KR100740938B1 - 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR100740938B1
KR100740938B1 KR1020010052830A KR20010052830A KR100740938B1 KR 100740938 B1 KR100740938 B1 KR 100740938B1 KR 1020010052830 A KR1020010052830 A KR 1020010052830A KR 20010052830 A KR20010052830 A KR 20010052830A KR 100740938 B1 KR100740938 B1 KR 100740938B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
electrode
gate
storage capacitor
wiring
Prior art date
Application number
KR1020010052830A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030018620A (ko
Inventor
전상익
송유리
박운용
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010052830A priority Critical patent/KR100740938B1/ko
Priority to TW090127450A priority patent/TW533600B/zh
Priority to US10/073,459 priority patent/US6555876B2/en
Priority to JP2002083610A priority patent/JP4348045B2/ja
Publication of KR20030018620A publication Critical patent/KR20030018620A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100740938B1 publication Critical patent/KR100740938B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136263—Line defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
    • H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

절연 기판 위에 게이트선이 가로 방향으로 형성되어 있고, 유지 용량선과 유지 전극이 형성되어 있으며, 게이트선 및 유지 용량선과 절연되어 교차하는 데이터선이 세로 방향으로 형성되어 있다. 데이터선 및 게이트선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터에는 화소 전극이 연결되어 있다. 화소 전극과 동일한 층에 게이트선 양쪽에 위치하는 유지 용량선과 유지 전극을 연결하는 다리가 형성되어 있다. 이 때, 유지 용량선과 유지 전극은 다리와 인접한 부분에 레이저 조사 위치를 표시하는 돌기를 가진다. 이렇게 하면, 게이트선이나 데이터선의 단선 등 불량을 수리할 때, 레이저 조사 위치가 잘못되어 발생하는 수리 실패를 방지할 수 있다.
박막트랜지스터기판, 배선수리, 레이저조사, 표지

Description

레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판{a thin film transistor array panel having a mark indication laser irradiation point}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 2는 도 1의 II 영역을 확대한 도면이고,
도 3은 도 2의 III-III'선에 대한 단면도이고,
도 4는 도 2의 IV-IV'선에 대한 단면도이고,
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서 특히 레이저 수리 구조를 가지는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 기판은 액정 표시 장치나 유기 EL(electro luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로서 사용된다. 박막 트랜지스터 기판에는 주사 신호를 전달하는 주사 신호선 또는 게이트선과 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터선이 형성되어 있고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 게이트선을 덮어 절연하는 게이트 절연막 및 박막 트랜지스터와 데이터선을 덮어 절연하는 보호막 등이 형성되어 있다. 박막 트랜지스터는 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극과 채널을 형성하는 반도체층, 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극과 드레인 전극 및 게이트 절연막과 보호막 등으로 이루어진다. 박막 트랜지스터는 게이트선을 통하여 전달되는 주사 신호에 따라 데이터선을 통하여 전달되는 화상 신호를 화소 전극에 전달 또는 차단하는 스위칭 소자이다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에서 각 배선은 각 화소열이나 화소행마다 하나씩 형성하여야 하고, 박막 트랜지스터는 각 화소마다 하나씩 형성하여야 하기 때문에 마이크로 미터 단위 이하의 매우 미세한 크기로 형성된다. 따라서 박막 트랜지스터 기판의 제조 과정에서 배선의 단선 또는 배선간의 단락 등으로 인하여 불량이 발생할 가능성이 상존한다. 이 때문에 박막 트랜지스터 기판에는 불량을 수리하기 위한 수단으로 수리용 링(repair ring) 등의 수리 구조를 형성해 두었다가 불량이 발생한 경우에 레이저를 이용하여 배선을 절단하거나 수리 구조와 배선을 연결함으로써 수리한다.
그런데 레이저 조사를 통한 배선의 불량 수리는 모듈 공정, 예를 들어 액정 표시 장치의 경우에 박막 트랜지스터 기판과 색필터 기판을 결합하고 액정을 주입하는 공정을 마친 후에 박막 트랜지스터 기판의 면 중 배선이 형성되어 있지 않은 면을 통하여 이루어진다. 즉 박막 트랜지스터 기판의 배면을 통하여 레이저를 조사함으로써 박막 트랜지스터 기판의 정면에 형성되어 있는 배선을 단락하거나 절단 한다. 이 때, 정확한 레이저 조사 지점을 찾지 못해 수리에 실패하는 경우가 자주 발생한다. 특히 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 도전체는 박막 트랜지스터 기판의 배면을 통하여 볼 때는 쉽게 식별되지 않아서, 투명 도전체와 중첩되어 있는 부분에 레이저가 조사됨으로 인한 수리 실패가 빈발한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 레이저 조사를 통한 박막 트랜지스터 기판의 불량 수리의 성공률을 향상시키는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 박막 트랜지스터 기판의 레이저를 조사할 지점에 소정의 표지를 형성한다.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 다수의 배선, 배선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 때, 그 조사 지점을 표시하는 표지를 포함한다.
이 때, 표지는 배선에 형성되어 있는 돌기이거나 오목부일 수 있다.
구체적으로는, 제1 신호선, 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선, 본선이 제2 신호선과 절연되어 교차하고 있으며 본선에 연결되어 있는 다수의 가지선을 가지는 신호 배선이 절연 기판 위에 형성되어 있다. 제1 신호선의 양쪽에 신호 배선을 연결하고 있으며 제1 신호선 절연되어 있는 다리가 형성되어 있다. 제1 신호선 및 제2 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 화소 전극이 박막 트랜지스터와 연결되어 있다. 여기서 신호 배선은 제1 신호선 또 는 제2 신호선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 지점을 표시하는 표지를 가진다.
이 때, 표지는 신호 배선에 형성되어 있는 돌기이거나 오목부일 수 있다.
더욱 구체적으로는 절연 기판 위에 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 그에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 뻗어 있다. 게이트선과 나란한 유지 용량선, 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 형성되어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선이 또한 절연 기판 위에 형성되어 있다. 게이트 배선 및 유지 용량 배선은 게이트 절연막으로 덮여 있고, 게이트 절연막 위에는 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층이 형성되어 있다. 또, 게이트 절연막 위에는 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 데이터선의 분지이며 적어도 일부분이 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 데이터 배선 위에는 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 유지 전극과 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막, 보호막 위에 형성되어 있다. 보호막 위에는 제1 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극, 제2 및 제3 접촉구를 통하여 게이트선 양쪽에 위치하는 유지 전극과 유지 용량선을 연결하는 다리가 형성되어 있다. 유지 전극 및 유지 용량선은 제2 및 제3 접촉구에 인접한 부분에 레이저 조사 위치를 표시하는 표지를 가진다.
이 때, 데이터 배선과 같은 층으로 형성되어 있고 다리 및 게이트선과 중첩 하며 보호막이 가지는 제4 접촉구를 통하여 다리와 연결되어 있는 데이터 금속편을 더 포함할 수 있다. 또 표지는 길이가 4㎛ 내지 5㎛이고, 폭이 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 것이 바람직하다.
가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선, 게이트선과 나란한 유지 용량선과 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선이 절연 기판 위에 형성되어 있다. 게이트 배선 및 유지 용량 배선을 덮는 게이트 절연막이 형성되어 있고, 게이트 절연막 위에는 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층이 형성되어 있다. 데이터선, 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 게이트 절연막 위에 형성되어 있다. 데이터 배선 및 반도체층을 덮으며 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 유지 전극과 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막이 형성되어 있고, 제1 접촉구를 통하여 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극과 제2 및 제3 접촉구를 통하여 상기 게이트선 양쪽에 위치하는 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 연결하는 다리가 보호막 위에 형성되어 있다. 이 때, 유지 용량선과 유지 전극은 다리와 중첩하는 부분과 화소 전극과 중첩하는 부분 사이에 위치 식별 표지를 가진다.
여기서 표지는 돌기 또는 오목부일 수 있다.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판 에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 2는 도 1의 II 영역을 확대한 도면이고, 도 3은 도 2의 III-III'선에 대한 단면도이고, 도 4는 도 2의 IV-IV'선에 대한 단면도이다.
유리 등의 투명한 절연 기판(10) 위에 게이트 배선(20, 21)과 유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)이 형성되어 있다.
게이트 배선(20, 21)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(20)을 포함하며 게이트선(20)의 일부는 상하로 돌출하여 게이트 전극(21)을 이룬다.
유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)은 게이트선(20)과 나란한 유지 용량선(30)과 그 가지인 제1 내지 제5 유지 전극(31, 32, 33, 34, 35)을 포함한다. 화소 영역 가장 자리에 위치한 제1 유지 전극(31)은 일단이 유지 용량선(30)에 직접 연결되어 세로 방향으로 뻗어 있고, 제2 유지 전극(32)은 제1 유지 전극(31)의 다른 일단에 돌기의 형태로 연결되어 있다. 제3 유지 전극(33)은 화소 영역에 대하여 제1 유지 전극(31)의 반대쪽 가장자리에 위치하며 세로 방향으로 뻗어 있고, 유지 전극 연결부(36)를 통하여 이웃 화소 영역의 제1 유지 전극(31)과도 연결되어 있다. 제4 유지 전극(34)과 제5 유지 전극(35)은 각각 제1 유지 전극(31)과 제3 유지 전극(33)을 사선 방향으로 연결하고 있는데, 제4 유지 전극(34)은 화소 영역의 왼쪽 아래에서 왼쪽 중앙으로, 제5 유지 전극(35)은 오른쪽 위에서 왼쪽 중앙으로 뻗어 왼쪽 중앙에 두 유지 전극(34, 35)이 수렴하는 형태가 된다. 제1 유지 전극(31)에 대하여 사선 방향으로 형성되어 있다. 또, 제4 유지 전극(34)과 제5 유 지 전극(35)의 연장선은 약 90°의 각을 이루고 있다.
게이트 배선(20, 21)과 유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)은 게이트 절연막(40)으로 덮여 있고, 게이트 절연막(40) 위에는 비정질 규소로 이루어진 반도체층(50, 51)이 형성되어 있다. 반도체층(50, 51)은 세로 방향으로 길게 뻗으며 유지 전극 연결부(36)를 지나가는 세로부(50)와 게이트 전극(21) 부근에서 세로 방향으로 확장되어 게이트 전극(21)과 중첩하는 채널부(51)를 포함한다. 반도체층(50, 51)의 위에는 인 등의 N형 불순물로 고농도로 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항성 접촉층(60, 61, 62)이 형성되어 있다.
접촉층(60, 61, 62) 및 게이트 절연막(40) 위에는 데이터 배선(70, 71, 72, 74)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 반도체층의 세로부(50)를 따라 뻗은 데이터선(70)과 이에 연결된 소스 전극(71) 및 이들과 분리된 드레인 전극(72)을 포함한다. 소스 전극(71)은 게이트 전극(21) 부근에서 데이터선(70)으로부터 U자형으로 돌출해 있으며, 드레인 전극(72)의 한 끝은 소스 전극(71)의 U자형 부분 중앙으로 뻗어 있으며 다른 쪽 끝은 화소 영역 안쪽으로 뻗어 있다. 또 데이터 배선은 제2 유지 전극(32)과 인접한 지점의 게이트선(20) 위에 위치하고 있는 데이터 금속편(74)을 포함한다. 여기에서, 저항성 접촉층(60, 61, 62)은 반도체층(50, 51)과 데이터 배선(70, 71, 72, 74)이 중첩되는 부분에만 형성되어 있다.
데이터 배선(70, 71, 72, 74)의 위에는 보호막(80)이 형성되어 있다. 이 때, 보호막(80)은 드레인 전극(72)의 한쪽 끝을 노출하는 제1 접촉구(81), 데이터 금속편(74)을 노출하는 제2 접촉구(82)를 가지고 있으며, 제2 접촉구(82)의 상하에 각각 위치하는 제2 유지 전극(32)과 유지 용량선(30)의 일부를 노출하는 제3 및 제4 접촉구(83, 84)를 게이트 절연막(40)과 함께 가지고 있다.
보호막(80)의 위에는 제1 접촉구(81)를 통하여 드레인 전극(72)과 연결되어 있는 화소 전극(90), 그리고 제2 접촉구(82)를 통하여 데이터 금속편(74)과 연결되어 있고 제3 및 제4 접촉구(83, 84)를 통하여 제2 유지 전극(32) 및 유지 배선(84)과 연결되어 있는 다리(91)가 형성되어 있다. 화소 전극(90)과 다리(91)는 ITO (indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어진다. 화소 전극(90)은 제1 내지 제3 개구부(92, 93, 94)를 가진다. 제1 및 제2 개구부(92, 93)는 각각 제4 및 제5 유지 전극(34, 35)과 중첩되어 있다. 제3 개구부(94)는 제1 개구부(92)와 제2 개구부(93)의 사이에 형성되어 있고, 화소 전극 (90)의 오른쪽 변에서 왼쪽 변을 향하여 뻗어 있으며, 그 입구가 모따기 되어 있다. 한편, 유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)에는 화소 전극(90)과 대향하는 공통 전극의 전위가 인가되는 것이 보통이다.
한편, 제1 유지 전극(31)과 유지 용량선(30)에는 각각 돌기의 형태로 표지(A, B)가 형성되어 있다. 표지(A, B)는 배선 불량을 수리할 때 레이저를 조사할 위치를 표시하는 것이다. 표지(A, B)가 형성되어 있는 부분은 주위에 화소 전극(90)이나 다리(91)가 인접해 있어서 레이저 조사 위치가 약간만 벗어나면 화소 전극(90)이나 다리(91)에 손상을 주거나 화소 전극(90)이나 다리(91)를 다른 배선에 단락시킬 우려가 있는 부분이다. 또, 주변의 다른 불투명 패턴과 교차한다거나 모양이 특이하여 주변의 다른 부분으로부터 구분될 수 있는 특징이 없는 부분에 표 지(A, B)를 형성한다. 본 실시예에서는 표지(A, B)가 있는 부분은 배선을 수리할 때, 레이저를 조사하여 절단할 부분이다. 표지(A, B)의 크기는 조사될 레이저 빔의 단면적의 넓이(3㎛ ×3㎛)와 층간 중첩 마진(margin), 즉 각 층 형성시의 광마스크의 정렬 오차로 인하여 변동될 수 있는 각 층 패턴의 중첩 폭(2.5~3㎛) 등을 고려하여 길이(유지 용량성 또는 제1 유지 전극의 길이 방향)가 4㎛ 내지 5㎛이고, 폭(유지 용량성 또는 제1 유지 전극의 폭 방향)이 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 것이 바람직하고, 본 발명의 제1 실시예에서는 길이 4.5㎛, 폭 1㎛ 정도로 형성하였다.
그러면 이러한 구조의 박막 트랜지스터 기판에서 배선 불량이 발생한 경우에 이를 수리하는 방법을 살펴본다.
예를 들어, 게이트선(20)이 단선된 경우의 수리 방법을 살펴본다.
도 1에서 게이트선(20)이 임의의 e1 지점에서 단선된 경우에는 e1 지점 양쪽의 데이터 금속편(74)과 게이트선(20)의 중첩점(s1, s2)에 레이저를 조사하여 데이터 금속편(74)과 게이트선(20)을 단락한다. 이렇게 하면, e1 지점 양쪽의 다리(91)가 게이트선(20)과 단락한다. 다음, 게이트선(20)과 단락된 다리(91) 주변의 c1, c2, c3, c4, c5 및 c6 지점에 레이저를 조사하여 유지 용량선(30)과 제1 유지 전극(31)을 절단한다. 여기서, c1은 e1 왼쪽의 다리(91)와 연결된 제2 유지 전극(32)을 제1 유지 전극(31)으로부터 분리시키는 지점으로서 화소 전극(90)과 다리(91)의 사이에 위치하는 제1 유지 전극(31)의 일부분이다. c2는 e1 왼쪽에 위치 하는 첫 번째 제4 접촉구(84)의 왼쪽에 위치하는 유지 용량선(30)의 표지부(B)이다. c3는 e1 왼쪽에 위치하는 첫 번째 제4 접촉구(84)의 바로 아래에 연결되어 있는 제1 유지 전극(31)의 시작부이다. c3는 e1 오른쪽의 다리(91)와 연결된 제2 유지 전극(32)을 제1 유지 전극(31)으로부터 분리시키는 지점으로서 화소 전극(90)과 다리(91)의 사이에 위치하는 제1 유지 전극(31)의 일부분이다. c4는 e1 오른쪽에 위치하는 첫 번째 제4 접촉구(84)의 오른쪽에 위치하는 유지 용량선(30)의 표지부(B)이다. c6는 e1 오른쪽에 위치하는 첫 번째 제4 접촉구(84)의 바로 아래에 연결되어 있는 제1 유지 전극(31)의 시작부이다.
이렇게 하면, 다리(91)와 유지 용량선(30)을 이용하는 경로(화살표로 표시)를 통하여 게이트선(20)의 단선 지점을 우회하여 주사 신호를 전달할 수 있다. 즉, 게이트선(20), s1, s1을 통하여 게이트선(20)과 연결되어 있는 e1 왼쪽의 다리(91), 유지 용량선(30), 유지 용량선(30)과 연결되어 있는 e1 오른쪽의 다리 (91), s2 및 게이트선(20)을 통하여 주사 신호를 전달할 수 있다. 또 유지 용량 배선(30, 31, 32, 33, 34, 35, 36)은 다리(91)를 통하여 기판 전체에서 하나로 연결되어 있으므로 수리를 위하여 특정 부분이 분리되더라도 나머지 부분이 유지 용량 배선으로써 기능하는 데는 아무런 문제가 없다. 즉, 수리를 위하여 분리되고 남은 유지 용량 배선의 나머지 부분에는 여전히 공통 전극 전위(다른 특정 전위일 수 있음)가 인가되어 화소 전극(90)과의 사이에서 유지 용량을 형성하는 등의 기능을 수 행한다.
이 때, 레이저를 조사하는 s1, s2, c1, c2, c3, c4, c5 및 c6 지점 중에서 s1, s2 지점은 불투명 패턴인 게이트선(20)과 데이터 금속편(74)이 교차하고 있어서 박막 트랜지스터 기판의 배면에서도 쉽게 구별할 수 있다. 또 c3, c6도 바로 인접한 곳에서 유지 용량선(30)으로부터 제1 유지 전극(31)이 분기하고 있어서 구별이 가능하다. 그러나 c1, c2, c4, c5는 돌기 형태의 표지(A, B)가 없다면 정확한 위치 파악이 용이하지 않아서 자칫 주변의 화소 전극(90)이나 다리(91)와 중첩된 부분에 레이저가 조사될 수 있다. 즉, 박막 트랜지스터 기판의 배면에서도 구별할 수 있는 불투명한 배선의 특이점보다 구별이 어려운 화소 전극(90)이나 다리(91) 패턴이 더 가까운 거리에 위치하고 있어서 화소 전극(90)이나 다리(91)와 중첩된 부분에 레이저가 조사될 염려가 큰 부분이다. 본 발명에서는 표지를 형성해 둠으로써 이러한 염려를 해소한다. 한편, 필요에 따라서는 c3, c6에도 표지를 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.
제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판과 표지(A, B)의 형태를 제외하고는 동일한 구조를 가진다. 제2 실시예에서는 표지(A, B)을 오목하게 형성한다.
표지(A, B)의 형태는 제1 및 제2 실시예에서 제시한 돌기나 오목부 이외에도 여러 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 배선의 폭이 변하도록 할 수도 있다. 또한, 불량 수리를 위하여 절단하여야 하는 부분은 오목하게 형성하고 단락시켜야 하는 부분은 돌기의 형태로 형성할 수도 있다.
비록, 이 발명을 가장 실제적이며 바람직한 실시예를 중심으로 하여 설명하였지만, 이 발명은 앞서 설명한 실시예에 한정되지 않으며, 후술하는 특허 청구 범위 내에 속하는 다양한 변형 및 등가물들도 포함한다
이상과 같이, 본 발명에 따르면 불량 수리를 위하여 레이저를 조사할 지점을 표시하는 표지를 형성해 둠으로써 레이저 조사 위치의 오류로 인하여 발생하는 수리 실패를 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 다수의 배선,
    상기 배선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 때, 그 조사 지점을 표시하는 표지
    을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 표지는 상기 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제1항에서,
    상기 표지는 상기 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
  4. 투명한 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선,
    상기 제2 신호선과 절연되어 교차하는 본선과 상기 본선에 연결되어 있는 다수의 가지선을 가지는 신호 배선,
    상기 제1 신호선의 양쪽에 위치하는 상기 신호 배선을 연결하고 있으며 상기 제1 신호선과 절연되어 있는 다리,
    상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,
    상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극
    을 포함하고, 상기 신호 배선은 상기 제1 신호선 또는 상기 제2 신호선의 불량을 수리하기 위하여 레이저를 조사할 지점을 표시하는 표지를 가지는
    박막 트랜지스터 기판.
  5. 제4항에서,
    상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
  6. 제4항에서,
    상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
  7. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 나란한 유지 용량선과 상기 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선,
    상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 배선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층,
    상기 게이트 절연막 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 상기 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제2 및 제3 접촉구를 통하여 상기 게이트선 양쪽에 위치하는 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 연결하는 다리
    를 포함하고,
    상기 유지 전극 및 상기 유지 용량선은 상기 제2 및 제3 접촉구에 인접한 부분에 레이저 조사 위치를 표시하는 표지를 가지는
    박막 트랜지스터 기판.
  8. 제7항에서,
    상기 데이터 배선과 같은 층으로 형성되어 있으며 상기 다리 및 상기 게이트선과 중첩하는 데이터 금속편을 더 포함하고, 상기 데이터 금속편은 상기 보호막이 가지는 제4 접촉구를 통하여 상기 다리와 연결되어 있는 박막 트랜지스터 기판.
  9. 제7항에서,
    상기 표지는 길이가 4㎛ 내지 5㎛이고, 폭이 0.5㎛ 내지 1.5㎛인 박막 트랜지스터 기판.
  10. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선과 상기 게이트선에 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 나란한 유지 용량선과 상기 유지 용량선의 분지이며 세로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극을 포함하는 유지 용량 배선,
    상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 배선을 덮는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 상기 게이트 전극과 적어도 일부분이 중첩되어 있는 반도체층,
    상기 게이트 절연막 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선과 연결되어 있고 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 소스 전극, 상기 소스 전극의 대향 전극이며 적어도 일부분이 상기 반도체층 위에 위치하는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 및 상기 반도체층을 덮으며 상기 드레인 전극을 노출시키는 제1 접촉구와 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 각각 노출시키는 제2 및 제3 접촉구를 가지는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제1 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 제2 및 제3 접촉구를 통하여 상기 게이트선 양쪽에 위치하는 상기 유지 전극과 상기 유지 용량선을 연결하는 다리
    를 포함하고,
    상기 유지 용량선과 상기 유지 전극은 상기 다리와 중첩하는 부분과 상기 화소 전극과 중첩하는 부분 사이에 위치 식별 표지를 가지는
    박막 트랜지스터 기판.
  11. 제10항에서,
    상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 돌기인 박막 트랜지스터 기판.
  12. 제10항에서,
    상기 표지는 상기 신호 배선에 형성되어 있는 오목부인 박막 트랜지스터 기판.
KR1020010052830A 2001-08-30 2001-08-30 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판 KR100740938B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010052830A KR100740938B1 (ko) 2001-08-30 2001-08-30 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판
TW090127450A TW533600B (en) 2001-08-30 2001-11-05 A thin film transistor array pane having a mark indication laser irradiation point
US10/073,459 US6555876B2 (en) 2001-08-30 2002-02-11 Thin film transistor array substrate having laser illumination indicator
JP2002083610A JP4348045B2 (ja) 2001-08-30 2002-03-25 レーザー照射標識を有する薄膜トランジスタ基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010052830A KR100740938B1 (ko) 2001-08-30 2001-08-30 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030018620A KR20030018620A (ko) 2003-03-06
KR100740938B1 true KR100740938B1 (ko) 2007-07-19

Family

ID=19713742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010052830A KR100740938B1 (ko) 2001-08-30 2001-08-30 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6555876B2 (ko)
JP (1) JP4348045B2 (ko)
KR (1) KR100740938B1 (ko)
TW (1) TW533600B (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100878233B1 (ko) * 2002-07-09 2009-01-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판
KR100497095B1 (ko) * 2002-12-26 2005-06-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100918180B1 (ko) * 2003-03-04 2009-09-22 삼성전자주식회사 쉬프트 레지스터
CN1296765C (zh) * 2003-03-18 2007-01-24 友达光电股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示器面板的制作方法
KR101100874B1 (ko) * 2003-10-08 2012-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100997968B1 (ko) * 2003-10-13 2010-12-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN1306557C (zh) * 2004-07-27 2007-03-21 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法
KR101090253B1 (ko) * 2004-10-06 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR101061856B1 (ko) 2004-11-03 2011-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
CN100341155C (zh) * 2004-11-16 2007-10-03 友达光电股份有限公司 象素结构与薄膜晶体管阵列及其修补方法
JP4667096B2 (ja) * 2005-03-25 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
KR101100891B1 (ko) * 2005-05-23 2012-01-02 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함한 디스플레이장치
JP5013754B2 (ja) * 2005-06-13 2012-08-29 キヤノン株式会社 電磁波検出装置、放射線検出装置、放射線検出システム及びレーザ加工方法
JP4420242B2 (ja) * 2006-10-31 2010-02-24 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置およびｏｌｅｄ液晶表示装置
KR101306239B1 (ko) 2006-11-03 2013-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법
KR101404551B1 (ko) 2008-05-09 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI387825B (zh) 2009-04-17 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 具修補結構之顯示面板及修補顯示面板之方法
TWI407344B (zh) 2010-04-20 2013-09-01 Au Optronics Corp 觸控裝置與觸控顯示面板及其修補方式
KR102030632B1 (ko) 2013-04-22 2019-10-14 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101827464B1 (ko) * 2015-10-06 2018-02-08 동우 화인켐 주식회사 전극 접속부 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널
KR101805028B1 (ko) * 2016-06-28 2017-12-06 고려대학교 산학협력단 물리 영역과 가상 영역을 근거로 결함 리페어를 적용하는 메모리 장치 및 그의 제어 방법
KR20180063937A (ko) * 2016-12-02 2018-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 리페어하기 위한 방법
CN106991990A (zh) * 2017-05-27 2017-07-28 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110429088A (zh) 2019-07-18 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种tft阵列基板及其显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061773A (ko) * 2001-01-17 2002-07-25 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판
KR20020077968A (ko) * 2001-04-03 2002-10-18 삼성전자 주식회사 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
KR20020087738A (ko) * 2001-05-16 2002-11-23 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6341009B1 (en) * 2000-02-24 2002-01-22 Quantronix Corporation Laser delivery system and method for photolithographic mask repair
JP3594891B2 (ja) * 2000-09-12 2004-12-02 沖電気工業株式会社 半導体記憶装置およびその検査方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020061773A (ko) * 2001-01-17 2002-07-25 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판
KR20020077968A (ko) * 2001-04-03 2002-10-18 삼성전자 주식회사 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법
KR20020087738A (ko) * 2001-05-16 2002-11-23 삼성전자 주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003078143A (ja) 2003-03-14
US20030042482A1 (en) 2003-03-06
KR20030018620A (ko) 2003-03-06
TW533600B (en) 2003-05-21
US6555876B2 (en) 2003-04-29
JP4348045B2 (ja) 2009-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100740938B1 (ko) 레이저 조사 표지를 가지는 박막 트랜지스터 기판
KR100796749B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP3680527B2 (ja) 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法
KR100278547B1 (ko) 액정표시패널, 액정표시장치 및 그 제조방법
US9076362B2 (en) Display substrate and method of manufacturing a motherboard for the same
KR101614900B1 (ko) 표시 패널
KR100479525B1 (ko) 다수의 어레이셀을 포함하는 액정표시장치용 기판 및 이의 제조방법
KR930001647B1 (ko) 액티브 행렬 기판과 액티브 행렬 표시장치
KR20010049823A (ko) 표시 장치 및 그 결함 복구 방법
CN101110443A (zh) 显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备
JP2000310796A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
KR940001904B1 (ko) 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법
JP2004077718A (ja) 液晶表示装置
US20050007533A1 (en) Liquid crystal display unit
KR100675315B1 (ko) 액정표시장치
KR20000060802A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법
KR100238796B1 (ko) 액정표시장치 및 그 액정표시장치의 제조방법
KR100859509B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR19990041469A (ko) 박막 트랜지스터 매트릭스 기판 및 그 제조방법
KR100759968B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR20000007633A (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR0156201B1 (ko) 리페어라인을 갖는 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이구조 및 이의 제조방법
KR100656902B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100670057B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100333982B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130628

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150701

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180702

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 13