CN110109303A - 一种阵列基板及其缺陷修补方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种阵列基板及其缺陷修补方法，该阵列基板包括显示区、扇出区及绑定区，扇出区内间隔的设有从显示区内引出的扇出线，扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由金属引线连接至绑定区的端子上；获取扇出区内的扇出线的第一缺陷部的位置信息，并获取第一缺陷部所对应的扇出线；再获取第一缺陷部所对应的扇出线与金属引线之间的第二缺陷部的位置信息，并对第二缺陷部进行镭射熔接，使扇出线与金属引线实现电连接；之后对第一缺陷部存在的金属残留进行镭射切割，使相邻扇出线之间相互绝缘。本申请通过对阵列基板缺陷修补方法的改善，从而解决暗线/区块线等不良现象。

Description

一种阵列基板及其缺陷修补方法
技术领域
本申请涉及阵列基板领域，尤其涉及一种阵列基板及其缺陷修补方法。
背景技术
HVA配向是液晶显示器工艺制程中一个很重要的过程，其主要作用是给成盒后的TFT LCD中的液晶分子一个预倾角，让显示面板工作时液晶分子能更快地转动，以提高面板的响应速度。
主流HVA型液晶显示面板的设计下，为了降低阻抗一般将扇出区(fanout)第一金属层的线路转接至第二金属层再与绑定区端子连接。针对扇出区金属膜残留异常而造成的扇出区线路短路，一般现有的修补手法只针对扇出区线路金属残留部分做镭射切割，而没有注意到因为线路短路造成大电流，会同时把扇出区线路与第二金属层转接的转接孔烧伤，使转接孔处金属断开或接触不良导致信号传输中断，从而在HVA配向时造成配向暗纹，点灯时显示为暗线/区块线。
因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及其缺陷修补方法，以解决液晶显示面板在HVA配向时造成配向暗纹，点灯时显示为暗线/区块线等不良现象。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种阵列基板缺陷修补方法，包括以下步骤：
步骤S10，提供一待修补的阵列基板，包括显示区、扇出区及绑定区，所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线，所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上；
步骤S20，获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息，并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线；
步骤S30，获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息，并对所述第二缺陷部进行镭射熔接；
步骤S40，对所述第一缺陷部进行镭射切割，去除所述第一缺陷部的金属残留。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，所述第二缺陷部位于所述扇出线与所述金属引线转接的所述转接孔处，且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，对所述第二缺陷部进行镭射熔接的步骤包括：
对所述转接孔进行镭射，使位于所述转接孔内的所述金属引线呈熔融状态，实现所述扇出线与所述金属引线熔接。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，对所述转接孔进行镭射的镭射光斑的直径大于或等于所述转接孔的直径。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，所述金属残留位于相邻两所述扇出线之间的间隙位置，并且至少短路连接两所述扇出线。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，对所述第一缺陷部进行镭射切割的步骤包括：
采用镭射切除对应所述间隙位置的所述金属残留，使得所述扇出区内相邻两所述扇出线绝缘设置。
在本申请的阵列基板缺陷修补方法中，进行镭射切割的镭射光斑的直径小于等于相邻两所述扇出线之间的间隙的宽度。
为解决上述技术问题，本申请还提供一种阵列基板，包括显示区、扇出区及绑定区，所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线，所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上；
所述扇出区内还包括至少一个第一缺陷部，所述第一缺陷部位于相邻两所述扇出线之间，与所述第一缺陷部相邻的所述扇出线与所述金属引线之间存在第二缺陷部；
所述第一缺陷部经由镭射切割后形成对应所述第一缺陷部的第一修补部，所述第二缺陷部经由镭射熔接后形成对应所述第二缺陷部的第二修补部；
其中，与所述第一修补部相邻的两所述扇出线相互绝缘，对应所述第二修补部的所述扇出线与所述金属引线电性连接。
在本申请的阵列基板中，所述第二缺陷部/所述第二修补部位于所述转接孔处，且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良；所述扇出区内对应所述第一缺陷部的位置存在金属残留，并且至少短路连接两所述扇出线。
在本申请的阵列基板中，所述第一修补部的宽度小于或等于相邻两所述扇出线之间的间隙宽度。
本申请的有益效果为：相较于现有的阵列基板缺陷修补手法，本申请提供的阵列基板及其缺陷修补方法，通过对扇出区的第一缺陷部(金属残留部分)所对应的扇出线与金属引线(第二金属层)转接的转接孔进行镭射熔接，修补因扇出区线路短路引起的转接孔异常，从而保证所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间良好的电性连接；再对所述第一缺陷部进行镭射切割去除金属残留，修补所述扇出区内所述扇出线的线路异常，从而能够避免在HVA配向时造成配向暗纹，以及点灯时出现暗线/区块线等不良现象，本申请大大提高了缺陷修补的成功率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板缺陷修补方法流程图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板在缺陷修补之前的结构示意图；
图3为图2中沿A-A’线的截面图；
图4为本申请实施例提供的阵列基板在缺陷修补之后的结构示意图；
图5为图4中扇出区的第一修补部放大示意图；
图6为图4中沿A-A’线的截面图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请针对现有的阵列基板缺陷修补方法，存在液晶显示面板HVA配向时产生配向暗纹，以及点灯时产生暗线/区块线等不良现象的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请实施例提供的阵列基板缺陷修补方法流程图。所述方法包括以下步骤：
步骤S10，提供一待修补的阵列基板，包括显示区、扇出区及绑定区，所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线，所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上。
具体结合图2所示，所述阵列基板1包括：显示区10，所述显示区10内设置有阵列分布的薄膜晶体管(未标示)；绑定区30，位于所述显示区10的一侧，所述绑定区30内间隔的设置有多个端子301；扇出区20，位于所述显示区10与所述绑定区30之间，所述扇出区20内间隔的设有从所述显示区10内引出的多条扇出线201，多条所述扇出线201一端连接至所述显示区10内的电路/信号线，另一端电连接至所述绑定区30的端子301上。
为了降低所述扇出线201的阻抗，位于第一金属层的所述扇出线201在与所述端子301连接时，所述扇出线201通过转接孔40转接至位于第二金属层的金属引线202，并经由所述金属引线202电连接至所述绑定区30的所述端子301上。
在本实施例中，所述扇出线201的一部分呈曲线排布，但并不以此为限，本实施例对所述扇出线201的配线方式不做限制。
步骤S20，获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息，并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线。
其中，在所述扇出区20内的所述扇出线201上存在第一缺陷部50，所述第一缺陷部50存在的缺陷为所述扇出线201蚀刻工艺中的金属残留，从而造成所述扇出线201短路的问题。
所述第一缺陷部50(金属残留)位于相邻两所述扇出线201之间的间隙位置，并且至少短路连接两所述扇出线201。
具体地，首先获取所述扇出区20内存在的所述第一缺陷部50的位置信息，并根据所述第一缺陷部50的位置信息找到所述第一缺陷部50所对应的所述扇出线201。
具体地，获取所述第一缺陷部50所对应的所述扇出线201的方法包括：根据所述第一缺陷部50的位置信息找到与所述第一缺陷部50相邻的两所述扇出线201。
因为所述第一缺陷部50是将原本相互绝缘的两个相邻的所述扇出线201短路，因此只需找到与所述第一缺陷部50相邻的两条所述扇出线201即可。
步骤S30，获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息，并对所述第二缺陷部进行镭射熔接。
结合图3所示，所述第一缺陷部50所对应的所述扇出线201与相应的所述金属引线202之间存在第二缺陷部60，所述第二缺陷部60位于所述扇出线201与所述金属引线202转接的所述转接孔40处，且所述扇出线201与所述金属引线202在所述第二缺陷部60(所述转接孔40)断开或接触不良。
由于所述第一缺陷部50的存在，使得所述扇出线201短路时造成大电流，并且会同时把所述扇出线201与所述金属引线202进行转接的所述转接孔40烧伤，从而导致在HVA配向时产生配向暗纹，以及在点灯时产生暗线/区块线，影响面板品质。
具体地，获取所述第二缺陷部60的位置信息的步骤包括：获取所述第一缺陷部50所对应的所述扇出线201与所述金属引线202进行转接的所述转接孔40的位置信息。
其中，对应所述转接孔40处的所述扇出线201与所述金属引线202存在重叠。
具体地，对所述第二缺陷部60进行镭射熔接的步骤包括：
根据所述转接孔40的位置信息，采用激光对所述转接孔40进行镭射，控制进行镭射的镭射光斑大小以及镭射能量，使位于所述转接孔40内的金属材料(所述金属引线202)呈熔融状态，从而实现所述扇出线201与所述金属引线202熔接。
在本实施例中，对所述转接孔40进行镭射时，所述镭射光斑的直径大于或等于所述转接孔40的直径，以保证镭射熔接的可靠性。
步骤S40，对所述第一缺陷部进行镭射切割，去除所述第一缺陷部的金属残留。
具体地，对所述第一缺陷部进行镭射切割的步骤包括：
采用镭射切割所述第一缺陷部50，控制镭射光斑大小以及镭射能量，去除对应相邻两所述扇出线201之间间隙位置的所述金属残留，使得所述扇出区20内相邻两所述扇出线201绝缘设置。
在本实施例中，进行镭射切割的镭射光斑的直径小于或等于相邻两所述扇出线201之间的间隙的宽度，避免因镭射光斑过大对所述扇出线201造成损伤，或者镭射光斑过小而不能克服缺陷。
本实施例在镭射切割的修补方法上又结合了镭射熔接的修补方法，从而避免HVA配向时造成配向暗纹，以及点灯时出现暗线/区块线等不良现象，并且该修补方法简单，大大提高了缺陷修补的成功率。
本申请提供的缺陷修补方法经大量的实验验证，在同一时间段以及同一产品数量下，分别对43寸、49寸、55寸的面板采用传统方法与本申请提供的方法修补的成功率进行检测，得出以下实验数据：43寸、49寸、55寸的面板采用传统方法修补的成功率分别为28.98％、34.38％、33.45％，采用申请提供的方法修补的成功率分别为97.60％、98.75％、98.70％。并且使得暗线、区块线良率提升0.2％。
本申请还提供一种采用上述缺陷修补方法修补的阵列基板，结合图2～图6所示，所述阵列基板1包括显示区10、扇出区20及绑定区30，所述扇出区20内间隔的设有从所述显示区10内引出的扇出线201，所述扇出线201通过转接孔40连接至金属引线202并经由所述金属引线202连接至所述绑定区30的端子301上。
请参照图2和图3所示，所述扇出区20内还包括至少一个第一缺陷部50，所述第一缺陷部50位于相邻两所述扇出线201之间，两条所述扇出线201之间也可能存在多个所述第一缺陷部50。其中，所述扇出区20内对应所述第一缺陷部50的位置存在金属残留，并且至少短路连接两所述扇出线201。与所述第一缺陷部50相邻的所述扇出线201与所述金属引线202之间存在第二缺陷部60，所述第二缺陷部60位于所述转接孔40处，所述扇出线201与所述金属引线202在所述第二缺陷部60断开或接触不良。
结合图4～图6所示，所述第一缺陷部50经由镭射切割后形成第一修补部70，所述第二缺陷部60经由镭射熔接后形成第二修补部80。其中，所述第一修补部70对应所述第一缺陷部50的位置，所述第二修补部80对应所述第二缺陷部60的位置即对应所述转接孔40处。
其中，在所述扇出区20内与所述第一修补部70相邻的两所述扇出线201相互绝缘，对应所述第二修补部80的所述扇出线201与所述金属引线202电性连接。
在本实施例中，所述第一修补部70的宽度小于或等于相邻两所述扇出线201之间的间隙宽度。
如图5所示，为所述第一修补部70的放大示意图，所述第一缺陷部50经镭射切割后，将相邻两所述扇出线201断开，在图中，经镭射切割后在所述扇出线201的边缘部位形成有金属残块201’，由于镭射切割已经将相邻两所述扇出线201断开，因此，此处的所述金属残块201’并不对所述扇出线201存在影响，而且所述金属残块201’的面积是非常小的，当然通过控制镭射光斑的大小可以将金属残留完全去除，此处不做限制。
综上所述，本申请提供的阵列基板及其缺陷修补方法，通过对扇出区的第一缺陷部所对应的扇出线与金属引线转接的转接孔进行镭射熔接，修补因扇出区线路短路引起的转接孔异常，保证所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间良好的电连接；再对所述第一缺陷部进行镭射切割去除金属残留，修补所述扇出区内所述扇出线的线路异常，从而能够避免在HVA配向时造成配向暗纹，以及点灯时出现暗线/区块线等不良现象，本申请大大提高了缺陷修补的成功率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10，提供一待修补的阵列基板，包括显示区、扇出区及绑定区，所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线，所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上；
步骤S20，获取所述扇出区内的所述扇出线的第一缺陷部的位置信息，并获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线；
步骤S30，获取所述第一缺陷部所对应的所述扇出线与所述金属引线之间的第二缺陷部的位置信息，并对所述第二缺陷部进行镭射熔接；
步骤S40，对所述第一缺陷部进行镭射切割，去除所述第一缺陷部的金属残留。
2.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，所述第二缺陷部位于所述扇出线与所述金属引线转接的所述转接孔处，且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良。
3.根据权利要求2所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，对所述第二缺陷部进行镭射熔接的步骤包括：
对所述转接孔进行镭射，使位于所述转接孔内的所述金属引线呈熔融状态，实现所述扇出线与所述金属引线熔接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，对所述转接孔进行镭射的镭射光斑的直径大于或等于所述转接孔的直径。
5.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，所述金属残留位于相邻两所述扇出线之间的间隙位置，并且至少短路连接两所述扇出线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，对所述第一缺陷部进行镭射切割的步骤包括：
采用镭射切除对应所述间隙位置的所述金属残留，使得所述扇出区内相邻两所述扇出线绝缘设置。
7.根据权利要求6所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于，进行镭射切割的镭射光斑的直径小于等于相邻两所述扇出线之间的间隙的宽度。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区、扇出区及绑定区，所述扇出区内间隔的设有从所述显示区内引出的扇出线，所述扇出线通过转接孔连接至金属引线并经由所述金属引线连接至所述绑定区的端子上；
所述扇出区内还包括至少一个第一缺陷部，所述第一缺陷部位于相邻两所述扇出线之间，与所述第一缺陷部相邻的所述扇出线与所述金属引线之间存在第二缺陷部；
所述第一缺陷部经由镭射切割后形成对应所述第一缺陷部的第一修补部，所述第二缺陷部经由镭射熔接后形成对应所述第二缺陷部的第二修补部；
其中，与所述第一修补部相邻的两所述扇出线相互绝缘，对应所述第二修补部的所述扇出线与所述金属引线电性连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缺陷部/所述第二修补部位于所述转接孔处，且所述扇出线与所述金属引线在所述第二缺陷部断开或接触不良；所述扇出区内对应所述第一缺陷部的位置存在金属残留，并且至少短路连接两所述扇出线。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一修补部的宽度小于或等于相邻两所述扇出线之间的间隙宽度。
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