JP2008058337A - 表示装置、液晶表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正を可能にする。
【解決手段】ソース信号に応じた信号電圧が印加される複数のソース線２と、それら複数のソース線２の少なくとも１つの両端部に対して、接続可能に構成された断線修正用の第１配線３ａ及び第２配線３ｂと、第１配線３ａ及び第２配線３ｂとの間に介設され、第１配線３ａ及び第２配線３ｂにおけるインピーダンス変換のためのバッファ部４とを備えた液晶表示装置であって、ソース線２ａ及び２ｂに第１配線３ａ及び第２配線３ｂが接続された状態で、ソース線２ａ及び２ｂに印加されるソース信号に応じた信号波形を調整するための予備容量１０ａ及び１０ｂを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置、液晶表示装置及び表示装置の製造方法に関し、特に、マトリクス型の液晶表示装置の断線修正方法に関するものである。

マトリクス型の表示装置は、画像の最小単位である画素がマトリクス状に配列したものである。特に、画素毎にスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、精細な画像を表示することができ、広く利用されている。

このアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、上記各画素に表示用信号を供給するために、相互に平行に延びる複数のゲート線と、それら複数のゲート線と直交する複数のソース線とが設けられている。そのため、アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、ゲート線やソース線の表示用配線に断線が発生すると、駆動回路からの表示用信号がその断線位置から先の表示用配線に供給されないので、表示品位が著しく悪化するという問題がある。

この問題を解決するために、例えば、特許文献１には、ゲート線及びソース線のうちの少なくとも一方に対して接続可能に予備配線を備え、その予備配線に断線が発生したゲート線及びソース線のうちの少なくとも一方を接続することで、断線不良が生じても修復可能なマトリクス型表示装置が提案されている。

さらに、特許文献２では、上記のような構成の予備配線にバッファ回路を介在させることにより、予備配線の引き回しによる電圧降下を補償して、表示品位を向上させたマトリクス型表示装置が提案されている。

また、特許文献３及び４には、上記バッファ回路に関する改良技術が開示されている。

図１５は、特許文献１及び２に記載された内容を基づいて、ソース線１０２の断線を修正可能とした液晶表示装置１５０の等価回路図である。

この液晶表示装置１５０は、液晶表示パネル１４０と、その液晶表示パネル１４０の左辺に設けられたゲートドライバ１０９と、その液晶表示パネル１４０の上辺に設けられたソースドライバ１０７とを有している。液晶表示パネル１４０は、互いに対向するように配置されたアクティブマトリクス基板及び対向基板と、それら両基板に挟持された液晶層とを備えている。上記アクティブマトリクス基板では、複数のゲート線１０１が図中の横方向に、複数のソース線１０２が図中の縦方向に、それぞれ延びるように設けられている。そして、ゲート線１０１とソース線１０２との各交差部分には、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと省略する）１１１が設けられている。また、ソースドライバ１０７は、各ソース線１０２に接続された出力アンプ１０６と、バッファ回路１０４とを有している。さらに、液晶表示パネル１４０の上辺部分において、各ソース線１０２に直交するように延び、ソースドライバ１０７内のバッファ回路１０４の入力側に接続された第１の予備配線１０３ａと、バッファ回路１０４の出力側から、液晶表示パネル１４０の上辺、右辺及び下辺を経由して、液晶表示パネル１４０の下辺部分において、各ソース線１０２に直交するように延びる第２の予備配線１０３ｂとが設けられている。

図１６は、ソース線１０２に断線が発生したため、ソース線１０２（１０２ａ及び１０２ｂ）と予備配線１０３（第１予備配線１０３ａ及び第２予備配線１０３ｂ）とを接続して欠陥が修正された液晶表示装置１５０を示す等価回路図である。

図１６では、ソース線１０２が断線位置Ｘ１で断線して、断線位置Ｘ１よりも上側のソース線１０２ａと、断線位置Ｘ１よりも下側のソース線１０２ｂとに分断されている。そして、ソース線１０２ａと第１予備配線１０３ａとが交差部分Ａ１で接続されていると共に、ソース線１０２ｂと第２予備配線１０３ｂとが交差部分Ａ２で接続されている。この接続には、図１７に示すように、ガラス基板１２０側から各交差部分Ａ１及びＡ２にレーザー光等の光エネルギー１２３を照射することにより、絶縁膜１１９にコンタクトホールを形成して、ソース線１０２と予備配線１０３とを導通させればよい。これにより、断線位置Ｘ１よりも下側にあるソース線１０２ｂには、ソースドライバ１０７内の出力アンプ１０６からの表示のための信号が、ソース線１０２ａの上側の一部分、及び接続箇所（交差部分）Ａ１、第１予備配線１０３ａ、バッファ回路１０４、第２予備配線１０３ｂ、及び接続箇所（交差部分）Ａ２を介して供給される。これによって、表示配線に断線が発生しても、駆動回路からの表示用信号が断線位置から先の表示用配線にも供給されるので、断線が修正される。ここで、バッファ回路１０４は、第１予備配線１０３ａ及び第２予備配線１０３ｂからなる予備配線１０３におけるインピーダンス変換のために、表示用信号を増幅するアンプとして機能するものである。
特開平３−２３４２５号公報 特開平８−１７１０８１号公報 特開平１１−５２９２８号公報 特開２００２−２２１９４７号公報

しかしながら、上記のような欠陥修正方法では断線していない正常なソース線１０２と、断線により分断されたソース線１０２ａ及び１０２ｂとの間において、負荷となる容量の大きさの違いが考慮されていない。

以下に、上記容量の大きさの違いについて、詳細に説明する。

図１８は、画素１つ当たりのソース線１０２にかかる容量を示す等価回路図である。

図１８に示すように、ソース線１０２にかかる容量は、液晶容量Ｃｌｃ、補助容量Ｃｃｓ、ゲート線１０１との交差部分に発生する寄生容量Ｃｓｇ、ソース線１０２に対して右側にある画素のＴＦＴ１１１のドレイン電極との間に発生する寄生容量ＣｓｄＡ、及びソース線１０２に対して左側にある画素のＴＦＴ１１１のドレイン電極との間に発生する寄生容量ＣｓｄＢなどである。

ここで、上記液晶容量Ｃｌｃ及び補助容量Ｃｃｓは、所定のゲート線１０１が選択され、ＴＦＴ１１１がＯＮ状態であるときにのみ接続されて負荷となる。ここで、通常のアクティブマトリクス型の液晶表示装置では、常に１本のゲート線１０１しか選択されないので、上記液晶容量Ｃｌｃ及び補助容量Ｃｃｓは、１本のソース線１０２に対して大きな負荷とならない。一方、残りの寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢは、ゲート線１０１の選択の有無にかかわらず常に存在するので、１本のソース線１０２に対して大きな負荷となる。すなわち、１本のソース線１０２には、寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢが、ゲート線１０１の本数分だけ、例えば、解像度がＸＧＡの液晶表示装置では、７６８本分だけかかることになる。この寄生容量の大きさは、液晶表示装置の表示品位に対して無視できるものではないので、ソースドライバ１０７の出力アンプ１０６及びバッファ回路１０４は、この負荷となる寄生容量の大きさに対応できるだけの能力を持たせておく必要がある。

ところが、実際の液晶表示装置では、ソース線１０２の断線が、どこで発生するか分からない。

例えば、図１６に示すように、ソース線１０２がソースドライバ１０７から離れた断線位置Ｘ１で断線して、上述のように、断線位置Ｘ１よりも上側のソース線１０２ａと、断線位置Ｘ１よりも下側のソース線１０２ｂとに分断された場合、ソース線１０２ａで負荷となる寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢの個数は、正常なソース線１０２で負荷となる寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢの個数と比べて大差がない。そのため、断線位置Ｘ１よりも上側のソース線１０２ａにかかる負荷は、正常なソース線１０２にかかる負荷と大差がないことになる。一方、ソース線１０２ｂで負荷となる寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢの個数は、正常なソース線１０２で負荷となる寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢの個数と比べてかなり少なくなる。そのため、断線位置Ｘ１よりも下側のソース線１０２ｂにかかる負荷は、正常なソース線１０２にかかる負荷と比較して極めて小さくなる。

また、上記と同様に考えると、図１９に示すように、ソース線１０２がソースドライバ１０７に極めて近い断線位置Ｘ２で断線して、断線位置Ｘ２よりも上側のソース線１０２ｃと、断線位置Ｘ２よりも下側のソース線１０２ｄとに分断された場合には、ソース線１０２ｃにかかる負荷は、正常なソース線１０２にかかる負荷と比べて極めて小さくなる。一方、ソース線１０２ｄにかかる負荷は、正常なソース線１０２にかかる負荷と比べて大差がないことになる。

このように、断線して分断されたソース線では、その断線位置によって負荷が大小してしまう、すなわち、負荷となる寄生容量の配分が変わってしまう。

図２０は、正常なソース線１０２での出力波形Ｗ１と、ソース線１０２の断線のため、その断線したソース線１０２が接続された予備配線１０３での出力波形Ｗ２とを示したものである。

ソースドライバ１０７では、上述したように、正常なソース線１０２を正常に駆動できるように、出力アンプ１０６及びバッファ回路１０４の負荷を設定しているが、断線によってソース線１０２が分断され、その分断されたソース線（例えば、上記ソース線１０２ｂ）において負荷となる寄生容量が極端に少なくなると、図２０の出力波形Ｗ２のように波形がオーバーシュート又はアンダーシュートしてしまう。

このオーバーシュート、アンダーシュートの程度が大きいと、液晶層に対して、正常なソース線１０２よりも過剰な電圧がかかり、例えば、ノーマリーホワイトの液晶表示装置の場合には、その断線の発生したソース線１０２に沿って画素が暗くなって黒線のように見え、また、ノーマリーブラックの液晶表示装置の場合には、その断線の発生したソース線１０２に沿って画素が明るくなって輝線のように見え、表示品位が悪化してしまうという問題があった。

また、このオーバーシュートやアンダーシュートは、液晶表示装置の解像度が低く、各画素での充電時間（１水平期間）が長ければ表示に影響しにくいが、高解像度（ＵＸＧＡ等）の場合には、充電時間が短くなり、オーバーシュートやアンダーシュートが無視できなくなる。さらに高解像度になると、１本のソース線１０２において負荷となる寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢの数も増えるため、正常なソース線１０２にかかる負荷と断線により分断されたソース線（例えば、上記ソース線１０２ｂ）にかかる負荷との差も大きくなる。

また、液晶表示装置が大画面化した場合には、寄生容量Ｃｓｇ、ＣｓｄＡ及びＣｓｄＢを構成する面積が大きくなるので、上記と同様に、正常なソース線１０２にかかる負荷と断線により分断されたソース線１０２にかかる負荷との差もいっそう大きくなる。

このように、近年の液晶表示装置の高解像度化及び大画面化に伴い、正常なソース線にかかる負荷と断線により分断されたソース線にかかる負荷との差は益々大きくなり、オーバーシュートやアンダーシュートの増大によって表示品位が悪化する傾向にある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正を可能にすることにある。

本発明は、上記目的を達成するために、予備配線に接続された表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備えるようにしたものである。

具体的に、本発明に係る表示装置は、表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して接続可能に構成された予備配線と、上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた表示装置であって、上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備えていることを特徴とする。

上記の構成によれば、予備配線が複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して接続可能なので、複数の表示用配線が何れかが断線した際には、その断線した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線位置から先の表示用配線にも予備配線を介して、表示のための信号電圧が印加されることになる。そして、その予備配線には、信号波形を調整するため予備容量が設けられているので、断線位置に合わせて適宜、予備容量を機能させることにより、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整され、表示品位の低下が抑制される。

具体的には、予備配線に対して予備容量を機能させることにより、断線により分断された各表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等になって、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。そのため、断線した表示用配線では、予備配線、バッファ部及び予備容量を介して、上記調整された信号波形が印加されるので、正常な表示用配線と同等の表示品位が維持される。これにより、表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能になる。

上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成されていてもよい。

上記の構成によれば、第１電極と第２電極との間の第１絶縁膜で電荷を保持することが可能になるので、この第１絶縁膜から構成された予備容量によって、断線により分断された表示用配線にかかる負荷、つまり、分断された表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記第１電極は、上記予備配線に接続されていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量を構成する第１電極が、予め、予備配線に接続されているので、断線した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線した表示用配線に対して、予備容量が機能可能な状態になる。そして、予備容量が１つのみであるときには、その１つの予備容量によって、分断した表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。また、予備容量が複数であるときには、必要に応じて、予備容量の第１電極と予備配線との接続を所定数だけ切断することにより、機能可能な予備容量の個数が調整される。これにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が調整され、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記第１電極は、上記予備配線に接続可能に構成されていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量を構成する第１電極が、予備配線に接続可能に構成されているので、断線した表示用配線と予備配線とを接続すると共に、予備容量の第１電極と予備配線とを接続することにより、予備配線及び表示用配線に対して、予備容量が機能可能な状態になる。また、必要に応じて、予備容量の第１電極と予備配線とを所定数だけ接続することにより、機能可能な予備容量の個数が調整される。これにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が調整され、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記予備容量を複数備え、上記複数の予備容量のうちの少なくとも１つは、上記第１電極が、上記予備配線に接続されていると共に、上記複数の予備容量のうちの他の予備容量の第１電極は、上記予備配線に接続可能に構成されていてもよい。

上記の構成によれば、例えば、予備配線のバッファ部の入力側及び出力側にそれぞれ１つずつ予備容量が設けらている場合、一方の予備容量の第１電極が予備配線に対して予め接続されると共に、他方の予備容量の第１電極が予備配線に対して接続可能に構成される。このように、予備容量の第１電極と予備配線との接続状態のバリエーションを増やすことが可能になる。

上記予備配線は、上記表示用配線に対して第２絶縁膜を介して設けられていると共に、上記第２絶縁膜にそれぞれコンタクトホールを形成することにより、上記表示用配線に接続可能に構成されていてもよい。

上記の構成によれば、複数の表示用配線の何れかが断線した際には、例えば、予備配線と表示用配線との各交差部分に、光エネルギーを照射することにより、その部分の第２絶縁膜が破壊されて、予備配線と表示用配線とを導通させるコンタクトホールが形成される。そのため、第２絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、断線により分断された表示用配線には、予備配線を介して、表示のための信号電圧が印加される。

上記第１電極は、上記予備配線に対して第３絶縁膜を介して設けられていると共に、上記第３絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上記予備配線に接続可能に構成されていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量の第１電極と予備配線との交差部分に、例えば、光エネルギーを照射することにより、その部分の第３絶縁膜が破壊されて、第１電極と予備配線とを導通させるコンタクトホールが形成される。そのため、第３絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、予備配線に対して予備容量を機能させることが可能になる。

上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、上記予備容量は、上記第１配線に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量が第１配線に設けられているので、表示用配線が第１配線側で断線して、その断線により分断された第１配線側の表示用配線にかかる負荷が小さくなったとしても、第１配線に設けられた予備容量の第１電極と第１配線とを接続することによって、その小さくなった負荷を大きくすることが可能になる。これにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等に調整されて、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、上記予備容量は、上記第２配線に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量が第２配線に設けられているので、表示用配線が第２配線側で断線して、その断線により分断された第２配線側の表示用配線にかかる負荷が小さくなったとしても、第２配線に設けられた予備容量の第１電極と第２配線とを接続することによって、その小さくなった負荷を大きくすることが可能になる。これにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等に調整されて、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、上記予備容量は、上記第１配線及び上記第２配線の双方に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量が第１配線及び第２配線の双方に設けられているので、表示用配線が第１配線側で断線して、その断線により分断された第１配線側の表示用配線にかかる負荷が小さくなったとしても、第１配線に設けられた予備容量の第１電極と第１配線とを接続することによって、その小さくなった負荷を大きくすることが可能になる。また、表示用配線が第２配線側で断線して、その断線により分断された第２配線側の表示用配線にかかる負荷が小さくなったとしても、第２配線に設けられた予備容量の第１電極と第２配線とを接続することによって、その小さくなった負荷を大きくすることが可能になる。これにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷に対して、よりいっそう同等に調整されて、予備配線を介して表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

上記表示用配線は、ソース信号が入力されるソース線であってもよい。

例えば、液晶表示装置において、ソース線は、画像の最小単位である画素に映像信号等のソース信号を供給するものであるので、そのソース線に印加されるソース信号の電圧のばらつきは、液晶表示装置の表示品位を低下させる恐れがある。しかしがら、本発明では、断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能であるので、上記のように、ソース線が断線したとしても、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される断線修正が可能である。

上記複数の表示用配線は、基板に形成され、上記予備容量は、上記基板に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量と表示用配線とが同一の基板に設けられているので、断線により分断された表示用配線と予備配線とを接続する工程と、予備配線に対して予備容量を機能可能な状態にする工程とを同一の工程、又は連続した工程で行うことが可能になり、断線の修正がより確実になる。一方、予備容量と表示用配線とが別々の基板に設けられている場合には、断線を検出した後、その断線により分断された表示用配線と予備配線とを接続したという記録が、予備容量を機能可能な状態にする工程を行う段階で、不明となり易く、断線の修正が不確実となる恐れがある。

表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とを備え、上記予備容量は、上記非表示領域に設けられていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量が表示に寄与しない非表示領域に設けられているので、表示品位に影響を与えずに、表示用配線の断線が修正される。

上記第１絶縁膜、上記第２絶縁膜及び上記第３絶縁膜は、同一の絶縁膜であってもよい。

上記の構成によれば、予備容量を構成する第１絶縁膜、表示用配線と予備配線との間を絶縁する第２絶縁膜、及び予備容量の第２電極と予備配線との間を絶縁する第３絶縁膜を、例えば、薄膜トランジスタのゲート電極と半導体層との間を絶縁するゲート絶縁膜により形成することが可能になる。そのため、表示装置の製造工程を追加せずに、表示用配線の断線が修正される。

複数の画素と、上記複数の画素にそれぞれ設けられると共に上記表示用配線に接続され、信号電圧が供給される画素電極と、上記同一の絶縁膜により形成され、上記画素電極における上記信号電圧を保持するための補助容量とを備えていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量を構成する第１絶縁膜、表示用配線と予備配線との間を絶縁する第２絶縁膜、予備容量の第２電極と予備配線との間を絶縁する第３絶縁膜、及び画像表示の際に画素電極に印加される信号電圧を保持するための補助容量を、例えば、薄膜トランジスタのゲート電極と半導体層との間を絶縁するゲート絶縁膜により形成することが可能になる。そのため、表示装置の製造工程を追加せずに、表示用配線の断線が修正される。

上記予備容量を１つ備えていてもよい。

上記の構成によれば、予備容量を構成する第１電極が、予め、予備配線に接続されていると共に、その予備容量の個数が１つであるので、断線した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線した表示用配線に対して、１つの予備容量が機能可能な状態になる。そのため、断線した表示用配線と予備配線とを接続するだけで、分断した表示用配線に印加される表示のための信号波形が調整される。

また、本発明に係る表示装置は、表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた表示装置であって、上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備え、上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、上記複数の表示用配線の何れかが断線しており、上記断線した表示用配線と上記予備配線とが接続されていると共に、上記予備配線に、上記第１電極が接続されていることを特徴とする。

上記の構成によれば、断線した表示用配線と予備配線とが接続されているので、断線位置から先の表示用配線にも予備配線を介して、表示のための信号電圧が印加される。そして、その予備配線には、表示用の信号波形を調整するため予備容量の第１電極が接続されているので、予備配線を介して断線した表示用配線に印加される信号波形が調整される。具体的には、予備配線に対して予備容量の第１電極が接続されているので、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等になって、予備配線を介して表示用配線に印加される信号波形が調整される。そのため、断線した表示用配線では、予備配線、バッファ部及び予備容量を介して、上記調整された信号波形が印加されるので、正常な表示用配線と同等の表示品位が維持される。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた液晶表示装置であって、上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備えていることを特徴とする。

以上のような表示装置は、液晶表示装置において特に有効である。液晶表示装置は、近年、高解像度化及び大画面化に伴い、正常なソース線（表示用配線）にかかる負荷と断線により分断されたソース線（表示用配線）にかかる負荷との差が益々大きくなり、オーバーシュートやアンダーシュートの増大によって、表示品位が悪化する恐れがあるからである。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部と、上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量とを備え、上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、上記予備容量の第１電極が上記予備配線に予め接続された表示装置の製造方法であって、上記表示用配線の断線の存在を検出する断線配線検出工程と、上記断線配線検出工程で断線が検出された表示用配線と上記予備配線とを接続する予備配線接続工程とを備えることを特徴とする。

上記の方法によれば、予備容量を構成する第１電極が、予め、予備配線に接続されているので、予備配線接続工程において、断線した表示用配線と予備配線とを接続することにより、断線した表示用配線に対して、予備容量が機能可能な状態となる。そのため、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等になって、予備配線を介して表示用配線に印加される信号波形が調整される。これにより、断線した表示用配線では、予備配線、バッファ部及び予備容量を介して、上記調整された表示用信号が印加されるので、正常な表示用配線と同等の表示品位が維持される。従って、表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能になる。

上記予備容量は、複数設けられ、上記複数の予備容量のうちの少なくとも１つの予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線との接続を切断する切断工程を備えてもよい。

上記の方法によれば、予備容量が複数であるので、予備配線接続工程で断線した表示用配線と予備配線とを接続することで断線した表示用配線に対して機能可能な状態となった予備容量の個数を、切断工程において適宜減らすことが可能になる。そのため、予備配線に設けられた予備容量の複数である場合には、その予備容量の個数を減らすことにより、断線により分断された表示用配線にかかる負荷を、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等にすることが可能になる。

上記断線配線検出工程で検出された表示用配線における断線位置を検出する断線位置検出工程を備え、上記切断工程は、上記断線位置検出工程で検出された断線位置に応じた個数分の上記予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線との接続を切断してもよい。

上記の方法によれば、切断工程では、断線位置検出工程において検出された断線位置に合わせて、予備容量の第１電極と予備配線との複数の接続のうちの幾つかを切断することになるので、断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能になる。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部と、上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量とを備え、上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、上記予備容量の第１電極が上記予備配線に予め接続されていない表示装置の製造方法であって、上記表示用配線の断線の存在を検出する断線配線検出工程と、上記断線配線検出工程で断線が検出された表示用配線と上記予備配線とを接続する予備配線接続工程と、上記予備容量の第１電極と上記予備配線とを接続する予備容量接続工程を備えることを特徴とする。

上記の方法によれば、予備配線接続工程で断線した表示用配線と予備配線とを接続すると共に、予備容量接続工程で予備容量の第１電極と予備配線とを接続することにより、断線した表示用配線に対して、予備容量が機能可能な状態となる。そのため、断線により分断された表示用配線にかかる負荷が、断線していない正常な表示用配線にかかる負荷と同等になって、予備配線を介して表示用配線に印加される信号波形が調整される。これにより、断線した表示用配線には、予備配線、バッファ部及び予備容量を介して、波形が調整された信号波形が印加されるので、正常な表示用配線と同等の表示品位が維持される。従って、表示用配線が断線した際に、その断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能になる。

上記断線配線検出工程で検出された表示用配線における断線位置を検出する断線位置検出工程を備え、上記予備容量接続工程は、上記断線位置検出工程で検出された断線位置に応じた個数分の上記予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線とを接続してもよい。

上記の方法によれば、予備容量接続工程では、断線位置検出工程において検出された断線位置に合わせて、予備容量の第１電極と予備配線とを接続することになるので、断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正が可能になる。

本発明によれば、予備配線に、分断された表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量が設けられているので、複数の表示用配線の何れかが断線した際には、その断線した表示用配線と予備配線とを接続すると共に、断線位置に合わせて適宜、予備容量を機能させることにより、断線により分断された表示用配線には、予備配線及び予備容量を介して、調整された信号波形が印加されることになる。これにより、表示用配線の断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制される表示用配線の断線修正を行うことができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下、実施形態では、本発明に係る表示装置として液晶表示装置を例に挙げ、断線を修正する対象の表示用配線として、ソース線を例に説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。

《発明の実施形態１》
以下に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０について説明する。

図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０を示す等価回路図である。また、図２は、液晶表示装置５０の１つの画素を示す平面図であり、図３は、図２中のIII−III線に沿った断面図である。

この液晶表示装置５０は、液晶表示パネル４０と、その液晶表示パネル４０の左辺に設けられたゲートドライバ９と、その液晶表示パネル４０の上辺に設けられたソースドライバ７とを有している。

液晶表示パネル４０は、互いに対向するように配置されたアクティブマトリクス基板及び対向基板と、それら両基板間に挟持された液晶層１２とを有している。

上記アクティブマトリクス基板は、ガラス基板２０上に、複数のゲート線１が図１中の横方向に相互に平行に延びるように設けられ、複数のソース線２（表示用配線）が図１中の縦方向に各ゲート線１と直交するように設けられている。ここで、図１には図示されていないが、各ゲート線１の間には図２に示すように、容量線１５が相互に平行に延びるように設けられている。そして、ゲート線１とソース線２との各交差部分には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１が設けられている。

ここで、隣り合う一対のゲート線１及びソース線２に囲われる各領域が画像の最小単位である画素を構成している。そして、各画素には、ゲート線１及びソース線２に沿って、画素電極１８がマトリクス状に形成され、そのマトリクス状に形成された複数の画素電極１８が全体で表示領域を構成している。

ＴＦＴ１１は、図２に示すように、ゲート線１から側方に突出したゲート電極１ａと、そのゲート電極１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１９と、そのゲート絶縁膜１９上に設けられ、ソース線２から側方に突出したソース電極２ａと、同じくゲート絶縁膜１９上にソース電極２ａに対峙するように設けられたドレイン電極１４とを備えている。

このドレイン電極１４は、容量線１５が配設された領域まで延設され、その延設された部分と、容量線１５と、それらの間に挟持されたゲート絶縁膜１９とによって補助容量２７を構成している。

また、ソース電極２ａ及びドレイン電極１４を覆うように保護膜１７が設けられている。そして、その保護膜１７の上層には画素電極１８が設けられている。ここで、画素電極１８は、保護膜１７に形成されたコンタクトホール１６を介してドレイン電極１４に接続されている。さらに、画素電極１８の上層には配向膜（不図示）が設けられている。

各ゲート線１は、アクティブマトリクス基板の表示領域の外側の非表示領域（液晶表示パネル４０の左辺側）に引き出され、ゲートドライバ９内の各出力アンプ８に接続されている。

各ソース線２は、アクティブマトリクス基板の非表示領域（液晶表示パネル４０の上辺側）に引き出され、ソースドライバ７内の各出力アンプ６に接続されている。

また、ソースドライバ７内には、後述する第１配線３ａ及び第２配線３ｂにより構成された予備配線３におけるインピーダンス変換のアンプとして機能するバッファ部４を備えている。

さらに、アクティブマトリクス基板の非表示領域（液晶表示パネル４０の上辺部分）には、断線修正用の第１配線３ａがゲート絶縁膜１９（第２絶縁膜）を介して各ソース線２に直交するように設けられ、その一方端がバッファ部４の入力側に接続されている。そして、アクティブマトリクス基板の非表示領域（液晶表示パネル４０の下辺部分）には、断線修正用の第２配線３ｂがゲート絶縁膜１９（第２絶縁膜）を介して各ソース線２に直交するように設けられ、その一方端がアクティブマトリクス基板の非表示領域（液晶表示パネル４０の右辺及び上辺部分）を経由してバッファ部４の出力側に接続されている。

また、第１配線３ａ及び第２配線３ｂには、複数の第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂがそれぞれ接続可能に設けられている。

第１配線３ａには、例えば、図５に示すように、５つの第１予備容量１０ａが接続可能に設けられている。

第１予備容量１０ａは、図６に示すように、互いに対向に配置するように設けられた第１電極１０ｃ及び第２電極１０ｄと、それら第１電極１０ｃ及び第２電極１０ｄに挟持されたゲート絶縁膜１９（第１絶縁膜）とにより構成されている。なお、図６は、図５中のVI−VI線に沿った断面図である。

第１電極１０ｃは、第１配線３ａに対してゲート絶縁膜１９（第３絶縁膜）を介して設けられた予備容量接続配線５の延設部分である。これによれば、第１予備容量１０ａの第１電極１０ｃと第１配線３ａとの間には、ゲート絶縁膜１９が挟持されているので、第１予備容量１０ａの第１電極１０ｃは、予備配線３を構成する第１配線３ａに予め接続されていない。

各予備容量接続配線５は、第１配線３ａに対して上述ようにゲート絶縁膜１９（第３絶縁膜）を介して直交するように設けられ、その交差している部分が図５及び図６に示すように、交差部分Ｃ１〜Ｃ５となっている。

第２電極１０ｄは、図４に示すように、後述する対向基板の共通電極１３に対して共通電極転移点２１ｂを介して接続された共通電極配線２１ａの延設部分である。なお、本実施形態では、第２電極１０ｄが共通電極１３に接続されているが、第２電極１０ｄは、容量線１５に接続されていたり、接地されていてもよい。

第２予備容量１０ｂは、液晶表示パネル４０の下辺部分に位置するだけで、その構成が第１予備容量１０ａと同様なので、その詳細な説明を省略する。

ここで、１本の予備配線３（第１配線３ａ及び第２配線３ｂ）に設けられた予備容量１０ａ及び１０ｂの容量の大きさの合計は、後述するように、１本のソース線２において負荷となる寄生容量の総容量の大きさと同程度、或いは、それよりも僅かに小さい程度がよい。

上記対向基板は、図示していないが、ガラス基板上に、カラーフィルター層、オーバーコート層、共通電極１３及び配向膜が順に積層された多層積層構造になっている。

上記カラーフィルター層には、各画素に対応して赤、緑及び青のうちの１色の着色層が設けられ、各着色層の間には遮光膜としてブラックマトリクスが設けられている。

液晶層１２は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。

このような構成の液晶表示装置５０では、各画素において、ゲートドライバ９内の出力アンプ８からのゲート信号に応じた信号電圧がゲート線１及びゲート電極１ａを介してＴＦＴ１１に印加されることにより、ＴＦＴ１１がオン状態となり、それと同時に、ソースドライバ７内の出力アンプ６からのソース信号（映像信号）に応じた信号電圧がソース線２、ソース電極２ａ及びドレイン電極１４を介して画素電極１８ｂに印加されることにより、画素電極１８に所定の電荷が書き込まれる。このとき、画素電極１８と共通電極１３との間では、電位差が生じることになり、液晶層１２からなる液晶容量、及び補助容量２７に所定の電圧が印加される。そして、液晶表示装置５０では、その印加電圧の大きさに応じて液晶分子の配向状態が変わることを利用して、外部から入射する光の透過率を調整することにより、画像が表示される。

ここで、補助容量２７は、液晶層１２からなる液晶容量に印加される電圧の変動量を抑制するために、液晶容量に対して並列に設けられている。なお、本実施形態の液晶表示パネルは、Ｃｓ ｏｎ Ｃｏｍｍｏｎの構成である。また、補助容量２７の容量の大きさは、ゲート絶縁膜１９の厚さ、誘電率及び面積に依存し、一般的な１５インチのＸＧＡ（１０２４×ＲＧＢ×７６８）クラスの液晶表示パネルの場合には、１００〜２００ｐＦ／ｍｍ²程度となる。

次に、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０の製造方法について、一例を挙げて説明する。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置５０は、以下に説明するアクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程、液晶表示パネル作製工程、検査工程、ドライバ実装工程を経て製造され、そして、検査工程で断線が検出された場合には、検査工程の後の断線修正工程を経て製造される。

＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
以下に、アクティブマトリクス基板作製工程について、説明する。

まず、ガラス基板２０上の基板全体に、Ｔａ、ＴａＭｏ合金等からなる金属膜（厚さ１０００〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターン形成して、ゲート線１、ゲート電極１ａ、容量線１５、第１配線３ａ、第２配線３ｂ、及び共通電極配線２１ａ（第２電極１０ｄ）を形成する。

次いで、ゲート線１等が形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、ゲート絶縁膜１９を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１９上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりゲート電極１ａ上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。

続いて、半導体層が形成された基板全体に、Ｔｉ等からなる金属膜（厚さ１０００〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ソース線２、ソース電極２ａ、ドレイン電極１４及び予備容量接続配線５（第１電極１０ｃ）を形成する。

ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザーアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、ＴＦＴ１１の特性を向上させることができる。

さらに、ソース線２等が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ３０００Å程度）等を成膜して、保護膜１７を形成する。

次いで、保護膜１７のドレイン電極１４に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール１６を形成する。

続いて、保護膜１７上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、画素電極１８を形成する。

最後に、画素電極１８上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。

以上のようにして、アクティブマトリクス基板が作製される。

＜対向基板作製工程＞
以下に、対向基板作製工程について、説明する。

まず、ガラス基板上に、Ｃｒ薄膜、又は黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ブラックマトリクスを形成する。

次いで、ブラックマトリクスの間のそれぞれに、顔料分散法等を用いて、赤、緑及び青の何れかの着色層（厚さ２μｍ程度）をパターン形成してカラーフィルター層を形成する。

次いで、カラーフィルター層上の基板全体に、アクリル樹脂を塗布してオーバーコート層を形成する。

続いて、オーバーコート層上の基板全体に、ＩＴＯ膜（厚さ１０００Å程度）を成膜して、共通電極１３を形成する。

最後に、共通電極１３上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。

上記のようにして、対向基板を作製することができる。

＜液晶表示パネル作製工程＞
以下に、液晶表示パネル作製工程について、説明する。

まず、上述のようにして作製されたアクティブマトリクス基板及び対向基板のうちの一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂等からなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層１２の厚さに相当する直径を持ち、プラスチック又はシリカからなる球状のスペーサーを散布する。

次いで、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせ、シール材料を硬化させて、空の液晶表示パネルを作製する。

最後に、空の液晶表示パネルに、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射により、液晶材料を封止する。これによって、液晶層１２が形成される。

以上のようにして、液晶表示パネル４０が作製される。

＜検査工程（断線配線検出工程及び断線位置検出工程）＞
以下に、上述のようにして作製された液晶表示パネル４０の検査工程について、説明する。

例えば、各ゲート線１にバイアス電圧−１０Ｖ、周期１６．７ｍｓｅｃ、パルス幅５０μｓｅｃの＋１５Ｖのパルス電圧のゲート検査信号を入力して全てのＴＦＴ１１をオン状態にする。さらに、各ソース線２に１６．７ｍｓｅｃごとに極性が反転する±２Ｖの電位のソース検査信号を入力して、各ＴＦＴ１１のソース電極２ａ及びドレイン電極１４を介して画素電極１８に±２Ｖに対応した電荷を書き込む。同時に、共通電極１３に直流で−１Ｖの電位の共通電極検査信号を入力する。

このとき、画素電極１８と共通電極１３との間で構成される液晶容量に電圧が印加され、その画素電極１８で構成する画素が点灯状態になり、ノーマリーホワイトモード（電圧無印加時に白表示）では、白表示から黒表示となる。

また、断線が発生したソース線に沿った画素では、その画素電極１８に所定の電荷が書き込むことができず、非点灯（輝点）となる。これにより、図７に示すようなソース線２の断線位置Ｘが検出される。

＜断線修正工程＞
断線修正工程は、以下に説明する予備配線接続工程と、予備容量接続工程とを備えている。
〜予備配線接続工程〜
以下に、予備配線接続工程について説明する。

断線位置Ｘで分断されたソース線２ａと予備配線３ａとの交差部分Ａ１、及び断線位置Ｘで分断されたソース線２ｂと予備配線３ｂとの交差部分Ａ２の双方に、ガラス基板２０側からレーザー光等の光エネルギーを照射して、各交差部分のゲート絶縁膜１９にコンタクトホールを形成する。これにより、断線により分断されたソース線２ａ及び２ｂと、予備配線３（第１配線３ａ及び第２配線３ｂ）とが接続され、断線位置Ｘから先のソース線２ｂには、第１配線３ａ、バッファ部４及び第２配線３ｂを介して、ソース信号に応じた信号電圧が印加されることになる。
〜予備容量接続工程〜
以下に、予備容量接続工程について説明する。

ここで、断線位置Ｘは、ソースドライバ７に近い位置にあるので、断線位置Ｘよりも下側のソース線２ｂにかかる負荷は、断線してない正常なソース線２にかかる負荷と比べて大差がないので、予備配線を構成する第２配線３ｂと第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｃとは接続しない。一方、断線位置Ｘよりも上側のソース線２ａにかかる負荷は、正常なソース線２にかかる負荷と比べてかなり小さくなるので、予備配線を構成する第１配線３ａと第１予備容量１０ａの第１電極１０ｃとを接続して、断線位置Ｘよりも上側のソース線２ａにかかる負荷が、正常なソース線２にかかる負荷と同程度になるようにする。

具体的には、図５に示す交差部分Ｃ１〜Ｃ５の少なくとも１つに対して、図８に示すようにガラス基板２０側からレーザー光等の光エネルギー２３を照射することにより、ゲート絶縁膜１９を破壊して、その照射部分のゲート絶縁膜１９にコンタクトホール２２を形成する。これにより、断線により第１配線３ａと予備容量接続配線５とが接続される。なお、図８は、図５中のVIII−VIII線に沿った断面図であり、交差部分Ｃ３にコンタクトホール２２が形成された断面図である。

こうすることによって、断線により分断されたソース線２ａに対して、第１予備容量１０ａが機能可能な状態となる。そのため、断線により分断されたソース線２ａにかかる負荷が、正常なソース線２にかかる負荷と同等になって、ソース線２ａに印加される信号波形が調整される。

また、背景技術の説明で用いた図１６の断線位置Ｘ１のように、ソース線２がソースドライバ７から離れた位置Ｘ１で断線した場合には、上述の断線位置Ｘの場合とは反対に、断線位置（Ｘ１）よりも上側のソース線２にかかる負荷は、断線してない正常なソース線２にかかる負荷と比べて大差がないので、予備配線を構成する第１配線３ａと第１予備容量１０ａの第１電極１０ｃとは接続しない。一方、断線位置（Ｘ１）よりも下側のソース線２にかかる負荷は、正常なソース線２にかかる負荷と比べてかなり小さくなるので、予備配線を構成する第２配線３ｂと第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｃとを接続して、断線位置（Ｘ１）よりも下側のソース線２にかかる負荷が、正常なソース線２にかかる負荷と同程度になるようにする。

次に、予備配線３を構成する第１配線３ａ及び第２配線３ｂに対して、それぞれ機能させる第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの個数について、説明する。

図９は、液晶表示パネル４０をソース線２に沿って６つの領域Ａ〜領域Ｆに等分した模式図である。

ここで、液晶表示パネル４０を等分する個数は、第１予備容量１０ａ（第２予備容量１０ｂ）の個数に１を加えた数で等分するのが好ましい。本実施形態では、第１予備容量１０ａが５つあるので、６等分している。

以下に、具体的な断線位置による第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの接続要領について説明する。

（ａ）領域Ａでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには５つの第１予備容量１０ａを接続して、第２配線３ｂには、１つの第２予備容量１０ｂも接続しない。

（ｂ）領域Ｂでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには４つの第１予備容量１０ａを接続して、第２配線３ｂには、１つの第２予備容量１０ｂを接続する。

（ｃ）領域Ｃでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには３つの第１予備容量１０ａを接続して、第２配線３ｂには、２つの第２予備容量１０ｂを接続する。

（ｄ）領域Ｄでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには２つの第１予備容量１０ａを接続して、第２配線３ｂには、３つの第２予備容量１０ｂを接続する。

（ｅ）領域Ｅでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには１つの第１予備容量１０ａを接続して、第２配線３ｂには、４つの第２予備容量１０ｂを接続する。

（ｆ）領域Ｆでソース線２が断線した場合、第１配線３ａには１つの第１予備容量１０ａも接続せず、第２配線３ｂには、５つの第２予備容量１０ｂを接続する。

ここで、１本のソース線２で負荷となる寄生容量の大きさが１２０ｐＦである場合には、第１予備容量１０ａ（第２予備容量１０ｂ）の１つ当たりの容量の大きさを２０ｐＦ程度に設定しておけば、ソース線２のどの位置で断線が発生しても、上述の接続要領（ａ）〜（ｆ）を実行することにより、断線により分断されたソース線にかかる負荷が、断線していない正常なソース線２にかかる負荷と同等になって、予備配線３を介してソース線２に印加されるソース信号に応じた信号波形が調整される。そのため、断線したソース線では、予備配線（第１配線３ａ及び第２配線３ｂ）、バッファ部４及び予備容量（１０ａ及び１０ｂ）を介して、上記調整された信号波形が印加されるので、従来のように、予備配線における波形がオーバーシュート、アンダーシュートすることなく、正常なソース線２と同等の表示品位が維持される。これにより、ソース線２の断線修正がなされ、断線修正された液晶表示パネル４０が作製される。

また、実際には、ソース線２だけでなく、予備配線３（第１配線３ａ及び第２配線３ｂ）にも若干の寄生容量が存在するので、第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの容量の大きさの各合計は、１本の正常なソース線２で負荷となる寄生容量の大きさから第１配線３ａ及び第２配線３ｂにかかる寄生容量の大きさの分だけをそれぞれ引いたものであるのが望ましい。

さらに、上記の例では、予備配線３を構成する第１配線３ａ及び第２配線３ｂに、それぞれ５つの第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂが接続される場合を例示したが、第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂが１つである場合でも、液晶表示パネル４０を２つの領域に等分して、上記の同様に予備容量を適宜接続すればよい。

＜ドライバ実装工程＞
以下に、ドライバ実装工程について説明する。

上記検査工程で良品となった液晶表示パネル４０、及び断線修正工程で断線修正されて良品となった液晶表示パネル４０に対して、ゲートドライバ９及びソースドライバ７を実装する。

以上のようにして、本発明の液晶表示装置５０が製造される。

ここで、図１０は、本実施形態の液晶表示装置５０の予備容量が配置された領域をより詳細に示した平面図である。具体的には、１５インチのＸＧＡ（１０２４×ＲＧＢ×７６８）の液晶表示パネルに本発明の構成を適応したものであり、各ソースドライバ７間を示した平面図である。

この液晶表示装置５０では、１つのソースドライバ７内の出力アンプ６の個数、すなわち、ソースドライバ７の出力数が３８４個で、ソースドライバ７が８個実装されている。この場合、ソースドライバ７の間の距離は、図１０に示すように、１０ｍｍ程度、配線領域は３ｍｍ程度になる。

そして、一般的な１５インチＸＧＡ（１０２４×ＲＧＢ×７６８）の液晶表示パネルの１本のソース線２の寄生容量は１００ｐＦ程度なので、仮に、１本のソース線２の寄生容量を１２０ｐＦとした場合、１本の第１配線３ａに配置される予備容量１０ａを５つすると、予備容量１０ａの１つ当たりの最適な容量の大きさは、２０ｐＦとなる。

また、一般的な１５インチのＸＧＡ（１０２４×ＲＧＢ×７６８）クラスの液晶表示パネルでは、ゲート線と同一層に形成される電極とソース線と同一層に形成される電極との間に挟持される絶縁膜（ゲート絶縁膜）によって形成される容量の大きさは、１００〜２００ｐＦ／ｍｍ²程度である。仮に、この容量の大きさを１２５ｐＦ／ｍｍ²とすると、２０ｐＦの容量を形成する為には０．４ｍｍ角程度の面積があればよい。

図１０では、ゲート線１と同一層に形成された第１配線３ａに沿って、ソース線２と同一層に形成された予備容量接続配線５及び予備容量の第１電極１０ｃが５つ配置されている。この第１電極１０ｃの大きさは、上記のように０．４ｍｍ角程度である。なお、ゲート線１と同一層に形成された共通電極配線２１ａのうちの第１電極１０ｃとの重なり部分が第２電極１０ｄとなる。また、各ソース線２は、配線領域と端子領域との境界付近のゲート絶縁膜１９に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して、端子領域においてゲート線１と同一の層に形成された各ソース線端子部２ｂに接続されている。

また、図１０は、共通電極配線２１ａと予備容量の第１電極１０ｃとのサイズ比を、実際の液晶表示パネルに近似させて描画しているので、予備容量の第１電極１０ｃは共通電極配線２１ａ上に面積的にも容易に形成できることが示唆される。

さらに、液晶表示パネルのサイズが大きくなると、ソース線の１本当たりの寄生容量も大きくなる。そうなると、必要とする予備容量の容量の大きさも大きくなり、それに比例して予備容量用の電極を形成する面積も大きくなる。しかし一般的には、液晶表示パネルのサイズが大きくなると、それに伴って配線領域も大きくなるので、予備容量用の電極を面積的に配置できなくなることは考えにくい。

それとは反対に、液晶表示パネルのサイズが小さい場合には、配線領域も小さくなるが、ソース線の１本当たりの寄生容量も小さくなるので、必要とする予備容量の容量も小さくなる。そのため、予備容量用の電極を面積的に配置できなくなることは考えにくい。

以上説明したように本発明の液晶表示装置５０では、予備配線（３ａ及び３ｂ）が、ソース線２に対して接続可能なので、複数のソース線２が何れかが断線した際には、その断線したソース線（２ａ及び２ｂ）と予備配線（３ａ及び３ｂ）とを接続することにより、断線位置から先のソース線２ｂにも予備配線（３ａ及び３ｂ）を介して、ソース信号に応じた信号電圧が印加されることになる。さらに、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）を構成する第１電極１０ｃが、予備配線（３ａ及び３ｂ）に接続可能に構成されているので、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の第１電極１０ｃと予備配線（３ａ及び３ｂ）とを接続することにより、予備配線及び表示用配線に対して、予備容量が機能可能な状態になる。このとき、必要に応じて、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の第１電極１０ｃと予備配線（３ａ及び３ｂ）とを所定数だけ接続することにより、機能可能な予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の個数を調整することができる。

これにより、断線により分断されたソース線（２ａ及び２ｂ）にかかる負荷を調整することができ、予備配線（３ａ及び３ｂ）を介してソース線（２ａ及び２ｂ）に印加されるソース信号に応じた信号波形を調整することができる。従って、ソース線２の断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制されるソース線２の断線修正を行うことができる。

また、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）がアクティブマトリクス基板に設けられているので、断線により分断されたソース線（２ａ及び２ｂ）と予備配線（３ａ及び３ｂ）とを接続する工程（予備配線接続工程）と、予備配線（３ａ及び３ｂ）に対して予備容量を機能可能な状態にする工程（予備容量接続工程）とを同一の工程、又は連続した工程で行うことができ、断線の修正がより確実になる。これとは反対に、後述する実施形態３及び４のように、予備容量がアクティブマトリクス基板と別の基板に設けられている場合には、断線を検出した後、その断線により分断された表示用配線と予備配線とを接続したという予備配線接続工程の記録が、予備容量を機能可能な状態にする工程（予備容量接続工程）を行う段階で、不明となり易く、断線の修正が不確実となる恐れがある。

さらに、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）が表示に寄与しない非表示領域に設けられているので、表示品位に影響を与えずに、ソース線２の断線を修正することができる。

また、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）を構成する第１絶縁膜、ソース線２と予備配線（３ａ及び３ｂ）との間を絶縁する第２絶縁膜、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の第２電極１０ｄと予備配線（３ａ及び３ｂ）との間を絶縁する第３絶縁膜、及び補助容量２７を構成する絶縁膜が、それぞれゲート絶縁膜１９により形成されているので、製造工程を追加せずに、ソース線２の断線を修正することができる。

《発明の実施形態２》
本発明は、上記実施形態１について、以下のような構成としてもよい。なお、以下の各実施形態では図１〜図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。

上記実施形態１では、予備配線を構成する第１配線３ａ及び第２配線３ｂに対して、複数の第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｃがそれぞれ接続可能に設けられていた、つまり、複数の第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｃが、予備配線に予め接続されていなかったが、本実施形態では、予備配線を構成する第１配線３ａ及び第２配線３ｂに対して、複数の第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｃが予め接続されている。そして、それ以外の構成については、実施形態１と実質的に同じであるので詳細な説明を省略する。

図１１は、第１配線３ａと第１予備容量１０ａとの構成を示す平面図であり、実施形態１で説明した図５に対応するものである。そして、図１２は、図１１中のXII−XII線に沿った断面図である。

本実施形態に係る液晶表示装置では、第１配線３ａに対して、図１１に示すように、例えば、５つの第１予備容量１０ａが設けられている。

第１予備容量１０ａは、図１２に示すように、互いに対向に配置するように設けられた第１電極１０ｅ及び第２電極１０ｆと、それら第１電極１０ｅ及び第２電極１０ｆに挟持されたゲート絶縁膜１９（第１絶縁膜）とにより構成されている。

第１電極１０ｅは、予備配線を構成する第１配線３ａの延設部分である。

第２電極１０ｆは、第１電極１０ｅに対してゲート絶縁膜１９を介して重なるように設けられた共通電極配線２１ｃの延設部分である。これによれば、第１予備容量１０ａの第１電極１０ｅと第１配線３ａとが一体であるので、第１予備容量１０ａの第１電極１０ｅは、予め予備配線を構成する第１配線３ａに接続されている。

第１配線３ａは、図１１に示すように５つに分岐し、各分岐した末端が第１電極１０ｅになり、分岐する基の部分がそれぞれ切断部分Ｂ１〜Ｂ５になっている。

共通電極配線２１ｃは、対向基板の共通電極１３に対して共通電極転移点２１ｂを介して接続された部分である。

また、第２予備容量１０ｂは、液晶表示パネル４０の下辺部分に位置するだけで、その構成が第１予備容量１０ａと同様なので、その詳細な説明を省略する。

次に、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置５０の製造方法について説明する。

本発明の実施形態２に係る液晶表示装置５０は、以下に説明するアクティブマトリクス基板作製工程、対向基板作製工程、液晶表示パネル作製工程、検査工程、ドライバ実装工程を経て製造され、そして、検査工程で断線が検出された場合には、検査工程の後の断線修正工程を経て製造される。

なお、対向基板作製工程、液晶表示パネル作製工程、検査工程及びドライバ実装工程については、実施形態１と実質的に同一であるので、詳細な説明を省略する。

＜アクティブマトリクス基板作製工程＞
以下に、アクティブマトリクス基板作製工程について、説明する。

まず、ガラス基板２０上の基板全体に、Ｔａ、ＴａＭｏ合金等からなる金属膜（厚さ１０００〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ゲート線１、ゲート電極１ａ、容量線１５、第１配線３ａ（第２電極１０ｅ）及び第２配線３ｂ（第１電極１０ｅ）を形成する。

次いで、ゲート線１等が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ４００ｎｍ程度）等を成膜し、ゲート絶縁膜１９を形成する。

次いで、ゲート絶縁膜１９上の基板全体に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりゲート電極１ａ上に島状にパターン形成して、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層からなる半導体層を形成する。

続いて、半導体層が形成された基板全体に、Ｔｉ等からなる金属膜（厚さ１０００〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、ソース線２、ソース電極２ａ、ドレイン電極１４及び共通電極配線２１ｃ（第２電極１０ｆ）を形成する。

ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜にレーザーアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、ＴＦＴ１１の特性を向上させることができる。

さらに、ソース線２等が形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜（厚さ３０００Å程度）等を成膜して、保護膜１７を形成する。

次いで、保護膜１７のドレイン電極１４に対応する部分をエッチング除去して、コンタクトホール１６を形成する。

続いて、保護膜１７上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターン形成して、画素電極１８を形成する。

最後に、画素電極１８上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。

以上のようにして、アクティブマトリクス基板が作製される。

アクティブマトリクス基板作製工程で作製されたアクティブマトリクス基板と、実施形態１に説明した対向基板作製工程で作製された対向基板とを貼り合わせた後、液晶材料を注入して液晶表示パネルが作製される。その後、実施形態１に説明した検査工程が行われ、検査工程で断線が検出された場合には、以下の断線修正工程が行われる。

＜断線修正工程＞
断線修正工程は、以下に説明する予備配線接続工程と、切断工程とを備えている。

なお、予備配線接続工程については、実施形態１と実質的に同じであるため、その説明を省略する。
〜切断工程〜
実施形態１の断線位置Ｘと同様な位置でソース線２が断線した場合には、断線位置Ｘがソースドライバ７に近い位置のあるので、断線位置Ｘよりも下側のソース線２ｂにかかる負荷は、断線してない正常なソース線２にかかる負荷と比べて大差がないので、予備配線を構成する第２配線３ｂと第２予備容量１０ｂの第１電極１０ｅとの接続を切断する。一方、断線位置Ｘよりも上側のソース線２ａにかかる負荷は、正常なソース線２にかかる負荷と比べてかなり小さくなるので、予備配線を構成する第１配線３ａと第１予備容量１０ａの第１電極１０ｃとの接続は切断しない。

具体的には、図１１に示す切断部分Ｂ１〜Ｂ５の少なくとも１つに対して、図８に示すようにガラス基板２０側からレーザー光等の光エネルギー２３を照射して、その照射部分の第１配線３ａを破壊する。これによって、断線位置Ｘよりも上側のソース線２ａにかかる負荷が、正常なソース線２にかかる負荷と同程度になり、ソース線２ａに印加される信号波形が調整される。

次に、予備配線３を構成する第１配線３ａ及び第２配線３ｂに対して、それぞれ機能させる第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの使い分けについて、実施形態１と同様に図９を用いて説明する。

以下に、具体的な断線位置による第１予備容量１０ａ及び第２予備容量１０ｂの切断要領について説明する。

（ａ）領域Ａでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、何も処理を行わず、第２配線３ｂについては、切断部分Ｂ１で切断する。

（ｂ）領域Ｂでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、切断部分Ｂ５で切断して、第２配線３ｂについては、切断部分Ｂ２で切断する。

（ｃ）領域Ｃでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、切断部分Ｂ４で切断し、第２配線３ｂについては、切断部分Ｂ３で切断する。

（ｄ）領域Ｄでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、切断部分Ｂ３で切断し、第２配線３ｂについては、切断部分Ｂ４で切断する。

（ｅ）領域Ｅでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、切断部分Ｂ２で切断し、第２配線３ｂについては、切断部分Ｂ５で切断する。

（ｆ）領域Ｆでソース線２が断線した場合、第１配線３ａについては、切断部分Ｂ１で切断し、第２配線３ｂについては、何も処理を行わない。

このように、上述の切断要領（ａ）〜（ｆ）を実行することにより、断線により分断されたソース線にかかる負荷が、断線していない正常なソース線２にかかる負荷と同等になって、予備配線３を介してソース線２に印加されるソース信号に応じた信号波形が調整される。

上記実施形態１では、予備容量１０ａ及び１０ｂの各第１電極１０ｃが予備配線３（第１配線３ａ及び第２配線３ｂ）に対して接続可能に構成されていたので、例えば、第１配線３ａに３つの予備容量１０ａを機能可能にする場合には、図５に示す交差部分Ｃ１〜Ｃ５のうちの３つの箇所に光エネルギーを照射する必要があったが、本実施形態では、図１１に示す切断部分Ｂ１〜Ｂ５のうちのＢ４のみに光エネルギーを照射すればよい。このように、本実施形態によれば、光エネルギーを照射する箇所を減らすことができる。これにより、上記断線修正工程を簡略化でき、また、光エネルギーを照射する箇所付近の配線パターンの損傷を抑制することができる。

以上説明したように本発明の液晶表示装置５０では、予備配線（３ａ及び３ｂ）が、ソース線２に対して接続可能なので、複数のソース線２が何れかが断線した際には、その断線したソース線（２ａ及び２ｂ）と予備配線（３ａ及び３ｂ）とを接続することにより、断線位置から先のソース線２ｂにも予備配線（３ａ及び３ｂ）を介して、ソース信号に応じた信号電圧が印加されることになる。さらに、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）を構成する第１電極１０ｃが、予め、予備配線（３ａ及び３ｂ）に接続されているので、断線したソース線（２ａ及び２ｂ）と予備配線とを接続することにより、断線したソース線（２ａ及び２ｂ）に対して、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）が機能可能な状態になる。また、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）が複数であるときには、必要に応じて、予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の第１電極１０ｃと予備配線（３ａ及び３ｂ）との接続を所定数だけ切断することにより、機能可能な予備容量（１０ａ及び１０ｂ）の個数を調整することができる。これにより、断線により分断されたソース線（２ａ及び２ｂ）にかかる負荷が調整され、予備配線（３ａ及び３ｂ）を介してソース線（２ａ及び２ｂ）に印加されるソース信号に応じた信号波形を調整することができる。従って、ソース線２の断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制されるソース線２の断線修正を行うことができる。

《発明の実施形態３》
本発明は、上記実施形態１及び２について、以下のような構成としてもよい。

上記実施形態１及び２では、予備容量１０ａ及び１０ｂが液晶表示パネル４０（アクティブマトリクス基板）上に設けられていたが、本実施形態では、予備容量１０がソース基板２５に設けられている。

図１３は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置５０ａを示す平面図である。

液晶表示装置５０ａは、液晶表示パネル４０と、その液晶表示パネル４０の左辺に設けられたゲートドライバ９と、ゲートドライバ９に左辺に設けられたゲート基板２４と、その液晶表示パネル４０の上辺に設けられたソースドライバ７と、ソースドライバ７の上辺に設けられたソース基板２５と、ゲート基板２とソース基板２５との間に設けられたＦＰＣ２６とを有している。

ゲート基板２４は、ゲートドライバ９に信号を入力するための素子基板であり、ソース基板２５は、ソースドライバ７に信号を入力するための素子基板である。

ＦＰＣ２６は、種々の配線層がポリイミドフィルムに挟持されたフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit）である。

ここで、予備配線３（実施形態１及び２における第２配線３ｂ）は、バッファ部の出力側からソース基板２５、ＦＰＣ２６及びゲート基板２４、ゲートドライバ９を経由して、液晶表示パネル４０の下辺部分に延びている。そして、ソース基板２５内の予備配線３に予備容量１０が設けられている。そのため、ソース線２における断線位置に合わせて適宜、予備容量１０を機能可能な状態にすることにより、予備配線３を介してソース線２に印加されるソース信号に応じた信号波形を調整することができ、表示品位の低下を抑制することができる。

なお、本実施形態では、予備容量１０がソース基板２５に設けられていたが、予備容量１０は、ゲート基板２４に設けられていてもよく、さらには、ゲート基板２４及びソース基板２５の双方に設けられていてもよい。

《発明の実施形態４》
本発明は、上記実施形態１及び２について、以下のような構成としてもよい。

上記実施形態１及び２では、予備容量１０ａ及び１０ｂが液晶表示パネル４０（アクティブマトリクス基板）上に設けられていたが、本実施形態では、予備容量１０がソース基板２５に設けられている。

図１４は、本発明の実施形態４に係る液晶表示装置５０ｂを示す平面図である。

液晶表示装置５０ｂは、液晶表示パネル４０と、その液晶表示パネル４０の左辺に設けられたゲートドライバ９と、その液晶表示パネル４０の上辺に設けられたソースドライバ７と、ソースドライバ７の上辺に設けられたソース基板２５ａとを有している。

ソース基板２５ａは、ゲートドライバ９及びソースドライバ７に信号を入力するための素子基板である。

ここで、予備配線３（実施形態１及び２における第２配線３ｂ）は、バッファ部の出力側からソース基板２５ａ及び各ゲートドライバ９を経由して、液晶表示パネル４０の下辺部分に延びている。そして、ソース基板２５ａ内の予備配線３に予備容量１０が設けられている。そのため、ソース線２における断線位置に合わせて適宜、予備容量１０を機能させることにより、予備配線３を介してソース線２に印加されるソース信号に応じた信号波形を調整することができ、表示品位の低下を抑制することができる。

以上説明したように、本発明の液晶表示装置５０、５０ａ及び５０ｂでは、予備配線（３ａ及び３ｂ）が、ソース線２に対して接続可能なので、複数のソース線２が何れかが断線した際には、その断線したソース線（２ａ及び２ｂ）と予備配線（３ａ及び３ｂ）とを接続することにより、断線位置から先のソース線２ｂにも予備配線（３ａ及び３ｂ）を介して、ソース信号に応じた信号電圧が印加されることになる。そして、その予備配線（３ａ及び３ｂ）には、信号波形を調整するため予備容量（１０ａ及び１０ｂ）が設けられているので、断線位置に合わせて適宜、予備容量を機能可能な状態にすることにより、予備配線（３ａ及び３ｂ）を介して表示用配線に印加されるソース信号に応じた信号波形が調整され、表示品位の低下を抑制することができる。

また、本実施形態及び上記実施形態３では、予備容量１０が設けられた基板（ソース基板）が、アクティブマトリクス基板とは別の基板であるので、上記予備容量接続工程と、上記予備配線接続工程とを同時に、或いは、連続して行うことが難しい。これは、ソース線２を一旦修正してしまうと、断線位置がソース線２上のどこにあるのかを検出することが困難であるからである。すなわち、一旦ソース線２に断線修正を行うと、断線が修正されたゆえに、どの液晶表示パネル４０の予備配線（３ａ及び３ｂ）にどれだけの予備容量（１０ａ及び１０ｂ）を接続すればよいのか識別するのが困難になる。

さらに、上記実施形態１では、予備容量の第１電極が予備配線に予め接続されていないタイプの予備容量を有する液晶表示装置を説明し、上記実施形態２では、予備容量の第１電極が予備配線に予め接続されているタイプの予備容量を有する液晶表示装置を説明したが、本発明の液晶表示装置は、それら両方のタイプの予備容量が混在していてもよい。

以上説明したように、本発明は、ソース線の断線位置に関係なく、表示品位の低下が抑制されるソース線の断線修正を行うことができるので、ＴＶ、モニターなどに用いられるマトリクス型液晶表示装置について有用である。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を示す等価回路図である。 本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の１つの画素を示す平面図である。 図２中のIII−III線に沿った断面図である。 本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の予備容量を示す平面図である。 本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の予備容量を示す等価回路図である。 図５中のVI−VI線に沿った断面図である。 本発明の実施形態１に係るソース線と予備配線とが接続された液晶表示装置を示す等価回路図である。 本発明の実施形態１に係る予備配線と予備容量とが接続された液晶表示装置を示す断面図である。 一般的な液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の予備容量を詳細に示す平面図である。 本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の予備容量を示す等価回路図である。 図１１中のXII−XII線に沿った断面図である。 本発明の実施形態３に係る液晶表示装置を示す平面図である。 本発明の実施形態４に係る液晶表示装置を示す平面図である。 従来の液晶表示装置を示す等価回路図である。 ソースドライバと反対側のソース線の断線により、ソース線と予備配線とが接続された従来の液晶表示装置を示す等価回路図である。 ソース線と予備配線とが接続された従来の液晶表示装置を示す断面図である。 従来の液晶表示装置のソース線の容量を示す等価回路図である。 ソースドライバ側のソース線の断線により、ソース線と予備配線とが接続された従来の液晶表示装置を示す等価回路図である。 従来の液晶表示装置におけるソース線及び予備配線の波形を示す波形図である。

符号の説明

１ ゲート線
２ ソース線
３ 予備配線
３ａ 第１配線
３ｂ 第２配線
４ バッファ部
５ 予備容量接続配線
１０ 予備容量
１０ａ 第１予備容量
１０ｂ 第２予備容量
１０ｃ 第１電極
１０ｄ 第２電極
１６，２２ コンタクトホール
１９ ゲート絶縁膜
２０ ガラス基板
２７ 補助容量
４０ 液晶表示パネル
５０，５０ａ，５０ｂ 液晶表示装置

Claims (23)

1. 表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、
   上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して接続可能に構成された予備配線と、
   上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた表示装置であって、
   上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備えていることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成されていることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２に記載された表示装置において、
   上記第１電極は、上記予備配線に接続されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項２に記載された表示装置において、
   上記第１電極は、上記予備配線に接続可能に構成されていることを特徴とする表示装置。
5. 請求項２に記載された表示装置において、
   上記予備容量を複数備え、
   上記複数の予備容量のうちの少なくとも１つは、上記第１電極が、上記予備配線に接続されていると共に、上記複数の予備容量のうちの他の予備容量の第１電極は、上記予備配線に接続可能に構成されていることを特徴とする表示装置。
6. 請求項２に記載された表示装置において、
   上記予備配線は、上記表示用配線に対して第２絶縁膜を介して設けられていると共に、上記第２絶縁膜にそれぞれコンタクトホールを形成することにより、上記表示用配線に接続可能に構成されていることを特徴とする表示装置。
7. 請求項６に記載された表示装置において、
   上記第１電極は、上記予備配線に対して第３絶縁膜を介して設けられていると共に、上記第３絶縁膜にコンタクトホールを形成することにより、上記予備配線に接続可能に構成されていることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、
   上記予備容量は、上記第１配線に設けられていることを特徴とする表示装置。
9. 請求項１に記載された表示装置において、
   上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、
   上記予備容量は、上記第２配線に設けられていることを特徴とする表示装置。
10. 請求項１に記載された表示装置において、
    上記予備配線は、上記バッファ部の入力側である第１配線と、上記バッファ部の出力側である第２配線とにより構成され、
    上記予備容量は、上記第１配線及び上記第２配線の双方に設けられていることを特徴とする表示装置。
11. 請求項１に記載された表示装置において、
    上記表示用配線は、ソース信号が入力されるソース線であることを特徴とする表示装置。
12. 請求項１に記載された表示装置において、
    上記複数の表示用配線は、基板に形成され、
    上記予備容量は、上記基板に設けられていることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１に記載された表示装置において、
    表示に寄与する表示領域と、該表示領域の外側に設けられて表示に寄与しない非表示領域とを備え、
    上記予備容量は、上記非表示領域に設けられていることを特徴とする表示装置。
14. 請求項７に記載された表示装置において、
    上記第１絶縁膜、上記第２絶縁膜及び上記第３絶縁膜は、同一の絶縁膜であることを特徴とする表示装置。
15. 請求項１４に記載された表示装置において、
    複数の画素と、
    上記複数の画素にそれぞれ設けられると共に上記表示用配線に接続され、信号電圧が供給される画素電極と、
    上記同一の絶縁膜により形成され、上記画素電極における上記信号電圧を保持するための補助容量とを備えていることを特徴とする表示装置。
16. 請求項３に記載された表示装置において、
    上記予備容量を１つ備えていることを特徴とする表示装置。
17. 表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、
    上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、
    上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた表示装置であって、
    上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備え、
    上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、
    上記複数の表示用配線の何れかが断線しており、
    上記断線した表示用配線と上記予備配線とが接続されていると共に、
    上記予備配線に、上記第１電極が接続されていることを特徴とする表示装置。
18. 表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、
    上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、
    上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部とを備えた液晶表示装置であって、
    上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
19. 表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、
    上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、
    上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部と、
    上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量とを備え、
    上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、
    上記予備容量の第１電極が上記予備配線に予め接続された表示装置の製造方法であって、
    上記表示用配線の断線の存在を検出する断線配線検出工程と、
    上記断線配線検出工程で断線が検出された表示用配線と上記予備配線とを接続する予備配線接続工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
20. 請求項１９に記載された表示装置の製造方法において、
    上記予備容量は、複数設けられ、
    上記複数の予備容量のうちの少なくとも１つの予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線との接続を切断する切断工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
21. 請求項２０に記載された表示装置の製造方法において、
    上記断線配線検出工程で検出された表示用配線における断線位置を検出する断線位置検出工程を備え、
    上記切断工程は、上記断線位置検出工程で検出された断線位置に応じた個数分の上記予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線との接続を切断することを特徴とする表示装置の製造方法。
22. 表示のための信号電圧が印加される複数の表示用配線と、
    上記複数の表示用配線の少なくとも１つの両端側に対して、接続可能に構成された予備配線と、
    上記予備配線に介設され、上記予備配線におけるインピーダンス変換のためのバッファ部と、
    上記表示用配線に上記予備配線が接続された状態で、上記表示用配線に印加される信号波形を調整するための予備容量とを備え、
    上記予備容量は、互いに対向して配置された第１電極及び第２電極と、該第１電極及び第２電極の間に挟持された第１絶縁膜とにより構成され、
    上記予備容量の第１電極が上記予備配線に予め接続されていない表示装置の製造方法であって、
    上記表示用配線の断線の存在を検出する断線配線検出工程と、
    上記断線配線検出工程で断線が検出された表示用配線と上記予備配線とを接続する予備配線接続工程と、
    上記予備容量の第１電極と上記予備配線とを接続する予備容量接続工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
23. 請求項２２に記載された表示装置の製造方法において、
    上記断線配線検出工程で検出された表示用配線における断線位置を検出する断線位置検出工程を備え、
    上記予備容量接続工程は、上記断線位置検出工程で検出された断線位置に応じた個数分の上記予備容量に対し、上記第１電極と上記予備配線とを接続することを特徴とする表示装置の製造方法。

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