅が、第２導電層を切断するための最適
レーザーパワーバンドの幅よりも広いと、低積層領域の
切断を容易に行うことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しながら、本
発明の実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置およびその欠陥
修正方法を説明する。本発明は以下の実施形態に限定さ
れるものではない。
発明の実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置およびその欠陥
修正方法を説明する。本発明は以下の実施形態に限定さ
れるものではない。
【００２１】図１（ａ）は、本実施形態のＴＦＴ液晶パ
ネル１０を模式的に示す。本実施形態の液晶表示装置
は、液晶パネル１０と、液晶パネルに駆動信号を供給す
るための駆動回路と、必要に応じてバックライトとを有
している。液晶パネル１０以外の構成要素は、公知のも
のを用いられるので、その説明を省略する。
ネル１０を模式的に示す。本実施形態の液晶表示装置
は、液晶パネル１０と、液晶パネルに駆動信号を供給す
るための駆動回路と、必要に応じてバックライトとを有
している。液晶パネル１０以外の構成要素は、公知のも
のを用いられるので、その説明を省略する。
【００２２】図１（ａ）に示したように、液晶パネル１
０は、ＴＦＴ１と、ＴＦＴのゲート１Ｇに接続された走
査配線２と、ＴＦＴ１のソース電極１Ｓに接続された信
号配線３と、ＴＦＴ１のドレイン電極１Ｄに接続された
絵素容量４とを有している。絵素容量４は、絵素電極と
対向電極との間に設けられた液晶層（いずれも不図示）
からなる液晶容量Ｃｌｃとそれに並列に接続された蓄積
容量Ｃｓとを有している。絵素４のそれぞれは、走査配
線２および信号配線３に接続されたＴＦＴ１を介して供
給される電気信号によって、表示状態が制御される。す
なわち、液晶容量Ｃｌｃに印加される電圧に応じて液晶
層の配向状態が変化し、それに応じて、絵素の輝度が変
化する。蓄積容量Ｃｓは液晶容量Ｃｌｃに印加される電
圧を保持するために設けられ、省略されることもある。
０は、ＴＦＴ１と、ＴＦＴのゲート１Ｇに接続された走
査配線２と、ＴＦＴ１のソース電極１Ｓに接続された信
号配線３と、ＴＦＴ１のドレイン電極１Ｄに接続された
絵素容量４とを有している。絵素容量４は、絵素電極と
対向電極との間に設けられた液晶層（いずれも不図示）
からなる液晶容量Ｃｌｃとそれに並列に接続された蓄積
容量Ｃｓとを有している。絵素４のそれぞれは、走査配
線２および信号配線３に接続されたＴＦＴ１を介して供
給される電気信号によって、表示状態が制御される。す
なわち、液晶容量Ｃｌｃに印加される電圧に応じて液晶
層の配向状態が変化し、それに応じて、絵素の輝度が変
化する。蓄積容量Ｃｓは液晶容量Ｃｌｃに印加される電
圧を保持するために設けられ、省略されることもある。
【００２３】図１（ｂ）に、図１（ａ）中の走査配線２
と信号配線３との交差部付近５の拡大図を示す。図１
（ｂ）に示したように、信号配線３は、第１導電層３ａ
と、第１導電層３ａ上に形成された第２導電層３ｂを有
する多層配線である。さらに、本発明による信号配線３
の第２導電層３ｂは、一部が省略されており、低積層領
域３’を備えている。すなわち、信号配線３の低積層領
域３’は、第１導電層３ａのみで形成されている。第１
導電層３ａは、例えば、比較的導電率の高い金属（例え
ばＴａ）から形成され、第２導電層３ｂは、例えば、酸
化によって導電率が低下しない導電材料（例えば、ＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物））から形成されている。
と信号配線３との交差部付近５の拡大図を示す。図１
（ｂ）に示したように、信号配線３は、第１導電層３ａ
と、第１導電層３ａ上に形成された第２導電層３ｂを有
する多層配線である。さらに、本発明による信号配線３
の第２導電層３ｂは、一部が省略されており、低積層領
域３’を備えている。すなわち、信号配線３の低積層領
域３’は、第１導電層３ａのみで形成されている。第１
導電層３ａは、例えば、比較的導電率の高い金属（例え
ばＴａ）から形成され、第２導電層３ｂは、例えば、酸
化によって導電率が低下しない導電材料（例えば、ＩＴ
Ｏ（インジウム錫酸化物））から形成されている。
【００２４】この液晶パネル１０において、走査配線２
と信号配線３とが交差部６において短絡し、図８に示し
たような表示欠陥が発生した場合、本発明による液晶パ
ネル１０の信号配線３は、低積層領域３’を有するの
で、図２に示したように、この低積層領域３’にレーザ
光を照射することによって、確実に、効率良く、信号配
線３を切断することができる（切断部７が形成され
る）。短絡が発生した交差部６を起点として両側に輝線
が発生するので、信号配線３の低積層領域３’は、交差
部６の走査配線２の両側に設けられている。輝線が片側
にだけ発生する場合は、信号配線３の低積層領域３’は
片側に設ければよい。
と信号配線３とが交差部６において短絡し、図８に示し
たような表示欠陥が発生した場合、本発明による液晶パ
ネル１０の信号配線３は、低積層領域３’を有するの
で、図２に示したように、この低積層領域３’にレーザ
光を照射することによって、確実に、効率良く、信号配
線３を切断することができる（切断部７が形成され
る）。短絡が発生した交差部６を起点として両側に輝線
が発生するので、信号配線３の低積層領域３’は、交差
部６の走査配線２の両側に設けられている。輝線が片側
にだけ発生する場合は、信号配線３の低積層領域３’は
片側に設ければよい。
【００２５】これに対し、図９に示した従来の液晶パネ
ル２９のような２層配線の場合、信号配線３を切断する
ためには、第１導電層３ａと第２導電層３ｂとの両方を
レーザ光で切断しなければならない。しかしながら、第
１導電層３ａと第２導電層３ｂは異なる材料から形成さ
れているので、それぞれの融点、熱容量、レーザ光の吸
収率（反射率）などの物性は互いに異なるので、図３に
示すように、それぞれを切断するための最適レーザーパ
ワーバンドが異なる。したがって、第１導電層３ａと第
２導電層３ｂとを同時に切断するための最適レーザーパ
ワーバンドの幅（マージン）は、両方の最適レーザパワ
ーバンドの幅が重なる領域に限定されるので、利用可能
なレーザパワーバンドの幅が狭い。この結果、切断の精
度にばらつきが生じたり、切断不足によって短絡が再発
する等の問題が発生する。
ル２９のような２層配線の場合、信号配線３を切断する
ためには、第１導電層３ａと第２導電層３ｂとの両方を
レーザ光で切断しなければならない。しかしながら、第
１導電層３ａと第２導電層３ｂは異なる材料から形成さ
れているので、それぞれの融点、熱容量、レーザ光の吸
収率（反射率）などの物性は互いに異なるので、図３に
示すように、それぞれを切断するための最適レーザーパ
ワーバンドが異なる。したがって、第１導電層３ａと第
２導電層３ｂとを同時に切断するための最適レーザーパ
ワーバンドの幅（マージン）は、両方の最適レーザパワ
ーバンドの幅が重なる領域に限定されるので、利用可能
なレーザパワーバンドの幅が狭い。この結果、切断の精
度にばらつきが生じたり、切断不足によって短絡が再発
する等の問題が発生する。
【００２６】なお、最適レーザーパワーバンドとは、切
断が可能なレーザーパワーの最小値を下限値とし、飛び
散りの発生により表示品位が低下するレーザーパワーの
最小値を上限値として規定される。また、図４に示すよ
うに、レーザー光の出力エネルギーは一定ではなく、あ
る範囲内でばらつく。図４は、ＹＡＧレーザーのエネル
ギ特性を示す図である。従って、照射するレーザー光の
レーザーパワーを所望の条件にするためにレーザー光を
フィルターに通しても、レーザーパワーは同様にある範
囲内でばらつく。このようにレーザー光のパワーがばら
つきを有しているので、最適レーザーパワーバンドの幅
はこのばらつきを見込んだ余裕のある（十分に広い）幅
である必要があり、最適レーザーパワーバンドの幅がそ
れぞれの層の最適レーザーパワーバンドが重なる領域の
幅に限定される従来の２層以上の多層配線の切断は困難
である。
断が可能なレーザーパワーの最小値を下限値とし、飛び
散りの発生により表示品位が低下するレーザーパワーの
最小値を上限値として規定される。また、図４に示すよ
うに、レーザー光の出力エネルギーは一定ではなく、あ
る範囲内でばらつく。図４は、ＹＡＧレーザーのエネル
ギ特性を示す図である。従って、照射するレーザー光の
レーザーパワーを所望の条件にするためにレーザー光を
フィルターに通しても、レーザーパワーは同様にある範
囲内でばらつく。このようにレーザー光のパワーがばら
つきを有しているので、最適レーザーパワーバンドの幅
はこのばらつきを見込んだ余裕のある（十分に広い）幅
である必要があり、最適レーザーパワーバンドの幅がそ
れぞれの層の最適レーザーパワーバンドが重なる領域の
幅に限定される従来の２層以上の多層配線の切断は困難
である。
【００２７】上述したように、本発明による信号配線３
は、低層領域３’を有するので、この領域にレーザ光を
照射すれば、上述の問題が発生することなく、確実に、
効率よく、信号配線３を切断することができる。切断の
ためのレーザ光としては、例えば、ＹＡＧレーザー光
（発振波長１０６４ｎｍ、出力エネルギー４ｍＪ／ｐｕ
ｌｓｅ以上）を好適に用いることができる。これは、設
置面積が小さく、且つ、コストが安い上にメンテナンス
も容易である。
は、低層領域３’を有するので、この領域にレーザ光を
照射すれば、上述の問題が発生することなく、確実に、
効率よく、信号配線３を切断することができる。切断の
ためのレーザ光としては、例えば、ＹＡＧレーザー光
（発振波長１０６４ｎｍ、出力エネルギー４ｍＪ／ｐｕ
ｌｓｅ以上）を好適に用いることができる。これは、設
置面積が小さく、且つ、コストが安い上にメンテナンス
も容易である。
【００２８】本実施形態の欠陥修正方法で使用されるレ
ーザー修正装置３０を模式的に図５に示す。この装置３
０は、ＹＡＧレーザーユニット１２と、光学顕微鏡１３
と、パネルセットステージ１４と、光源１５とを有して
いる。パネルセットステージ１４上に設置しした液晶パ
ネル１０に、パネルセットステージ１４の下に配置され
た光源１５からの光を用いて、液晶パネル１０の欠陥部
を光学顕微鏡１３で確認しながら、光学顕微鏡１３を介
して、ＹＡＧレーザーユニット１２から発振されたレー
ザー光を照射することによって、配線を切断する。
ーザー修正装置３０を模式的に図５に示す。この装置３
０は、ＹＡＧレーザーユニット１２と、光学顕微鏡１３
と、パネルセットステージ１４と、光源１５とを有して
いる。パネルセットステージ１４上に設置しした液晶パ
ネル１０に、パネルセットステージ１４の下に配置され
た光源１５からの光を用いて、液晶パネル１０の欠陥部
を光学顕微鏡１３で確認しながら、光学顕微鏡１３を介
して、ＹＡＧレーザーユニット１２から発振されたレー
ザー光を照射することによって、配線を切断する。
【００２９】切断精度を安定させるには、第１導電層３
ａの低積層領域の幅Ｗ３’は、約５〜１３μｍの範囲内
であることが好ましい。レーザー光による切断幅Ｗ７
は、低積層領域の幅Ｗ３’以下であればよい。本実施形
態においては、例えば、８μｍとする。また、レーザー
光による切断幅Ｗ７は、抜き幅Ｗ３’と同じ、８μｍと
する。
ａの低積層領域の幅Ｗ３’は、約５〜１３μｍの範囲内
であることが好ましい。レーザー光による切断幅Ｗ７
は、低積層領域の幅Ｗ３’以下であればよい。本実施形
態においては、例えば、８μｍとする。また、レーザー
光による切断幅Ｗ７は、抜き幅Ｗ３’と同じ、８μｍと
する。
【００３０】上述したように、本発明によれば、多層配
線が低積層領域を有するので、その領域にレーザ光を照
射することによって、確実に、効率よく多層配線を切断
することができる。すなわち、切断精度が向上するとと
もに、レーザーパワーバンドの幅が大幅に改善できるの
で、短絡解消の成功率および信頼性が大幅に向上すると
ともに、切断の効率が向上する。
線が低積層領域を有するので、その領域にレーザ光を照
射することによって、確実に、効率よく多層配線を切断
することができる。すなわち、切断精度が向上するとと
もに、レーザーパワーバンドの幅が大幅に改善できるの
で、短絡解消の成功率および信頼性が大幅に向上すると
ともに、切断の効率が向上する。
【００３１】本発明の効果は、それぞれの層を切断する
ための最適レーザーパワーバンドが重なる領域の幅が狭
い多層配線において顕著である。例えば、ｎ+Ｓｉ層と
Ｔａ層とが積層されている従来の２層配線の場合、図６
に示すように、Ｔａ層の最適レーザーパワーバンドは、
約２１μＪ〜約５６μＪの範囲であり、ｎ+Ｓｉ層の最
適レーザーパワーバンドは、約４９μＪ〜約７０μＪの
範囲であるので、Ｔａ層とｎ+Ｓｉ層とを同時に切断す
るための最適レーザーパワーバンドは、約４９μＪ〜約
５６μＪの範囲である。この場合、実際には、切断不足
マージンを見込んで、照射するレーザ光のレーザーパワ
ーを５６μＪに設定する。しかしながら、ＹＡＧレーザ
ーの出力を例えば１．０６ｍＪに設定すると、図４に示
したように、実際には出力エネルギーは１．１１７ｍＪ
〜０．９９７ｍＪの範囲内（＋５．３８％〜−５．９４
％）でばらつくので、レーザ光をフィルターに通し、照
射するレーザ光のレーザーパワーを５６μＪに設定して
も、実際にはレーザーパワーは５２．６７μＪ〜５９．
０１μＪの範囲でばらつき、その結果、信頼性に欠ける
修正となる。
ための最適レーザーパワーバンドが重なる領域の幅が狭
い多層配線において顕著である。例えば、ｎ+Ｓｉ層と
Ｔａ層とが積層されている従来の２層配線の場合、図６
に示すように、Ｔａ層の最適レーザーパワーバンドは、
約２１μＪ〜約５６μＪの範囲であり、ｎ+Ｓｉ層の最
適レーザーパワーバンドは、約４９μＪ〜約７０μＪの
範囲であるので、Ｔａ層とｎ+Ｓｉ層とを同時に切断す
るための最適レーザーパワーバンドは、約４９μＪ〜約
５６μＪの範囲である。この場合、実際には、切断不足
マージンを見込んで、照射するレーザ光のレーザーパワ
ーを５６μＪに設定する。しかしながら、ＹＡＧレーザ
ーの出力を例えば１．０６ｍＪに設定すると、図４に示
したように、実際には出力エネルギーは１．１１７ｍＪ
〜０．９９７ｍＪの範囲内（＋５．３８％〜−５．９４
％）でばらつくので、レーザ光をフィルターに通し、照
射するレーザ光のレーザーパワーを５６μＪに設定して
も、実際にはレーザーパワーは５２．６７μＪ〜５９．
０１μＪの範囲でばらつき、その結果、信頼性に欠ける
修正となる。
【００３２】これに対して、図７（ａ）および（ｂ）に
示すように、ｎ+Ｓｉ層からなる第２導電層３３ｂと、
第２導電層３３ｂ上に形成されたＴａ層からなる第１導
電層３３ａとを有する、本発明による信号配線３３は、
第２導電層（ｎ+Ｓｉ層）が省略された低積層領域３
３’を備えているので、低積層領域を切断するための最
適レーザーパワーバンドは、Ｔａ層（第１導電層）を切
断するための最適レーザーパワーバンドであり、最適レ
ーザーパワーバンドの幅を、レーザー光の出力エネルギ
ーのばらつきや切断不足マージンを見込んだ余裕のある
（十分に広い）幅とすることができる。なお、図７
（ｂ）は、図７（ａ）の７Ｂ−７Ｂ’線に沿った断面構
造を示している。
示すように、ｎ+Ｓｉ層からなる第２導電層３３ｂと、
第２導電層３３ｂ上に形成されたＴａ層からなる第１導
電層３３ａとを有する、本発明による信号配線３３は、
第２導電層（ｎ+Ｓｉ層）が省略された低積層領域３
３’を備えているので、低積層領域を切断するための最
適レーザーパワーバンドは、Ｔａ層（第１導電層）を切
断するための最適レーザーパワーバンドであり、最適レ
ーザーパワーバンドの幅を、レーザー光の出力エネルギ
ーのばらつきや切断不足マージンを見込んだ余裕のある
（十分に広い）幅とすることができる。なお、図７
（ｂ）は、図７（ａ）の７Ｂ−７Ｂ’線に沿った断面構
造を示している。
【００３３】上述の信号配線３３は、例えば、ＴＦＴの
半導体層と同一工程で形成されたｎ +Ｓｉ層上にＴａ層
を積層することによって形成される。このような構成を
採用すると、走査配線と信号配線との交差部における段
差（走査配線の厚み）による断線の発生が抑制される。
勿論、ＴＦＴの半導体層と同一工程で形成されたｎ+Ｓ
ｉ層／ｉ−Ｓｉ層上にＴａ層を積層し、信号配線をＴａ
層（上層）／ｎ+Ｓｉ層（中間層）／ｉ−Ｓｉ層（下
層）の３層構造としても、断線の発生が抑制される。こ
の場合には、ｎ+Ｓｉ層およびｉ−Ｓｉ層が省略された
低積層領域を形成することが好ましい。
半導体層と同一工程で形成されたｎ +Ｓｉ層上にＴａ層
を積層することによって形成される。このような構成を
採用すると、走査配線と信号配線との交差部における段
差（走査配線の厚み）による断線の発生が抑制される。
勿論、ＴＦＴの半導体層と同一工程で形成されたｎ+Ｓ
ｉ層／ｉ−Ｓｉ層上にＴａ層を積層し、信号配線をＴａ
層（上層）／ｎ+Ｓｉ層（中間層）／ｉ−Ｓｉ層（下
層）の３層構造としても、断線の発生が抑制される。こ
の場合には、ｎ+Ｓｉ層およびｉ−Ｓｉ層が省略された
低積層領域を形成することが好ましい。
【００３４】上記の実施形態では、２層構造の信号配線
に本発明を適用した例を示したが、２層構造（例えば、
Ｔａ（上層）／ＴａＮ（下層））の走査配線に適用する
こともできる。また、低層領域３’では、上側の第２導
電層３ｂを省略した構造を例示したが、これに限られ
ず、省略される導電層は、多層配線のどこに位置しても
良い。勿論、レーザ光によって最も切断され難い導電層
を省略することが好ましい。さらに、３層以上の多層配
線においても、少なくとも１層が省略された低層領域を
形成すれば、本発明の効果が得られる。
に本発明を適用した例を示したが、２層構造（例えば、
Ｔａ（上層）／ＴａＮ（下層））の走査配線に適用する
こともできる。また、低層領域３’では、上側の第２導
電層３ｂを省略した構造を例示したが、これに限られ
ず、省略される導電層は、多層配線のどこに位置しても
良い。勿論、レーザ光によって最も切断され難い導電層
を省略することが好ましい。さらに、３層以上の多層配
線においても、少なくとも１層が省略された低層領域を
形成すれば、本発明の効果が得られる。
【００３５】また、走査配線２および信号配線３の両側
からそれぞれの信号が入力される構造（冗長構造）を採
用する場合には、走査配線２と信号配線３との交差部以
外の場所で、走査配線２または信号配線３を切断して
も、表示欠陥を修復することができる。
からそれぞれの信号が入力される構造（冗長構造）を採
用する場合には、走査配線２と信号配線３との交差部以
外の場所で、走査配線２または信号配線３を切断して
も、表示欠陥を修復することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、確実に、且つ、効率良
く欠陥の修正が可能な、多層配線構造を有する表示装置
およびその欠陥修正方法が提供される。したがって、表
示装置の歩留まりを向上することができる。
く欠陥の修正が可能な、多層配線構造を有する表示装置
およびその欠陥修正方法が提供される。したがって、表
示装置の歩留まりを向上することができる。
【００３７】本発明は、実施形態で例示したＴＦＴ型液
晶表示装置に限られず、多層配線構造を有する表示装置
の全般に適用することができる。
晶表示装置に限られず、多層配線構造を有する表示装置
の全般に適用することができる。
【図１】（ａ）は、本発明による本実施形態のＴＦＴ液
晶パネル１０を模式的に示す平面図であり、（ｂ）はＴ
ＦＴ液晶パネル１０の交差部５の構造を模式的に示す平
面図である（（ａ）の参照符号５の領域の拡大図）。
晶パネル１０を模式的に示す平面図であり、（ｂ）はＴ
ＦＴ液晶パネル１０の交差部５の構造を模式的に示す平
面図である（（ａ）の参照符号５の領域の拡大図）。
【図２】短絡が発生した交差部６によって生じる表示欠
陥を修正するために信号配線３を切断する場所を示す平
面図である。
陥を修正するために信号配線３を切断する場所を示す平
面図である。
【図３】信号配線を切断するために必要なレーザーパワ
ーバンドを模式的に示す図である。
ーバンドを模式的に示す図である。
【図４】ＹＡＧレーザーのエネルギ特性を示す図であ
る。
る。
【図５】実施形態の欠陥修正方法に用いられるレーザー
修正装置３０を示す模式図である。
修正装置３０を示す模式図である。
【図６】Ｔａ層とｎ+Ｓｉ層とからなる２層配線を切断
するために必要なレーザーパワーバンドを模式的に示す
図である。
するために必要なレーザーパワーバンドを模式的に示す
図である。
【図７】（ａ）は、本発明による実施形態のＴＦＴ液晶
パネルが有する他の信号配線３３を模式的に示す上面図
であり、（ｂ）は信号配線３３を模式的に示す断面図で
ある。
パネルが有する他の信号配線３３を模式的に示す上面図
であり、（ｂ）は信号配線３３を模式的に示す断面図で
ある。
【図８】走査配線と信号配線との交差部における短絡に
よって生じる表示欠陥を模式的に示す図である。
よって生じる表示欠陥を模式的に示す図である。
【図９】従来のＴＦＴ液晶パネルの２層構造配線を有す
る信号配線を模式的に示す図である。
る信号配線を模式的に示す図である。
１ ＴＦＴ ２ 走査配線 ３ 信号配線 ３’ 低積層領域 ３ａ 第１導電層 ３ｂ 第２導電層 ４ 絵素 ５ 交差部近傍 ６ 交差部 ７ 切断部 １０、２０ 液晶パネル １２ レーザー装置 １３ 光学顕微鏡 １４ パネルセットステージ １５ ２２ａ 短絡部 ２２ 輝線（表示欠陥） ３３ 信号配線 ３３’ 低積層領域 ３３ａ 第１導電層 ３３ｂ 第２導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３５２ 9/30 ３３８ 9/30 ３３８ // Ｂ２３Ｋ 101:38 Ｂ２３Ｋ 101:38 Ｆターム(参考） 2H092 GA25 JA24 JB24 JB26 JB33 JB35 JB73 NA16 NA27 NA29 4E068 AE01 CA02 DA09 5C094 AA41 AA43 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 GB10 5G435 AA01 AA17 BB12 CC09 KK05 KK09 KK10
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の絵素を有し、前記複数の絵素のそ
れぞれは、走査配線および前記走査配線と交差する信号
配線に接続されたスイッチング素子を介して供給される
電気信号によって表示状態が制御される表示装置であっ
て、 前記走査配線および前記信号配線の少なくとも一方は、
第１および第２導電層を有する多層配線であって、前記
多層配線は、第２導電層が形成されていない低積層領域
を有する表示装置。 - 【請求項２】 多層配線である前記少なくとも一方の配
線は、前記走査配線と前記信号配線との交差部の他方の
配線の両側に、前記低積層領域を有する、請求項１に記
載の表示装置。 - 【請求項３】 前記第１導電層は、前記第２導電層より
も比抵抗値が小さい材料から形成されている、請求項１
または２に記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記第１導電層を切断するための最適レ
ーザーパワーバンドの幅は、前記第２導電層を切断する
ための最適レーザーパワーバンドの幅よりも広い、請求
項１から３のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 前記複数の絵素が液晶層を有する、請求
項１から４のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の表示
装置の欠陥を修正する方法であって、前記低積層領域に
形成された前記第１導電層に選択的にレーザ光を照射す
ることによって、前記第１導電層を切断する工程を包含
する、表示装置の欠陥修正方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001036631A JP2001343667A (ja) | 2000-03-29 | 2001-02-14 | 表示装置およびその欠陥修正方法 |
| TW090106765A TWI294065B (en) | 2000-03-29 | 2001-03-22 | Display device and defect repairing method of the same |
| KR10-2001-0015681A KR100490925B1 (ko) | 2000-03-29 | 2001-03-26 | 표시장치 및 그 결함수정방법 |
| US09/819,473 US6577357B2 (en) | 2000-03-29 | 2001-03-28 | Display device and defect repairing method of the same with low stacked conductor regions to facilitate laser cutting |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-91224 | 2000-03-29 | ||
| JP2000091224 | 2000-03-29 | ||
| JP2001036631A JP2001343667A (ja) | 2000-03-29 | 2001-02-14 | 表示装置およびその欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001343667A true JP2001343667A (ja) | 2001-12-14 |
Family
ID=26588713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001036631A Pending JP2001343667A (ja) | 2000-03-29 | 2001-02-14 | 表示装置およびその欠陥修正方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6577357B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001343667A (ja) |
| KR (1) | KR100490925B1 (ja) |
| TW (1) | TWI294065B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008122810A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sony Corp | Ｔｆｔ基板、表示装置、ｔｆｔ基板の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100374941C (zh) * | 2003-04-07 | 2008-03-12 | 友达光电股份有限公司 | 画素结构 |
| KR100626009B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 구조체 및 이를 구비하는 평판디스플레이 장치 |
| JP4543013B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-09-15 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| TWI308316B (en) * | 2005-09-09 | 2009-04-01 | Au Optronics Corp | Circuit line and manufacturing method thereof |
| TWI319104B (en) * | 2005-09-20 | 2010-01-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Apparatus for driving a flat panel display and repair flat panel display signal line |
| US8330892B2 (en) * | 2007-03-15 | 2012-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, display device, and method for manufacturing the display panel |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61288441A (ja) | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの欠陥修正方法 |
| US5212574A (en) * | 1989-07-05 | 1993-05-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix board having double-layer scan lines and capacity lines with discontinuous lower scan lines and lower capacity lines |
| JPH04283725A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクス及びその断線修復方法 |
| US5552607A (en) * | 1995-06-21 | 1996-09-03 | General Electric Company | Imager device with integral address line repair segments |
| JP3097829B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネルおよびその補修方法 |
| US6008877A (en) * | 1996-11-28 | 1999-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide |
| KR100238796B1 (ko) * | 1997-03-04 | 2000-01-15 | 구본준 | 액정표시장치 및 그 액정표시장치의 제조방법 |
| KR100256045B1 (ko) * | 1997-04-11 | 2000-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 단선방지용금속층을가진액정표시소자및금속층을이용한액정표시소자의단선방지방법 |
| DE69835888T2 (de) * | 1997-04-11 | 2007-05-03 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001036631A patent/JP2001343667A/ja active Pending
- 2001-03-22 TW TW090106765A patent/TWI294065B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-26 KR KR10-2001-0015681A patent/KR100490925B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-28 US US09/819,473 patent/US6577357B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008122810A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Sony Corp | Ｔｆｔ基板、表示装置、ｔｆｔ基板の製造方法、及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
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|---|---|
| KR20010093696A (ko) | 2001-10-29 |
| TWI294065B (en) | 2008-03-01 |
| US20010026332A1 (en) | 2001-10-04 |
| US6577357B2 (en) | 2003-06-10 |
| KR100490925B1 (ko) | 2005-05-24 |
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