CN101110443B - 显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板包括像素、信号传输线、第一绝缘层和测试信号输入部分。像素在绝缘基板上。信号传输线在绝缘基板上，以便传输图像信号。第一绝缘层在信号传输线上。第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过该接触孔部分地外露。测试信号输入部分在第一绝缘层上，并包括延伸部分和测试信号焊盘。延伸部分通过接触孔与信号传输线电连接，并朝着绝缘基板的侧边延伸。测试信号焊盘与延伸部分电连接。因此，可以减少缺陷的数量。

Description

显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备
技术领域
本发明涉及显示基板，更具体地，涉及一种显示基板、该显示基板的制造方法和具有该显示基板的显示设备。
背景技术
平板显示设备具有多种特点，例如形薄质轻、功耗低等。平板显示器用于多种领域。
平板显示设备一般包括显示基板，显示基板具有多个开关元件和向开关元件传输信号的多条线。
显示基板是通过多个薄膜沉积过程和多个光刻过程而形成的。在完成薄膜沉积过程和光刻过程之后，针对潜在缺陷，测试显示基板。但是，因为这些线宽度很小，所以并不将测试信号直接施加到线上。而是将线与导电图案电连接，通过导电图案来施加测试信号。
但是，在后续处理步骤期间，导电图案可能非故意地传导静电荷。静电荷可能使开关元件和线的性能下降。由此可能在显示器中形成缺陷。
发明内容
本发明的典型实施例提供了一种能够减少缺陷的显示基板。
本发明的典型实施例还提供了一种制造上述显示基板的方法。
本发明的典型实施例还提供了一种具有上述显示基板的显示设备。
根据本发明的典型实施例的显示基板包括像素、信号传输线、第一绝缘层和测试信号输入部分。像素在绝缘基板上。信号传输线在绝缘基板上，并传输图像信号。第一绝缘层在信号传输线上。第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过该接触孔部分地外露。测试信号输入部分在第一绝缘层上，并包括延伸部分和测试信号焊盘。延伸部分通过接触孔与信号传输线电连接，并朝着绝缘基板的侧边延伸。测试信号焊盘与延伸部分电连接。
根据本发明另一典型实施例的制造显示基板的方法包括将图像信号传输至开关元件的信号传输线。信号传输线形成在绝缘基板上。第一绝缘层形成在绝缘基板上，并覆盖信号传输线。第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过该接触孔部分地外露。延伸部分通过接触孔与信号传输线电连接。测试信号焊盘形成在第一绝缘层上。延伸部分朝着绝缘基板延伸。测试信号焊盘与延伸部分电连接。将测试信号施加到测试信号焊盘上，以测试开关元件和信号传输线。通过用激光束照射与测试信号焊盘相邻的延伸部分，将测试信号焊盘从信号传输线断开。
根据本发明另一典型实施例的显示设备包括显示基板、相对基板和液晶层。显示基板包括像素、信号传输线、第一绝缘层和测试信号输入部分。像素在绝缘基板上，并显示图像。信号传输线在绝缘基板上，并传输图像信号。第一绝缘层在信号传输线上，并具有接触孔，信号传输线通过该接触孔部分地外露。测试信号输入部分在第一绝缘层上。测试信号输入部分包括通过接触孔与信号传输线电连接的延伸部分和与延伸部分相邻的测试信号焊盘。延伸部分朝着信号传输线延伸。测试信号焊盘与信号传输线电绝缘。相对基板面向显示基板。液晶层插入在显示基板和相对基板之间。
测试信号输入部分形成在栅极绝缘层上，并可以用激光修整(trimming)将其容易地断开，从而保护显示基板免受外来的静电荷的影响。
附图说明
通过参照附图，详细描述本发明的典型实施例，本公开内容的上述和其他特征将更加明显，附图中：
图1是示出了根据本发明典型实施例的显示基板的平面图；
图2是示出了图1所示的部分‘A’的放大平面图；
图3是沿图2所示的线I-I’截取的横截面图；
图4是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的横截面图；
图5是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的平面图；
图6到15是示出了根据本发明另一典型实施例的制造显示基板的方法的横截面图；
图16是示出了根据本发明另一典型实施例的显示设备的横截面图；
图17是示出了根据本发明另一典型实施例的显示设备的横截面图；以及
图18是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的横截面图。
具体实施方式
以下参照附图，更加完整地描述本发明的典型实施例。但是，本发明可以采用多种不同形式具体实现，而不应该视为仅限于在此提出的典型实施例。相反，提出这些典型实施例，以使本公开内容对于所属领域技术人员是清楚完整的，并充分表达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，可能放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。
要理解，当将元件或层称为在另一元件或层“上”、或与另一元件或层“连接”或“耦合”时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、或直接与另一元件或层连接或耦合，也可以存在中介元件或层。在全部附图中，类似标记表示类似元件。在此所用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项的任意和所有组合。
以下参照附图，详细描述本发明的典型实施例。
图1是示出了根据本发明典型实施例的显示基板的平面图。图2是示出了图1所示的部分‘A’的放大平面图。图3是沿图2所示的线I-I’截取的横截面图。
参照图1，显示基板包括绝缘基板。在显示基板上定义有像素区DA、外围区PA和测试焊盘区TA。图像显示在像素区DA中。外围区PA围绕像素区DA。测试信号施加到测试焊盘区TA。测试焊盘区TA与外围区PA相邻，并与显示基板的侧边相邻。修整线TL插入在外围区PA和测试焊盘区TA之间。采用激光照射修整线TL。
绝缘基板包括透射光的玻璃。绝缘基板的玻璃可以是无碱性离子的。当绝缘基板包括碱性离子时，碱性离子可能溶解在液晶层(未示出)中，从而减小了液晶层的电阻率，降低了图像显示质量，并减小了密封剂(未示出)与绝缘基板之间的粘合强度。此外，薄膜晶体管TFT的特性可能下降。
绝缘基板还可以包括光学透明的高分子聚合物。可以用于绝缘基板的光学透明高分子聚合物的示例包括三醋酸纤维(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇(polyethylene naphthalate)(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合物(COP)等。这些光学透明高分子聚合物可以单独使用和任意组合地使用。
绝缘基板可以是光学上各向同性的。可选地，绝缘基板可以是光学上各向异性的。
多条栅极线G1，…，Gn、多条数据线D1，…，Dm和多个像素形成在像素区DA中。数据线D1，…，Dm在与栅极线G1，…，Gn的延伸方向相交的方向上延伸。像素由栅极线G1，…，Gn和数据线D1，…，Dm定义，并排列成矩阵。栅极线G1，…，Gn、数据线D1，…，Dm和像素形成在绝缘基板上。
每个像素包括与栅极线G1，…，Gn之一和数据线D1，…，Dm之一电连接的薄膜晶体管TFT和像素电极PE。像素电极PE与薄膜晶体管TFT电连接。薄膜晶体管TFT用作开关元件。每个像素还可以包括存储电容器(未示出)，该存储电容器保持像素电极PE与公共电极(未示出)之间的电压差。
栅极驱动部分160、第一测试信号输入部分151的第一延伸部分151a的一部分、第二测试信号输入部分141的第二延伸部分141a的一部分、信号传输线155和集成焊盘部分170形成在外围区PA中。替代地，多个第一测试信号输入部分的多个第一延伸部分的各部分、多个第二测试信号输入部分的多个第二延伸部分的各部分、多条信号传输线可以形成在外围区PA中。在图1到3中，栅极驱动部分160与测试焊盘区TA隔开，并与显示基板的侧边相邻。
栅极驱动部分160接收来自集成焊盘部分170和信号传输线155的多个栅极驱动信号，并将多个栅极信号施加到栅极线G1，…，Gn上。例如，栅极驱动部分160包括移位寄存器，栅极驱动信号包括公共电压Vcom、开始信号STV、第一时钟信号Vck、第二时钟信号Vckb、第一驱动电压Von和第二驱动电压Voff。栅极驱动部分160可以直接形成在显示基板上。栅极驱动部分160可以包括芯片或柔性电路板。
参照图2和3，薄膜晶体管TFT、第一测试信号输入部分151、第二测试信号输入部分141和信号传输线155形成在绝缘基板120上。
薄膜晶体管TFT包括栅极电极118b、栅极绝缘层126、半导体图案137、源电极118a和漏电极118c。
栅电极118b在绝缘基板120上，并与栅极线G1，…Gn之一电连接。
栅极绝缘层126覆盖栅电极118b和栅极线G1，…Gn，以使栅电极118b和栅极线G1，…Gn与半导体图案137、源电极118a和漏电极118c电绝缘。例如，栅极绝缘层126包括绝缘材料。可以用于栅极绝缘层126的绝缘材料的示例包括氮化硅、氧化硅等。
半导体图案137包括无定形硅图案137a和n+无定形硅图案137b。无定形硅图案137a在与栅电极118b相对应的栅极绝缘层126上。n+无定形硅图案137b包括在无定形硅图案137a上彼此分隔的两个图案。
源电极118a在n+无定形硅图案137b的第一图案上。源电极118a与数据线D1，…，Dm之一电连接。
漏电极118c在n+无定形硅图案137b的第二图案上。漏电极118c与像素电极PE电连接。
钝化层116形成在半导体图案137、源电极118a和漏电极118c上。钝化层116具有第一接触孔119，漏电极118c通过第一接触孔119部分地外露。漏电极118c通过第一接触孔119与像素电极PE电连接。钝化层116包括透射光的绝缘材料。可以用于钝化层116的绝缘材料的示例包括氮化硅、氧化硅等。有机绝缘层(未示出)、滤色器等也可以形成在钝化层116上。
像素电极PE通过第一接触孔119与漏电极118c连接。例如，像素电极PE包括透明导电材料。可以用于像素电极PE的透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
例如，信号传输线155由与栅电极118实质上相同的层形成，并插入在绝缘基板120与栅极绝缘层126之间。可以存在与栅极驱动信号的数目实质上相同的数目的信号传输线155。
第一测试信号输入部分151由与数据线D1，…，Dm实质上相同的层形成。第一测试信号输入部分151插入在栅极绝缘层126与钝化层116之间。第一测试信号输入部分151包括第一延伸部分151a和与第一延伸部分151a电连接的第一测试信号焊盘151b。
第一延伸部分151a在与测试焊盘区TA相邻的外围区PA中。第一延伸部分151a通过第二接触孔152与每条信号传输线155电连接，第二接触孔152形成为穿过栅极绝缘层126。第一延伸部分151a朝着显示基板的测试焊盘区TA延伸，穿过修整线TL。在图1到3中，第一延伸部分151a具有实质上直线的形状。替代地，第一延伸部分151a可以具有多种形状，例如L形、S形等。
第一测试信号焊盘151b在测试焊盘区TA中。钝化层116还可以具有第三接触孔153，第一测试信号焊盘151b通过第三接触孔153实质上全部外露。替代地，第一测试信号焊盘151b可以通过第三接触孔153部分地外露。
第二测试信号输入部分141由与数据线D1，…，Dm实质上相同的层形成。第二测试信号输入部分141与数据线D1，…，Dm之一电连接。第二测试信号输入部分141插入在栅极绝缘层126和钝化层116之间。第二测试信号输入部分141包括第二延伸部分141a和与第二延伸部分141a电连接的第二测试信号焊盘141b。
第二延伸部分141a在与测试焊盘区TA相邻的外围区PA中。第二延伸部分141a与数据线D1，…，Dm之一电连接，数据线D1，…，Dm由与第二延伸部分141a实质上相同的层形成。第二延伸部分141a朝着显示基板的测试焊盘区TA延伸，穿过修整线TL。在图1到3中，第二延伸部分141a具有实质上直线的形状。替代地，第二延伸部分141a可以具有多种形状，例如L形、S形等。
第二测试信号焊盘141b在测试焊盘区TA中。钝化层116还可以具有第四接触孔143，第二测试信号焊盘141b通过第四接触孔143外露。在图1到3中，第二测试信号焊盘141b通过第四接触孔143实质上全部外露。替代地，第二测试信号焊盘141b可以通过第四接触孔143部分地外露。
为了测试显示基板，将多个第一测试信号施加到第一测试信号输入部分151，并将多个第二测试信号施加到第二测试信号输入部分141。第一测试信号通过信号传输线155施加到栅极驱动部分160。第二测试信号施加到数据线D1，…，Dm。因此，对像素进行测试。第一测试信号与栅极驱动信号相对应，第二测试信号与数据信号相对应。替代地，可以向数据线D1，…，Dm中至少两条施加实质上相同的测试信号。
集成焊盘部分170包括多个栅极焊盘171和多个数据焊盘172。栅极焊盘171在绝缘基板120上，并与信号传输线155电连接。栅极焊盘171通过多个接触孔(未示出)外露，多个接触孔形成为穿过栅极绝缘层126和钝化层116。数据焊盘172在栅极绝缘层126上，并与数据线D1，…，Dm电连接。数据焊盘172通过在钝化层116中形成的多个接触孔(未示出)外露。
驱动芯片(未示出)形成在集成焊盘部分170中。驱动芯片通过栅极焊盘171和数据焊盘172与信号传输线155和数据线D1，…，Dm电连接。栅极驱动信号和数据信号传输至显示基板。替代地，可以在显示基板上直接形成以集成方式形成的印刷电路板。
在测试了显示基板之后，激光束沿修整线TL照射显示基板，以将第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b与信号传输线155和数据线D1，…，Dm电断开。
当第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b与信号传输线155和数据线D1，…，Dm分别电连接时，第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b可以在后续过程中用作接收静电荷的渠道(conduit)。但是，在图1到3中，通过使用激光束的修整过程，将第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b与信号传输线155和数据线D1，…，Dm电断开。因此，可以保护信号传输线155和数据线D1，…，Dm免受静电荷的影响，并可以防止数据驱动部分160和像素的劣化。
此外，在图1到3中，修整线TL与第一和第二延伸部分151a和141a相交。因此，当激光束沿修整线TL照射显示基板时，可以容易地将第一延伸部分151a和第二延伸部分141a与第一和第二测试信号焊盘151b和141b断开。
此外，第一和第二测试信号输入部分151和141由实质上相同的层形成。因此，相比由与栅极线G1，…，Gn实质上相同的层形成的测试信号输入部分，可以更加容易地将第一和第二测试信号输入部分151和141断开。
图4是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的横截面图。图4的显示设备与图1到3的显示设备实质上相同，除了在图4的显示设备中添加有覆盖图案。因此，可以用相同的附图标记表示与图1到3中描述的相同或类似的部分。
参照图4，覆盖图案154覆盖通过第三接触孔153外露的第一测试信号焊盘151b。例如，覆盖图案154可以由与像素电极PE实质上相同的层形成，并可以包括透明导电材料。覆盖图案154可以比第一测试信号焊盘151b大。
此外，辅助覆盖图案(未示出)覆盖通过第四接触孔143(图2所示)外露的第二测试信号焊盘141b(图2所示)。在图4中，辅助覆盖图案由与覆盖图案实质上相同的层形成，并包括与覆盖图案实质上相同的透明导电材料。当在平面上观察时，辅助覆盖图案可以比第二测试信号焊盘141b大。
因此，比第一测试信号焊盘151b大的覆盖图案154形成在第一测试信号焊盘上151b。由此，将第一测试信号施加到第一测试信号焊盘151b。此外，比第二测试信号焊盘141b大的辅助覆盖图案形成在第二测试信号焊盘上141b。由此，可以容易地将第二测试信号施加到第二测试信号焊盘141b。
图5是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的平面图。图5的显示设备与图1到3的显示设备实质上相同，除了与第一测试信号输入部分和第二测试信号输入部分相关的差别。因此，可以用相同的附图标记表示与图1到3中描述的相同或类似的部分。
参照图5，第一测试信号输入部分157包括第一延伸部分157a和第一测试信号焊盘157b。例如，第一延伸部分157a可以具有L形。
第二测试信号输入部分147包括第二延伸部分147a和第二测试信号焊盘147b。例如，第二延伸部分147a可以具有L形。
根据图5的显示基板，第一和第二延伸部分157a和147a具有L形，以使第一和第二延伸部分157a和147a彼此相邻。此外，可以改变第一和第二延伸部分157a和147a的位置。因此，可以将相邻导电线和第一和第二延伸部分157a和147a之间的电磁干扰最小化。
图6到15是示出了根据本发明另一典型实施例的制造显示基板的方法的横截面图。
参照图1和6，在绝缘基板120上形成栅极金属层(未示出)。栅极金属层可以具有单层结构或多层结构。例如，栅极金属层可以是第一公共层。通过光刻过程对栅极金属层进行部分蚀刻，以形成栅电极118b、多条栅极线G1，…，Gm和多条信号传输线155。在像素区DA中形成栅电极118b和栅极线G1，…，Gm，在围绕像素区DA的外围区PA中形成信号传输线155。
参照图1和7，在其上形成有栅电极118b和栅极线G1，…，Gm的绝缘基板120上，依次形成栅极绝缘层126和主无定形硅层(未示出)。
将N+离子注入主无定形硅层，以形成无定形硅层131a和N+无定形硅层132a。在栅极绝缘层126上形成无定形硅层131a，在无定形硅层131a上形成N+无定形硅层132a。
在N+无定形硅层132a上形成光刻胶膜135a。
将掩膜139在光刻胶膜135a上对准。掩膜139包括阻光部分139a、透明部分139b和半透明部分139c。阻光部分139a与半导体图案137(图3所示)相对应，并阻挡光。透明部分139b与第二接触孔152(图3所示)相对应，并透射光。半透明部分139c与掩膜139的剩余部分相对应，部分地透射光。在图7中，半透明部分139c包括多个狭缝。替代地，半透明部分139c可以包括半透明图案。
光刻胶膜135a通过掩膜139外露。
参照图7和8，使外露的光刻胶膜135a显影，以形成第一光刻胶图案135b。去除与透明部分139b相对应的光刻胶膜135a，以部分地外露N+无定形硅层132a。与阻光部分139a相对应的光刻胶膜135a保留在N+无定形硅层132a上，并部分地去除与半透明部分139c相对于的光刻胶膜135a。与阻光部分139a相对应的光刻胶膜135a的厚度d1比与半透明部分139c相对应的光刻胶膜135a的厚度d2大。
参照图9，使用第一光刻胶图案135b作为蚀刻掩膜，部分地去除外露的N+无定形硅层132a、无定形硅层131a和栅极绝缘层126，以部分地外露信号传输线155。
参照图10，对第一光刻胶图案135b进行蚀刻，以使第一光刻胶图案135b的厚度减小恒定量。去除与半透明部分139c(图7所示)相对应的第一光刻胶图案135b，从而外露与半透明部分139c相对应的n+无定形硅层132a。因此，形成与半导体图案137(图3所示)相对应的第二光刻胶图案135c。
参照图11，使用第二光刻胶图案135c作为蚀刻掩膜，部分地去除通过第二光刻胶图案135c外露的N+无定形硅层132a和无定形硅层131a，以形成无定形硅图案137a和无定形硅图案137a上的主N+无定形硅图案132b。
参照图12，去除第二光刻胶图案135c，以外露主N+无定形硅图案132b。
参照图1和13，在其上形成有无定形硅图案137a、N+无定形硅图案132b和第二接触孔152的栅极绝缘层126上形成数据金属层(未示出)。例如，数据金属层可以是第二公共层。
通过光刻过程，对数据金属层进行部分蚀刻，以形成多条数据线D1，…，Dm、源电极118a、漏电极118c、第一测试信号输入部分151和第二测试信号输入部分141。通过第二接触孔152将第一测试信号输入部分151与信号传输线155电连接。将第二测试信号输入部分141与每条数据线D1，…，Dm电连接。
参照图1和14，在其上形成有数据线D1，…，Dm、源电极118a、漏电极118c、第一测试信号输入部分151和第二测试信号输入部分141的栅极绝缘层126上形成钝化层116。部分地蚀刻钝化层116，以形成第三接触孔153和第四接触孔143，第一测试信号焊盘151b通过第三接触孔153外露，第二测试信号焊盘141b通过第四接触孔143外露。
参照图1和15，通过修整激光180沿修整线TL照射显示基板，以形成断开部分156。例如，断开部分156包括凹槽。断开部分156的凹槽的深度可以比钝化层116和第一延伸部分151a的组合厚度大，并且可以比钝化层116、第一延伸部分151a和栅极绝缘层126的组合厚度小。例如，可以将断开部分156的底部形成在栅极绝缘层126中。
因此，将第一延伸部分151a和第二延伸部分141a与第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b断开，以保护栅极驱动部分160和像素免受可能通过第一延伸部分151a和第二延伸部分141a而施加的静电荷。
可以由与像素、信号传输线155、第一测试信号输入部分151和第二测试信号输入部分141实质上相同的层形成栅极驱动部分160和集成焊盘部分170。
替代地，在后续过程之后，可以沿修整线TL将测试焊盘区TA断开。
根据图6到15的制造显示基板的方法，通过激光束沿修整线TL照射显示基板，从而可以将第一延伸部分151a和第二延伸部分141a与第一测试信号焊盘151b和第二测试信号焊盘141b断开。
此外，使用实质上相同的掩膜139来形成半导体图案137和第二接触孔152。因此，简化了显示基板的制造过程，并降低了显示基板的制造成本。
图16是示出了根据本发明另一典型实施例的显示设备的横截面图。
参照图16，显示设备包括显示基板20、相对基板10和液晶层108。
图16的显示基板与图1、2、3和15中的显示基板相同。因此，可以用相同的附图标记表示与图1、2、3和15中描述的相同或类似的部分。
相对基板10面向显示基板20，并包括相对绝缘基板10、黑矩阵102、滤色器104和公共电极106。
相对绝缘基板110包括透射光的玻璃。替代地，相对绝缘基板110可以包括透明合成树脂。
黑矩阵102形成在相对绝缘基板110上，以阻挡光。在图16中，黑矩阵102形成在与多条栅极线G1，…，Gn、多条数据线D1，…，Dm和外围区PA相对应的区域中。
滤色器104形成在其上形成有黑矩阵102的相对绝缘基板110上，以透射具有预定波长的光。滤色器104与多个像素相对应。
公共电极106形成在其上形成有黑矩阵102和滤色器104的相对绝缘基板110上。公共电极106包括透明导电材料。可以用于公共电极106的透明导电材料的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
可以在显示基板20与相对基板10之间插入间隔物(未示出)，以在显示基板20与相对基板10之间保持一定距离。
液晶层108插入在显示基板20与相对基板10之间。液晶层108的液晶响应于公共电极106与像素电极PE之间施加的电场，改变排列。因此，液晶层108的光透射率改变，以显示图像。
密封剂105密封显示基板20与相对基板10之间的液晶层108。
根据图16的显示设备，显示基板20包括通过栅极绝缘层126的第二接触孔152与信号传输线155电连接的第一延伸部分151a。第一延伸部分朝着绝缘基板120的侧边延伸。显示基板还包括第一测试信号输入部分151，第一测试信号输入部分151具有与第一延伸部分151a电连接的测试信号焊盘151b。因此，减少了由外来静电荷引起的缺陷。
图17是示出了根据本发明另一典型实施例的显示设备的横截面图。
参照图17，显示设备包括绝缘基板320、黑矩阵302、驱动晶体管TFT、开关晶体管(未示出)、栅极线(未示出)、数据线D1、驱动线(未示出)、栅极绝缘层326、钝化层316、信号传输线355、第一测试信号输入部分351、第二测试信号输入部分(未示出)、滤色器304、像素电极PE、有机发光层308、公共电极306和钝化层305。
显示设备包括像素区DA、外围区PA和测试焊盘区TA。驱动晶体管TFT、开关晶体管、驱动线、数据线D1、驱动线、滤色器304、有机发光层308和公共电极306形成在像素区DA中。信号传输线355、第一测试信号输入部分351的第一延伸部分351a、第二测试信号输入部分的第二延伸部分(未示出)形成在外围区PA中。第一测试信号输入部分351的第一测试信号焊盘351b、第二测试信号输入部分的第二测试信号焊盘(未示出)形成在测试焊盘区TA中。
绝缘基板320包括透射光的玻璃。替代地，绝缘基板320可以包括透明合成树脂。
黑矩阵302形成在绝缘基板320上，以定义呈矩阵形状排列的多个开口348。
开关晶体管形成在黑矩阵302上。开关晶体管与栅极线和数据线D1电连接。开关晶体管将来自数据线的数据信号施加到驱动晶体管TFT，作为开关信号。
驱动晶体管TFT形成在黑矩阵302上。驱动晶体管TFT与驱动线电连接。驱动晶体管TFT根据开关信号，向像素电极PE施加驱动电流。
驱动晶体管TFT包括栅电极318b、源电极318a、漏电极318c和半导体图案337。栅电极318b与开关晶体管电连接，以接收开关信号。源电极318a与数据线D1电连接。漏电极318c与像素电极PE电连接。替代地，驱动晶体管的漏电极可以与数据线D1电连接，驱动晶体管的源电极可以与像素电极PE电连接。
半导体图案337包括无定形硅图案337a和N+无定形硅图案337b。
信号传输线355形成在黑矩阵302上。
第一延伸部分351a通过栅极绝缘层326的第二接触孔352与信号传输线355电连接。
钝化层316形成在其上形成有驱动晶体管TFT、开关晶体管、驱动线、数据线、第一测试信号输入部分351和第二测试信号输入部分的栅极绝缘层326上。钝化层316具有第一接触孔319、第三接触孔和第四接触孔(未示出)，驱动晶体管的漏电极318c通过第一接触孔319部分地外露，第一测试信号焊盘351b通过第三接触孔外露，第二测试信号焊盘通过第四接触孔外露。
滤色器304形成在像素区DA中的钝化层316上，并部分地外露漏电极318c。
像素电极PE通过第一接触孔319与漏电极318c电连接，并覆盖黑矩阵302的每个开口348。
有机发光层308形成在其上形成有像素电极PE的滤色器304上。
公共电极306形成在有机发光层308上。
钝化层305形成在有机发光层308上。
为了测试显示设备，将多个第一测试信号施加至第一测试信号焊盘315b，并将多个第二测试信号施加至第二测试信号焊盘。
在完成测试之后，通过修整激光(未示出)照射显示设备，以沿修整线形成断开部分156。因此，将第一测试信号焊盘351b和第二测试信号焊盘与信号传输线355和数据线D1断开。
根据图17的显示设备，保护了显示设备免受外来的静电荷的影响。
图18是示出了根据本发明另一典型实施例的显示基板的横截面图。
参照图18，显示基板包括绝缘基板420、薄膜晶体管TFT、栅极线(未示出)、数据线D1、第一测试信号输入部分451、第二测试信号输入部分(未示出)、栅极绝缘层426、钝化层416和像素电极PE。替代地，显示基板还可以包括栅极驱动部分(未示出)。
薄膜晶体管TFT包括栅电极418b、栅极绝缘层426、半导体图案437、源电极418a和漏电极418c。
源电极418a形成在绝缘基板420上，并与数据线D1电连接。
漏电极418c形成在绝缘基板420上。漏电极418c通过第一接触孔419与像素电极PE电连接，第一接触孔419形成为穿过栅极绝缘层426和钝化层416。
半导体图案437包括无定形硅图案437a和N+无定形硅图案437b。N+无定形硅图案437b包括源电极418a和漏电极418c上的、彼此隔开的两个图案。无定形硅图案437a形成在N+无定形硅图案437b和绝缘基板420上。
栅极绝缘层416形成在半导体图案437、源电极418a、漏电极418c和数据线D1上。
栅电极418b形成在与半导体图案437相对应的栅极绝缘层426上。栅电极418b与栅极线电连接。
栅极绝缘层426覆盖栅电极418b和栅极线，从而将栅电极418b和栅极线与半导体图案437、源电极418a和漏电极418c电绝缘。在图18中，栅极绝缘层426包括透射光的绝缘材料。可以用于栅极绝缘层426的绝缘材料的示例包括氮化硅、氧化硅等。
第一测试信号输入部分451包括第一延伸部分451a和第一测试信号焊盘451b。第一延伸部分451a形成在外围区PA中。第一测试信号焊盘451b形成在测试焊盘区TA中，并与第一延伸部分451a电连接。第一延伸部分451a通过第二接触孔452与数据线D1电连接，第二接触孔452形成在栅极绝缘层426中。第一测试信号焊盘451b通过形成在钝化层416中的第三接触孔453外露。第一测试信号输入部分451由与栅电极418b实质上相同的层形成。
根据图18的显示基板，通过第二接触孔452，通过激光束照射与数据线D1电连接的第一延伸部分451a的一部分，从而可以断开第一测试信号输入部分451，保护显示基板免受外来静电荷的影响。
根据本发明的典型实施例，测试信号输入部分形成在栅极绝缘层上，以通过激光修整将其断开。因此，可以保护显示基板免受静电荷的影响，从而减少显示基板的缺陷。
参照典型实施例描述了本公开内容。根据以上描述，对于本领域技术人员而言，多种替代的修改和改变是显而易见的。因此，本公开涵盖所有这种可选的修改和改变。

Claims (23)

1.一种显示基板，包括：
像素，在绝缘基板上；
信号传输线，在绝缘基板上，用于传输图像信号；
第一绝缘层，在信号传输线上，第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过所述接触孔部分地外露；以及
测试信号输入部分，在第一绝缘层上，测试信号输入部分包括：
延伸部分，通过所述接触孔与信号传输线电连接，并朝着绝缘基板的侧边延伸；以及
测试信号焊盘，与延伸部分电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：栅极驱动部分，插入在绝缘基板上像素与信号传输线之间，其中栅极驱动部分向像素施加栅极信号。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其中：所述像素设置在像素区中；所述信号传输线和所述延伸部分形成在外围区中，外围区围绕像素区；所述测试信号焊盘形成在测试焊盘区中，测试焊盘区与外围区相邻。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中在外围区与测试焊盘区之间定义修整线，修整线与延伸部分相交。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其中像素还包括像素电极和向像素电极施加图像信号的开关元件。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中开关元件包括：
栅电极，插入在绝缘基板和第一绝缘层之间；
半导体图案，在第一绝缘层上；
第一电极，在半导体图案上；以及
第二电极，在半导体图案上与第一电极隔开，并与像素电极电连接。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中测试信号输入部分和第一和第二电极由公共层形成。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其中开关元件包括：
第一电极，插入在绝缘基板和第一绝缘层之间；
第二电极，在绝缘基板和第一绝缘层之间与第一电极隔开，第二电极与像素电极电连接；
半导体图案，插入在第一和第二电极之间；以及
栅电极，在第一绝缘层上。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其中测试信号输入部分和栅电极由公共层形成。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中延伸部分具有直线的形状。
11.根据权利要求1所述的显示基板，其中延伸部分具有L形。
12.根据权利要求1所述的显示基板，其中像素还包括：
像素电极；
开关元件，用于向像素电极施加图像信号；
有机发光层，在像素电极上，用于发出光；以及
公共电极，在有机发光层上。
13.根据权利要求1所述的显示基板，还包括与信号传输线的端部电连接的信号传输焊盘，信号传输焊盘由与测试信号焊盘不同的层形成。
14.一种制造显示基板的方法，包括：
在绝缘基板上形成向开关元件传输图像信号的信号传输线；
在绝缘基板上形成第一绝缘层，以覆盖信号传输线，第一绝缘层具有接触孔，信号传输线通过所述接触孔部分地外露；
在第一绝缘层上形成通过所述接触孔与信号传输线电连接的延伸部分、以及测试信号焊盘，延伸部分朝着绝缘基板的侧边延伸，测试信号焊盘与延伸部分电连接；
通过向测试信号焊盘施加测试信号，测试开关元件和信号传输线；以及
通过用激光束照射与测试信号焊盘相邻的延伸部分，将测试信号焊盘与信号传输线断开。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在第一绝缘层上形成具有像素接触孔和焊盘接触孔的第二绝缘层，开关元件通过像素接触孔部分地外露，测试信号焊盘通过焊盘接触孔部分地外露。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在第二绝缘层上形成透明导电层，第二绝缘层上形成有测试信号焊盘；以及
部分地蚀刻透明导电层，以形成通过像素接触孔与开关元件电连接的像素电极、以及覆盖通过焊盘接触孔外露的测试信号焊盘的覆盖图案。
17.根据权利要求14所述的方法，其中由第一公共层形成信号传输线和开关元件的栅电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中由第二公共层形成测试信号焊盘、开关元件的源电极和漏电极。
19.根据权利要求18所述的方法，其中测试信号焊盘包括金属。
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：由第一公共层形成信号传输焊盘和信号传输线，信号传输焊盘与信号传输线的端部电连接。
21.一种显示设备，包括：
显示基板，包括：
像素，在绝缘基板上，用于显示图像；
信号传输线，在绝缘基板上，用于传输图像信号；
第一绝缘层，在信号传输线上，第一绝缘层具有接触孔，信
号传输线通过所述接触孔部分地外露；以及
测试信号输入部分，在第一绝缘层上，包括通过所述接触孔与信号传输线电连接的延伸部分和与延伸部分相邻的测试信号焊盘，延伸部分朝着信号传输线延伸，测试信号焊盘与信号传输线电绝缘；
相对基板，面向显示基板；以及
液晶层，设置在显示基板和相对基板之间。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中通过在延伸部分中形成的断开部分，将测试信号焊盘与信号传输线电绝缘。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中断开部分具有凹槽，凹槽的底部在第一绝缘层中。
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