JPH11282010A - アクティブマトリクス基板の製造方法及びその製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アクティブマトリクス基板の製造において、
短絡部の修正の信頼性を向上させると共に修正の有効範
囲を広げる。 【解決手段】 ゲート信号線１、データ信号線２及びＴ
ＦＴを覆う層間絶縁膜７上に画素電極３が設けられてい
るアクティブマトリクス基板の製造において、層間絶縁
膜７の形成前にゲート信号線間の短絡部又はデータ信号
線間の短絡部にレーザを照射して除去し、除去部上にも
層間絶縁膜７を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ノートブック型パ
ーソナルコンピュータ等の情報端末機器やＯＡ機器、Ａ
Ｖ機器等に利用される液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法及びその製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶の電気光学的効果を表示装置に利用
した液晶表示装置は、現在、ノートブック型パーソナル
コンピュータ等の情報端末機器やＯＡ機器、ＡＶ機器
等、様々な分野に利用されている。

【０００３】この液晶表示装置は、互いに交差するゲー
ト信号線（走査配線）やデータ信号線（信号配線）、マ
トリクス状に配置された多数の画素電極及び各画素電極
を制御するスイッチング素子等を備えたアクティブマト
リクス基板と、カラーフィルタや対向電極等を備えた対
向基板とが、所定の間隙を保って互いの電極形成面が向
かい合うように貼り合わせられ、両基板の間隙に液晶層
が挟持された構成を有している。

【０００４】ところで、アクティブマトリクス基板の製
造工程は複雑であり、多くの製造プロセスを経ることを
余儀なくされる。このため、異物の混入や画素電極とゲ
ート信号線やデータ信号線との短絡、ゲート信号線同士
やデータ信号線同士の短絡等の欠陥が発生しやすく、こ
れを完全に防ぐことは非常に困難であった。従って、こ
のような欠陥を早期に検出し、必要に応じて修正を行う
ことは、生産歩留りを向上させるために非常に重要な課
題となっている。

【０００５】そこで、従来においては、上記アクティブ
マトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を注入
して液晶パネルを作製した後に、点灯検査を行って線欠
陥や点欠陥の有無を検出し、その欠陥部が修正可能なも
のであれば修正していた。例えば、特開平３−２０９４
２２号公報では、液晶パネルの状態で欠陥部にレーザ光
等を照射して修正を行う方法が開示されている。

【０００６】この修正方法について、図７を参照しなが
ら以下に説明する。

【０００７】図７は従来の液晶パネルにおけるアクティ
ブマトリクス基板を示す断面図である。この図７におい
て、８はガラス基板、５はゲート信号線間の短絡部、２
はデータ信号線、３は画素電極、９はゲート信号線とデ
ータ信号線２との間の絶縁膜、１０は保護層を示し、ス
イッチング素子は図示を省略している。

【０００８】図７に示すようなゲート信号線間の短絡部
５が存在すると、ゲート信号線間が互いに干渉し、点灯
検査において線欠陥として表れる。この線欠陥は、短絡
部５の一部を除去することによって修正可能である。但
し、点灯表示状態に影響が無いようにするためには保護
層等の破壊を防ぐ必要があるので、レーザ照射が可能な
部分は図７の矢印○の部分のみで矢印×の部分にはレー
ザ照射が行えず、修正適用範囲に制限があった。

【０００９】さらに、アクティブマトリクス基板と対向
基板とを貼り合わせて基板間に液晶を注入した液晶パネ
ルの状態で欠陥が検出された場合、検出された欠陥が修
正不可能なものであれば液晶パネル全体を破棄せざるを
得なくなるため、生産歩留りが低下してしまうという問
題もあった。

【００１０】そこで、近年においては、対向基板と貼り
合わせる前のアクティブマトリクス基板の状態でリーク
等の欠陥を検出し、修正することが要望されるようにな
ってきている。そして、欠陥の検出についても、アクテ
ィブマトリクス基板の状態で画像処理や抵抗検査等を行
うことにより検出可能となってきている。

【００１１】ところで、近年においては、液晶パネルの
高開口率化を図るために、例えば特開平１−１２４８２
４号公報には、図８に示すような構成のアクティブマト
リクス基板を備えた液晶表示装置が開発されている。

【００１２】このアクティブマトリクス基板は、ガラス
基板８上にゲート信号線１やデータ信号線２、図示しな
いスイッチング素子等を覆うように層間絶縁膜７が設け
られ、その層間絶縁膜７上に画素電極３が設けられてい
る。この構成では、ゲート信号線１やデータ信号線２と
画素電極３とを層間絶縁膜７を介して一部重畳させるこ
とができるので、図７に示したようなデータ信号線２と
画素電極３とを同層に設けたアクティブマトリクス基板
に比べて液晶パネルの高開口率化を図ることが可能とな
る。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述の図８に示したア
クティブマトリクス基板において、例えば図９に示すよ
うなゲート信号線１間の短絡５が生じた場合、従来のよ
うに基板８の裏面側からレーザ光を照射すると以下のよ
うな問題が生じる。

【００１４】即ち、図９のＡ−Ａ’線断面図である図１
０に示すように、ゲート信号線間の短絡部５の上層に存
在する層間絶縁膜７や画素電極３もレーザ照射により同
時に除去されてしまうため、除去部に液晶配向不良が発
生したり、下層の保護が不十分になる。さらに、そのま
ま短絡部５を除去できたとしても、層間絶縁膜７の影響
でレーザの照射痕がテーパ型となるのでトリミング精度
が悪く、レーザ照射可能領域が非常に狭くなって所望の
領域を除去することが困難であるという問題もあった。

【００１５】このような問題は、データ信号線間に短絡
が生じた場合にも同様に起こると考えられる、本発明
は、このような従来技術の課題を解決すべくなされたも
のであり、短絡部の修正を確実に行うことができるアク
ティブマトリクス基板の製造方法及びその実施に使用す
る製造装置を提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の製造方法は、複数の走査配線及び複数の信
号配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設けら
れ、両配線の交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を
覆うように設けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けら
れているアクティブマトリクス基板を製造する方法であ
って、該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子
を形成する工程と、該走査配線間又は該信号配線間に短
絡が生じている場合に、レーザ照射により短絡部を除去
する工程と、レーザ照射による除去部、該走査配線、該
信号配線及び該スイッチング素子を覆うように該層間絶
縁膜を形成する工程とを含み、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１７】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、複数の走査配線及び複数の信号配線が絶縁膜を
介して互いに交差するように設けられ、両配線の交差部
近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配線、該信
号配線及び該スイッチング素子を覆うように設けられた
層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアクティブマ
トリクス基板を製造する方法であって、該走査配線、該
信号配線及び該スイッチング素子を形成する工程と、該
走査配線と該信号配線との間に短絡が生じている場合
に、レーザ照射により短絡部の両側で該走査配線又は該
信号配線を切断する工程と、切断された配線の切断部の
両側部分を冗長配線により接続する工程と、レーザ照射
による切断部、冗長配線による接続部、該走査配線、該
信号配線及び該スイッチング素子を覆うように該層間絶
縁膜を形成する工程とを含み、そのことにより上記目的
が達成される。

【００１８】本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法は、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法
に用いられる製造装置であって、基板を搭載するＸＹス
テージと、該ステージ上方部に配置されたレーザ加工手
段と、該レーザ加工手段から発振されたレーザ光の照射
領域を制御する制御手段と、該制御手段を通過したレー
ザ光を拡大又は縮小するための集光手段とを備え、さら
に、前記レーザ照射による除去部、前記レーザ照射によ
る切断部又は前記冗長配線による接続部に対して抵抗測
定を行うべく、測定部の両端に配される第１及び第２の
抵抗測定用プローブを備えており、そのことにより上記
目的が達成される。

【００１９】前記第１及び第２の抵抗測定用プローブの
一方が前記ＸＹステージに固定され、他方が前記レーザ
光の照射領域に応じて移動可能とされていてもよい。

【００２０】レーザ光の照射部を観察するための観察手
段をさらに備え、該観察手段により前記第２のプローブ
の位置確認を行うようになっていてもよい。

【００２１】以下、本発明の作用について説明する。

【００２２】本発明にあっては、図１に示すように、走
査配線（ゲート信号線）１、信号配線（データ信号線）
２及びスイッチング素子（ＴＦＴ）を覆うように層間絶
縁膜７が設けられ、その層間絶縁膜７上に画素電極３が
設けられているアクティブマトリクス基板の製造におい
て、ゲート信号線間の短絡又はデータ信号線間の短絡が
生じた場合に、図２に示すように、層間絶縁膜の形成前
にゲート信号線間の短絡部５又はデータ信号線間の短絡
部にレーザ照射を行って除去する。

【００２３】そして、図３に示すように、レーザ照射に
よる除去部６上にも層間絶縁膜７を形成するので下層が
保護された状態になり、除去部６において液晶配向不良
が発生することもない。

【００２４】さらに、従来のように液晶パネルの裏面か
らレーザ照射を行って短絡部を除去した場合、その破片
が周囲に飛散して新たな欠陥が生じたり周辺膜の欠損等
が生じたりするが、本発明によればそのような不良も生
じず、確実に修正を行うことができる。

【００２５】ここで、図４に示すように、ゲート信号線
１間の短絡部５の上方にデータ信号線２が存在する場合
又はデータ信号線間の短絡部の下方にゲート信号線が存
在する場合、レーザ照射により短絡部を除去するとゲー
ト信号線とデータ信号線との間の絶縁膜９が破壊され
て、ゲート信号線とデータ信号線との間の短絡６Ａが生
じるおそれがある。或いは、絶縁膜９の成膜不良により
ゲート信号線とデータ信号線との間に短絡が生じる場合
もある。

【００２６】そこで、このような場合には、その短絡部
６Ａの両側６Ｂ（信号入力側及び信号入力側の反対側）
でゲート信号線又はデータ信号線を切断し、その信号線
の切断部６Ｂの両側を冗長配線等により接続することに
より、ゲート信号線とデータ信号線との短絡を修正する
ことができる。

【００２７】そして、その上に層間絶縁膜を形成するこ
とにより、切断部や冗長配線による接続部も層間絶縁膜
により保護することができる。

【００２８】ところで、修正の信頼性をより高めるため
には、層間絶縁膜を形成する前に修正が充分であるか否
かを確認して不良品を後工程に流さないことも大切であ
る。さらに、修正のための短絡部の除去や冗長配線によ
る接続等が不十分なものであれば、層間絶縁膜形成前に
再度修正が必要なこともある。従って、修正直後に修正
の合否を確認できるシステムを備えた製造装置を用いる
のが望ましい。

【００２９】そこで、本発明のアクティブマトリクス基
板の製造装置は、図５に示すように、ＸＹステージ２２
と、レーザ発振器１１と、電動スリット１７等のレーザ
光制御手段と、集光レンズ１９等の集光手段とを備え、
さらに第１の抵抗測定用プローブ２７と第２の抵抗測定
用プローブ２８とを設けてある。

【００３０】この装置によれば、基板２０をＸＹステー
ジ２２に搭載してレーザ光を照射して短絡部の除去やゲ
ート信号線又はデータ信号線の切断等を行い、さらに冗
長配線の接続等を行った後、第１の抵抗測定用プローブ
２７と第２の抵抗測定用プローブ２８とを用いて修正直
後に修正部の抵抗測定を行って修正状態の確認を行うこ
とができる。

【００３１】例えば、図６に示すように、第１の抵抗測
定用プローブ２８を液晶パネルの全端子を短絡させる導
電性パターン（例えばショートリング等）８１、８２、
８３に接続し、第２の抵抗測定用プローブ２７を除去、
切断又は接続を行ったゲート信号線又はデータ信号線の
検査用端子８４、８５、８６、８７に接続することによ
り、抵抗測定器２９を用いて短絡部の除去部、ゲート信
号線又はデータ信号線の切断部或いは冗長配線との接続
部の抵抗測定を行うことができる。

【００３２】ここで、アクティブマトリクス基板におけ
るショートリング等の形成位置に対応するように、第１
の抵抗測定用プローブ２８をＸＹステージに固定してお
くことにより、抵抗測定を効率良く行うことができる。

【００３３】動させておくことにより、レーザ照射スポ
ットを観察するための修正用モニタを用いてプローブの
接続位置を確認することができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。尚、以下の図面にお
いて、従来技術と同様の機能を有する部分には同じ番号
を付して説明を行う。

【００３５】図１は本実施形態のアクティブマトリクス
基板の製造方法を説明するための断面図である。

【００３６】このアクティブマトリクス基板は、ガラス
等からなる基板８上に、走査配線として機能する複数本
のゲート信号線１及び信号配線として機能する複数本の
データ信号線２が互いに交差して設けられ、両信号線の
交差部近傍にはスイッチング素子としてのＴＦＴが設け
られている。その上に、ゲート信号線１、データ信号線
２及びＴＦＴ等を覆うように層間絶縁膜７が設けられ、
その層間絶縁膜７上に画素電極３が設けられている。

【００３７】本実施形態のアクティブマトリクス基板に
おいて、ゲート信号線間に短絡が生じている場合、短絡
部の上層には厚み約１μｍ〜３μｍのアクリル系樹脂か
らなる層間絶縁膜７が存在し、さらに、反射型液晶表示
装置の場合にはＡｌ等の反射率の高い導電性膜からなる
画素電極３、透過型液晶表示装置の場合にはＩＴＯ等の
透明導電性膜からなる画素電極３が厚みを８００ｎｍ〜
１０００ｎｍ程度にして設けられる。従って、この状態
で基板表面又は基板裏面からレーザ照射を行って短絡部
を除去することは望ましくない。

【００３８】そこで、本実施形態にあっては、アクティ
ブマトリクス基板の製造工程において、図２に示すよう
に、層間絶縁膜を形成する前に短絡部５を検出してレー
ザ照射を行い、短絡部の一部６を除去することにより修
正を行う。その後で、図３に示すように、レーザ照射に
よる除去部６等の上を覆うように層間絶縁膜７を形成す
る。これにより、下層を保護すると共に基板表面の凹凸
を防ぐことができる。このときのレーザ照射は、ゲート
信号線に充分吸収されるレーザ光を用いれば、基板表面
側から行っても基板裏面側から行ってもよい。

【００３９】尚、図２及び図３は図１とは異なる部分を
示す断面図であり、このようにゲート信号線１間の短絡
部５の上方にデータ信号線２が存在しない場合には、レ
ーザ照射によりゲート信号線１の短絡部５を除去して修
正を行うことが可能である。

【００４０】しかしながら、図４に示すように、修正箇
所６Ａにデータ信号線２が存在する場合には、ゲート信
号線１とデータ信号線２との間の絶縁膜７が破壊されて
ゲート信号線１とデータ信号線２との短絡が生じるおそ
れがある。但し、この図４においては、説明を簡単にす
るためにゲート信号線１と付加容量配線１１との間に短
絡部５を図示し、さらに、図の左側の画素電極３を省略
してある。

【００４１】このようなゲート信号線１とデータ信号線
２との短絡が生じた場合には、そのデータ信号線２を修
正箇所６Ａの両側の部分６Ｂ、６Ｂで切断する。これに
より、ゲート信号線１とデータ信号線２との短絡が他画
素に影響を与えるのを防ぐことができる。そして、その
切断部６Ｂ、６Ｂの両側（修正箇所６Ａよりも上の切断
部６Ｂの上側部分と修正箇所６Ａよりも下の切断部６Ｂ
の下側部分）を図示しない冗長配線等により接続するこ
とにより、切断部６Ｂよりも先の画素に信号が供給され
る。

【００４２】本実施形態では、ＹＡＧレーザを用いてエ
ネルギー密度を約２０ｍＪ／ｃｍ²〜２５ｍＪ／ｃｍ²、
パルス幅を約８ｎｓ〜１０ｎｓとして照射を行うことに
より、ゲート信号線１の短絡部の除去やデータ信号線２
の切断等を行い、Ｔａ、Ａｌ又はＴｉ等からなる冗長配
線を設けてデータ信号線２の切断部６Ｂの両側を接続し
た。

【００４３】さらに、この修正後、層間絶縁膜７の形成
前に、修正部の抵抗測定を行って修正状態を管理するこ
とにより、さらに修正を確実にすることができる。

【００４４】本実施形態のアクティブマトリクス基板の
製造において、レーザ照射による修正及び修正部の抵抗
測定は、例えば、図５に示すような装置を用いて行うこ
とができる。

【００４５】この図５において、１１はＹＡＧレーザ発
振器、１２は波長変換素子、１３はエネルギー減衰フィ
ルタである。１４はハーフミラー、１５及び１６はレー
ザ光の照射スポットを写すための光源及びＣＣＤカメ
ラ、１７はレーザ光の照射領域を制御するための電動ス
リット、１８は照射されたレーザ光の強度を検出するパ
ワー検出器、１９は照射されたレーザ光を拡大又は縮小
するための集光レンズである。２０は被検査基板、２１
は被検査基板を照らすためのバックライト、２２は互い
に直交する２方向への移動が可能なＸＹステージであ
る。２３はインターフェイス、２４は制御部、２５は外
部コントローラ、２６はモニタである。

【００４６】上記ＹＡＧレーザ発振器１１は修正基板を
搭載したＸＹステージ２２の上に配置され、ＹＡＧレー
ザ発振器１１から発振された１０６０ｎｍ（ＹＡＧレー
ザの基本波長）のレーザ光は、波長変換素子１２を介し
て変換され、エネルギー減衰フィルター１３によってそ
の強度が調節される。

【００４７】そしてエネルギー減衰フィルター１３を通
ったレーザ光は、ハーフミラー１４、電動スリット１７
及び集光レンズ１９によりＸＹステージ上の被検査基板
２０に照射される。

【００４８】上記ＹＡＧレーザ発振器１１、波長変換素
子１２、エネルギー減衰フィルター１３、光源１５、Ｃ
ＣＤカメラ１６、電動スリット１７、パワー検出器１
８、集光レンズ１９及びＸＹステージ２２は、インター
フェイス２３を介してＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭを備えた
制御部２４に接続されている。これらは外部コントロー
ラ２５の命令を受けて動作し、ＣＣＤカメラ１６が撮像
した修正部分の様子はモニタ２６に映し出されるように
なっている。

【００４９】さらに、この装置は、ＸＹステージ２２に
取り付けられた第１の抵抗測定用プローブ２８と、レー
ザのフォーカス位置を制御するステージに設けられた第
２の抵抗測定用プローブ２７とを備え、これらは抵抗測
定器２９に接続されている。

【００５０】例えば、図２及び図３に示したようなゲー
ト信号線１同士の短絡５や図４に示したようなゲート信
号線１とデータ信号線２との短絡６Ａ等が生じている場
合、上記図５に示した装置を用いた修正及び修正部は以
下のようにして行うことができる。

【００５１】まず、アクティブマトリクス基板の製造工
程において、ゲート信号線、データ信号線及びＴＦＴ等
が形成され、層間絶縁膜が形成される前の状態で、画像
処理や抵抗検査等によって短絡欠陥が検出された基板を
搬送手段によって装置にセットする。ここで、欠陥部分
の位置が予め分かっている場合には、ＸＹステージ２２
を制御してレーザ照射領域をその欠陥部分におおまかに
合わせておく。

【００５２】次に、モニタ２６を観察しながら外部コン
トローラ２５によってＸＹステージ２２や電動スリット
１７及び集光レンズ１９等を制御してレーザの照射領域
を微調整し、レーザ照射を行ってゲート信号線間の短絡
部５を除去する。また、ゲート信号線１とデータ信号線
２との間の絶縁膜９の破壊等により両信号線の短絡が発
生した場合には、レーザ照射を行ってデータ信号線２を
短絡部の両側６Ｂで切断し、その両側を冗長配線等によ
り接続する。

【００５３】続いて、第１の抵抗測定用プローブ２８を
基板のショートリングにコンタクトし、第２の抵抗測定
用プローブ２７を修正箇所よりも先（修正箇所に対して
ショートリングとは反対側）のゲート信号線部分にコン
タクトすることによりゲート信号線間の抵抗を測定して
短絡部の修正状況を確認することができる。

【００５４】そして、第１の抵抗測定用プローブ２８を
基板のショートリングにコンタクトし、第２の抵抗測定
用プローブ２７を修正箇所よりも先（修正箇所に対して
ショートリングとは反対側）のデータ信号線部分にコン
タクトすることによりデータ信号線の抵抗を測定して切
断状況又は冗長配線による接続状況を確認することがで
きる。

【００５５】具体的には、図６に示すように、複数のゲ
ート信号線１とデータ信号線２とが互いに交差して設け
られているアクティブマトリクス基板において、測定目
的に応じて、ゲート信号線１の奇数列に設けられた奇数
共通検査パット８１、偶数列に設けられた偶数共通検査
パット８２、データ信号線２に設けられたデータ信号線
共通検査パット８３を第１の抵抗測定用プローブ２８に
コンタクトする。

【００５６】そして、修正部６Ｃに対応するゲート信号
線検査パット８４、８５又はデータ信号線検査パット８
６、８７をレーザ修正用モニタ２６で確認した上で第２
の抵抗測定用プローブ２７にコンタクトしてゲート信号
線間の抵抗又はデータ信号線の抵抗を測定する。

【００５７】ここで、奇数共通検査パット８１とゲート
信号線検査パット８４との間の抵抗値、又は偶数共通検
査パット８２とゲート信号線検査パット８５との間の抵
抗値を測定すれば、８４と８５に対応するゲート信号線
間の抵抗が測定できるので短絡部の修正状態を確認する
ことができる。

【００５８】さらに、データ信号線検査パット８６又は
８７とデータ信号線共通検査パット８３との間の抵抗値
を測定すれば、８６又は８７に対応するデータ信号線の
抵抗が測定できるので切断状況又は冗長配線による接続
状況を確認することができる。

【００５９】尚、上記実施形態ではゲート信号線同士が
短絡した場合について説明しているが、データ信号線同
士が短絡した場合についても層間絶縁膜の形成前に同様
の修正を行ってアクティブマトリクス基板を作製するこ
とができる。

【００６０】さらに、図４に示したような付加容量配線
を設けたアクティブマトリクス基板の製造においては、
付加容量配線とゲート信号線との短絡や付加容量配線と
データ信号線との短絡が生じた場合にも同様の修正を行
ってアクティブマトリクス基板を作製することができ
る。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、層間絶縁膜の形成前にゲート信号線間又はデータ
信号線間の短絡部にレーザ照射を行ってその一部を除去
し、後工程で除去部上にも層間絶縁膜を形成することに
より、従来生じていたパターンの破損を防ぐことがで
き、欠陥が再発しないようにすることができるので、修
正の信頼性を向上させることができる。特に、反射型液
晶表示装置においては、アクティブマトリクス基板の画
素電極としてＡｌ等の金属薄膜を利用するため、下層又
は対向電極との短絡が発生しやすいが、これらを防止す
ることができるので非常に有効である。さらに、画素部
の凹凸を少なくすることができるので、液晶の配向不良
を低減することができる。

【００６２】本発明の請求項２による場合には、層間絶
縁膜の形成前にゲート信号線とデータ信号線との短絡を
修正し、後工程で修正部の上にも層間絶縁膜を形成する
ことにより、従来生じていたパターンの破損を防ぐこと
ができ、欠陥が再発しないようにすることができるの
で、修正の信頼性を向上させることができる。また、画
素部の凹凸を少なくすることができるので、液晶の配向
不良を低減することができる。さらに、ゲート信号線間
の短絡部の上方にデータ信号線が存在する場合又はデー
タ信号線間の短絡部の上方にゲート信号線が存在する場
合、レーザ照射により短絡部を除去するとゲート信号線
とデータ信号線との間の絶縁膜が破壊されてゲート信号
線とデータ信号線との短絡が生じることがあるが、この
短絡についても修正可能である。従って、修正適用範囲
を拡大させてアクティブマトリクス基板の製造における
歩留りをより一層向上させることができる。

【００６３】さらに、本発明のアクティブマトリクス基
板の製造装置による場合には、修正直後に修正部の抵抗
測定を行って修正が充分であるか否かを確認することが
可能となるので、不良品を後工程に流さないようにして
製造ロスを最低限に抑えることができ、大幅なコストダ
ウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により製造されるアクティブマトリクス
基板の一例を示す断面図である。

【図２】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の製造方法を説明するための断面図である。

【図３】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の製造方法を説明するための断面図である。

【図４】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の製造方法を説明するための平面図である。

【図５】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の製造装置を示す模式図である。

【図６】本発明の一実施形態であるアクティブマトリク
ス基板の製造装置を示す模式図である。

【図７】従来のアクティブマトリクス基板の欠陥修正方
法を説明するための断面図である。

【図８】他の従来のアクティブマトリクス基板の断面図
である。

【図９】他の従来のアクティブマトリクス基板の欠陥修
正方法を説明するための断面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ’線における断面図である。

【符号の説明】

１ ゲート信号線 ２ データ信号線 ３ 画素電極 ４ ＴＦＴ ５ 短絡部 ６ レーザによる除去部 ７ 層間絶縁膜 ８ ガラス基板 ９ ゲート信号線とデータ信号線との間の絶縁膜 １０ 保護膜 １１ ＹＡＧレーザ発振器 １２ 波長変換素子 １３ エネルギー減衰フィルタ １４ ハーフミラー １５ 光源 １６ ＣＣＤカメラ １７ 電動スリット １８ パワー検出既 １９ 集光レンズ ２０ 被検査基板 ２１ バックライト ２２ ＸＹステージ ２３ インターフェース ２４ 制御部 ２５ 外部コントローラ ２６ モニタ ２７ 第１の抵抗測定プローブ ２８ 第２の抵抗測定プローブ ２９ 抵抗測定器

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の走査配線及び複数の信号配線が絶
   縁膜を介して互いに交差するように設けられ、両配線の
   交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配
   線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように設
   けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアク
   ティブマトリクス基板を製造する方法であって、 該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を形成
   する工程と、 該走査配線間又は該信号配線間に短絡が生じている場合
   に、レーザ照射により短絡部を除去する工程と、 レーザ照射による除去部、該走査配線、該信号配線及び
   該スイッチング素子を覆うように該層間絶縁膜を形成す
   る工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法。
2. 【請求項２】 複数の走査配線及び複数の信号配線が絶
   縁膜を介して互いに交差するように設けられ、両配線の
   交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、該走査配
   線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うように設
   けられた層間絶縁膜上に画素電極が設けられているアク
   ティブマトリクス基板を製造する方法であって、 該走査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を形成
   する工程と、 該走査配線と該信号配線との間に短絡が生じている場合
   に、レーザ照射により短絡部の両側で該走査配線又は該
   信号配線を切断する工程と、 切断された配線の切断部の両側部分を冗長配線により接
   続する工程と、 レーザ照射による切断部、冗長配線による接続部、該走
   査配線、該信号配線及び該スイッチング素子を覆うよう
   に該層間絶縁膜を形成する工程とを含むアクティブマト
   リクス基板の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のアクティ
   ブマトリクス基板の製造方法に用いられる製造装置であ
   って、 基板を搭載するＸＹステージと、 該ステージ上方部に配置されたレーザ加工手段と、 該レーザ加工手段から発振されたレーザ光の照射領域を
   制御する制御手段と、 該制御手段を通過したレーザ光を拡大又は縮小するため
   の集光手段とを備え、 さらに、前記レーザ照射による除去部、前記レーザ照射
   による切断部又は前記冗長配線による接続部に対して抵
   抗測定を行うべく、測定部の両端に配される第１及び第
   ２の抵抗測定用プローブを備えているアクティブマトリ
   クス基板の製造装置。
4. 【請求項４】 前記第１及び第２の抵抗測定用プローブ
   の一方が前記ＸＹステージに固定され、他方が前記レー
   ザ光の照射領域に応じて移動可能とされている請求項３
   に記載のアクティブマトリクス基板の製造装置。
5. 【請求項５】 レーザ光の照射部を観察するための観察
   手段をさらに備え、該観察手段により前記第２のプロー
   ブの位置確認を行うようになっている請求項４に記載の
   アクティブマトリクス基板の製造装置。