CN112213894B - 显示面板用阵列基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板用阵列基板的制造方法，其制造适用于显示面板时抑制缺陷产生的阵列基板，其包括：形成规定形状的金属膜(51)的金属膜形成工序；在金属膜(51)的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜(52)的绝缘膜形成工序；及在绝缘膜(52)的上层侧形成有导电性的导电膜(54)的导电膜形成工序；在金属膜(51)形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查金属膜(51)是否形成为如所述规定形状，在金属膜形状检查工序中，金属膜(51)被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，对所述突出部分实施激光照射工序，修正金属膜(51)的形状。

Description

显示面板用阵列基板的制造方法
技术领域
本发明关于显示面板用阵列基板的制造方法。
背景技术
以往，已知在对置配置的一对基板之间的密封液晶等电光物质的构成的显示面板。在这样的显示面板中，当对设于一个或两个基板上的电极施加电压时，电光物质的光学特性发生变化，透射光或反射光的状态发生变化，从而图像显示在图像显示面上。有源矩阵驱动的显示面板中，在作为一个基板的阵列基板上形成相互交叉的多个扫描线以及多个信号线、TFT等构成的开关元件和像素电极，在作为另一个基板的对向基板或阵列基板上设置公共电极。该些各种结构物通过在各基板上层叠形成多个规定形状的膜而构成。
在如上述的阵列基板中，构成各种结构物的膜没有形成规定形状的情况下，在使用该结构物制造的显示面板中产生各种不良。例如，如果由导电膜构成的一部分的布线或电极漏电，则不能正常控制电极间的电压，在应用于显示装置时，应为黑色显示的像素有时被视为亮点。这样的亮点在黑色显示画面中非常明显，因此即使是少数也容易成为问题。因此，例如在下述专利文献1中，公开了在公共布线的下层配置由连接于像素电极的金属膜构成的对置电极，在产生了亮点时能够容易地使其黑点化的阵列基板。根据专利文献1，在使用这样的阵列基板制造液晶面板后，在确认了特定像素中的亮点缺陷的发生的情况下，对该像素中的公共布线和对置电极的重叠部分照射激光，使像素电极和共通电极漏电，进而通过对漏极布线也照射激光使其断线，将该像素从数据线中分离出来，从而使亮点黑点化。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]国际公开2017/199799号
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，为了抑制上述专利文献1的方法中的亮点等缺陷的发生，需要在公共布线的下层配置由金属膜构成的对置电极，存在阵列基板的结构复杂化等问题。另外，在构成各种结构物的金属膜被形成为超出规定形状以外的区域而突出的情况下，根据阵列基板的结构，即使未发生漏电，也通过向突出部分施加电压而形成寄生电容，从而产生辉点等缺陷。在这样的阵列基板中，如果将所有的亮点都像上述那样黑点化，则存在黑点的发生频率超过许电容的问题。
本发明是基于上述情况而完成的，其目的在于提供一种制造阵列基板的方法，该方法抑制了应用于显示面板时的亮点等缺陷的产生。
本发明的一个实施方式为，一种显示面板用阵列基板的制造方法，包括：形成规定形状的金属膜的金属膜形成工序；在所述金属膜的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜的绝缘膜的绝缘膜形成工序；及在所述绝缘膜的上层侧形成有导电性的导电膜的导电膜形成工序，其特征在于，在所述金属膜形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查所述金属膜是否形成为如所述规定形状；在所述金属膜形状检查工序中，所述金属膜被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，对所述突出部分实施激光照射工序，修正所述金属膜的形状。
(2)另外，本发明的一个实施方式为在上述(1)的基础上，其特征还在于在所述激光照射工序中，通过激光照射去除所述突出部分的基部，形成与所述金属膜中形成为所述规定形状的规定形状部分电隔离的分离部分的显示面板用阵列基板的制造方法。
(3)另外，本发明的一个实施方式为在上述(1)或(2)的基础上，其特征还在于所述绝缘膜是由无机材料构成的无机绝缘膜，形成在所述金属膜的正上方，所述导电膜形成在所述绝缘膜的正上方的显示面板用阵列基板的制造方法。
(4)另外，本发明的一个实施方式为在上述(3)的基础上，其特征还在于还包括在所述导电膜的上层侧形成另一金属膜的另一金属膜形成工序；在所述另一金属膜的上层侧形成另一导电膜的另一导电膜形成工序，在所述显示面板用阵列基板上设置：相互交叉延伸的多个扫描线和多个信号线、经由开关元件与所述多个信号线连接的像素电极、维持规定的电位的公用电极，所述开关元件具有：与所述扫描线连接的栅极部、与所述信号线连接的源极部、隔着间隙与所述源极部对置配置的漏极部、由半导体膜构成且与所述源极部、所述漏极部连接的沟道区域，所述金属膜构成所述多个栅极线和所述栅极部，所述导电膜构成所述像素电极，所述另一金属膜构成所述多个信号线、所述源极部及所述漏极部，所述另一导电膜构成公用电极。的显示面板用阵列基板的制造方法。
发明效果
根据本发明，能够制造应用于显示面板时抑制了缺陷产生的阵列基板。
附图说明
图1是示出包括具有根据第一实施方式的阵列基板的液晶面板的液晶显示装置的连接构成的概略的俯视图。
图2是示出阵列基板中的布线等构成的概略的俯视图。
图3是示出显示区域中的阵列基板的构成的概略的俯视图。
图4是示出显示区域中的阵列基板的构成的概略的截面图。
图5是示出形成在金属膜上的突出部分的情况的平面示意图。
图6是作为比较，示出使用仍具有突出部分并层叠形成其他膜的阵列基板制造的液晶面板的局部截面示意图。
图7是示出去除突出部分的基部而形成分离部分的情况的平面示意图。
图8是示出使用包括分离部分并层叠形成其他膜的阵列基板制造的液晶面板的局部截面示意图。
图9是示出第一验证试验的结果的表格。
图10是示出根据第二实施方式的阵列基板中去除整个突出部分的情况的平面示意图。
图11是示出使用去除整个突出部分并层叠形成其他膜的阵列基板制造的液晶面板的局部截面示意图。
图12是示出第二验证试验的结果的表格。
具体实施方式
[第一实施方式]
根据图1至图9说明本发明的第一实施方式。在本实施方式中，例示构成液晶面板(显示面板的一例)10的阵列基板(显示面板用阵列基板的一例)30。此外，在各附图的一部分示出了X轴、Y轴和Z轴，各轴方向描绘为在各附图中表示的方向。对多个相同构件，在一个构件标记标号而省略其他构件的附图标记。
首先，将参照图1和图2说明具备液晶面板10的液晶显示装置1、液晶面板10和阵列基板30的概略结构。如图1所示，液晶显示装置1具备能够显示图像的液晶面板10。在液晶面板10中，连接由在内部具有驱动电路的LSI芯片构成并驱动液晶面板10的驱动器(面板驱动部、驱动电路部)12、向驱动器12从外部供给各种输入信号的外部信号供给源13、将从信号供给源13供给的各种信号传输到液晶面板10的柔性基板(外部连接部件)14等。另外，本实施方式的液晶显示装置1还具有背光装置，该背光装置是配置在液晶面板10的背面侧并在液晶面板10上照射用于显示的光的外部光源。
如图1所示，液晶面板10具有阵列基板30和与阵列基板30相对配置的对向基板(CF基板)20。在两基板20、30之间，配置有包含液晶分子的液晶层40(参照图4)，该液晶分子为随着电场施加光学特性发生变化的电光物质，并配置围绕液晶层40并将其密封的密封部。
如图1所示，液晶面板10的板面的中央侧是能够显示图像的显示区域(有源区域)AA。另一方面，液晶面板10的板面中的、包围显示区域AA的外周侧是，在俯视时呈框状(框形状)的非显示区域(非有源区域)NAA。在本实施例中，示出了呈纵向矩形状的液晶面板10。以下，液晶面板10的短边方向与各附图的X轴方向一致，长边方向与各附图的Y轴方向一致，还有板厚方向与Z轴方向一致来进行说明。另外，在图1中，点划线表示显示区域AA的外形，比该点划线外侧的区域为非显示区域NAA。
图2是示出阵列基板中的布线等构成的概略的平面图。如图2所示，上述驱动器12和柔性基板14例如经由ACF(Anisotropic Conductive Film)安装在液晶面板10的非显示区域NAA中。在阵列基板30中安装有驱动器12等的安装区域中，设置有多个端子及用于连接该些端子的多个布线。
如图2所示，在阵列基板30的显示区域AA内，至少设置有作为开关元件发挥作用的TFT(Thin Film Transistor、薄膜晶体管，开关元件的一例)31和像素电极32。TFT31和像素电极32与后述的彩色滤光片21一起构成作为液晶面板10中的显示单位的像素PX，沿着X轴和Y轴隔着空隙的多个排列并以矩阵状(行列状)设置。在该些TFT31和像素电极32的周围设置有相互正交(交叉)的栅极线(扫描线的一例)33和源极线(信号线的一例)34。栅极线33和源极线34的延伸方向的一端部或两端部被引出至非显示区域NAA，栅极线33经由栅极驱动电路部与驱动器12等连接，源极线34经由源极驱动电路部15与驱动器12等连接。扫描信号提供给栅极线33，并且图像信号(数据信号)提供给源线34。
接下来，参照图3和图4说明液晶面板10的显示区域AA中的详细构成。如图3所示，在阵列基板30的显示区域AA中的内面侧(液晶层40侧、与对向基板20的对置面侧)，TFT(Thin Film Transistor薄膜晶体管，开关元件的一例)31和像素电极32在沿着多个X轴方向和多个Y轴方向排列的矩阵状(行列状)中排列设置。多个TFT31和多个像素电极32被配置在由网格状排列的多个栅极线33和多个源极线34隔开的区域。栅极线33在中途被弯曲，但大体沿着X轴方向延伸，源极线34大体沿着Y轴方向延伸。像素电极32呈横长的近似方形状，长边沿着栅极线33弯曲。
如图3和图4所示，TFT31由连接到栅极线33的栅极部31A、连接到源极线34的源极部31B、连接到像素电极32的长边方向(Y轴方向)的端部的漏极部31C以及分别一端侧与源极部31B连接而另一端侧与漏极部31C连接的沟道区域(半导体部)31D构成。当基于从栅极线33提供到栅极部31A的扫描信号驱动TFT31时，从源极线34提供到源极部31B的图像信号经由沟道区域31D提供到漏极部31C，像素电极32被充电至基于图像信号的电位。
如图3和图4所示，在阵列基板30的显示区域AA中的内面侧还形成有位于比像素电极32更上层侧(液晶层40侧)并与所有像素电极32重叠的公共电极35。公共电极35在显示区域AA的大致整个区域内延伸，在与各像素电极32重叠的部分上，沿着各像素电极32的长边方向延伸的狭缝(取向控制狭缝)35A形成为多个开口。另外，狭缝35A的具体的设置数量、形状和形成范围等，除了图示以外也可以适当地变更。通过经由公共布线等供给公共信号(基准电位信号)，公共电极35总是保持大致恒定的公共电位(基准电位)。在本实施方式中，由于将公共电极35配置在像素电极32的上层侧，所以绝缘膜不介入像素电极32和漏极部31C之间，为了连接像素电极32和漏极部31C，无需在绝缘膜上形成接触孔，将公共电极配置在比像素电极更下层侧的现有结构的阵列基板相比，可以简化制造工序。
在如上所述构成的阵列基板30中，像素电极32被充电时，在相互重叠的像素电极32和公共电极35之间产生电位差。然后，在狭缝35A的开口边缘和像素电极32之间，在沿着阵列基板30的板面的分量基础上，还产生包含相对于阵列基板30的板面的法线方向的分量的边缘电场(倾斜电场)。利用该边缘电场，能够控制液晶层40中包含的液晶分子的取向状态。换言之，根据本实施方式的液晶面板10的动作模式是FFS(Fringe Field Switching)模式。
如图4所示，在对向基板20的显示区域AA中的内面侧，设置有例如呈蓝色、绿色以及红色等的滤光片21。各滤光片21被配置为俯视时与阵列基板30的各像素电极32重叠，通过与像素电极32等一起构成像素PX，形成能够进行规定灰度的彩色显示的显示像素。如图4所示，在对向基板20的内表面侧的显示区域AA中还形成有遮光的遮光部(像素间遮光部、黑矩阵)22。遮光部22具有像素开口部，该像素开口部具有在相邻的像素PX(像素电极32)之间隔开的大致格子状的平面形状，位于俯视时与阵列基板30的像素电极32的大部分重叠的位置，能够透过光而利用像素PX进行显示。遮光部22防止光在相邻像素PX之间往返以确保各像素PX的灰度的独立性。俯视液晶面板10时，遮光部22配置在与阵列基板30的至少栅极线33及源极线34重叠的位置。
上述各种结构物通过层叠在两基板20、30的内面侧(液晶层40侧、基板之间的对向面侧)上的规定形状的各种膜来形成。以下，对形成在阵列基板30的内面侧的各种膜进行说明。此外，如图4所示，两基板20、30包括基本透明且使可见光透过玻璃基板GS。代替玻璃基板GS，也可以使用硅基板、具有耐热性的塑料基板等绝缘性的透明基板。另外，在两基板20、30的最内侧的面、即与液晶层40接触的面上分别形成有决定液晶层40中的液晶材料的初始取向的取向膜，在两个玻璃基板GS的外面侧(与液晶层40相反的侧)上分别粘贴有偏光板。
如图4所示，在阵列基板30中，从下层侧(玻璃基板GS侧)依次层叠形成有：第一金属膜(金属膜的一例)51、栅极绝缘膜(绝缘膜的一例)52、半导体膜53、第一透明电极膜(导电膜的一例)54、第二金属膜(另一金属膜的一例)55、层间绝缘膜(绝缘膜、电极间绝缘膜)56、半导体膜53、第一透明电极膜(导电膜的一例)54、第二金属膜(另一金属膜的一例)55、层间绝缘膜(绝缘膜、电极间绝缘膜膜)56、第二透明电极膜(另一导电膜的一例)57。第一金属膜51和第二金属膜55分别是由从铜、钛、铝、钼、钨等中选择的一种金属材料构成的单层膜、或由不同种类的金属材料构成的层叠膜、合金，且具有导电性和遮光性。特别地，在如本实施方式的结构的阵列基板中，由于与栅极膜的上层的栅极绝缘膜(氮化硅膜)的附着性良好，所以第一金属膜51优选为氮化钛。第一金属膜51构成栅极线33、TFT31的栅极部31A等。第二金属膜55构成源极线34、TFT31的源极部31B和漏极部31C等。栅极绝缘膜52和层间绝缘膜56分别由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等无机材料构成。栅极绝缘膜52使下层侧的第一金属膜51与上层侧的半导体膜53、第一透明电极膜54及第二金属膜55保持绝缘状态。层间绝缘膜56使下层侧的半导体膜53、第一透明电极膜54及第二金属膜55与上层侧的第二透明电极膜57保持绝缘状态。半导体膜53由例如使用氧化物半导体、非晶硅等作为材料的薄膜构成，构成TFT31的沟道区域31D等。第一透明电极膜54和第二透明电极膜57分别由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等透明电极材料构成。第一透明电极膜54构成像素电极32等。第二透明电极膜57构成公共电极35等。
上述各膜通过公知的成膜技术以规定形状形成图案。例如，在通过光刻法进行成膜的情况下，首先，例如通过溅镀在玻璃基板GS上整体形成第一金属膜51。接着，在整体第一金属膜51上形成图案化栅极线33及栅极部31A等形成区域的光致抗蚀剂膜。接着，通过干法蚀刻或湿法蚀刻，选择性地去除未被光致抗蚀剂膜覆盖的区域的第一金属膜51，形成构成栅极线33和栅极部31A等的规定形状的第一金属膜51的图案(金属膜形成工序)。之后，例如通过使用了氧气的等离子体、药液的剥离处理，去除光致抗蚀剂膜。接着，在栅极线33及栅极部3lA等上，例如通过等离子体CVD法或溅镀形成整体的栅极绝缘膜52(绝缘膜形成工序)。进而之后，例如通过与第一金属膜51同样的光刻法，构成像素电极32的规定形状的第一透明电极膜54进行图案形成(导电膜形成工序)。
这里，在第一金属膜51的图案形成完成的时刻，如图5等所示，在本来不应该配置第一金属膜51的规定形状以外的区域，有时形成突出部分51A。当例如通过如上所述的光刻方法将第一金属膜51以规定形状进行图案形成时，这样的突出部分51A不能形成成光致抗蚀剂膜所期望的形状，或者在通过蚀刻选择性地去除未被光致抗蚀剂膜覆盖的区域中的第一金属膜51时异物附着等原因，因产生膜残留而形成突出部分51A。例如，已知当第一金属膜51由氮化钛形成时，容易产生灰尘，并且容易产生剩余膜。
以与构成栅极线33和栅极部31A的规定形状部分51B相连的方式而形成的突出部分51A传送提供给栅极线33等的扫描信号等。尤其是，在比像素电极32更上层侧配置有共同电极35的阵列基板130中，如图6所示，构成为仅在第一金属膜51和第一透明电极膜54之间存在相对薄的栅极绝缘膜52，与隔着厚的有机绝缘膜(平坦化膜)的现有的结构相比，像素电极32和突出部分51A等的距离变得非常近。其结果是，在突出部分51A和像素电极32之间形成相对较大的寄生电容，提供给栅极线33的扫描信号中产生紊乱，产生亮点缺陷等的可能性变高。
因此，在本实施方式的阵列基板30的制造方法中，在第一金属膜51的图案形成完成时刻，实施阵列基板30的外观检查(金属膜形状检查工序)。在外观检查中，将形成在玻璃基板GS上的第一金属膜51的实际形状与第一金属膜51的规定形状进行比较，检查第一金属膜51是否按照规定形状形成。外观检查没有特别的限制，可以以公知的装置和方法进行，为了检测未发生漏电的突出部分51A，所以优选在能够以尽可能高的精度进行检查的条件下进行。通过在第一金属膜51上形成栅极绝缘膜52等其他膜之前进行检查，以更高的精度进行第一金属膜51的形状观察，能够检测形成在规定形状之外的区域中的突出部分51A。
当识别出突出部分51A时，接着(在绝缘膜形成工序之前)，将激光照射到突出部分51A以修正第一金属膜51的形状(激光照射工序)。激光照射没有特别的限制，可以用已知的装置和方法进行。在本实施例中，如图7所示，激光照射以去除突出部分51A的基部并从规定形状部分51B电隔离(所谓的浮岛化)。如此，在修正了第一金属膜51的形状使得形成分离部分51C之后，通过绝缘膜形成工序等层叠形成其他膜，完成阵列基板30的制造。由于分离部分51C与构成栅极线33和栅极部31A的规定形状部分51B电隔离，所以在具有如图8所示的截面结构的阵列基板30中，提供给栅极线33等的扫描信号等几乎不传送到分离部分51C。其结果是，分离部分51C和像素电极32之间产生较大寄生电容的可能性降低。因此，在使用这样的阵列基板30制造的液晶面板10中，抑制了亮点等之类缺陷的产生。
[第一验证试验]
为了确认实施上述金属膜形状检查工序及激光照射工序的效果，进行了验证试验。具体而言，对于9型车载用液晶面板10所使用的阵列基板30，在形成第一金属膜51后进行外观检查(金属膜形状检查工序)，在被识别出的突出部分51A的30个位置照射了激光(激光照射工序)。外观检查采用日本奥宝科技株式会社生产的外观检查装置FPI6099，以1.5μm检测模式为条件进行。另外，激光照射使用V科技株式会社制的激光照射装置Taurus7392，在激光波长1064nm的条件下进行，去除突出部分51A的基部，形成了与规定形状部分51B分离的分离部分51C。如此，在修正了第一金属膜51的形状之后，使用与现有相同的其他膜层叠制造的阵列基板30制造液晶面板10，进行点亮检查，判定实施了修正的30个位置是否发生了亮点。结果如图9的表格所示。
如图9的表格所示，在所有30处激光修正位置没有观察到亮点。修正而引起的其他不良的发生也没有被特别被识别到，所以能够将阵列基板30良品化。另外，在30处中的1处上，识别出了黑点。由于该位置的突出部分51A的面积相对较大(相对于约54μm×150μm的各像素开口部的开口尺寸，突出部分51A的直径约50μm)，因此激光修正后的分离部分51C也较大，由于该部分遮蔽了像素开口部，可以认为所以判定为黑点。但是，与亮点不同，黑点在产品使用时很少成为问题，通常允许存在几个，因此如果以本试验确认的频率产生黑点也不会成为问题。为此，黑点检测位置数(B2)不作缺陷计数，将修正成功率(％)从激光修正位置数(A)中减去亮点检测位置数(B1)及异常检测位置数(B3)，并除以激光修正的数量(A)计算({(A-B1-B3)/A}×100)。根据本第一验证试验，得到了100％的修正成功率。
如上所述，根据本实施方式的阵列基板(显示面板用阵列基板的一例)30的制造方法，其特征在于，制造方法包括：形成规定形状的第一金属膜(金属膜的一例)51的金属膜形成工序；在第一金属膜51的上层侧形成绝缘性的栅极绝缘膜(绝缘膜的一例)52的绝缘膜形成工序；以及在栅极绝缘膜52的上层侧形成导电性的第一透明电极膜(导电膜的一例)54的导电膜形成工序，在所述金属膜形成工序后及所述绝缘膜形成工序前，实施检查第一金属膜51是否形成为规定形状的金属膜形状检查工序，在所述金属膜形状检查工序中，在所述规定形状以外的区域中识别形成有第一金属膜51的突出部分51A的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，实施对突出部分51A的激光照射工序，而修正第一金属膜51的形状。
根据上述结构，在使用阵列基板30制造的液晶面板10中，能够抑制由阵列基板30的金属膜图案形成不良引起的缺陷的产生。详细地，在制造阵列基板30时，通过在形成绝缘膜之前进行金属膜形状的检查，能够进行高精度的检查，例如也能够检测未发生漏电的突出部分。另外，通过在形成绝缘膜之前进行激光照射，可以避免激光照射引起的绝缘膜损伤。通过激光照射，去除突出部分的基部，可以为从规定形状部分分离，也可以为去除整个突出部分。如果去除整个，就可以避免在规定形状外区域金属膜带电而形成寄生电容的情况。如此，通过在早期阶段进行金属膜的形状的修正处理，能够减少在显示面板完成后，布线和电极间漏电，或电压被施加到金属膜的突出部分而形成了意外的寄生电容的情况，抑制了亮点等缺陷的发生。另外，为了减轻绝缘膜的损伤，在后续工序中，例如在通过光刻法形成其他膜的情况下，减少了药液等从绝缘膜的损伤部分浸入而侵蚀金属膜的情况，由此也抑制了缺陷的产生。
另外，根据本实施方式的阵列基板30的制造方法，在所述激光照射工序中，通过激光照射去除突出部分51A的基部，形成与第一金属膜51中形成为规定形状的规定形状部分51B电隔离的分离部分51C。
根据上述结构，为了只去除突出部分51A的一部分，可以缩短激光照射时间，并且可以高效地进行处理。另外，由于激光照射量被保持在最小限度，减轻位于金属膜下层的基材等的由激光照射造成的损伤，能够抑制由此产生的缺陷。在金属膜中，由于施加到规定形状部分51B的电压不能传送到电分离部分51C，所以漏电的产生和寄生电容的形成减少。即使分离部分51C由于某种原因而带电，由此液晶的取向受到影响是非常罕见的，在显示面板中产生可视的亮点等缺陷的可能性很低。
另外，根据本实施方式的阵列基板30的制造方法，栅极绝缘膜52是由无机材料构成的无机绝缘膜，形成在第一金属膜51的正上方，第一透明电极膜54形成在栅极绝缘膜52的正上方。
在上述中，“正上方”是指在中间没有隔着其他膜等。根据上述结构，在第一金属膜51和第一透明电极膜54之间仅存在栅极绝缘膜52。由于作为无机绝缘膜的栅极绝缘膜52通常较薄地形成，因此，在上述结构的阵列基板30中，例如，与隔着厚的有机绝缘膜(平坦化膜)的现有的结构相比，第一金属膜51和第一透明电极膜54的间距变得极为接近，由于形成在金属膜51上的突出部分51A带电，与第一透明电极膜54之间产生的寄生电容变大。因此，即使突出部分51A未发生漏电，且通常未产生可视缺陷，也可能在显示面板上产生诸如亮点的缺陷。本技术尤其适用于这种配置的阵列基板30。
另外，本实施方式的阵列基板30的制造方法的特征在于，还包括在第一透明电极膜54的上层侧形成第二金属膜(另一金属膜的一例)55的另一金属膜形成工序；在第二金属膜55的上层侧形成第二透明电极膜(另一导电膜的一例)57的另一导电膜形成工序，阵列基板30还设置相互交叉延伸的多个栅极线(扫描线的一例)33与多个源极线(信号线的一例)34、经由TFT(开关元件的一例)31与多个源极线34连接的像素电极32、维持规定的电位的公用电极35，其中，TFT31具有：与栅极线33连接的栅极部31A、与源极线34连接的源极部31B、隔着间隙与源极部31B对置配置的漏极部31C和由半导体膜53形成且与源极部31B、漏极部31C连接的沟道区域31D，第一金属膜51构成多个栅极线33和栅极部31A，第一透明电极膜54构成像素电极32，第二金属膜55构成多个源极线34、源极部31B和漏极部31C，第二透明电极膜57构成公共电极35。
如上述的结构，在阵列基板30中，如果在像素电极32的上层侧设置公共电极35，则可以不使绝缘膜夹在TFT31的漏极部31C和像素电极32之间配置。其结果是，为了连接像素电极32和漏极部31C，不需要在绝缘膜上形成接触孔，所以与将公共电极配置在像素电极的下层侧的现有结构的阵列基板相比，能够简化基板的构成以及基板的制造工序。在这样的阵列基板30中，由于第一金属膜51和第一透明电极膜54接近，所以容易产生由第一金属膜51的图案形成不良而引起的缺陷，但是如果应用本技术，则能够有效地抑制该缺陷。
[第二实施方式]
根据图10至图12说明本发明的第二实施方式。在该第二实施方式中，示出了除去所有突出部分51A而制造阵列基板230的情况。此外，阵列基板230的基本配置和制造工序的概要与第一实施方式的阵列基板30相同。针对与上述第一实施方式同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。
在制造阵列基板230时，在第一金属膜251的图案形成完成时刻实施的外观检查中被识别出突出部分251A的情况下，接着(在绝缘膜形成工序之前)，对突出部分251A照射激光，修正第一金属膜251的形状(激光照射工序)。在本实施方式中，与第一实施方式不同，如图10所示，照射激光以去除整个突出部分251A。如上所述，在第一金属膜251的形状被修正为仅具有规定形状部分251B的形状之后，通过绝缘膜形成工序等层叠形成其他膜，完成阵列基板230的制造。由于不像第一实施方式那样形成分离部分，所以能够避免由分离部分的带电引起的寄生电容导致的亮点的产生，期待阵列基板230的良品化。
[第二验证试验]
对于本实施方式，也进行了确认效果的验证试验。与第一验证试验相同，对于9型车载用液晶面板10所用的阵列基板230，在形成第一金属膜251后进行外观检查(金属膜形状检查工序)，在识别出突出部分251A的9个位置照射了激光(激光照射工序)。外观检查和激光照射使用了与第一验证试验相同的装置，但是在本试验中，进行了激光照射以去除整个突出部分251A。如此修正了第一金属膜251的形状之后，使用与现有相同的其他膜层叠制造的阵列基板230制造液晶面板10，进行点亮检查，判定实施了修正的9个位置是否发生了亮点。结果如图12的表格所示。
如图12的表格所示，在所有9处激光校正位置没有观察到亮点。可以认为能够避免由在规定区域外形成的金属膜中的寄生电容引起的亮点的产生。另外，在本试验中也没有观察到明确的黑点。但是，在7处识别到黑色斑点状的东西。通过激光照射，玻璃制的玻璃基板GS-D中的激光照射区域产生了损伤D(参照图11)，由此导致发生了黑斑点症状。由于这样的症状对液晶面板10的显示品质产生影响，所以包含黑斑点症状的其他异常检测位置数(B3)作为缺陷进行了计数。与第一验证试验同样计算出({(A-B1-B3)/A}×100)的修正成功率(％)在本验证试验2中为28.6％。
如上所述，根据本实施方式的阵列基板230的制造方法的特征在于，在激光照射过程中，通过激光照射去除整个突出部分251A。通过这样修正第一金属膜251的形状，可以抑制由突出部分251A的带电引起的亮点的产生。
[其他实施方式]
本发明不受根据上述记载和附图说明的实施方式限定，例如如下实施方式也包含于本发明的技术范围。
(1)在上述各实施方式中，示出了金属膜为第一金属膜且构成栅极线及栅极部等的情况，但不限于此。金属膜也可以为构成源极线等的第二金属膜，也可以是构成其他布线(公共布线或辅助电容布线)等的另一金属膜。但是，栅极绝缘膜在规定阵列基板的动作上非常重要，由于栅极绝缘膜的损伤容易与各种故障直接连接，所以从能够在保护这样的栅极绝缘膜不受损伤的同时，抑制第一金属膜的形成不良所引起的缺陷的观点来看，在上述各实施方式中记载的方面中应用本技术可以说是特别适用的。
(2)上述各实施方式中的“金属膜形成工序”、“绝缘膜形成工序”、“导电膜形成工序”仅为一示例，各膜也可以通过光刻法以外的方法形成。在通过光刻法形成的情况下，光致抗蚀剂膜可以使用正性抗蚀剂，也可以使用负性抗蚀剂。另外，在上述中，将金属膜和导电膜以规定形状形成图案，将绝缘膜形成为整体的形状，但是只要金属膜形成规定形状即可，绝缘膜和/或导电膜也可以以形成规定形状的方式形成图案，也可以以整体的形式形成。另外，绝缘膜及导电膜的材料分别具有绝缘性或导电性不作特别限定，例如导电膜也可以由金属构成。
(3)在上述各实施方式中，作为开关元件示出了在像素内具有栅极电极下置型TFT的阵列基板，但不限于此，能够适当地变更开关元件的具体构成等。还可以应用于使用TFT以外的开关元件(例如薄膜二极管(TFD))制造阵列基板，不仅可以用于彩色显示的液晶面板，还可以应用于阵列基板的制造，所述阵列基板用于黑白显示的液晶面板。
(4)在上述各实施方式中，表示了在阵列基板中在像素电极的上层侧配置公用电极的情况，但不限于此。在制造公用电极配置在像素电极的下层侧的构成的阵列基板、或不设置公用电极(在对向基板侧设置公用电极)结构的阵列基板时，本技术也能够应用。但是，在比像素电极更上层侧配置有公用电极，在第一金属膜和像素电极之间的距离短的阵列基板中，由于未发生漏电的相对小的突出部分也会产生亮点，所以亮点的发生频率容易变高。从能够抑制这样的亮点不黑点化的观点来看，在制造上述各实施方式中记载的结构的阵列基板时，应用本技术特别有用。
(5)在上述各实施方式中，在公共电极上开口形成狭缝，示出了在以FFS模式驱动的液晶面板中使用的阵列基板，但不限于此。本技术也适用于在像素电极上而不是公共电极开口形成狭缝的阵列基板。或者，本技术也可以适用于电极上未形成狭缝、在IPS(in-plane switching)模式下驱动的液晶面板中使用的阵列基板。
(6)在上述各实施方式中，示出了用于平面形状为矩形液晶面板的阵列基板，但也可以用于平面形状为正方形、圆形、椭圆形等液晶面板的阵列基板。另外，在上述各实施方式中，示出了用于平坦的液晶面板的平板状阵列基板，但不限于此。本技术也适用于弯曲或弯曲形状的阵列基板或可灵活变形的阵列基板。
(7)在上述各实施方式中，例示了在一对基板之间夹着液晶层的构成的液晶面板使用的阵列基板的制造方法，但对于在一对基板之间夹着液晶材料以外的功能性有机分子的显示面板使用的阵列基板，本发明也能够适用。例如，本技术也可以应用于有机EL显示面板、EPD(微胶囊型电泳方式的显示面板)等液晶面板以外的构成为显示面板的显示面板制造。
附图标记说明
10…液晶面板(显示面板的一例)，20…对向基板(CF基板)，30、130、230…阵列基板(显示面板用阵列基板的一例)，31…TFT(开关元件的一例)，31A…栅极部，31B…源极部，31C漏极部，31D…沟道区域(半导体部)，32…像素电极，33…栅极线(扫描线的一例)，34…源极线(信号线的一例)，35…公共电极，35A…狭缝(取向控制狭缝)，40…液晶层，51、151、251…第一金属膜(金属膜的一例)，51A、251A…突出部分，51B、251B…规定形状部分，51C、251C…分离部分，52…栅极绝缘膜(绝缘膜的一例)，53…半导体膜，54…第一透明电极膜(导电膜的一例)，55…第二金属膜(另一金属膜的一例)，56…层间绝缘膜(绝缘膜、电极间绝缘膜)，57…第二透明电极膜(另一导电膜的一例)，GS、GS-D…玻璃基板，PX…像素，AA显示区域(有源区域)，NAA…非显示区域(非有源区域)。

Claims (6)

1.一种显示面板用阵列基板的制造方法，包括：
形成规定形状的金属膜的金属膜形成工序；
在所述金属膜的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜的绝缘膜形成工序；及
在所述绝缘膜的上层侧形成有导电性的导电膜的导电膜形成工序，
所述显示面板用阵列基板的制造方法的特征在于，
在所述金属膜形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查所述金属膜是否形成为所述规定形状，
在所述金属膜形状检查工序中，所述金属膜被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，实施由激光照射去除整个所述突出部分的激光照射工序。
2.根据权利要求1所述的显示面板用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜是由无机材料构成的无机绝缘膜，形成在所述金属膜的正上方，
所述导电膜形成在所述绝缘膜的正上方。
3.根据权利要求2所述的显示面板用阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括在所述导电膜的上层侧形成另一金属膜的另一金属膜形成工序；在所述另一金属膜的上层侧形成另一导电膜的另一导电膜形成工序，
在所述显示面板用阵列基板上设置：
相互交叉延伸的多个扫描线和多个信号线、
经由开关元件与所述多个信号线连接的像素电极、
维持规定的电位的公用电极，
所述开关元件具有：
与所述扫描线连接的栅极部、
与所述信号线连接的源极部、
隔着间隙与所述源极部对置配置的漏极部、
由半导体膜构成且与所述源极部、所述漏极部连接的沟道区域，
所述金属膜构成所述多个扫描线和所述栅极部，
所述导电膜构成所述像素电极，
所述另一金属膜构成所述多个信号线、所述源极部及所述漏极部，
所述另一导电膜构成公用电极。
4.一种显示面板用阵列基板的制造方法，包括：
形成规定形状的金属膜的金属膜形成工序；
在所述金属膜的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜的绝缘膜形成工序；及
在所述绝缘膜的上层侧形成有导电性的导电膜的导电膜形成工序，
所述显示面板用阵列基板的制造方法的特征在于，
在所述金属膜形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查所述金属膜是否形成为所述规定形状，
在所述金属膜形状检查工序中，所述金属膜被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，实施通过激光照射去除所述突出部分的基部，形成与所述金属膜中形成为所述规定形状的规定形状部分电隔离的分离部分的激光照射工序。
5.根据权利要求4所述的显示面板用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘膜是由无机材料构成的无机绝缘膜，形成在所述金属膜的正上方，
所述导电膜形成在所述绝缘膜的正上方。
6.根据权利要求5所述的显示面板用阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括在所述导电膜的上层侧形成另一金属膜的另一金属膜形成工序；在所述另一金属膜的上层侧形成另一导电膜的另一导电膜形成工序，
在所述显示面板用阵列基板上设置：
相互交叉延伸的多个扫描线和多个信号线、
经由开关元件与所述多个信号线连接的像素电极、
维持规定的电位的公用电极，
所述开关元件具有：
与所述扫描线连接的栅极部、
与所述信号线连接的源极部、
隔着间隙与所述源极部对置配置的漏极部、
由半导体膜构成且与所述源极部、所述漏极部连接的沟道区域，
所述金属膜构成所述多个扫描线和所述栅极部，
所述导电膜构成所述像素电极，
所述另一金属膜构成所述多个信号线、所述源极部及所述漏极部，
所述另一导电膜构成公用电极。
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