KR100238796B1

KR100238796B1 - 액정표시장치 및 그 액정표시장치의 제조방법

Info

Publication number: KR100238796B1
Application number: KR1019970007115A
Authority: KR
Inventors: 안병철
Original assignee: 구본준; 엘지.필립스엘시디주식회사; 론 위라하디락사
Priority date: 1997-03-04
Filing date: 1997-03-04
Publication date: 2000-01-15
Also published as: KR19980072355A

Abstract

본 발명은 투명기판 위에 게이트버스라인 115를 패터닝할 때 상기 게이트버스라인과 분리되는 슬릿형 수선용배선 102를 동시에 패터닝하여 형성한다. 상기 수선용배선 102 등이 형성된 기판의 전면에 절연막을 증착하고, 상기 절연막 위에 상기 게이트버스라인 115와 교차하는 데이터버스라인 116을 형성한다. 상기 데이터버스라인 116의 양쪽 가장자리 부분은 상기 슬릿형 수선용배선 102의 일부와 중첩된다.

상기와 같은 방법으로 수선용배선 102를 형성함으로써 수선용배선을 형성하기 위한 별도의 마스크공정을 생략할 수 있고, 상기 데이터버스라인 116의 단선 상태를 쉽게 검사할 수 있다.

또, 액정표시장치의 제조과정에서 화소전극 106이 쇼트되고, 데이터버스라인 116이 단선 되었을 때 145 부분과 160 부분에 종래보다 적은 에너지를 갖는 레이저를 조사하여 TFT나 액정 등에 손상을 입히지 않고 상기 데이터버스라인 116의 단선과 화소전극 106의 쇼트불량을 수리할 수 있다.

Description

액정표시장치 및 그 액정표시장치의 제조방법

제1도는 종래 액정표시장치의 평면도이고,

제2도, 제3도는 제1도의 단면도이고,

제4도는 화소전극이 쇼트된 종래 액정표시장치의 평면도이고,

제5도는 수선용배선이 형성된 종래 액정표시장치의 배선도이고,

제6도, 제7도, 제8도는 수선용배선이 형성된 본 발명의 액정표시장치의 평면도이고,

제9도, 제10도는 제6도의 단면도이고,

제11도, 제12a도, 제12b도는 제6도의 수선용배선을 설명하기 위한 평면도이고,

제13도는 제12b도의 단면도이고,

제14도는 제6도의 게이트버스라인의 다른 구조를 설명하기 위한 평면도이고,

제15도는 제6도의 수선용배선의 다른 구조를 설명하기 위한 평면도이고,

제16도는 제15도의 단면도이고,

제17도, 제18도는 제7도의 단면도이고,

제19도는 제7도의 수선용배선을 설명하기 위한 평면도이고,

제20도, 제21도는 제8도의 단면도이고,

제22도, 제23도는 제8도의 수선용배선을 설명하기 위한 평면도이다.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

2, 102, 102a, 102b : 수선용배선 6, 106 : 화소전극

7, 107 : TFT 10, 110 : 투명글래스기판

15, 115 : 게이트버스라인 15a, 115a : 게이트전극

16, 116 : 데이터버스라인 16a, 116a : 소스전극

16b, 116b : 드레인전극 23, 123 : 게이트절연막

26, 126 : 보호막

[발명의 목적]

[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]

본 발명은 퍼스널컴퓨터, 모빌컴퓨터(mobile computer), AV(audio visual) 등의 휴대형 정보통신기기, 게임이나 시뮬레이션기기 등에서 많이 이용되는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

더 상세히는, 액정표시장치의 제조과정에서 데이터버스라인이 단선되거나 화소전극이 쇼트되는 불량이 발생하였을 때, 상기 불량을 수리하는 수단으로 이용할 수 있는 수선용배선을 상기 액정표시장치에 형성하는 방법과 상기 수선용배선이 구비된 액정표시장치에 관한 것이다.

상기 액정표시장치의 제조과정에서 발생하는 데이터버스라인의 단선이나 화소전극의 쇼트 불량을 수리하기 위한 방법들이 관련 업체와 연구소에서 활발히 연구되고 있다.

상기 불량을 수리하는 방법에 대하여 종래에 이미 제안된 기술을 예로 들어 이하에 설명한다.

일본 특허(공개번호 : 02-254419)는 도 1, 도 2, 도 3에서와 같이 수선용배선이 구성되는 것을 제안하고 있다.

게이트버스라인 15와 데이트버스라인 16이 교차하여 형성되고, 상기 게이트버스라인 15와 상기 데이터버스라인 16으로 둘러싸인 영역안에 화소전극 6이 형성되어 있다.

또, 상기 게이트버스라인 15 및 상기 데이터버스라인 16이 교차하는 부분에 스위칭소자 역할을 하는 TFT 7이 형성되고, 상기 TFT 7에 화소전극 6이 연결되어 있다. 그리고, TFT 불량으로 인한 화소결함이나 데이터버스라인 등의 단선을 수리하기 위한 수단으로 이용되는 수선용배선 2가 데이터버스라인 16 및 게이트버스라인 15의 가장자리 부분의 일부와, 화소전극 6의 가장자리 부분의 일부와 중첩되도록 형성되어 있다.

상기 수선용배선 2가 형성된 도 1의 구조는 도 2, 도 3에 의하여 더 확실하게 설명될 것이다.

도 2는 도 1의 a-a선을 따라 절단한 단면도로써 투명글래스기판 10 위에 수선용배선 2가 형성되어 있다.

상기 수선용배선 2를 덮는 절연막 3이 형성되어 있다. 상기 절연막 3 위에는 TFT를 구성하는 게이트전극 15a, 채널층 25, 소스전극 16a, 드레인전극 16b가 형성되어 있다.

상기 드레인전극 16b에는 화소전극 6이 접촉되어 있다.

그리고, 상기 화소전극 6과 소스전극 16a 및 드레인전극 16b 등을 덮는 보호막 26이 형성되어 있다.

설명되지 않은 도면번호 23은 게이트절연막이다.

도 3은 도 1의 b-b선을 따라 절단한 단면도로써 투명글래스기판 10 위에 수선용배선 2가 형성되어 있다.

상기 수선용배선 2 위에 절연막 3과 게이트절연막 23이 형성되어 있다.

상기 게이트절연막 23 위에는 단선된 데이터버스라인 16이 형성되어 있고, 상기 데이터버스라인 16을 덮는 보호막 26이 형성되어 있다.

상기 단선된 데이터버스라인 16과 수선용배선 2는 레이저(Laser)조사 등에 의하여 형성된 연결선 50에 의하여 서로 연결되어 있다.

상기와 같이 형성되는 수선용배선 2는 별도의 금속막 등을 형성한 후 패터닝 되기 때문에 마스크공정이 추가로 필요하다.

종래의 액정표시장치의 화소전극간 쇼트와 데이터버스라인 등의 단선 불량을 수리하기 위한 또 다른 방법은 도 4, 도 5의 구조를 참고하여 설명한다.

도 4에서 데이터버스라인 16과 게이트버스라인 15가 교차하는 부분에 TFT 7이 형성되어 있고, 상기 게이트버스라인 15 및 데이터버스라인 16으로 둘러싸인 영역에 TFT와 접촉되는 화소전극 6이 형성되어 있다.

상기 화소전극 6은 인접하는 화소전극과 쇼트되어 있다.

상기와 같이 화소전극이 인접하는 화소전극과 접촉되어 있을 때 종래의 수리방법에서는 레이저를 45 부분에 조사하여 쇼트된 화소전극을 분리한다.

상기 도 4의 수리 방법은 화소전극이 투명하여 레이저를 잘 흡수하지 않기 때문에 상기 쇼트된 화소전극을 커팅하기 위해서는 높은 에너지와 고주파를 갖는 레이저가 필요하고, 상기 높은 에너지와 고주파는 TFT나 액정층 등에 손상을 입히는 또 다른 문제를 발생시킨다.

또, 도 5에서 데이터버스라인 16과 게이트버스라인 15과 매트릭스상으로 형성되어 있다. 상기 데이터버스라인 16 중 47 부분이 단선되어 있다.

상기와 같이 데이터버스라인 16이 단선되었을 때 종래의 수리방법에서는 별도의 수리배선 2를 형성하고, 상기 수리배선 2와 상기 단선된 데이터버스라인과 교차하는 46 부분을 접속하였다.

상기 도 5의 수리 방법에 대한 문제점은 수선용배선이 길어서 저항이 커지고, 상기 수선용배선과 각 라인의 교차부 특히, 게이트버스라인과 교차하는 부분에서 기생용량이 발생하기 때문에 신호지연이 커진다.

따라서 액정표시장치가 대면적화 될수록 신호지연은 더 커지고, 화질이 떨어지는 문제점이 발생한다.

[발명의 구성 및 작용]

상기와 같은 문제점을 개선하기 위한 본 발명은 수선용배선을 효율적으로 형성하여 액정표시장치의 수율을 향상시키는데 목적이 있다.

본 발명은 다른 목적은 수선용배선을 효율적으로 형성하여 신호지연을 방지하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 종래보다 적은 에너지의 레이저를 조사하여 액정표시장치를 수리함으로써 액정표시장치의 스위칭소자와 액정 등이 손상되지 않도록 하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는 도 6과 같이 투명글래스기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116이 구비된다. 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116이 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116에 연결되는 스위칭소자인 TFT 107이 구비된다. 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116으로 둘러싸인 영역에 상기 TFT 107과 연결되는 화소전극 106이 구비된다. 상기 데이터버스라인 116 근방에 2개의 고립된 슬릿형 수선용배선 102가 구비된다. 상기 슬릿형 수선용배선 102는 상기 게이트버스라인 115과 동일층에 형성되고, 상기 데이터버스라인 116의 가장자리 부분과 절연막을 개재하여 일부가 중첩되어 있다.

상기 도 6과 같은 구조의 액정표시장치를 제조하는 과정은 투명글래스기판 위에 게이트버스라인, 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 및 상기 고립되는 슬릿형 수선용배선을 동시에 형성하는 공정, 상기 게이트버스라인 및 게이트전극, 고립되는 상기 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 공정, 상기 게이트전극 부분의 상기 절연막 위에 섬모양으로 채널층을 형성하는 공정, 상기 절연막과 상기 채널층이 형성된 기판 위에 상기 게이트버스라인과 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선의 가장자리 부분과 중첩되고, 중앙부분이 상기 슬릿형 수선용배선과 중첩되지 않는 데이터버스라인을 형성하고, 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스, 드레인전극을 상기 섬모양의 채널층에 형성하는 공정, 상기 데이터버스라인 및 소스, 드레인전극이 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 구조는 도 7과 같이 투명글래스기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116이 구비된다.

상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116에 연결되는 스위칭소자인 TFT 107이 구비된다. 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116으로 둘러싸인 영역에 상기 TFT 107과 연결되는 화소전극 106이 구비된다. 상기 데이터버스라인 116 근방에 2개의 고립된 슬릿형 수선용배선 102가 구비된다. 상기 슬릿형 수선용배선 102는 상기 데이터버스라인 116과 동일층에 상기 데이터버스라인 116과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인 116의 양쪽에 평행하게 배치되고, 상기 데이터버스라인 116 및 슬릿형 수선용배선 102 층과 상기 화소전극 106 층 사이에는 보호막이 개재되어 있다.

상기 도 7과 같은 구조의 액정표시장치를 제조하는 과정은 투명글래스기판 위에 게이트버스라인, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극을 형성하는 공정, 상기 게이트버스라인 및 게이트전극이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 공정, 상기 절연막 위에 채널층과 2개의 슬릿형 수선용배선을 동시에 형성하는 공정, 상기 절연막 위에 상기 게이트버스라인과 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선 사이에 위치하는 데이터버스라인과, 상기 채널층 위에 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스·드레인전극을 형성하는 공정, 상기 데이터버스라인 및 소스·드레인전극, 상기 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정, 상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함한다.

상기 채널층과 동시에 형성되는 슬릿형 수선용배선은 별도의 공정으로 금속막 등을 이용하여 형성할 수 있고, 상기 데이터버스라인을 형성할 때 상기 데이터버스라인과 동시에 형성할 수 있다.

본 발명의 목적을 달성하는 또 다른 구조는 도 8과 같이 투명글래스기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116이 구비된다.

상기 데이트버스라인 115와 상기 데이터버스라인 116의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116에 연결되는 스위칭소자인 TFT 107이 구비된다. 상기 게이트버스라인 115와 데이터버스라인 116으로 둘러싸인 영역에 상기 TFT 107과 연결되는 화소전극 106이 구비된다. 상기 데이터버스라인 116 근방에 2개의 고립된 슬릿형 수선용배선 102a, 102b가 구비된다. 상기 슬릿형 수선용배선 102a는 상기 게이트버스라인 115와 동일층에 형성되며 상기 데이터버스라인 116의 가장자리 부분과는 절연막을 개재하여 일부가 중첩되고, 상기 슬릿형 수선용배선 102b는 상기 데이터버스라인 116과 동일층에 상기 데이터버스라인 116과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인 116의 양쪽에 배치되도록 형성되며 상기 화소전극 106과는 보호막을 개재하여 일부가 중첩되어 있다.

상기 도 8과 같은 구조의 액정표시장치를 제조하는 과정은 투명글래스기판 위에 게이트버스라인, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 및 고립된 제1의 슬릿형 수선용배선을 동시에 형성하는 공정.

상기 게이트버스라인 및 상기 슬릿형 수선용배선 102a가 형성된 기판위에 절연막을 형성하는 공정.

상기 절연막 위에 채널층과 슬릿형 수선용배선 102b를 동시에 형성하는 공정.

상기 절연막 위에 상기 게이트버스라인과 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선 102a의 가장자리 부분과 중첩되고, 상기 수선용배선 102b와 일정한 간격을 두는 데이터버스라인과, 상기 채널층 위에 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스ㆍ드레인전극을 형성하는 공정.

상기 게이터버스라인 및 소스ㆍ드레인전극, 상기 슬릿형 수선용배선 102b가 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정.

상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정을 포함한다.

상기 채널층과 동시에 형성되는 슬릿형 수선용배선 102b는 별도의 공정으로 금속막 등을 이용하여 형성할 수 있고, 상기 데이터버스라인을 형성할 때 상기 데이터버스라인과 동시에 형성할 수 있다.

상기와 같은 구조와 공정을 갖는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 실시예에서 상세히 설명한다.

[실시예 1]

상기 도 6과 같은 구조의 액정표시장치의 제조과정은 도 9(도 6의 a-a선을 따라 절단한 단면도) 및 도 10(도 6의 b-b선을 따라 절단한 단면도)을 참고하여 설명한다.

먼저, 투명글래스기판 110 위에 Al, Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 게이트버스라인 115, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 115a, 상기 게이트버스라인 115와 분리된 슬릿형 수선용배선 102를 동시에 형성한다.

이어서 상기 게이트버스라인 115 및 게이트전극 115a, 상기 슬릿형 수선용배선 102가 형성된 기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기막물로 된 게이트절연막 123과 a-Si층으로 된 반도체층, 불순물이 도핑된 반도체층을 연속하여 증착한 후 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 게이트전극 115a 부분에 섬모양으로 채널층 125를 형성한다.

상기 채널층 125가 형성된 기판 위에 Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 상기 게이트버스라인 115와 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선 102의 가장자리 부분과 중첩되고, 중앙 부분이 상기 슬릿형 수선용배선 102와 중첩되지 않는 데이터버스라인 116을 형성하고, 상기 데이터버스라인 116에서 분기하는 소스전극 116a와 드레인전극 116b를 상기 섬모양의 채널층 125위에 형성한다.

이어서 상기 상기 데이터버스라인 116 및 소스전극 116a, 드레인전극 116b가 형성된 기판 위에 유기절연막이나 무기절연막 등으로 된 보호막 126을 형성한다.

이어서 상기 드레인전극 116b 부분의 보호막 126에 콘택홀을 형성하고, 상기 보호막 126위에 ITO(Indium Tin Oxide)막을 증착한 후 패터닝하여 화소전극 106을 형성한다.

상기 슬릿형 수선용배선 102는 도 11과 같이 게이트버스라인 115와 쇼트되지 않도록 a는 20㎛이상, 화소전극 106과 중첩되지 않도록 b는 2㎛이상, 상기 데이터버스라인의 가장자리 부분과 중첩되는 부분 d는 3㎛, e는 4㎛, c는 1㎛의 간격을 유지하도록 형성한다.

상기와 같이 슬릿형 수선용배선 102를 형성함으로써 상기 기판의 전면에 빛 을 조사하고 배면에서 상기 데이터버스라인의 단선을 검사할 때 상기 데이터버스라인의 중앙부분 즉, 도 11의 e 부분에서 빛의 누설을 관찰하여 상기 데이터라인의 단선을 쉽게 검사할 수 있다.

또 상기 수선용배선은 게이트버스라인과 동시에 형성되기 때문에 상기 수선용배선을 형성하기 위하여 별도의 마스크 공정을 진행할 필요가 없다.

또한, 화소전극 106이 쇼트 되었을때 불투명한 슬릿형 수선용배선의 c부분에 종래보다 적은 에너지의 저주파 레이저를 조사하여 쇼트된 화소전극을 분리할 수 있기 때문에 TFT나 액정 등에 손상을 입히지 않고 액정표시장치를 수리할 수 있다.

도 12a는 상기 액정표시장치의 제조과정에서 화소전극 106이 쇼트된 상태를 나타내고 있다.

도 12b는 상기 액정표시장치의 제조과정에서 데이터버스라인 116이 단선된 상태를 나타내고 있다.

상기 도 12a와 같이 인접한 화소전극 106이 쇼트 되었을 때 145 부분에 레이저를 조사하여 쇼트된 화소전극 106을 분리시킨다. 상기 145 부분에 레이저를 조사함으로써 하층에 불투명한 슬릿형 수선용배선 102가 상기 레이저의 에너지를 흡수한다.

따라서 종래에 비하여 적은 에너지와 저주파를 갖는 레이저를 조사하여도 쉽게 쇼트된 화소전극을 분리시킬 수 있다.

또, 도 12b와 같이 데이터버스라인 116이 단선 되었을 때 160 부분에 레이저를 조사하여 도 13(도 12b의 a-a선을 따라 절단한 단면도)과 같이 단선된 데이터버스라인 116과 슬릿형 수선용배선 102가 서로 연걸되도록 상기 데이터버스라인을 용융시켜 연결선 150을 형성한다.

상기와 같이 슬릿형 수선용배선 102는 단선된 부분에서 직접 데이터버스라인을 연결시켜주기 때문에 종래 도 5의 구조에서 처럼 수선용배선에 의한 신호지연이 발생하지 않는다.

[실시예 2]

실시예 1과 동일한 액정표시장치의 제조방법에서 상기 게이트버스라인 115는 도 14와 같이 Al 등으로 된 제1금속층 300과 Cr, Mo, Ta, W등의 선택되는 어느 하나의 금속으로 된 제2금속층을 투명글래스기판 110위에 적층하여 형성하고, 상기 게이트전극 115a, 상기 슬릿형 수선용배선 102는 상기 제2금속층으로 동시에 형성한다.

상기와 같이 게이트버스라인 115를 Cr, Mo, Ta, W등의 제2금속보다 상대적으로 낮은 저항을 갖는 제1금속의 Al금속을 하층에 형성함으로써 Al 금속만으로 게이트버스라인 등을 형성하였을 때의 문제점 즉, 힐락(hillock)발생으로 인하여 라인이 서로 쇼트되는 것을 방지할 수 있으며, 게이트버스라인 115의 저항을 줄일 수 있다.

데이터버스라인의 단선과 화소전극의 쇼트 불량의 수리방법은 실시예 1에서와 동일하다.

[실시예 3]

실시예 1과 동일한 액정표시장치의 제조방법에서 상기 투명글래스기판 110 위에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선 102는 도 15, 도 16과 같이 상기 데이터버스라인 116과 중첩되는 양 끝 부분에 섬모양으로 힐락이 발생되는 Al금속 330이 형성된다.

상기와 같이 슬릿형 수선용배선 102 위에 섬모양으로 Al금속 330이 형성되면 상기 데이터버스라인 116이 129 부분에서 단선 되었을 때 160 부분에 레이저 등으로 300~400℃열을 가하면 Al금속 330에서 힐락이 발생하기 때문에 상기 힐락이 단선된 데이터버스라인 116과 슬릿형 수선용배선 102를 서로 연결시켜주는 연결선 150 역할을 하게 된다.

상기와 같이 슬릿형 수선용배선 102를 형성하면 Al금속이 상기 슬릿형 수선용배선을 구성하는 Cr, Mo, Ta, W등의 금속보다 용융점이 낮기 때문에 실시예 1, 실시예 2에서 보다 더 적은 에너지를 갖는 레이저를 조사하여도 상기 데이터버스라인의 단선불량의 수리가 가능하다.

상기 화소전극 106이 쇼트되었을 때의 수리방법은 실시예 1에서와 동일하다.

[실시예 4]

상기 도 7과 같은 구조의 액정표시장치의 제조과정은 도 17(도 7의 a-a선을 따라 절단한 단면도) 및 도 18(도 7의 b-b선을 따라 절단한 단면도)을 참고하여 설명한다.

먼저, 투명글래스기판 110위에 Al, Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 게이트버스라인 115와 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 115a를 형성한다.

이어서 상기 게이트버스라인 115 및 게이트전극 115a가 형성된 기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기막으로 된 게이트절연막 123과 a-Si층으로 된 반도체층, 불순물이 도핑된 반도체층을 연속하여 증착한 후 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 게이트전극 115a 부분에 섬모양으로 채널층 125를 형성한다.

상기 게이트절연막 123과, 채널층 125가 형성된 기판 위에 Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 상기 게이트버스라인 115와 교차하는 상기 데이터버스라인 116과, 상기 채널층위에 상기 데이터버스라인 116에서 분기하는 소스전극 116a, 드레인전극 116b를 형성한다.

상기 게이트절연막 123 위에 상기 데이터버스라인 116과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인 116의 양쪽에 평행하게 배치되는 슬릿형 수선용배선 102를 형성한다.

상기 슬릿형 수선용배선 102는 상기 채널층 125를 형성할 때 동시에 패터닝하여 상기 채널층을 구성하는 물질, 즉 a-Si으로 된 반도체층으로 형성할 수 있다.

또, 상기 슬릿형 수선용배선 102는 상기 데이터버스라인 116을 팰터닝할 때 동시에 패터닝하여 Cr, Ta, Mo, W 등의 금속으로 형성할 수 있다.

이어서 상기 데이터버스라인 116 및 소스전극, 드레인전극, 슬릿형 수선용배선 102가 형성된 기판 위에 유기절연막이나 무기절연막 등으로 된 보호막 126을 형성한다.

이어서 상기 드레인전극 116b 부분의 보호막 126에 콘택홀을 형성하고, 상기 보호막 126 위에 ITO(Indium Tin Oxide)막을 증착한 후 패터닝하여 화소전극 106을 형성한다.

상기 슬릿형 수선용배선 102가 a-Si등의 반도체층으로 형성될 때, 상기 화소전극은 도 7과 같이 상기 슬릿형 수선용배선 102와 일부가 중첩되더라도 상기 수선용배선이 투명하기 때문에 개구율에는 영향을 미치지 않는다.

상기 슬릿형 수선용배선 102는 데이터버스라인 116 또는, 채널층 125와 동시에 형성되면 상기 수선용배선을 형성하기 위하여 별도의 마스크 공정을 진행할 필요가 없다.

또, 도 19와 같이 화소전극 106이 쇼트 되었을 때 상기 슬릿형 수선용배선 102의 145 부분에 종래의 도 4에 비하여 적은 에너지와 저주파를 갖는 레이저를 조사하여 쇼트된 화소전극을 분리할 수 있기 때문에 TFT나 액정 등에 손상을 입히지 않고 액정표시장치를 수리할 수 있다.

상기 a-Si으로 된 슬릿형 수선용배선은 145 부분에 레이저를 조사하면 가시광영역을 잘 흡수하기 때문에 불투명한 금속으로 된 수선용배선을 이용하여 쇼트된 부분을 분리할 때와 거의 같은 효과를 얻을 수 있다.

[실시예 5]

상기 도 8과 같은 구조의 액정표시장치의 제조과정은 도 20(도 8의 a-a선을 따라 절단한 단면도) 및 도 21(도 8의 b-b선을 따라 절단한 단면도)을 참고하여 설명한다.

먼저, 투명글래스기판 110 위에 Al, Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 게이트버스라인 115, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 115a, 상기 게이트버스라인 115와 분리된 슬릿형 수선용배선 102a를 동시에 형성한다.

이어서 상기 게이트버스라인 115 및 게이트전극 115a, 상기 슬릿형 수선용배선 102a가 형성된 기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기막으로 된 게이트절연막 123과 a-Si층으로 된 반도체층, 불순물이 도핑된 반도체층을 연속하여 증착한 후 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 게이트전극 115a 부분에 섬모양으로 채널층 125를 형성한다.

상기 게이트절연막 123과 채널층 125가 형성된 기판 위에 Cr, Mo, Ta, W 등의 금속 중 어느 하나를 증착하고, 상기 금속을 패터닝하여 상기 게이트버스라인 115와 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선 102a의 가장자리 부분과 중첩되는 데이터버스라인 116을 형성하고, 상기 데이터버스라인 116에서 분기하는 소스전극 116a와 드레인전극 116b를 상기 섬모양의 채널층 125 위에 형성한다.

이어서 상기 게이트절연막 123 위에 상기 데이터버스라인 116과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인 116과 평행하게 배치되도록 금속이나, a-Si 등으로 된 슬릿형 수선용배선 102를 형성한다.

평면상에서 보았을 때 상기 슬릿형 수선용배선 102a는 상기 데이터버스라인 116과 일부가 중첩되고, 평행하다. 또한 상기 슬릿형 수선용배선 102b는 상기 슬릿형 수선용배선 102a가 형성되지 않은 쪽에 상기 데이터버스라인 116과 일정한 간격을 두고 평행하게 배치된다.

상기 슬릿형 수선용배선 102a는 도 22와 같이 게이트버스라인 115와 쇼트가 발생하지 않도록 a는 20㎛이상, 화소전극 106과 중첩되지 않도록 b는 2㎛이상, 상기 데이터버스라인과 중첩되지 않는 폭 c는 1㎛, 상기 데이터버스라인의 가장자리 부분과 중첩되는 부분 d는 3㎛의 간격을 유지하도록 형성한다.

상기 슬릿형 수선용배선 102b는 상기 데이터버스라인 116과 쇼트되지 않도록 e의 폭을 2㎛이상 유지하도록 형성한다.

특히, 슬릿형 수선용배선 102b는 상기 채널층 125를 형성할 때 동시에 패터닝하여 상기 채널층을 구성하는 물질 즉, a-Si으로 된 반도체층으로 형성할 수 있다.

또, 상기 슬릿형 수선용배선 102b는 상기 데이터버스라인 116을 팰터닝할 때 동시에 패터닝하여 Cr, Ta, Mo, W 등의 금속으로 형성할 수 있다.

이어서 상기 데이터버스라인 116 및 소스전극116a, 드레인전극116b, 상기 슬릿형 수선용배선 102b가 형성된 기판 위에 유기절연막이나 무기절연막 등으로 된 보호막 126을 형성한다.

상기와 같이 액정표시장치에 슬릿형 수선용배선 102a, 102b를 형성함으로써 상기 데이터버스라인 116의 단선이나, 상기 화소전극 106의 쇼트불량을 효율적으로 수리할 수 있다.

도 23은 본 실시예 5에 따라 액정표시장치를 제조하는 과정에서 데이터버스라인이 단선되고 화소전극이 쇼트되어 있는 상태를 나타내는 도면이다.

상기 도 23에 구성된 슬릿형 수선용배선 102a, 102b을 이용하여 상기 데이터버스라인 116의 단선 및 화소전극 106의 쇼트불량의 수리과정 등을 설명한다.

상기 데이터버스라인 116의 단선불량의 검사는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 상기 슬릿형 수선용배선 102a와 상기 데이터버스라인 116이 중첩되지 않는 부분에서 빛의 누설을 관찰하여 검사한다.

상기 검사결과 도 23과 같이 데이터버스라인 116이 단선되었을 때 상기 단선된 데이터버스라인의 160 부분에 레이저를 조사하여 단선된 데이터버스라인 116과 슬릿형 수선용배선 102를 서로 연결시킨다. 상기 데이터버스라인이 수리된 구조는 도 13과 동일하다.

또, 상기 화소전극 106이 쇼트 되었을 때 하층의 슬릿형 수선용배선 102a, 102b가 레이저의 에너지를 흡수하도록 145 부분에 레이저를 조사하여 쇼트된 화소전극 106을 분리시킨다.

따라서 종래에 비하여 적은 에너지와 저주파를 갖는 레이저를 조사하여도 쉽게 쇼트된 화소전극을 분리시킬 수 있기 때문에 TFT나 액정 등에 손상을 입히지 않고 액정표시장치를 수리할 수 있다.

상기와 같은 특징 외에 본 실시예의 구조에서는 수선용배선이 게이트버스라인 또는 채널층, 데이터버스라인을 형성할 때 동시에 형성되기 때문에 상기 수선용배선을 형성하기 위하여 별도의 마스크 공정을 진행할 필요가 없다.

[발명의 효과]

본 발명은 투명기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 복수의 게이트버스라인과 데이터버스라인을 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 각각의 교차점 부분에 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 연결되는 스위칭소자를 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인으로 둘러싸인 영역에 상기 스위칭소자와 연결되는 화소전극을 구비하고, 상기 데이터버스라인 근방에 복수의 슬릿형 수선용배선이 구비된 액정표시장치에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 게이트버스라인과 동시에 동일층에 형성되고, 상기 데이터버스라인의 가장자리 부분과 절연막을 사이에 두고 일부가 중첩되어 형성된다.

다른 방법으로 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일층에, 상기 데이터버스라인과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인의 양쪽에 평행하게 형성된다.

또 다른 방법으로 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선 중 제1슬릿형 수선용배선은 상기 게이트버스라인과 동시에 동일층에 형성되며, 상기 데이터버스라인의 가장 자리 부분과 절연막을 사이에 두고 일부가 중첩되고, 제2슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일층에, 상기 데이터버스라인과 일정한 간격을 두고, 상기 제1슬릿형 수선용배선이 형성되지 않는 쪽에 상기 데이터버스라인과 평행하게 배치되는 것을 특징으로 한다.

상기와 같이 슬릿형 수선용배선을 형성함으로써 수선용배선을 형성하기 위한 별도의 마스크공정을 생략할 수 있고 액정표시장치의 제조수율을 향상시키는 효과가 있다.

또, 액정표시장치의 제조과정에서 도 12a, 도 12b, 도 19, 도 23과 같이 화소전극이 쇼트되고, 데이터버스라인이 단선되었을 때 슬릿형 수선용배선 부분에 적은 에너지와 저주파를 갖는 레이저를 조사하여 TFT나 액정 등에 손상을 입히지 않고 상기 데이터버스라인의 단선과 화소전극의 쇼트불량을 수리할 수 있는 효과가 있다.

또한,본 발명의 슬릿형 수선용배선은 종래의 도 5와 같이 수선용배선을 구성할 때 발생하는 신호지연이 없기 때문에 대면적 액정표시장치에 적용할 때 효과적이다.

Claims

투명기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인과 데이터버스라인을 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 연결되는 스위칭소자를 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인으로 둘러싸인 영역에 상기 스위칭소자에 연결되는 화소전극을 구비하고, 상기 데이터버스라인 근방에 적어도 1개이상의 고립된 슬릿형 수선용배선이 구비된 액정표시장치에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 게이트버스라인과 동일층에 형성되고, 상기 데이터버스라인의 가장자리 부분과 절연막을 개재하여 일부가 중첩되는 것을 포함하는 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선이 불투명 도전성물질로 된 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 게이트버스라인과 상기 슬릿형 수선용배선은 동일재료로 구성되는 액정표시장치.
제3항에 있어서, 상기 게이트버스라인과 상기 슬릿형 수선용배선은 Al, Cr, Mo, Ta, W중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 게이트버스라인은 제1금속층과 제2금속층이 적층되어 형성되고, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 제2금속층으로 형성되는 액정표시장치.
제5항에 있어서, 상기 제1금속층은 Al이고, 상기 제2금속층은 Cr, Mo, Ta, W 중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치.
제1항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 제1금속층과, 상기 제1금속층의 양쪽 끝 부분에 섬모양으로 적층되는 제2금속층으로 이루어진 액정표시장치.
제7항에 있어서, 상기 제1금속층은 Cr, Mo, Ta, W 중 선택되는 어느 하나이고, 상기 제2금속층은 Al인 액정표시장치.
투명기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인과 데이터버스라인을 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 연결되는 스위칭소자를 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인으로 둘러싸인 영역에 상기 스위칭소자에 연결되는 화소전극을 구비하고, 상기 데이터버스라인 근방에 적어도 1개 이상의 고립된 슬릿형 수선용배선이 구비된 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 다음 공정을 포함하는 액정포시장치의 제조방법.

(1) 상기 투명기판 위에 상기 게이트버스라인, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 및 상기 고립되는 슬릿형 수선용배선을 형성하는 공정.

(2) 상기 게이트버스라인 및 게이트전극, 고립되는 상기 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 공정.

(3) 상기 게이트전극 부분의 상기 절연막 위에 섬모양으로 채널층을 형성하는 공정.

(4) 상기 절연막과 상기 채널층이 형성된 기판 위에 상기 게이트버스라인과 교차하고, 상기 슬릿형 수선용배선의 가장자리 부분과 중첩되고, 중앙 부분이 상기 슬릿형 수선용배선과 중첩되지 않는 데이터버스라인을 형성하고, 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스ㆍ드레인전극을 상기 섬모양의 채널층에 형성하는 공정.
제9항에 있어서, 다음 공정이 추가되는 액정표시장치의 제조방법.

(1) 상기 데이터버스라인 및 소스ㆍ드레인전극이 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정.

(2) 상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정.
제9항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선이 불투명 도전물질로 된 액정표시장치의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 게이트버스라인과 상기 슬릿형 수선용배선이 동일 금속으로 된 액정표시장치의 제조방법.
제12항에 있어서, 상기 금속은 Al, Cr, Mo, Ta, W중 선택되는 어느 하나를 사용하는 액정표시장치의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 게이트버스라인은 제1금속층과 제2금속층이 적층되어 형성되고, 상기 슬릿형 수선용배선은 제2금속층으로 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제14항에 있어서, 상기 제1금속층은 Al이고, 상기 제2금속층은 Cr, Mo, Ta, W 중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치의 제조방법.
제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 데이터버스라인이 단선되어 있을 때, 상기 데이터버스라인과 상기 슬릿형 수선용배선이 중첩되는 부분에 레이저를 조사하여 상기 데이터버스라인의 단선부를 이어주는 공정을 추가하는 액정표시장치의 제조방법.
제9항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 화소전극이 이웃하는 화소전극과 접촉되어 있을 때, 상기 데이터버스라인과 중첩되지 않는 상기 슬릿형 수선용배선에 레이저를 조사하여 상기 화소전극을 서로 분리시켜주는 공정을 추가하는 액정표시장치의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 제1금속층과 제2금속층의 양 끝부분에 섬모양으로 적층되는 제2금속층으로 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제18항에 있어서, 상기 제1금속층은 Cr, Mo, Ta, W 중 선택되는 어느 하나이고, 상기 제2금속층은 Al인 액정표시장치의 제조방법.
제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 데이터버스라인이 단선되었을 때, 상기 데이터버스라인과 중첩된 상기 슬릿형 수선용배선의 제2금속층에 열을 가하여 상기 데이터버스라인의 단선부를 이어주는 공정을 추가하는 액정표시장치의 제조방법.
제18항 또는 제19항에 있어서, 상기 화소전극이 이웃하는 화소전극과 접촉되어 있을 때, 상기 데이터버스라인과 중첩되지 않고, 상기 제2금속층과 중첩되지 않는 상기 슬릿형 수선용배선의 제1금속층에 레이저를 조사하여 상기 화소전극을 서로 분리시켜주는 공정을 추가하는 액정표시장치의 제조방법.
투명기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인과 데이터버스라인을 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 연결되는 스위칭소자를 구비하고, 상기 스위칭소자와 연결되고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인으로 둘러싸인 영역에 화소전극을 구비하고, 상기 데이터버스라인 근방에 적어도 1개 이상의 슬릿형 수선용배선이 구비된 액정표시장치에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일층에 상기 데이터버스라인과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인의 양쪽에 배치되는 것을 포함하는 액정표시장치.
제22항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선의 일부와 상기 화소전극의 일부가 중첩되는 액정표시장치.
제22항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 a-Si으로 된 액정표시장치.
제22항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 불투명물질로 된 액정표시장치.
제22항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인의 재료와 동일한 액정표시장치.
제22항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선 중 어느 것은 상기 게이트버스라인과 동일층에 형성되며, 상기 데이터버스라인의 가장자리 부분과는 절연막을 개재하여 일부가 중첩되고, 또 다른 어느 것은 상기 데이터버스라인과 동일층에 상기 데이터버스라인과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인과 평행하게 배치되는 것을 포함하는 액정표시장치.
제27항에 있어서, 상기 데이터버스라인과 동일층에 상기 데이터버스라인과 일정한 간격을 두고, 상기 데이터버스라인과 평행하게 배치되는 슬릿형 수선용배선은 보호막을 게재하여 일부가 상기 화소전극과 중첩되는 것을 포함하는 액정표시장치.
제27항에 있어서, 상기 데이터버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일재료로 구성되고 , 상기 데이터버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 a-Si으로 구성되는 액정표시장치.
제27항에 있어서, 상기 데이터버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 Cr, Ta, Mo, W, Al중 적어도 하나 이상을 사용하는 액정표시장치.
제27항에 있어서, 상기 게이트버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 게이트버스라인과 동일재료로 구성되고, 상기 데이터버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일재료로 구성되는 액정표시장치.
제31항에 있어서, 상기 게이트버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 Cr, Ta, Mo, W, Al중 선택되는 어느 하나이고, 상기 데이터버스라인과 동일층에 형성되는 상기 슬릿형 수선용배선은 Cr, Ta, Mo, W, Al중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치.
투명기판 위에 서로 접촉되지 않고 교차하는 게이트버스라인과 데이터버스라인을 구비하고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인의 교차점 부분에는 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인에 연결되는 스위칭소자를 구비하고, 상기 스위칭소자와 연결되고, 상기 게이트버스라인과 데이터버스라인으로 둘러싸인 영역에 화소전극을 구비하고, 상기 데이터버스라인 근방에 복수개의 슬릿형 수선용배선이 구비된 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 다음 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.

(1) 상기 투명기판 위에 상기 게이트버스라인, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극을 형성하는 공정.

(2) 상기 게이트버스라인 및 게이트전극이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 공정.

(3) 상기 게이트전극 부분의 상기 절연막 위에 섬모양으로 채널층을 형성하는 공정.

(4) 상기 절연막 위에 상기 게이트버스라인과 교차하는 상기 데이터버스라인과, 상기 채널층 위에 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스ㆍ드레인전극을 형성하는 공정.

(5) 상기 절연막 위에 상기 데이터버스라인과 일정간격을 두고, 상기 데이터버스라인의 양쪽에 배치되는 상기 슬릿형 수선용배선을 형성하는 공정.

(6) 상기 데이터버스라인 및 소스ㆍ드레인전극, 상기 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정.

(7) 상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정.
제33항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 채널층과 동시에 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제34항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 a-Si으로 된 액정표시장치의 제조방법.
제33항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동시에 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제36항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동일한 재료로 된 액정표시장치의 제조방법.
제37항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선은 Cr, Ta, Mo, W 중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치의 제조방법.
제33항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬릿형 수선용배선의 일부와 상기 화소전극의 일부가 중첩되는 액정표시장치의 제조방법.
제33항에 있어서, 다음 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.

(1) 상기 투명기판 위에 상기 게이트버스라인, 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극 및 고립된 제1의 슬릿형 수선용배선을 형성하는 공정.

(2) 상기 게이트버스라인 및 상기 제1의 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 절연막을 형성하는 공정.

(3) 상기 게이트전극 부분의 상기 절연막 위에 섬모양으로 채널층을 형성하는 공정.

(4) 상기 절연막 위에 상기 게이트버스라인과 교차하고 상기 제1의 슬릿형 수선배선의 가장자리 부분과 중첩되는 상기 데이터버스라인과, 상기 채널층 위에 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스ㆍ드레인전극을 형성하는 공정.

(5) 상기 절연막 위에 상기 데이터버스라인과 일정간격을 두고 상기 데이터버스라인과 평행하게 배치되는 고립된 제2의 슬릿형 수선용배선을 형성하는 공정.

(6) 상기 데이터버스라인 및 소스ㆍ드레인전극, 상기 제2의 슬릿형 수선용배선이 형성된 기판 위에 보호막을 형성하는 공정.

(7) 상기 보호막이 형성된 기판 위에 상기 드레인전극에 연결되는 화소전극을 형성하는 공정.
제40항에 있어서, 상기 제2의 슬릿형 수선용배선은 상기 채널층과 동시에 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제41항에 있어서, 상기 제2의 슬릿형 수선용배선은 a-Si으로 된 액정표시장치의 제조방법.
제42항에 있어서, 상기 제2의 슬릿형 수선용배선은 일부가 화소전극과 중첩되는 액정표시장치의 제조방법.
제40항에 있어서, 상기 제2의 슬릿형 수선용배선은 상기 데이터버스라인과 동시에 형성되는 액정표시장치의 제조방법.
제40항에 있어서, 상기 제1의 슬릿형 수선용배선은 Cr, Mo, Ta, W, Al 중 선택되는 어느 하나인 액정표시장치의 제조방법.