JP3778407B2 - アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法および液晶パネルの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、テレビジョンセット等のAV(Audio Visual)機器やワードプロセッサ等のOA(Office Automation)機器、ノートブック型パーソナルコンピュータ等の情報端末表示機器に用いられるアクティブマトリクス基板において、補助容量部に短絡欠陥が生じている場合の欠陥修正方法および液晶パネルの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶の電気光学効果を表示装置に利用した液晶表示装置は、現在、ノートブック型パーソナルコンピュータ等の情報端末表示機器をはじめとして、OA機器やAV機器等、様々な分野に利用されている。
【0003】
この液晶表示装置は、互いに交差するゲート信号線(走査配線)およびソース信号線(信号配線)、マトリクス状に形成された多数の絵素電極、および絵素電極を制御するためにスイッチング素子等を備えたアクティブマトリクス基板を有している。そして、このアクティブマトリクス基板とカラーフィルタや対向電極等を備えた対向基板とが、所定の隙間を保って互いの電極形成面が向かい合うように貼り合わせられ、両基板の隙間に液晶層が挟持された構成を有している。
【0004】
このアクティブマトリクス基板の製造工程は複雑であり、多くの製造プロセスを経ることが余儀なくされる。このため、異物の混入や絵素電極と走査配線や信号配線との短絡等の欠陥が生じ易く、これを完全に無くすことは非常に困難である。従って、これらの欠陥を早期に検出し、必要に応じて修正を行うことは、生産歩留りを向上させるために非常に重要な課題となっている。
【0005】
従来では、上記アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、両基板の間に液晶を注入して液晶パネルを作製した後で点灯検査を行って線欠陥や点欠陥の有無を検出し、冗長構造等を用いてその欠陥部分が修正可能なものであれば修正するという方法が提案されてきた。
【0006】
しかしながら、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて両基板の間に液晶を注入し、液晶パネルを作製した後で欠陥を検出する場合、重度な欠陥を有し、その欠陥が修正不可能な液晶パネルは廃棄せざるを得ない。従って、後工程において生産歩留りが低下して製造コストが高くなるという問題があった。
【0007】
そこで、近年では、対向基板と貼り合わせる前のアクティブマトリクス基板の状態で重度な欠陥を検出し、また、短絡欠陥等の修正可能なものは前工程で修正することが望まれるようになってきた。そして、これらの欠陥は基板状態で、画像処理や抵抗検査等の手法によって検出できるようになり、それに伴って基板状態で欠陥を修正して後工程に不良品を流さないような工程システム作りがなされてきている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の液晶表示装置においては、表示品位を向上させるために、絵素電極と共通信号配線や隣接する走査配線を絶縁膜を介して一部重畳させ、重畳部を補助容量部とした構成が知られている。
【0009】
上記構成において、補助容量の上部電極(絵素電極)と下部電極(共通信号配線や走査配線)に短絡欠陥が生じた場合、共通信号配線と短絡した絵素電極には対向電極と同じ位相の電位が印加されるので、現在主流となっているノーマリホワイトモードでは常に輝点となり、表示品位が低下する。一方、走査配線と短絡した絵素電極には対向電極に対してマイナスの一定電位がほぼ常に印加されているので、現在主流となっているノーマリホワイトモードではほぼ常に黒点となり、表示品位が低下する。
【0010】
このような欠陥が生じた場合、従来のように液晶パネルの作製後に修正しようとすると、ガラス基板やカラーフィルタ形成部の屈折率や透過率の影響、液晶配向への影響等のために利用できるレーザーが限定され、正常絵素に修正することができなかった。
【0011】
本発明はこのような従来技術の課題を解決すべくなされたものであり、対向基板との貼り合わせ前のアクティブマトリクス基板の状態で補助容量部の上部電極と下部電極との短絡欠陥を修正することが可能なアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法および液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法は、複数の走査配線および複数の信号配線が互いに交差するように設けられていると共に、両配線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子を介して両配線と接続された絵素電極が設けられ、さらに、該絵素電極の下層に厚み300nm〜500nmのSiNxまたはSiOxからなる絶縁膜を介して該絵素電極と一部重畳するように複数の共通信号配線が設けられて、重畳部の共通信号配線部分を下部電極とし、該重畳部の絵素電極部分を上部電極とする補助容量部が構成されているアクティブマトリクス基板において、該上部電極と該下部電極との短絡欠陥が生じている場合に該短絡欠陥を修正する方法であって、
該短絡欠陥がピンホールである場合に、該アクティブマトリクス基板を対向基板と貼り合わせる前に、該上部電極の該ピンホール部に、YAGレーザーの第4高調波を照射して、該ピンホール周辺の上部電極を、前記絶縁膜に影響を与えることなく、2μm□〜5μm□の面積で除去し、そのことにより上記目的が達成される。
【0013】
本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法は、複数の走査配線および複数の信号配線が互いに交差するように設けられていると共に、両配線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子を介して両配線と接続された絵素電極が設けられ、さらに、該絵素電極に接続された走査配線に隣接する走査配線と該絵素電極とが厚み300nm〜500nmのSiNxまたはSiOxからなる絶縁膜を介して一部重畳されて、重畳部の走査配線部分を下部電極とし、該重畳部の絵素電極部分を上部電極とする補助容量部が構成されているアクティブマトリクス基板において、該上部電極と該下部電極との短絡欠陥が生じている場合に該短絡欠陥を修正する方法であって、該短絡欠陥がピンホールである場合に、該アクティブマトリクス基板を対向基板と貼り合わせる前に、該上部電極の該ピンホール部に、YAGレーザーの第4高調波を照射して、該ピンホール周辺の上部電極を、前記絶縁膜に影響を与えることなく、2μm□〜5μm□の面積で除去し、そのことにより上記目的が達成される。
【0017】
本発明の液晶パネルの製造方法は、本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法により欠陥を修正した後で、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて両基板の間に液晶を注入する工程を含み、そのことにより上記目的が達成される。
【0018】
以下、本発明の作用について説明する。
【0019】
本発明にあっては、共通信号配線または走査配線(下部電極)と絶縁膜と絵素電極(上部電極)とで構成される補助容量部において、下部電極と上部電極との短絡欠陥が生じている場合に、光エネルギーを照射して短絡欠陥部周辺の上部電極を除去する。これにより、短絡欠陥部と絵素電極が隔離され、下部電極と上部電極との短絡が解消される。対向基板との貼り合わせ前のアクティブマトリクス基板の状態で欠陥修正を行うので、液晶パネル状態で欠陥修正を行った場合のようにガラス基板やカラーフィルタ形成部の屈折率や透過率の影響、液晶配向への影響等がなく、修正の信頼性が向上する。後工程に不良品が流れず、欠陥修正のために予め冗長構造を設けておく必要もないので、製造歩留りが向上する。
【0020】
この光エネルギーとしてレーザー光を用いれば、非接触で加工可能であるので素早く容易に修正することができる。
【0021】
発振波長が360nm以下の紫外線である短波長レーザー、例えばYAGレーザーの第4高調波を用いれば、下層膜に影響を与えずに短絡欠陥周辺部の上部電極のみを精度良く除去することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0023】
(実施形態1)
本実施形態ではCs on Common構造のアクティブマトリクス液晶パネルについて説明する。
【0024】
図1は実施形態1の液晶パネルの平面図であり、図2はそのI−I’線部分の断面図である。
【0025】
この液晶パネルにおいて、アクティブマトリクス基板は、ガラス基板11上に走査配線2および信号配線4が互いに交差して設けられ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子6としてTFT(薄膜トランジスタ)が設けられている。両配線で区切られた矩形状の領域には絵素電極5がマトリクス状に配置され、スイッチング素子6を介して両配線と接続されている。
【0026】
さらに、隣接する走査配線2の間には走査配線2と平行な方向に共通信号配線3が設けられ、その上に絶縁膜7を介して絵素電極5が一部重畳している。この重畳部の共通信号配線3、絶縁膜7および絵素電極5から補助容量部1が構成されている。共通信号配線3は厚み300nm〜500nm程度の金属薄膜、例えばTaやAl等からなり、絵素電極5は厚み100nm〜200nm程度の透明導電膜、例えばITO(Indium Tin Oxide)等からなり、絶縁膜7は厚み300nm〜500nm程度の絶縁膜(ゲート絶縁膜)、例えばSiNxやSiOx等からなる。
【0027】
このアクティブマトリクス基板は、ガラス基板10上に対向電極9が設けられた対向基板と貼り合わせられ、両基板の間に液晶層8が挟持されている。
【0028】
この液晶パネルにおいて、図2に示すように、絶縁膜7にピンホール12が発生して補助容量部の共通信号配線3と絵素電極5とが短絡している場合、対向電極9と共通信号配線3には同じ位相の電位が印加されているため、共通信号配線3に短絡した絵素電極5と対向電極9との間には電位が印加されない。よって、現在主流となっているノーマリホワイトモード液晶では常に輝点として表示され、表示品位を低下させる非常に目立った欠陥になってしまう。
【0029】
このような補助容量部1の短絡欠陥を従来のように液晶パネル状態で修正すると、ガラス基板やカラーフィルタ形成部の屈折率や透過率の影響、液晶配向への影響等のため修正が困難である。また、液晶層に修正により飛散した破片や異物等が残留して表示不良が生じるおそれもある。
【0030】
そこで、本実施形態では、図3に示すように、対向基板との貼り合わせ前のアクティブマトリクス基板状態で、短絡欠陥部12に光エネルギーを照射して欠陥修正を行う。欠陥の検出は、画像処理や抵抗検査等の手法によって検出することができる。
【0031】
ここで、YAGレーザーの基本波等を照射すると、下層膜に影響を与えて共通信号配線3が切断されるおそれがあるため、本実施形態ではYAGレーザーの第4高調波(266nm)等の短波長レーザーを用いる。
【0032】
これにより、図4に示すように、短絡欠陥部周辺の絵素電極部分13を除去してピンホール12を絵素電極5から隔離し、補助容量部の上部電極と下部電極の短絡を解消することができる。
【0033】
なお、補助容量部1の減少は絵素の表示状態に影響を与えるため、光エネルギーを照射して除去する面積は、設計マージン(例えば±5%以下等)を考慮して、例えば2μm□〜5μm□以内等に調整する必要がある。
【0034】
絵素電極5が除去された部分では、対向電極との間に電位が印加されないので光漏れが発生するが、共通信号配線3が例えばAlやTi、Ta等の遮光性のある金属薄膜で形成されるので、問題は生じない。
【0035】
このように欠陥修正されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて両基板の隙間に液晶を注入することにより、本実施形態の液晶パネルが得られる。
【0036】
(実施形態2)
本実施形態ではCs on Gate構造のアクティブマトリクス液晶パネルについて説明する。
【0037】
図5は実施形態2の液晶パネルの平面図であり、図6はそのII−II’線部分の断面図である。
【0038】
この液晶パネルにおいて、アクティブマトリクス基板は、ガラス基板11上に走査配線2および信号配線4が互いに交差して設けられ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子6としてTFT(薄膜トランジスタ)が設けられている。両配線で区切られた矩形状の領域には絵素電極5がマトリクス状に配置され、スイッチング素子6を介して両配線と接続されている。
【0039】
さらに、絵素電極5は、その絵素電極5に接続された走査配線2と隣接する走査配線2上まで延在し、絶縁膜7を介してその走査配線2と一部重畳している。この重畳部の走査配線2、絶縁膜7および絵素電極5から補助容量部1が構成されている。走査配線2は厚み300nm〜500nm程度の金属薄膜、例えばTaやAl等からなり、絵素電極5は厚み100nm〜200nm程度の透明導電膜、例えばITO等からなり、絶縁膜7は厚み300nm〜500nm程度の絶縁膜(ゲート絶縁膜)、例えばSiNxやSiOx等からなる。
【0040】
このアクティブマトリクス基板は、ガラス基板10上に対向電極9が設けられた対向基板と貼り合わせられ、両基板の間に液晶層8が挟持されている。
【0041】
この液晶パネルにおいて、図6に示すように、絶縁膜7にピンホール12が発生して補助容量部の走査配線2と絵素電極5とが短絡している場合、走査配線2には対向電極9に対してマイナスの一定の電位がほぼ常に印加されているため、共通信号配線3に短絡した絵素電極5と対向電極9との間にはほぼ常に電位が印加される。よって、現在主流となっているノーマリホワイトモード液晶ではほぼ常に黒点として表示され、表示品位を低下させる欠陥になってしまう。
【0042】
このような補助容量部1の短絡欠陥を従来のように液晶パネル状態で修正すると、ガラス基板やカラーフィルタ形成部の屈折率や透過率の影響、液晶配向への影響等のため修正が困難である。また、液晶層に修正により飛散した破片や異物等が残留して表示不良が生じるおそれもある。
【0043】
そこで、本実施形態では、図7に示すように、対向基板との貼り合わせ前のアクティブマトリクス基板状態で、短絡欠陥部12に光エネルギーを照射して欠陥修正を行う。欠陥の検出は、画像処理や抵抗検査等の手法によって検出することができる。
【0044】
ここで、YAGレーザーの基本波等を照射すると、下層膜に影響を与えて走査配線2が切断されるおそれがあるため、本実施形態ではYAGレーザーの第4高調波(266nm)等の短波長レーザーを用いる。
【0045】
これにより、図8に示すように、短絡欠陥部周辺の絵素電極部分13を除去してピンホール12を絵素電極5から隔離し、補助容量部の上部電極と下部電極の短絡を解消することができる。
【0046】
なお、補助容量部1の減少は絵素の表示状態に影響を与えるため、光エネルギーを照射して除去する面積は、設計マージン(例えば±5%以下等)を考慮して、例えば2μm□〜5μm□以内等に調整する必要がある。
【0047】
絵素電極5が除去された部分では、対向電極との間に電位が印加されないので光漏れが発生するが、走査配線2が例えばAlやTi、Ta等の遮光性のある金属薄膜で形成されるので、問題は生じない。
【0048】
このように欠陥修正されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて両基板の隙間に液晶を注入することにより、本実施形態の液晶パネルが得られる。
【0049】
なお、上記実施形態1および実施形態2において、短絡欠陥部周辺の上部電極を除去して短絡欠陥部と絵素電極とを隔離する際に、(1)補助容量部1の減少が表示品位に影響を与えない程度であり、(2)光漏れが生じないようであれば、短絡部は残してその周囲部分だけを除去することも可能である。
【0050】
上記実施形態1及び実施形態2においては光エネルギーとしてYAGレーザーの第4高調波を用いたが、下層膜に影響を与えないように条件を設定できるのであれば他のレーザーを用いてもよい。
【0051】
さらに、放射線やプラズマ等、レーザー光以外の光エネルギーを利用する方法も可能である。
【0052】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明による場合には、対向基板と貼り合わせて液晶を注入する前のアクティブマトリクス基板の状態で、従来では修正が困難であった補助容量部の上部電極と下部電極との短絡欠陥を解消して正常絵素に修正することができる。よって、修正不良を後工程に流さないようにして製造ロスを最低限に抑えることができ、製造歩留りを向上させて大幅なコストダウンを図ることができる。さらに、アクティブマトリクス基板の状態で欠陥修正を行うため、修正後の洗浄が可能であり、液晶層に異物が残留することが無いので修正の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の液晶パネルにおける絵素部の概略構成を示す平面図である。
【図2】実施形態1の液晶パネルにおける補助容量部の短絡欠陥を説明するための断面図である。
【図3】実施形態1のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。
【図4】実施形態1のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。
【図5】実施形態2の液晶パネルにおける絵素部の概略構成を示す平面図である。
【図6】実施形態2の液晶パネルにおける補助容量部の短絡欠陥を説明するための断面図である。
【図7】実施形態2のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。
【図8】実施形態2のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1 補助容量部
2 走査配線
3 共通信号配線
4 信号配線
5 絵素電極
6 スイッチング素子
7 絶縁膜(ゲート絶縁膜)
8 液晶層
9 対向電極
10、11 ガラス基板
12 短絡欠陥部(ピンホール)
13 レーザー照射により除去される絵素電極部分
Claims (3)
- 複数の走査配線および複数の信号配線が互いに交差するように設けられていると共に、両配線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子を介して両配線と接続された絵素電極が設けられ、さらに、該絵素電極の下層に厚み300nm〜500nmのSiNxまたはSiOxからなる絶縁膜を介して該絵素電極と一部重畳するように複数の共通信号配線が設けられて、重畳部の共通信号配線部分を下部電極とし、該重畳部の絵素電極部分を上部電極とする補助容量部が構成されているアクティブマトリクス基板において、該上部電極と該下部電極との短絡欠陥が生じている場合に該短絡欠陥を修正する方法であって、
該短絡欠陥がピンホールである場合に、該アクティブマトリクス基板を対向基板と貼り合わせる前に、該上部電極の該ピンホール部に、YAGレーザーの第4高調波を照射して、該ピンホール周辺の上部電極を、前記絶縁膜に影響を与えることなく、2μm□〜5μm□の面積で除去するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。 - 複数の走査配線および複数の信号配線が互いに交差するように設けられていると共に、両配線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子を介して両配線と接続された絵素電極が設けられ、さらに、該絵素電極に接続された走査配線に隣接する走査配線と該絵素電極とが厚み300nm〜500nmのSiNxまたはSiOxからなる絶縁膜を介して一部重畳されて、重畳部の走査配線部分を下部電極とし、該重畳部の絵素電極部分を上部電極とする補助容量部が構成されているアクティブマトリクス基板において、該上部電極と該下部電極との短絡欠陥が生じている場合に該短絡欠陥を修正する方法であって、
該短絡欠陥がピンホールである場合に、該アクティブマトリクス基板を対向基板と貼り合わせる前に、該上部電極の該ピンホール部に、YAGレーザーの第4高調波を照射して、該ピンホール周辺の上部電極を、前記絶縁膜に影響を与えることなく、2μm□〜5μm□の面積で除去するアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。 - 請求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法により欠陥を修正した後で、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて両基板の間に液晶を注入する工程を含む液晶パネルの製造方法。
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