KR20030018620A - 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 절연 기판,상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 다수의 배선,상기 배선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 때, 그 조사 지점을 표시하는 표지을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 표지는 상기 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 표지는 상기 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
- 투명한 절연 기판,상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선,상기 제2 신호선과 절연되어 교차하는 본선과 상기 본선에 연결되어 있는 다수의 가지선을 가지는 신호 배선,상기 제1 신호선의 양쪽에 위치하는 상기 신호 배선을 연결하고 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 다리,상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극을 포함하고, 상기 신호 배선은 상기 제1 신호선 또는 상기 제2 신호선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 지점을 표시하는 표지를 가지는박막 트랜지스터 기판.
- 제4항에서,상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
- 제4항에서,상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판,상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 나란한 유지 용량선과 상기 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는유지 용량 배선,상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 배선을 덮는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층,상기 게이트 절연막 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 상기 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막,상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제2 및 제3 접촉구를 통하여 상기 게이트선 양쪽에 위치하는 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 연결하는 다리를 포함하고,상기 유지 전극 및 상기 유지 용량선은 상기 제2 및 제3 접촉구에 인접한 부분에 레이저 조사 위치를 표시하는 표지를 가지는박막 트랜지스터 기판.
- 제7항에서,상기 데이터 배선과 같은 층으로 형성되어 있으며 상기 다리 및 상기 게이트선과 중첩하는 데이터 금속편을 더 포함하고, 상기 데이터 금속편은 상기 보호막이 가지는 제4 접촉구를 통하여 상기 다리와 연결되어 있는 박막 트랜지스터 기판.
- 제7항에서,상기 표지는 길이가 4㎛ 내지 5㎛이고, 폭이 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판,상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 나란한 유지 용량선과 상기 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선,상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 배선을 덮는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층,상기 게이트 절연막 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 소스 전극,상기 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막,상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제2 및 제3 접촉구를 통하여 상기 게이트선 양쪽에 위치하는 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 연결하는 다리를 포함하고,상기 유지 용량선과 상기 유지 전극은 상기 다리와 중첩하는 부분과 상기 화소 전극과 중첩하는 부분 사이에 위치 식별 표지를 가지는박막 트랜지스터 기판.
- 제10항에서,상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
- 제10항에서,상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
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US10/073,459 US6555876B2 (en) | 2001-08-30 | 2002-02-11 | Thin film transistor array substrate having laser illumination indicator |
JP2002083610A JP4348045B2 (ja) | 2001-08-30 | 2002-03-25 | レーザー照射標識を有する薄膜トランジスタ基板 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100878233B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
KR101100891B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함한 디스플레이장치 |
US8247816B2 (en) | 2004-11-03 | 2012-08-21 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
US9443466B2 (en) | 2013-04-22 | 2016-09-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device having repair circuit coupled to pixels of the display device |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100497095B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100918180B1 (ko) * | 2003-03-04 | 2009-09-22 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
CN1296765C (zh) * | 2003-03-18 | 2007-01-24 | 友达光电股份有限公司 | 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法 |
KR101100874B1 (ko) * | 2003-10-08 | 2012-01-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
KR100997968B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2010-12-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
CN1306557C (zh) * | 2004-07-27 | 2007-03-21 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法 |
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
CN100341155C (zh) * | 2004-11-16 | 2007-10-03 | 友达光电股份有限公司 | 象素结构与薄膜晶体管阵列及其修补方法 |
JP4667096B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機半導体装置及びその作製方法 |
JP5013754B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法 |
JP4420242B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2010-02-24 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびoled液晶表示装置 |
KR101306239B1 (ko) | 2006-11-03 | 2013-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법 |
KR101404551B1 (ko) | 2008-05-09 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI387825B (zh) | 2009-04-17 | 2013-03-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 具修補結構之顯示面板及修補顯示面板之方法 |
TWI407344B (zh) | 2010-04-20 | 2013-09-01 | Au Optronics Corp | 觸控裝置與觸控顯示面板及其修補方式 |
KR101827464B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2018-02-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 전극 접속부 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널 |
KR101805028B1 (ko) * | 2016-06-28 | 2017-12-06 | 고려대학교 산학협력단 | 물리 영역과 가상 영역을 근거로 결함 리페어를 적용하는 메모리 장치 및 그의 제어 방법 |
KR102693166B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2024-08-09 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 패널 및 이를 리페어하기 위한 방법 |
CN106991990A (zh) * | 2017-05-27 | 2017-07-28 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110429088A (zh) | 2019-07-18 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板及其显示面板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6341009B1 (en) * | 2000-02-24 | 2002-01-22 | Quantronix Corporation | Laser delivery system and method for photolithographic mask repair |
JP3594891B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2004-12-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置およびその検査方法 |
KR100816328B1 (ko) * | 2001-01-17 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
KR100750921B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법 |
KR100796749B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
-
2001
- 2001-08-30 KR KR1020010052830A patent/KR100740938B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-05 TW TW090127450A patent/TW533600B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-02-11 US US10/073,459 patent/US6555876B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-25 JP JP2002083610A patent/JP4348045B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100878233B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
US8247816B2 (en) | 2004-11-03 | 2012-08-21 | Samsung Electronic Co., Ltd. | Thin film transistor array panel |
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