JP2002082346A - アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法Info
- Publication number
- JP2002082346A JP2002082346A JP2000269348A JP2000269348A JP2002082346A JP 2002082346 A JP2002082346 A JP 2002082346A JP 2000269348 A JP2000269348 A JP 2000269348A JP 2000269348 A JP2000269348 A JP 2000269348A JP 2002082346 A JP2002082346 A JP 2002082346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal wiring
- short
- data signal
- active matrix
- matrix substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 冗長配線回路を用いずに配線間に発生した短
絡部を修正する。 【解決手段】 共通信号配線１、走査信号配線２、デー
タ信号配線３が形成された後のＴＦＴ部１１を有するガ
ラス基板５の検査において、検出された短絡欠陥部であ
るピンホール７および８周辺にＹＡＧレーザーの第４高
調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射して、
ピンホール７および８周辺の上部に配置されているデー
タ信号配線３の一部を除去する。
絡部を修正する。 【解決手段】 共通信号配線１、走査信号配線２、デー
タ信号配線３が形成された後のＴＦＴ部１１を有するガ
ラス基板５の検査において、検出された短絡欠陥部であ
るピンホール７および８周辺にＹＡＧレーザーの第４高
調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射して、
ピンホール７および８周辺の上部に配置されているデー
タ信号配線３の一部を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルに
用いられるアクティブマトリクス基板において、絶縁膜
を介して交差する配線間に発生した短絡欠陥を修正する
方法に関する。
用いられるアクティブマトリクス基板において、絶縁膜
を介して交差する配線間に発生した短絡欠陥を修正する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶の電気光学効果を表示装置に利用し
た液晶表示装置は、現在ノートパソコン等の情報端末機
器をはじめとして、ＯＡ機器、ＡＶ機器等さまざまな分
野において利用されている。
た液晶表示装置は、現在ノートパソコン等の情報端末機
器をはじめとして、ＯＡ機器、ＡＶ機器等さまざまな分
野において利用されている。
【０００３】このような液晶表示装置は、マトリクス状
に形成された多数の絵素電極および各絵素電極を制御す
るＴＦＴ等のスイッチング素子が設けられたアクティブ
マトリクス基板と、カラーフィルタおよび対向電極等を
備えた対向基板とを有している。アクティブマトリクス
基板には、それぞれが平行になった走査信号配線（ゲー
ト信号線）およびデータ信号配線（ソース信号線）が相
互に直交するように、各絵素電極の周囲に設けられてい
る。アクティブマトリクス基板と対向基板とは、所定の
間隔を保持して相互の電極形成面が対向するように貼り
合わせられ、両基板の間に液晶層が封入されている。
に形成された多数の絵素電極および各絵素電極を制御す
るＴＦＴ等のスイッチング素子が設けられたアクティブ
マトリクス基板と、カラーフィルタおよび対向電極等を
備えた対向基板とを有している。アクティブマトリクス
基板には、それぞれが平行になった走査信号配線（ゲー
ト信号線）およびデータ信号配線（ソース信号線）が相
互に直交するように、各絵素電極の周囲に設けられてい
る。アクティブマトリクス基板と対向基板とは、所定の
間隔を保持して相互の電極形成面が対向するように貼り
合わせられ、両基板の間に液晶層が封入されている。
【０００４】このような液晶表示装置のアクティブマト
リクス基板は、絵素電極、スイッチング素子等が設けら
れた複雑な構造となっており、製造に際して多くのプロ
セスが必要になる。このため、各製造プロセスにおいて
基板上への異物の付着、絵素電極と走査信号配線および
データ信号配線との短絡等の欠陥が発生しやすく、これ
らの欠陥を完全に無くすことは、容易ではない。したが
って、このような欠陥等を早期に検出して必要に応じて
修正を行うことは、生産時における歩留を向上させるた
めに非常に重要な課題となる。
リクス基板は、絵素電極、スイッチング素子等が設けら
れた複雑な構造となっており、製造に際して多くのプロ
セスが必要になる。このため、各製造プロセスにおいて
基板上への異物の付着、絵素電極と走査信号配線および
データ信号配線との短絡等の欠陥が発生しやすく、これ
らの欠陥を完全に無くすことは、容易ではない。したが
って、このような欠陥等を早期に検出して必要に応じて
修正を行うことは、生産時における歩留を向上させるた
めに非常に重要な課題となる。
【０００５】特開平３−２３４２５号公報には、アクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて、両基
板間に液晶を注入して液晶パネルを作製した後に、液晶
パネルの点灯検査を行って線欠陥や点欠陥の有無を検出
し、アクティブマトリクス基板に設けられた冗長機構を
用いてその欠陥部分を修正する方法が提案されている。
ィブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて、両基
板間に液晶を注入して液晶パネルを作製した後に、液晶
パネルの点灯検査を行って線欠陥や点欠陥の有無を検出
し、アクティブマトリクス基板に設けられた冗長機構を
用いてその欠陥部分を修正する方法が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、アクティブマトリクス基板に設けられた冗長回路
を利用する方法では、超高開口率パネルにおいては、複
数の余分な配線を絵素内に設けることが容易ではなく、
したがって、冗長回路の設計が困難となる。また、大型
化された液晶パネルにおいては、アクティブマトリクス
基板に設けらる冗長回路を長く引き回さなければなら
ず、その結果、信号遅延が起こる等の問題が生じる。
うに、アクティブマトリクス基板に設けられた冗長回路
を利用する方法では、超高開口率パネルにおいては、複
数の余分な配線を絵素内に設けることが容易ではなく、
したがって、冗長回路の設計が困難となる。また、大型
化された液晶パネルにおいては、アクティブマトリクス
基板に設けらる冗長回路を長く引き回さなければなら
ず、その結果、信号遅延が起こる等の問題が生じる。
【０００７】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、冗長回路を利用することなく、配
線間に発生した短絡部を修正することができるアクティ
ブマトリクス基板の欠陥修正方法を提供することにあ
る。
であり、その目的は、冗長回路を利用することなく、配
線間に発生した短絡部を修正することができるアクティ
ブマトリクス基板の欠陥修正方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の欠陥修正方法は、複数のデータ信号配線及
び複数の走査信号配線が相互に交差するように設けら
れ、各データ信号配線及び各走査信号配線が絶縁膜を介
して積層されたアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法であって、データ信号配線と信号配線とが短絡してい
る場合に、その短絡部におけるいずれかの信号配線の一
部のみを除去する所定の光エネルギーを照射することを
特徴とする。
リクス基板の欠陥修正方法は、複数のデータ信号配線及
び複数の走査信号配線が相互に交差するように設けら
れ、各データ信号配線及び各走査信号配線が絶縁膜を介
して積層されたアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法であって、データ信号配線と信号配線とが短絡してい
る場合に、その短絡部におけるいずれかの信号配線の一
部のみを除去する所定の光エネルギーを照射することを
特徴とする。
【０００９】前記光エネルギーが所定の光エネルギーの
レーザー光である。
レーザー光である。
【００１０】前記レーザー光の発振波長が３６０ｎｍ以
下の紫外線である。
下の紫外線である。
【００１１】前記レーザー光がＹＡＧレーザーの第４高
調波である。
調波である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態を説明する。
の実施の形態を説明する。
【００１３】図1は、液晶パネルに設けられたアクティ
ブマトリクス基板の絵素部の平面図、図２は、図１に示
すａ−ａ’線における断面図である。液晶パネルは、ガ
ラス基板５上に、絵素電極４がマトリクス状に形成され
たアクティブマトリクス基板と、対向電極およびカラー
フィルタが設けられた対向基板との間に液晶層が封入さ
れて構成されている。絵素電極４がマトリクス状に設け
られたアクティブマトリクス基板のガラス基板５上に
は、相互に平行となった各一対の走査信号配線２と、相
互に平行となった各一対のデータ信号配線３とが、相互
に直交するように形成されている。
ブマトリクス基板の絵素部の平面図、図２は、図１に示
すａ−ａ’線における断面図である。液晶パネルは、ガ
ラス基板５上に、絵素電極４がマトリクス状に形成され
たアクティブマトリクス基板と、対向電極およびカラー
フィルタが設けられた対向基板との間に液晶層が封入さ
れて構成されている。絵素電極４がマトリクス状に設け
られたアクティブマトリクス基板のガラス基板５上に
は、相互に平行となった各一対の走査信号配線２と、相
互に平行となった各一対のデータ信号配線３とが、相互
に直交するように形成されている。
【００１４】絵素電極４の周囲において、走査信号配線
２とデータ信号配線３との交差部の一カ所には、ゲート
電極を走査信号配線２に接続されたＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）部１１がそれぞれ形成されている。相互に平行
となった各一対の走査信号配線２の間の中央部には、共
通信号配線１が走査信号配線２と平行に設けられてお
り、各データ信号配線３とは直交している。共通信号配
線１および走査信号配線２とデータ信号配線３とは、そ
の交差部において、データ信号配線３が上側、共通信号
配線１および走査信号配線２が下側になるように交差し
ており、交差部において、データ信号配線３と共通信号
配線１および走査信号配線２とがゲート絶縁膜６によっ
て電気的に絶縁されている。また、共通信号配線１は、
各絵素電極４ともゲート絶縁膜６によって、相互に絶縁
されているガラス基板５上に設けられた共通信号配線１
は、膜厚が３０００Å〜５０００Å程度の金属薄膜（例
えばＴａ、Ａｌ等）によって形成されており、その上に
設けられたゲート絶縁膜６は、膜厚が３０００Å〜５０
００Å程度のＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜等によって形成さ
れている。ゲート絶縁膜６上に設けられたデータ信号配
線３は、膜厚が１５００Å〜５０００Å程度の金属薄膜
（例えばＴａ、Ａｌ等）によって形成されている。
２とデータ信号配線３との交差部の一カ所には、ゲート
電極を走査信号配線２に接続されたＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ）部１１がそれぞれ形成されている。相互に平行
となった各一対の走査信号配線２の間の中央部には、共
通信号配線１が走査信号配線２と平行に設けられてお
り、各データ信号配線３とは直交している。共通信号配
線１および走査信号配線２とデータ信号配線３とは、そ
の交差部において、データ信号配線３が上側、共通信号
配線１および走査信号配線２が下側になるように交差し
ており、交差部において、データ信号配線３と共通信号
配線１および走査信号配線２とがゲート絶縁膜６によっ
て電気的に絶縁されている。また、共通信号配線１は、
各絵素電極４ともゲート絶縁膜６によって、相互に絶縁
されているガラス基板５上に設けられた共通信号配線１
は、膜厚が３０００Å〜５０００Å程度の金属薄膜（例
えばＴａ、Ａｌ等）によって形成されており、その上に
設けられたゲート絶縁膜６は、膜厚が３０００Å〜５０
００Å程度のＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜等によって形成さ
れている。ゲート絶縁膜６上に設けられたデータ信号配
線３は、膜厚が１５００Å〜５０００Å程度の金属薄膜
（例えばＴａ、Ａｌ等）によって形成されている。
【００１５】このような構成のアクティブマトリクス基
板において、図１および図２に示すように、共通信号配
線１とデータ信号配線３との間のゲート絶縁膜６にて、
短絡欠陥であるピンホール７が生じているとする。
板において、図１および図２に示すように、共通信号配
線１とデータ信号配線３との間のゲート絶縁膜６にて、
短絡欠陥であるピンホール７が生じているとする。
【００１６】ピンホール７が生じると、ピンホール７に
よって共通信号配線１とデータ信号配線３とが短絡さ
れ、ピンホール７付近では、共通信号とデータ信号とが
混在するために、所定の電荷が絵素電極４に充電され
ず、液晶パネルの画像表示品位を低下させる。
よって共通信号配線１とデータ信号配線３とが短絡さ
れ、ピンホール７付近では、共通信号とデータ信号とが
混在するために、所定の電荷が絵素電極４に充電され
ず、液晶パネルの画像表示品位を低下させる。
【００１７】この場合には、アクティブマトリクス基板
が製造されてＴＦＴ１１が正常に動作するかが検査され
た後に、共通信号配線１とデータ信号配線３との間の短
絡欠陥であるピンホール７に、例えばＹＡＧレーザーの
第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射
する。これにより、図３に示すように共通信号配線１と
データ信号配線３との短絡欠陥部分であるピンホール７
周辺のデータ信号配線３の一部のみが除去されて修正部
９が形成される。この場合、共通信号配線１は、レーザ
ー光の照射によって損傷されない。その結果、ピンホー
ル７をデータ信号配線３から分離することができ、配線
回路を用いずに、共通信号配線１とデータ信号配線３と
の短絡欠陥を修正できる。
が製造されてＴＦＴ１１が正常に動作するかが検査され
た後に、共通信号配線１とデータ信号配線３との間の短
絡欠陥であるピンホール７に、例えばＹＡＧレーザーの
第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射
する。これにより、図３に示すように共通信号配線１と
データ信号配線３との短絡欠陥部分であるピンホール７
周辺のデータ信号配線３の一部のみが除去されて修正部
９が形成される。この場合、共通信号配線１は、レーザ
ー光の照射によって損傷されない。その結果、ピンホー
ル７をデータ信号配線３から分離することができ、配線
回路を用いずに、共通信号配線１とデータ信号配線３と
の短絡欠陥を修正できる。
【００１８】ピンホール７のような短絡欠陥に対して
は、ＹＡＧレーザーの基本波レーザー光などを用いてピ
ンホール７部分の修正を行うと、レーザー光の照射エネ
ルギーが大きいために、ピンホール７部分の下層膜であ
る共通信号配線１への損傷等の影響が大きく、共通信号
配線１が切断されてしまう。このように、ＹＡＧレーザ
ーの基本波レーザー光を用いた場合には、レーザー光の
照射によって適切に欠陥部分を修正することができな
い。このため、従来は、図７に示すように、データ信号
配線３の短絡欠陥部分の前後の配線を切断して、データ
信号配線３の切断箇所の前後の箇所３ａおよび３ｂと冗
長配線回路１０とを接続することにより、あるいは、予
め液晶パネルの絵素内に冗長回路を設けて、短絡欠陥部
分の配線を切断して信号配線の修正を行っている。した
がって、ＹＡＧレーザの基本波レーザ光を照射する場合
には冗長配線回路１０が必要になり、超開口率パネル、
大型パネル等には、適していない。
は、ＹＡＧレーザーの基本波レーザー光などを用いてピ
ンホール７部分の修正を行うと、レーザー光の照射エネ
ルギーが大きいために、ピンホール７部分の下層膜であ
る共通信号配線１への損傷等の影響が大きく、共通信号
配線１が切断されてしまう。このように、ＹＡＧレーザ
ーの基本波レーザー光を用いた場合には、レーザー光の
照射によって適切に欠陥部分を修正することができな
い。このため、従来は、図７に示すように、データ信号
配線３の短絡欠陥部分の前後の配線を切断して、データ
信号配線３の切断箇所の前後の箇所３ａおよび３ｂと冗
長配線回路１０とを接続することにより、あるいは、予
め液晶パネルの絵素内に冗長回路を設けて、短絡欠陥部
分の配線を切断して信号配線の修正を行っている。した
がって、ＹＡＧレーザの基本波レーザ光を照射する場合
には冗長配線回路１０が必要になり、超開口率パネル、
大型パネル等には、適していない。
【００１９】図４は、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２
６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射後のピンホール
７周辺部分の平面図である。図４に示すように、ＹＡＧ
レーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザ
ー光の照射によりデータ信号配線３の一部のみが除去さ
れた修正部９において、データ信号配線３とピンホール
７とが完全に分離されている。
６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射後のピンホール
７周辺部分の平面図である。図４に示すように、ＹＡＧ
レーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザ
ー光の照射によりデータ信号配線３の一部のみが除去さ
れた修正部９において、データ信号配線３とピンホール
７とが完全に分離されている。
【００２０】図５は、図１と同様に液晶パネルのアクテ
ィブマトリクス基板の絵素部の平面図であり、走査信号
配線２とデータ信号配線３との間に生じた短絡欠陥を示
している。図６は、図５に示すｂ−ｂ’線における断面
図である。走査信号配線２とデータ信号配線３との間の
ゲート絶縁膜６にて、短絡欠陥であるピンホール８が生
じている。
ィブマトリクス基板の絵素部の平面図であり、走査信号
配線２とデータ信号配線３との間に生じた短絡欠陥を示
している。図６は、図５に示すｂ−ｂ’線における断面
図である。走査信号配線２とデータ信号配線３との間の
ゲート絶縁膜６にて、短絡欠陥であるピンホール８が生
じている。
【００２１】ピンホール８が生じると、ピンホール８に
よって走査信号配線２とデータ信号配線３とが短絡され
ピンホール８付近では、走査信号とデータ信号とが混在
するために、所定の電荷が絵素電極４に充電されず、液
晶パネルの画像表示品位を低下させる。
よって走査信号配線２とデータ信号配線３とが短絡され
ピンホール８付近では、走査信号とデータ信号とが混在
するために、所定の電荷が絵素電極４に充電されず、液
晶パネルの画像表示品位を低下させる。
【００２２】このような場合にも、図３に示す場合と同
様に、走査信号配線２とデータ信号配線３との間の短絡
欠陥であるピンホール８に、例えばＹＡＧレーザーの第
４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射す
る。これにより、走査信号配線２とデータ信号配線３と
の短絡欠陥部分であるピンホール８周辺のデータ信号配
線３の一部のみが除去され、走査信号配線２は、レーザ
ー光の照射によって損傷されない。その結果、ピンホー
ル８をデータ信号配線３から分離することができ、配線
回路を用いずに、走査信号配線２とデータ信号配線３と
の短絡欠陥を修正できる。この場合も、図４に示す場合
と同様に、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）
の短波長のレーザー光の照射により、データ信号配線３
の一部にみが除去された修正部９において、データ信号
配線３とピンホール８とが完全に分離される。
様に、走査信号配線２とデータ信号配線３との間の短絡
欠陥であるピンホール８に、例えばＹＡＧレーザーの第
４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光を照射す
る。これにより、走査信号配線２とデータ信号配線３と
の短絡欠陥部分であるピンホール８周辺のデータ信号配
線３の一部のみが除去され、走査信号配線２は、レーザ
ー光の照射によって損傷されない。その結果、ピンホー
ル８をデータ信号配線３から分離することができ、配線
回路を用いずに、走査信号配線２とデータ信号配線３と
の短絡欠陥を修正できる。この場合も、図４に示す場合
と同様に、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）
の短波長のレーザー光の照射により、データ信号配線３
の一部にみが除去された修正部９において、データ信号
配線３とピンホール８とが完全に分離される。
【００２３】このような、ピンホール８の欠陥に対し
て、ＹＡＧレーザーの基本波レーザー光を用いて修正す
る場合には、図７に示すように、データ信号配線３を切
断して冗長配線回路１０に接続する必要がある。
て、ＹＡＧレーザーの基本波レーザー光を用いて修正す
る場合には、図７に示すように、データ信号配線３を切
断して冗長配線回路１０に接続する必要がある。
【００２４】尚、本発明のアクティブマトリクス基板の
製造方法は、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎ
ｍ）の短波長のレーザー光を利用して信号配線の短絡欠
陥部分を除去するようになっており、レーザー光の照射
による液晶層の液晶分子の配向方向への影響、ガラス基
板の屈折率および透過率への影響等を防止するために、
アクティブマトリクス基板が製造されて、各ＴＦＴ部１
１が正常に動作することを検査した後に、信号配線の短
絡欠陥の検査および修正が実施される。
製造方法は、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎ
ｍ）の短波長のレーザー光を利用して信号配線の短絡欠
陥部分を除去するようになっており、レーザー光の照射
による液晶層の液晶分子の配向方向への影響、ガラス基
板の屈折率および透過率への影響等を防止するために、
アクティブマトリクス基板が製造されて、各ＴＦＴ部１
１が正常に動作することを検査した後に、信号配線の短
絡欠陥の検査および修正が実施される。
【００２５】また、基板状態で短絡欠陥部分の修正を実
施するために、修正後において洗浄することができ、し
たがって、アクティブマトリクス基板に付着した異物が
液晶層に混入するおよれがなく、信頼性が向上する。さ
らに、ＴＦＴ基板完成後において、短絡欠陥部分の修正
を可能にしたため、修正不良が後工程に流出しなくな
り、部材および時間の損失を最低限に押さえられる。
施するために、修正後において洗浄することができ、し
たがって、アクティブマトリクス基板に付着した異物が
液晶層に混入するおよれがなく、信頼性が向上する。さ
らに、ＴＦＴ基板完成後において、短絡欠陥部分の修正
を可能にしたため、修正不良が後工程に流出しなくな
り、部材および時間の損失を最低限に押さえられる。
【００２６】また、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６
６ｎｍ）の短波長のレーザー光の照射によって配線の一
部が除去されると、データ信号配線３の抵抗が増加する
が、画像表示状態に影響を与えないように、ＹＡＧレー
ザーの第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光
によってデータ信号配線３を除去する面積は、設計マー
ジン(例えば±５％以下など)を考慮して調整され、例え
ば２〜５μm□以内などとされる。
６ｎｍ）の短波長のレーザー光の照射によって配線の一
部が除去されると、データ信号配線３の抵抗が増加する
が、画像表示状態に影響を与えないように、ＹＡＧレー
ザーの第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光
によってデータ信号配線３を除去する面積は、設計マー
ジン(例えば±５％以下など)を考慮して調整され、例え
ば２〜５μm□以内などとされる。
【００２７】上記の実施の形態では、ＹＡＧレーザーの
第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光によっ
て、データ信号配線３を除去する構成であったが、アク
ティブマトリクス基板上の配線のみを除去するために
は、通常、発振波長が３６０ｎｍ以下のレーザ光を使用
される。
第４高調波（２６６ｎｍ）の短波長のレーザー光によっ
て、データ信号配線３を除去する構成であったが、アク
ティブマトリクス基板上の配線のみを除去するために
は、通常、発振波長が３６０ｎｍ以下のレーザ光を使用
される。
【００２８】
【発明の効果】以上より、本発明のアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正方法は、検出された短絡欠陥部周辺
に、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）のよう
に所定のエネルギーのレーザー光を照射して、短絡欠陥
部周辺の上部に配置されている信号配線の一部を除去す
るようになっているために、冗長配線回路を用いること
なく、短絡欠陥部分を修正する。
ス基板の欠陥修正方法は、検出された短絡欠陥部周辺
に、ＹＡＧレーザーの第４高調波（２６６ｎｍ）のよう
に所定のエネルギーのレーザー光を照射して、短絡欠陥
部周辺の上部に配置されている信号配線の一部を除去す
るようになっているために、冗長配線回路を用いること
なく、短絡欠陥部分を修正する。
【図１】液晶パネルのアクティブマトリクス基板におけ
る絵素部の平面図である。
る絵素部の平面図である。
【図２】図１に示すａ−ａ’線における断面図である。
【図３】図１および図２に示すアクティブマトリクス基
板の信号配線間に生じた短絡欠陥にレーザ光を照射した
場合の断面図である。
板の信号配線間に生じた短絡欠陥にレーザ光を照射した
場合の断面図である。
【図４】短絡欠陥部へのレーザ光を照射した後の状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】図１と同様の液晶パネルのアクティブマトリク
ス基板における絵素部の平面図である。
ス基板における絵素部の平面図である。
【図６】図５に示すｂ−ｂ’線における断面図である。
【図７】従来の冗長回路配線を用いた修正方法を示す回
路図である。
路図である。
１ 共通信号配線 ２ 走査信号配線 ３ データ信号配線 ４ 絵素電極 ５ ガラス基板 ６ ゲート絶縁膜 ７ ピンホール ８ ピンホール ９ 修正部 １０ 冗長配線回路 １１ ＴＦＴ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 EA02 FA15 FA30 HA04 HA08 MA20 2H092 JA24 JB24 JB33 JB56 MA35 MA48 NA29 5C094 AA13 AA42 AA43 AA48 BA03 CA19 DA13 DB04 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 JA08 JA11 JA20 5G435 AA17 CC09 HH12 HH14 KK05 KK10
Claims (4)
- 【請求項１】 複数のデータ信号配線及び複数の走査信
号配線が相互に交差するように設けられ、各データ信号
配線及び各走査信号配線が絶縁膜を介して積層されたア
クティブマトリクス基板の欠陥修正方法であって、 データ信号配線と信号配線とが短絡している場合に、そ
の短絡部におけるいずれかの信号配線の一部のみを除去
する所定の光エネルギーを照射することを特徴とするア
クティブマトリクス基板の欠陥修正方法。 - 【請求項２】 前記光エネルギーが所定の光エネルギー
のレーザー光である請求項１に記載のアクティブマトリ
クス基板の欠陥修正方法。 - 【請求項３】 前記レーザー光の発振波長が３６０ｎｍ
以下の紫外線である請求項２に記載のアクティブマトリ
クス基板の欠陥修正方法。 - 【請求項４】 前記レーザー光がＹＡＧレーザーの第４
高調波である請求項２に記載のアクティブマトリクス基
板の欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269348A JP2002082346A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269348A JP2002082346A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002082346A true JP2002082346A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=18755973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000269348A Withdrawn JP2002082346A (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002082346A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7612840B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-11-03 | Au Optronics Corporation | Active matrix substrate and repair method of pixel unit |
| US8013947B2 (en) | 2003-03-14 | 2011-09-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| CN110109303A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其缺陷修补方法 |
-
2000
- 2000-09-05 JP JP2000269348A patent/JP2002082346A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8013947B2 (en) | 2003-03-14 | 2011-09-06 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| US7612840B2 (en) | 2005-06-23 | 2009-11-03 | Au Optronics Corporation | Active matrix substrate and repair method of pixel unit |
| CN110109303A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-08-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其缺陷修补方法 |
| CN110109303B (zh) * | 2019-04-04 | 2021-09-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其缺陷修补方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7728943B2 (en) | Substrate for a display device, a method for repairing the same, a method for repairing a display device and a liquid-crystal display device | |
| KR20070038610A (ko) | 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법 | |
| KR20060091825A (ko) | 표시 장치의 수리 장치 및 수리 방법 | |
| KR101232136B1 (ko) | 액정셀의 휘점불량을 리페어하는 방법, 그 방법을 이용한액정표시소자의 제조방법, 및 그 방법에 의해 리페어된액정표시소자 | |
| US20120050662A1 (en) | Repair structure for liquid crystal display panel and repairing method thereof | |
| US20090015746A1 (en) | Liquid crystal display panel, method for manufacturing the same and appartus including the same | |
| JP4173332B2 (ja) | 表示装置、表示装置の画素修復方法及び表示装置の製造方法 | |
| JP3386735B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び液晶パネルの製造方法 | |
| JP2002082346A (ja) | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 | |
| JP3224942B2 (ja) | 液晶表示装置の輝点欠陥修正方法、その輝点欠陥修正装置及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3778407B2 (ja) | アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法および液晶パネルの製造方法 | |
| JP2009128552A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2760459B2 (ja) | アクティブマトリクス型基板 | |
| JPH0317614A (ja) | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 | |
| JPH02284120A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| KR100577301B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP2013164428A (ja) | アクティブマトリクス基板および表示装置 | |
| JPH03100626A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示素子 | |
| JPH11282010A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法及びその製造装置 | |
| JP2000284320A (ja) | 液晶表示装置及びその欠陥修正方法 | |
| JPH0887029A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2005173499A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH11272189A (ja) | 液晶パネルおよびその製造方法 | |
| JPH02127614A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH04355729A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |