JP3386735B2 - アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ノートブック型パ
ーソナルコンピュータ等の情報端末機器やＯＡ機器、Ａ
Ｖ機器等に利用される液晶パネルの製造方法、及びそれ
に用いられるアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法
並びにその欠陥修正装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶の電気光学的効果を表示装置に利用
した液晶表示装置は、現在、ノートブック型パーソナル
コンピュータ等の情報端末機器やＯＡ機器、ＡＶ機器
等、様々な分野に利用されている。

【０００３】この液晶表示装置は、互いに交差するゲー
ト信号線（走査配線）やソース信号線（信号配線）、マ
トリクス状に配置された多数の画素電極及び各画素電極
を制御するスイッチング素子等を備えたアクティブマト
リクス基板と、カラーフィルタや対向電極等を備えた対
向基板とが、所定の間隙を保って互いの電極形成面が向
かい合うように貼り合わせられ、両基板の間隙に液晶層
が挟持された構成を有している。

【０００４】このアクティブマトリクス基板の製造工程
は複雑であり、多くの製造プロセスを経ることを余儀な
くされる。このため、異物の混入や、画素電極と走査配
線や信号配線との短絡、走査配線同士や信号配線同士の
短絡等の欠陥が発生しやすく、これを完全に防ぐことは
非常に困難であった。従って、このような欠陥を早期に
検出し、必要に応じて修正を行うことは、生産歩留りを
向上させるために非常に重要な課題となっている。

【０００５】そこで、従来においては、上記アクティブ
マトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、液晶を注入
して液晶パネルを作製した後に、点灯検査を行って線欠
陥や点欠陥の有無を検出し、その欠陥部が修正可能なも
のであれば修正していた。

【０００６】例えば、特開平３−２０９４２２号公報で
は、液晶パネルの状態で欠陥部にレーザ光等を照射して
修正を行う方法が開示されている。この修正方法につい
て、図５を参照しながら以下に説明する。

【０００７】図５は従来の液晶パネルにおけるアクティ
ブマトリクス基板の構成を示す断面図である。この図５
において、１は画素電極、２は保護膜、３はデータ配線
（信号配線）、４はガラス基板、５はゲート絶縁膜を示
しており、スイッチング素子は図示を省略している。

【０００８】例えば、図６に示すような短絡部Ａ及びＢ
が存在すると、点灯検査において欠陥として表れる。こ
れらの欠陥のうち、短絡部Ａについてはレーザトリミン
グによって修正可能であり、短絡部Ｂについては短絡部
の両側を切断して冗長配線と接続することにより修正可
能である。

【０００９】しかしながら、アクティブマトリクス基板
と対向基板とを貼り合わせて両基板間に液晶を注入した
液晶パネルの状態で欠陥が検出された場合、検出された
欠陥が重度であり、その重度な欠陥が修正不可能なもの
である場合には、その液晶パネルを破棄せざるを得なく
なる。このように付加価値のある半製品を廃棄せざるを
得ないため、生産歩留りが低下してしまうという問題が
あった。

【００１０】そこで、近年においては、対向基板と貼り
合わせる前のアクティブマトリクス基板の状態で重度の
欠陥を検出し、リーク欠陥等の修正可能なものは前工程
で修正することが要望されている。そして、このような
欠陥の検出についても、アクティブマトリクス基板の状
態で画像処理や抵抗検査等を行うことにより検出可能と
なってきている。それに伴って、基板状態で欠陥を修正
し、後工程に不良品を流さないようにする工程システム
作りがなされてきている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、液晶パネルの開口率を大きくするために、図７に
示すような構成のアクティブマトリクス基板を備えた液
晶表示装置が開発されている。

【００１２】このアクティブマトリクス基板は、ガラス
基板４上に図示しない走査配線やデータ配線（信号配
線）３、図示しないスイッチング素子等を覆って層間絶
縁膜６が設けられ、その層間絶縁膜６上に画素電極１が
設けられている。

【００１３】この構成によれば、走査配線や信号配線３
と画素電極１とを層間絶縁膜６を介して一部重畳させる
ことができるので、図５に示したような信号配線３と画
素電極１とを同層に設けたアクティブマトリクス基板に
比べて液晶パネルの高開口率化を図ることが可能とな
る。

【００１４】しかしながら、図７に示したような構成の
場合、従来と同様の修正方法を用いると以下のような問
題が生じる。

【００１５】即ち、図８に示すように、基板裏面からレ
ーザ光を照射すると、トリミングするべき短絡部８の上
層に存在する層間絶縁膜６や画素電極１も下層膜の膨張
等の圧力により同時に除去されてしまうため、除去部７
に液晶配向不良が発生して対向電極とのリークが発生す
るという問題があった。また、短絡部を除去できたとし
ても、層間絶縁膜６の影響でレーザの照射痕がテーパ型
となってトリミング精度が悪く、レーザ照射可能領域が
非常に狭くなって所望の領域を除去することが困難であ
るという問題もあった。なお、この図８において、７は
レーザ照射により除去される部分である。

【００１６】そこで、特願平１０−８１８３１号には、
層間絶縁膜の成膜前に欠陥修正を行う方法が提案されて
いる。

【００１７】しかし、この方法は、層間絶縁膜の成膜前
に修正を行う方法であり、アクティブマトリクス基板
（ＴＦＴ基板）完成後の最終検査により検出された欠陥
についての修正については述べられていない。アクティ
ブマトリクス基板の完成までには工程数も多くかかって
おり、最終検査における不良低減は必須である。従っ
て、後工程へ不良品を流さない工程システム作りという
観点から、層間絶縁膜成膜後についても、信頼性の高い
修正を行う必要がある。

【００１８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、アクティブマトリクス基
板の完成後、対向基板との貼り合わせ前に欠陥の修正を
確実に行うことができるアクティブマトリクス基板の欠
陥修正方法及び液晶パネルの製造方法並びにアクティブ
マトリクス基板の欠陥修正装置を提供することを目的と
する。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の欠陥修正方法は、複数の走査配線及び複数
の信号配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設け
られ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を
覆うように設けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けら
れているアクティブマトリクス基板の短絡欠陥を修正す
る方法であって、該層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を
照射して修正部上の層間絶縁膜部分を除去する工程と、
欠陥部または該層間絶縁膜の除去部の下層にある配線部
に任意波長のレーザ光を照射して該欠陥部を除去するか
または該配線部を切断する工程とを含み、そのことによ
り上記目的が達成される。

【００２０】前記層間絶縁膜を除去する工程において、
前記欠陥部を除去するかまたは配線部を切断する工程よ
りも広い照射領域でレーザ光を照射してもよい。

【００２１】切断部の両側の配線部を接続するか、或い
は該両側の配線部を冗長配線に接続する工程を含んでい
てもよい。

【００２２】

【００２３】レーザ光照射による除去部を覆って層間絶
縁膜と同じ材料からなる絶縁膜を形成する工程を含んで
いてもよい。

【００２４】前記層間絶縁膜を除去する工程において、
波長１５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下のレーザ光を用い
てもよい。

【００２５】前記層間絶縁膜を除去する工程において、
ＹＡＧレーザの第４高調波を用いてもよい。

【００２６】前記欠陥部を除去するかまたは配線部を切
断する工程において、波長３００ｎｍ以上１５００ｎｍ
以下のレーザ光を用いてもよい。

【００２７】切断部または欠陥部の両側の配線部分を接
続するか、或いは該両側の配線部分を冗長配線に接続す
る工程において、接続部に導電性ペーストを塗布してＹ
ＡＧレーザの基本波を照射してもよい。

【００２８】本発明の液晶パネルの製造方法は、本発明
のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法により欠陥
が修正されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを
貼り合わせ、両基板の間に液晶を注入しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。

【００２９】

【００３０】

【００３１】以下、本発明の作用について説明する。

【００３２】本発明にあっては、走査配線、信号配線及
びスイッチング素子を覆う層間絶縁膜上に画素電極を有
するアクティブマトリクス基板に欠陥が生じている場合
に、対向基板との貼り合わせ前に欠陥修正を行う。従っ
て、表示装置の製造歩留りが低下することはなく、レー
ザによる除去破片により液晶配向不良が生じたり、周辺
膜の欠損等が生じることもない。さらに、層間絶縁膜成
膜後の欠陥についても修正可能であり、信頼性の高い修
正システムを構築可能である。

【００３３】例えば、短絡欠陥を有している場合には、
まず、層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を照射して修正
部上の層間絶縁膜部分を除去する。その後で、欠陥部に
任意波長のレーザ光を照射して欠陥部を除去するかまた
は層間絶縁膜の除去部の下層の配線部、例えば走査配
線、信号配線やＴＦＴのドレインから画素電極への引き
出し配線等に任意波長のレーザ光を照射して配線部を切
断して欠陥を修正する。この場合、さらに、切断部の両
側の配線部分を接続するか、または両側の配線部分を冗
長配線に接続してもよい。

【００３４】或いは、断線欠陥を有している場合には、
層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を照射して修正部上の
層間絶縁膜部分を除去する。その後で、欠陥部の両側の
配線部分を接続するかまたは両側の配線部分を冗長配線
に接続する。

【００３５】さらに、層間絶縁膜を除去する工程におい
て、上記欠陥部を除去するかまたは配線部を切断する工
程よりも広い照射領域でレーザ光を照射してもよい。

【００３６】このように、層間絶縁膜の除去と欠陥部の
修正とについて、各々に適した波長及び照射領域でレー
ザ照射を行うことができるので、効率良く修正可能であ
る。さらに、修正部上の層間絶縁膜を除去した状態で修
正を行うので、修正部におけるレーザ照射領域を広げて
所望の領域を精度良く修正可能である。

【００３７】さらに、レーザ光照射による除去部を覆っ
て層間絶縁膜と同じ材料からなる絶縁膜を形成すれば、
修正部が保護されると共に基板の凹凸を少なくすること
ができるので、その部分で液晶配向不良やリーク等が生
じない。或いは、そのまま層間絶縁膜を形成しないこと
も可能である。

【００３８】層間絶縁膜を除去する工程においては、波
長１５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下のレーザ光を用いる
のが好ましく、例えば、ＹＡＧレーザの第４高調波を用
いることができる。

【００３９】欠陥部を除去するかまたは配線部を切断す
る工程においては、波長３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以
下のレーザ光を用いるのが好ましく、例えば、ＹＡＧレ
ーザの第２高調波や第３高調波を用いることができる。

【００４０】切断部または欠陥部の両側の配線部を接続
するか、或いは両側の配線部を冗長配線に接続する工程
は、例えば、接続部に導電性ペーストを塗布し、ＹＡＧ
レーザの基本波を照射してペーストを硬化または溶着さ
せて行うことができる。

【００４１】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正装置は、ＸＹステージと、レーザ照射部と、電動ス
リット等の制御部と、集光レンズ等の集光部とを備えて
いる。このレーザ照射部により所望の照射波長及び波長
領域を選択して、層間絶縁膜の除去を行い、さらに、短
絡部の除去や配線部の切断、冗長配線との接続等を行う
ことができる。

【００４２】例えば、ＹＡＧレーザと波長変換素子とを
用いれば、基本波、第２高調波、第３高調波及び第４高
調波等を照射することができる。この場合、基本波によ
り導電性ペーストの硬化や溶着、配線の接続、第２高調
波及び第３高調波により短絡部の除去や配線の切断、第
４高調波により層間絶縁膜の除去が可能である。尚、導
電性ペーストは、焼成工程等の別工程により硬化させる
ことも可能である。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。なお、以下の図に
おいて、従来技術と同様の機能を有する部分については
同じ番号を付して説明を行っている。

【００４４】本実施形態では、アクティブマトリクス基
板の完成後、対向基板との貼り合わせ前に短絡欠陥を修
正する方法について説明する。

【００４５】図１は、本実施形態に係るアクティブマト
リクス基板の断面図である。このアクティブマトリクス
基板は、ガラス基板４上に図示しない走査配線や信号配
線、スイッチング素子等を覆って層間絶縁膜６が設けら
れ、その層間絶縁膜６上に画素電極１が設けられてい
る。このように、走査配線や信号配線と画素電極１とを
層間絶縁膜６を介して一部重畳させることにより、液晶
パネルの高開口率化を図ることができる。画素電極１は
厚みが１００ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）等の透明等電膜またはＡｌ等の金属膜からな
っており、層間絶縁膜６は厚みが約１μｍ〜３μｍのア
クリル系樹脂からなっている。

【００４６】このアクティブマトリクス基板に対して、
以下のように、短絡部８を直接トリミングして修正を行
う。

【００４７】まず、図２に示すように、レーザ照射領域
を所望の切除領域より大きく設定して、層間絶縁膜６に
任意波長のレーザ光、例えばＹＡＧレーザの第４高調波
を複数回照射することによって、画素電極１と層間絶縁
膜６を除去する。この図の７ａがレーザ照射により除去
される部分である。このとき、Ｃｌｃの容量がその画素
の書き込み電位に影響しないように、画素電極１の除去
面積を十分考慮する必要がある。下層膜表面付近まで除
去したら照射を終了する。

【００４８】次に、欠陥部または層間絶縁膜の除去部の
下層膜に任意波長のレーザ光、例えば第２高調波または
第３高調波に切り替えて、所望の切除領域にレーザ照射
位置、及び照射領域を設定してレーザトリミングを行
う。図３に修正後の断面を示す。この図の７ｂが除去さ
れる部分である。

【００４９】このように、層間絶縁膜を直接除去する第
４高調波と下層膜に照射する別波長のレーザを組み合わ
せて下層と上層の照射領域を変えることにより、第４高
調波のみですべての膜を除去した場合より、照射回数を
減らしても上層膜のバリ等を発生しにくくできるからで
ある。

【００５０】本実施形態においては、上記レーザとして
ＹＡＧレーザを用いて、エネルギー密度を約２０〜２５
ｍＪ／ｃｍ²、パルス幅を約８ｎｓ〜１０ｎｓとして照
射を行った。

【００５１】その後、基板を洗浄してアクティブマトリ
クス基板（ＴＦＴ基板）の最終検査において再検査を行
い、修正状態を確認して問題がなければ液晶工程に送り
出す。このようにして欠陥を修正したアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを貼り合わせ、両基板の間隙に液
晶を注入することにより液晶表示装置が完成する。

【００５２】ここで、図１に示した短絡部を従来のよう
に液晶パネルの裏面からレーザでトリミングした場合に
は、図７に示すように、下層膜の膨張等による圧力で層
間絶縁膜が破壊されるため、破片が周囲に飛散して新た
な欠陥が生じたり、周辺膜欠損が生じたり、電極にバリ
が発生したりしやすくなる。さらに、液晶パネル段階で
は洗浄を行うことも不可能である。

【００５３】なお、上記アクティブマトリクス基板にお
いて走査配線と信号配線とが短絡している場合には、上
述したような層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を照射し
て層間絶縁膜を部分的に除去した後で、波長及び照射領
域を変えて欠陥部の両側の信号配線または走査配線をレ
ーザ照射により切断して他画素の駆動に対する影響を絶
った後、図示しない冗長配線を利用して修正を完了す
る。例えば、冗長構造として信号配線または走査配線を
二重化している場合には、切断した時点で修正が完了す
る。或いは、単線の場合でも、信号入力側とは反対側に
信号入力側と同等の信号を入力可能なように、冗長配線
とレーザによって接続することで、切断した配線の両方
から信号入力可能となり、修正が完了する。さらに、導
電性ペーストによって切断した配線の両端部を結線する
ことも可能である。

【００５４】この修正の後、基板洗浄装置を用いて洗浄
処理を行い、アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
の最終検査において再検査を行った後、修正状態を確認
して問題がなければ液晶注入工程に送り出す。このよう
にして欠陥を修正したアクティブマトリクス基板と対向
基板とを貼り合わせ、両基板の間隙に液晶を注入するこ
とにより液晶表示装置が完成する。

【００５５】さらに、信号配線とドレイン引き出し部と
が短絡している場合には、上述したように層間絶縁膜に
任意波長のレーザ光を照射して層間絶縁膜を部分的に除
去した後で、波長及び照射領域を変えて短絡部を上述し
たようなレーザ照射により切断し、信号配線とドレイン
との短絡を解除してその画素を正常画素に修正すること
ができる。

【００５６】さらに、走査配線や信号配線に断線が生じ
ている場合には、上述したような層間絶縁膜に任意波長
のレーザ光を照射して層間絶縁膜を部分的に除去した後
で、断線部の両側の配線部を接続するか、或いは両側の
配線部を冗長配線に接続することができる。

【００５７】次に、本実施形態において用いられるアク
ティブマトリクス基板の欠陥修正装置について説明す
る。

【００５８】図４はこの欠陥修正装置の概略構成を示す
図であり、１１はＹＡＧレーザ発振器、１２は波長変換
素子、１３はエネルギー減衰フィルタ、１４はハーフミ
ラー、１５及び１６はレーザ光の照射スポットを写すた
めの光源及びＣＣＤカメラ、１７はレーザ光の照射領域
を制御するための電動スリット、１８は照射されたレー
ザ光の強度を検出するパワー検出器、１９は照射された
レーザ光を拡大又は縮小するための集光レンズである。
２２は互いに直交する２方向への移動が可能であり、被
修正基板を搭載するＸＹステージ、２３はインターフェ
イス、２４は制御部、２５は外部コントローラ、２６は
モニタ、２０は被修正基板、２１はバックライトであ
る。さらに、ＸＹステージ２２には、抵抗測定用プロー
ブが取り付けられている。

【００５９】この欠陥修正装置において、ＹＡＧレーザ
発振器１１からはＹＡＧレーザの基本波長である１０６
０ｎｍのレーザ光が発振され、波長変換素子１２を介し
て第２高調波（５３２ｎｍ）、第３高調波（３５５ｎ
ｍ）及び第４高調波（２６６ｎｍ）に変換される。この
変換されたレーザ光は、エネルギー減衰フィルター１３
によってその強度が調節される。例えば、配線の接続に
は基本波（赤外波）のレーザ光を発振し、配線の切断及
び欠陥部の除去には第２高調波及び第３高調波のレーザ
光を発振し、層間絶縁膜の除去には第４高調波のレーザ
光を発振する。

【００６０】このＹＡＧレーザ発振器１１、波長変換素
子１２、エネルギー減衰フィルタ１３、光源１５、ＣＣ
Ｄカメラ１６、電動スリット１７、パワー検出器１８、
集光レンズ１９及びＸＹステージ２２は、インターフェ
イス２３を介してＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭを備えた制御
部２４に接続されている。これらは、外部コントローラ
２５の命令を受けて動作し、所定の波長及び照射領域で
レーザ光を被修正基板に照射することができる。さら
に、ＣＣＤカメラ１６が撮像したレーザ照射スポットの
様子はモニタ２６に映し出される。

【００６１】この欠陥修正装置を用いて、図１に示した
ようなアクティブマトリクスの短絡欠陥を修正する方法
について、以下に説明する。

【００６２】まず、画像処理や低抗検査等によって欠陥
が検出されたアクティブマトリクス基板を、搬送手段に
よって上記欠陥修正装置にセットする。このとき、検査
測定データにより欠陥位置（座標）が分かっていれば、
ＸＹステージ２２を制御してレーザの照射領域を欠陥位
置に大まかに合わせておく。

【００６３】次に、モニタ２６を見ながら外部コントロ
ーラ２５によってＸＹステージ２２や電動スリット１
７、集光レンズ１９を制御して、レーザの照射領域を微
調整する。

【００６４】レーザ照射位置を確定した後、レーザ照射
領域を所望の切除領域より大きく設定して、層間絶縁膜
６に任意波長のレーザ光、例えばＹＡＧレーザの第４高
調波を複数回照射することによって、画素電極１と層間
絶縁膜６を除去する。下層膜表面付近まで除去したら照
射を終了する。

【００６５】次に、欠陥部または層間絶縁膜の除去部の
下層膜に任意波長のレーザ光、例えば第２高調波または
第３高調波に切り替えて、所望の切除領域にレーザ照射
位置、及び照射領域を設定してレーザトリミングを行
う。

【００６６】この修正後、搬送装置を用いて基板を次の
洗浄工程及びアクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
完成後の検査工程へ運搬する。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、アクティブマトリクス基板完成後の最終検査にお
いて検出された短絡欠陥を、層間絶縁膜に任意波長のレ
ーザ光を照射して層間絶縁膜を部分的に除去した後で短
絡部を除去したり、下層の配線膜を切断したりして修正
することができる。或いは、断線欠陥を、層間絶縁膜に
任意波長のレーザを照射して層間絶縁膜を部分的に除去
した後で、断線部の両側の配線を接続したり、冗長配線
と接続したりして修正することができる。従って、液晶
表示パネルの状態で修正を行っていた従来の修正方法に
比べて、パターンの破損が最小限に抑えられ、欠陥が発
生しないようにして、修正の信頼性を高くすることがで
きる。また、基板状態で修正を実施するため、修正後の
洗浄が可能となり、液晶層に異物が残留しない。さら
に、修正によって画素電極形成部の凹凸が少なくなり、
配向不良を防ぐことができる。

【００６８】さらに、アクティブマトリクス基板の完成
後において修正を行うことができるので、層間絶縁膜の
成膜前に修正を行っていた従来の修正方法に比べて、修
正不良を後工程に流さないようにして、製造ロスを最小
限に抑えることができ、生産歩留りを向上させることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るアクティブマトリクス基板の構成
を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。

【図３】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。

【図４】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正装置の構成を示す図である。

【図５】従来のアクティブマトリクス基板の構成を示す
断面図である。

【図６】従来のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法を説明するための平面図である。

【図７】層間絶縁膜上に画素電極を設けたアクティブマ
トリクス基板の構成を示す断面図である。

【図８】従来のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法を説明するための断面図である。

【符号の説明】

１ 画素電極 ２ 保護膜 ３ データ配線（信号配線） ４ ガラス基板 ５ ゲート絶縁膜 ６ 層間絶縁膜 ７ａ、７ｂ レーザによる除去部 ８ 短絡部 １１ ＹＡＧレーザ発振器 １２ 波長変換素子 １３ エネルギ減衰フィルタ １４ ハーフミラー １５ 光源 １６ ＣＣＤカメラ １７ 電動スリット １８ パワー検出器 １９ 集光レンズ ２０ 被修正基板 ２１ バックライト ２２ ＸＹステージ ２３ インターフェース ２４ 制御部 ２５ 外部コントローラ ２６ モニタ

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−66416（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−184842（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−210936（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−192492（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12545（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−229125（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−17330（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−13197（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−203986（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−161156（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−82803（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307314（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−43470（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−209422（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−3087（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−50268（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−152568（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/13 101 G02F 1/1333 H01L 29/78

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の走査配線及び複数の信号配線が絶
   縁膜を介して互いに交差するように設けられ、両配線の
   交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配
   線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように設
   けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアク
   ティブマトリクス基板の短絡欠陥を修正する方法であっ
   て、 該層間絶縁膜に任意波長のレーザ光を照射して修正部上
   の層間絶縁膜部分を除去する工程と、 欠陥部または該層間絶縁膜の除去部の下層にある配線部
   に任意波長のレーザ光を照射して該欠陥部を除去するか
   または該配線部を切断する工程とを含むアクティブマト
   リクス基板の欠陥修正方法。
2. 【請求項２】 前記層間絶縁膜を除去する工程におい
   て、前記欠陥部を除去するかまたは配線部を切断する工
   程よりも広い照射領域でレーザ光を照射する請求項１に
   記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
3. 【請求項３】 切断部の両側の配線部を接続するか、或
   いは該両側の配線部を冗長配線に接続する工程を含む請
   求項１または請求項２に記載のアクティブマトリクス基
   板の欠陥修正方法。
4. 【請求項４】 レーザ光照射による除去部を覆って層間
   絶縁膜と同じ材料からなる絶縁膜を形成する工程を含む
   請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のアクティブマ
   トリクス基板の欠陥修正方法。
5. 【請求項５】 前記層間絶縁膜を除去する工程におい
   て、波長１５０ｎｍ以上、波長３００ｎｍ以下のレーザ
   光を用いる請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のア
   クティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
6. 【請求項６】 前記層間絶縁膜を除去する工程におい
   て、ＹＡＧレーザの第４高調波を用いる請求項５に記載
   のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
7. 【請求項７】 前記欠陥部を除去するかまたは配線部を
   切断する工程において、波長３００ｎｍ以上１５００ｎ
   ｍ以下のレーザ光を用いる請求項１乃至請求項６のいず
   れかに記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
   法。
8. 【請求項８】 切断部または欠陥部の両側の配線部分を
   接続するか、或いは該両側の配線部分を冗長配線に接続
   する工程において、接続部に導電性ペーストを塗布して
   ＹＡＧレーザの基本波を照射する請求項３乃至請求項７
   のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修
   正方法。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
   のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法により欠陥
   が修正されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを
   貼り合わせ、両基板の間に液晶を注入する液晶パネルの
   製造方法。