JP2018155999A - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018155999A
JP2018155999A JP2017054297A JP2017054297A JP2018155999A JP 2018155999 A JP2018155999 A JP 2018155999A JP 2017054297 A JP2017054297 A JP 2017054297A JP 2017054297 A JP2017054297 A JP 2017054297A JP 2018155999 A JP2018155999 A JP 2018155999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection
wiring
region
film
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017054297A
Other languages
English (en)
Inventor
淳 羽成
Atsushi Hanari
淳 羽成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2017054297A priority Critical patent/JP2018155999A/ja
Priority to US15/924,340 priority patent/US10608018B2/en
Publication of JP2018155999A publication Critical patent/JP2018155999A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】接続配線を斜めにすることによって断裂を防止するととともに、接続配線の配置面積を小さくする。
【解決手段】少なくとも１つの端子を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号を供給される接続端子部を有する接続領域と、前記表示領域と前記接続領域とを連結し、前記画素アレイ部と前記接続端子部との間に配置される第１接続配線、第２接続配線及び第３接続配線を有する湾曲領域と、を有する表示装置であって、前記第１接続配線及び第２接続配線は、それぞれ第１配線層に離間してかつ平行に、前記第１乃至第３接続配線の延伸方向に対して斜めに配置され、前記第３接続配線は、前記第１配線層と異なる第２配線層に、平面視で、前記第１接続配線及び第２接続配線の間に配置される。
【選択図】図６

Description

本発明は、表示装置に関する。
有機EL（electroluminescence）表示装置などのフラットパネルディスプレイは、基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor）や有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）などが形成された表示パネルを有する。従来、表示パネルの基材としてガラス基板が用いられていた。近年、当該基材としてポリイミド膜などの樹脂フィルム等が用いられることにより、曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
フレキシブルディスプレイは、画像表示領域より外側に、集積回路（integrated circuit）や電子部品の実装部が配置される。フレキシブルディスプレイは、基材が折り曲げられることにより、集積回路や実装部を表示領域の裏側に配置することができる。従って、フレキシブルディスプレイは、額縁を小さくすることができる。
下記特許文献１は、引き出し配線が、基材を折り曲げる位置において屈曲方向に対して斜めになるように配置されるタッチパネルセンサーを記載している。
また、下記特許文献２は、フレキシブル基板の曲がりに起因する機械的ストレスに耐えられるように、フレキシブル基板上の配線が、ジグザグな形状に配置される点を開示している。
特開２０１６−７６１４６号公報 米国特許出願公開第２０１４／０２３２９５６号明細書
しかし、上記特許文献１が記載する配線の形状は、菱形形状を組み合わせた形状である。当該形状は、単位面積当たりの導体形成面積が小さい。そのため、湾曲領域上に配置された配線の低抵抗化を図ることができていなかった。また、配線の低抵抗化を図る為には、複数の配線を配置する必要があり、配線の設置面積が増大してしまう問題があった。
上記特許文献２が記載する配線の形状は、ジグザグな形状である。当該配線の形状は、配線の配置される面積が大きい。また、配線の配置される面積を小さくするために配線を細くした場合には、配線の抵抗が増加する。さらに、配線が単一の層に配置されていることから、配線の抵抗を低下させることは困難である。
本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の屈曲方向に対し、接続配線を斜めにすることによって、接続配線の断裂を防止するととともに、接続配線の配置面積を小さくすることである。
本発明の一態様は、少なくとも１つの端子を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号を供給される接続端子部を有する接続領域と、前記表示領域と前記接続領域とを連結し、前記画素アレイ部と前記接続端子部との間に配置される第１接続配線、第２接続配線及び第３接続配線を有する湾曲領域と、を有する表示装置であって、前記第１接続配線及び第２接続配線は、それぞれ第１配線層に離間してかつ平行に、前記第１乃至第３接続配線の延伸方向に対して斜めに配置され、前記第３接続配線は、前記第１配線層と異なる第２配線層に、平面視で、前記第１接続配線及び第２接続配線の間に配置される、ことを特徴とする。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 有機ELパネルを表示する側から見た構成を示す図である。 有機ELパネルの断面について説明するための図である。 有機ELパネルを湾曲させた状態を示す図である。 湾曲させた有機ELパネルの断面を示す図である。 第１乃至第３接続配線を平面的に見た図である。 第１乃至第３接続配線を断面的に見た図である。 第１乃至第３接続配線を断面的に見た図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
以下の実施形態においては、開示例として有機EL表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光表示装置、あるいは電気泳動素子等と有する電子ペーパー型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された有機ELパネル２００を含むように構成されている。
図２は、図１の有機ELパネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、有機ELパネル２００は、絶縁基板２０２と、第１配線基板２０４と、第２配線基板２０６と、を含んで構成される。
絶縁基板２０２、第１配線基板２０４及び第２配線基板２０６は、それぞれ樹脂製の基板であって、例えば、10乃至20μmの厚さでポリイミドによって形成される。また、絶縁基板２０２は、表示領域２０８と、額縁領域２１２と、湾曲領域２１４と、を含む。
表示領域２０８は、少なくとも１つの端子を含む画素アレイ部を有する。具体的には、表示領域２０８は、下地層である無機膜２１０の上層に、それぞれ光を発する画素がマトリクス状に配置された画素アレイ部を有する。
また、画素アレイ部は、各画素に画素を点灯させるための電源や信号を供給する端子を含む。各画素は、複数のトランジスタ３０２（後述）とコンデンサが配置される。画素アレイ部に含まれる端子は、例えば、後述する第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８を介して、駆動用半導体２２２から供給される走査信号、映像信号や電源を入力される端子である。
額縁領域２１２は、表示領域２０８の周囲に配置される。具体的には、額縁領域２１２には、表示領域２０８を含むように無機膜２１０が配置される。左右の額縁には、無機膜２１０の上層に、画素アレイ部の行を選択する信号を生成する回路等が配置される。上下の額縁には、電源を引き回す配線や、データ信号を分配する配線等が配置される。
湾曲領域２１４は、表示領域２０８と接続領域２２０とを連結し、画素アレイ部と接続端子部２２６との間に配置される第１接続配線２１６、第２接続配線２１７及び第３接続配線２１８を有する。第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の詳細については後述する。
第１配線基板２０４及び第２配線基板２０６は、接続領域２２０を含む。接続領域２２０は、表示領域２０８の裏面側に配置され、外部から信号を供給される接続端子部２２６を有する。具体的には、接続領域２２０は、有機ELパネル２００の外部から信号を供給するための接続端子部２２６が配置された領域である。また、接続領域２２０は、第１配線基板２０４及び又は第２配線基板２０６に配置されることで、表示領域２０８の裏面側に配置される。
第１配線基板２０４は、絶縁基板２０２と接続され、駆動用半導体２２２が配置される。駆動用半導体２２２は、第２配線基板２０６から供給されたデータ信号や電源電圧を、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８を介して画素に供給する。画素は当該電源やデータ信号によって発光する。これにより、表示領域２０８に画像が表示される。
第２配線基板２０６は、第１配線基板２０４と接続され、接続端子部２２６や回路部品２２４が配置される。接続端子部２２６は、例えば外部接続用コネクタであって、有機ELパネル２００に電源やデータ信号を供給する外部装置と接続される。
また、接続端子部２２６は、当該電源やデータ信号を回路部品２２４によって形成される電子回路（図示なし）に供給する。当該電子回路が生成した電源やデータ信号は、駆動用半導体２２２、又は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８を介して画素アレイ部に供給される。
続いて、湾曲される前の状態における、有機ELパネル２００の断面について説明する。図３は、図２の表示領域２０８から湾曲領域２１４における断面を示す図である。なお、後述する湾曲された状態における断面図（図５参照）は、有機ELパネル２００がスペーサや補強フィルム等を含む構成を記載しているが、図３では、スペーサや補強フィルム等は省略する。
絶縁基板２０２は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムである。絶縁基板２０２の表面には、絶縁基板２０２が含有する不純物に対するバリアとなる無機膜２１０が配置される。無機膜２１０は、下地絶縁層である。無機膜２１０は、窒化膜、酸化膜を交互に配置した３層又は５層の膜で形成される。窒化膜及び酸化膜は、20乃至50nmまたは100乃至500nmの厚さである。
半導体層３００は、無機膜２１０の上に配置される。当該半導体層３００により画素回路のトランジスタ３０２や周辺回路のトランジスタ３０２のチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層３００は、a-Si層をELA（Excimer Laser Annealing）処理することで形成されるp-Si層である。半導体層３００は、例えば50nmの厚さである。
ゲート絶縁膜３０４は、半導体層３００の上に、シリコン酸化物等によって形成される。ゲート絶縁膜３０４は、例えば、Si（OC2H5）4によって、80乃至100nmの厚さで形成される。
第１配線層３０６は、ゲート絶縁膜３０４の上に配置される。具体的には、第１配線層３０６は、MoWによって形成される。また、第１配線層３０６は、100乃至200nmの厚さのTi、100乃至300nmの厚さのTiAl、100乃至200nmの厚さのTiを積層して形成してもよい。第１配線層３０６は、画素アレイ部において、トランジスタ３０２のゲート電極として用いられる。
第１無機絶縁膜３０８は、層間絶縁膜として、第１配線層３０６等を覆うように配置される。第１無機絶縁膜３０８は、例えば、300nmの厚さの窒化膜と、300乃至400nmの酸化膜を積層して形成される。
第２配線層３１０は、第１無機絶縁膜３０８の上に配置される。第２配線層３１０は、例えば、100乃至200nmの厚さのMo、300乃至600nmの厚さのAlNd及び30乃至100nmの厚さのMoを積層して形成される。また、第２配線層３１０は、Ti、Al及びTiを積層して形成してもよい。第２配線層３１０は、ゲート絶縁膜３０４及び無機膜２１０を貫通するコンタクトホールを介して、下部電極３２０及び反射膜３１８と、トランジスタ３０２の半導体層３００と、を電気的に接続する。
第１配線層３０６及び第２配線層３１０は、上述の湾曲領域２１４にも配置される。湾曲領域２１４に配置された第１配線層３０６は、第１接続配線２１６及び第２接続配線２１７の一部となる。また、第２配線層３１０は、第３接続配線２１８の一部となる。
有機平坦化膜３１２は、有機材料を用いて、第２配線層３１０を覆うように配置される。有機平坦化膜３１２は、2乃至3μmの厚さで、ポリイミドやアクリル樹脂等によって形成される。有機平坦化膜３１２は、有機平坦化膜３１２の下層の段差を平坦にする。
第２無機絶縁膜３１４は、有機平坦化膜３１２の表面に配置される。第２無機絶縁膜３１４は、防湿性及び絶縁性を有する材料で形成される。例えば、第２無機絶縁膜３１４は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される。第２無機絶縁膜３１４は、窒化膜によって、200nmの厚さで形成されてもよい。第２無機絶縁膜３１４は、有機平坦化膜３１２などから有機EL膜３１６への水分浸入を防止する。
反射膜３１８及び下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１４の上に配置される。反射膜３１８は、例えば、MgAg等の光を反射する材料で形成される。下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１４及び有機平坦化膜３１２を貫通するコンタクトホールを介して、トランジスタ３０２のソース電極に電気的に接続される。
具体的には、例えば、下部電極３２０は、30乃至60nmの厚さの酸化インジウム・スズ（Indium Tin Oxide）と、100乃至150nmの厚さの銀と、10乃至20nmの厚さの酸化インジウム・スズを積層して形成される。酸化インジウム・スズの代わりに酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide）を用いてもよい。下部電極３２０は、各画素の配置される有機EL素子のアノードに相当する。
有機バンク３２２は、反射膜３１８及び下部電極３２０の上に配置される。有機バンク３２２は、画素の境界に沿って配置され、有機EL膜３１６の発光面の位置に開口部を有する。当該開口部の底部には、発光層を含む有機EL膜３１６が配置される。有機バンク３２２は、ポリイミドやアクリル樹脂等を用いて、1乃至2μmの厚さで配置される。
有機EL膜３１６は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を含んで形成される。発光層は、画素毎に、赤色、緑色及び青色の光を発する材料を用いて形成される。
上部電極３２４は、有機EL膜３１６の上に配置される。上部電極３２４は表示領域２０８から額縁領域２１２に渡って配置される。上部電極３２４は、画素アレイ部全体の画素に亘る共通電極である。上部電極３２４は、有機EL膜３１６が発する光を透過する材料で形成される。
例えば、上部電極３２４は酸化インジウム亜鉛や酸化インジウム・スズなどの透明導電材で形成される。なお、上部電極３２４は、コンタクトホールを介して、額縁領域２１２に形成された下部電極３２０と電気的に接続される。上部電極３２４は、各画素の配置される有機EL素子のカソードに相当する。
封止膜は、表示領域２０８全体に配置される。具体的には、封止膜は、下部電極３２０、有機EL膜３１６及び上部電極３２４からなる有機EL素子が配置された表示領域２０８全体に配置される。封止膜は、有機EL膜３１６の上面を封止する。これにより、封止膜は、有機EL膜３１６の水分による有機EL膜３１６の劣化を防止する。
具体的には、封止膜は、第１無機封止膜３２６と、有機封止膜３２８と、第２無機封止膜３３０と、が積層して形成される。例えば、封止膜は、1乃至10μmの厚さの窒化膜と、5乃至50μmの厚さの樹脂層と、1乃至10μmの厚さの窒化膜と、が積層して形成される。
また、表示パネルは、図３の右端部に第２配線層３１０が露出した外部コンタクト部３３２を有する。外部コンタクト部３３２において、第２配線層３１０と、第１配線基板２０４に配置された端子が電気的に接続される。
続いて、湾曲された後の状態における、有機ELパネル２００について説明する。有機ELパネル２００は、外部コンタクト部３３２に第１配線基板２０４が接続された後、湾曲される。図４は、有機ELパネル２００が湾曲された状態を俯瞰した図である。
湾曲領域２１４が湾曲されることによって、第１配線基板２０４及び第２配線基板２０６は、表示領域２０８の裏側に配置される。また、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、湾曲されることにより、応力が加えられる。
図５は、湾曲領域２１４の近傍における有機ELパネル２００の模式的な断面を示す図である。図５に示すように、有機ELパネル２００は、絶縁基板２０２と、保護フィルム５０１と、偏光板５０２と、第１補強フィルム５０３と、熱拡散シート５０４と、スペーサ５０５と、第２補強フィルム５０６と、を含む。
絶縁基板２０２は、湾曲領域２１４において湾曲される。なお、図３は、無機膜２１０乃至第２無機封止膜３３０が絶縁基板２０２の上に配置される構成を記載しているが、ここでは無機膜２１０乃至第２無機封止膜３３０を省略する。
保護フィルム５０１は、有機ELパネル２００を保護するフィルムである。具体的には、保護フィルム５０１は、絶縁基板２０２に配置された第２無機封止膜３３０の表面を保護するフィルムである。
偏光板５０２は、有機ELパネル２００に入射した外光の反射を低減する。これにより、有機ＥＬ表示装置１００の視認性が向上する。
第１補強フィルム５０３は、有機ELパネル２００を補強するフィルムである。第１補強フィルム５０３は、湾曲された状態の有機ELパネル２００の平坦な領域に配置される。具体的には、第１補強フィルム５０３は、有機ELパネル２００の表示領域２０８の裏面に配置される。
熱拡散シート５０４は、有機ELパネル２００の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート５０４は、有機ELパネル２００の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、有機ELパネル２００全体に拡散する。これにより、有機ELパネル２００の一部だけ高温になる状態を防止する。
スペーサ５０５は、折り曲げられた有機ELパネル２００の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ５０５は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。これにより、有機ELパネル２００に厚み方向の圧力が加わっても湾曲領域２１４の曲率が許容範囲に保たれる。
また、スペーサ５０５の端部は、湾曲領域２１４の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ５０５の端部を湾曲領域２１４の背面に当接させることで、湾曲領域２１４の表面に圧力が加わっても湾曲領域２１４の形状を一定に保つことができる。スペーサ５０５によって、湾曲領域２１４に配置された第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８にかかる応力を小さくし、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の断線を起こりにくくすることができる。
第２補強フィルム５０６は、有機ELパネル２００を補強するフィルムである。第２補強フィルム５０６は、湾曲された状態の有機ELパネル２００の湾曲領域２１４に配置される。第２補強フィルム５０６は、第１補強フィルム５０３よりも曲げやすい材質及び厚さで形成される。
なお、湾曲領域２１４には第２補強フィルム５０６を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、湾曲領域２１４の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で有機ELパネル２００を湾曲させることができる。湾曲領域２１４の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた有機ELパネル２００の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた有機ELパネル２００の厚さも小さくなる。
以上のように、表示領域２０８から見て湾曲領域２１４より先の第１配線基板２０４及び第２配線基板２０６を表示領域２０８の裏側に折り返すことができる。このように折り返すことで、有機ELパネル２００の平面視のサイズを小さくすることができ、有機ELパネル２００を搭載する有機ＥＬ表示装置１００の小型化を図ることができる。また、有機ELパネル２００のうち絶縁基板２０２の湾曲領域２１４から先の部分が裏面に隠れることにより、有機ＥＬ表示装置１００の正面に占める表示領域２０８の割合を大きくすることができる。
さらに、駆動用半導体２２２などを有機ELパネル２００のうち裏面に折り返される部分に搭載し、表示面側に現れる額縁領域２１２はＩＣ等の部品の配置領域として用いないようにすることにより、額縁領域２１２の面積を小さくできる。すなわち、有機ＥＬ表示装置１００におけるいわゆる狭額縁化を進めることができる。
続いて、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８について説明する。なお、以下の説明においては、特段の記載がない限り、湾曲領域２１４が湾曲される前の状態について説明する。
図６(a)及び図６(b)は、湾曲領域２１４に配置された第１配線層３０６を平面的に見た図であり、図６(c)及び図６(d)は、湾曲領域２１４に配置された第２配線層３１０を平面的に見た図である。図６(a)及び図６(c)に示すように、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は組み合わせて配置される。
第１接続配線２１６及び第２接続配線２１７は、それぞれ第１配線層３０６に離間してかつ平行に、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の延伸方向６００に対して斜めに配置される。具体的には、第１及び第２接続配線２１６，２１７は、それぞれ第１配線層３０６に離間してかつ平行に配置される。また、第１及び第２接続配線２１６，２１７は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の延伸方向６００に対して図６(a)及び図６(c)の図面上右側に斜めに配置された領域と、左側に斜めに配置された領域と、を交互に有する。
より具体的には、隣接する第１及び第２接続配線２１６，２１７は、右側に斜めに配置された領域と左側に斜めに配置された領域のいずれの領域においても、等間隔に配置される。また、隣接する第１及び第２接続配線２１６，２１７は、右側に斜めに配置された領域における間隔と、左側に斜めに配置された領域における間隔と、が等しくなるように配置される。また、第１及び第２接続配線２１６，２１７は、右側に斜めに配置された領域と左側に斜めに配置された領域とにおいて、同じ幅で形成される。さらに、第１及び第２接続配線２１６，２１７は、右側に斜めに配置された領域と左側に斜めに配置された領域との境界にあたる屈折点を有する。当該屈折点は、複数であることが望ましい。第１及び第２接続配線２１６，２１７は、複数の屈折点を有することで、ジグザグの形状に形成される。
ここで、延伸方向６００は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の接続領域２２０から表示領域２０８に含まれる画素アレイ部へ向かって伸びる方向である。なお、延伸方向６００は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の画素アレイ部から接続領域２２０へ向かって伸びる方向であってもよい。
第３接続配線２１８は、第１配線層３０６と異なる第２配線層３１０に、平面視で、第１接続配線２１６及び第２接続配線２１７の間に配置される。具体的には、図６(c)に示すように、第３接続配線２１８は、第１配線層３０６の上層に形成された第２配線層３１０に配置される。
第３接続配線２１８は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の延伸方向６００に対して、図６(a)及び図６(c)の図面上右側に斜めに配置された領域と、左側に斜めに配置された領域と、を交互に有する。第３接続配線２１８は、平面視で第１接続配線２１６及び第２接続配線２１７の間に配置される。第３接続配線２１８は、平面視で第１及び第２接続配線２１６，２１７と平行に配置される。
第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、画素アレイ部と接続端子部２２６を電気的に接続する配線である。具体的には、例えば、図６(a)及び図６(c)に示す第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、電源電圧が入力される。これにより、図６(a)及び図６(c)に示す第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、接続端子部２２６に印加された電源電圧を画素アレイ部に供給する。
第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、それぞれの両端が、配線端と物理的に接続されている。第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、間隔を開けて設けられており、互いに接触していない。すなわち、第１接続配線２１６は、表示領域２０８の周囲に配置された額縁領域２１２と、接続領域２２０において、第２及び第３接続配線２１７，２１８と電気的に接続される。具体的には、図６(a)及び図６(c)に示すように、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８は、額縁領域２１２と接続領域２２０において、共通の配線と接続される。
これにより、接続端子部２２６に印加された電源電圧は、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８という３本の接続配線を経由して画素アレイ部に供給される。従って、額縁領域２１２と接続領域２２０が１本または２本の接続配線で接続される場合と比較して、電気抵抗を低減することができる。
なお、図６(b)及び図６(d)に示すように、第２接続配線２１７を省略してもよい。具体的には、第１配線層３０６に第１接続配線２１６のみを配置し、第２配線層３１０に第３接続配線２１８を配置してもよい。
この場合、第１接続配線２１６と第３接続配線２１８は、額縁領域２１２と接続領域２２０において電気的に絶縁される。具体的には、例えば、第１及び第３接続配線２１６，２１８は、額縁領域２１２と接続領域２２０において、異なる配線と接続される。
また、この場合、図６(b)及び図６(d)に示す第１及び第３接続配線２１６，２１８は、信号が供給される。例えば、図６(b)及び図６(d)に示す第１及び第３接続配線２１６，２１８は、映像信号である差動信号が入力される。
湾曲領域２１４の第１配線層３０６と第２配線層３１０の間に、第１及び第２接続配線２１６，２１７と、第３接続配線２１８と、を電気的に絶縁する絶縁層が配置される。絶縁層によって、第１及び第２接続配線２１６，２１７と、第３接続配線２１８と、は絶縁される。
続いて、当該第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の断面構成について、図７(a)乃至(c)を用いて説明する。
図７(a)乃至(c)は、図６(a)及び図６(c)におけるVII-VII断面を示す図である。図７(a)に示すように、第１接続配線２１６及び第２接続配線２１７が設けられる領域の下側に無機膜２１０が配置される。なお、図７(b)及び図７(c)に示すように、無機膜２１０は、第３接続配線２１８が設けられる領域の下側の領域に配置されてもよい。
第１配線層３０６は、無機膜２１０の上に配置される。具体的には、図７(a)の左側に示した無機膜２１０の上に、第１接続配線２１６である第１配線層３０６が配置される。図７(a)の右側に示した無機膜２１０の上に、第２接続配線２１７である第１配線層３０６が配置される。
第１無機絶縁膜３０８は、無機膜２１０及び第１配線層３０６を覆うように配置される。なお、図７(b)に示すように、第１無機絶縁膜３０８は、第１及び第２接続配線２１６，２１７の周囲と、第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成としてもよい。また、図７(c)に示すように、第１無機絶縁膜３０８は、第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成としてもよい。
第２配線層３１０は、第１無機絶縁膜３０８の上に配置される。具体的には、第３接続配線２１８である第２配線層３１０は、第１接続配線２１６である第１配線層３０６の右側かつ第２接続配線２１７である第１配線層３０６の左側の領域において、第１無機絶縁膜３０８の上に配置される。
なお、図７(a)は、第２配線層３１０が第１配線層３０６と平面視で重複しない位置に配置される構成を記載しているが、第２配線層３１０は、第１配線層３０６の一部と平面視で重複する位置に配置されてもよい。すなわち、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８がそれぞれ、平面視で、一定の間隔を有しており、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８はそれぞれ、平面視で、互いに重畳されていなくてもよい。一方、第１接続配線２１６と第３接続配線２１８とが重畳してもよく、第２接続配線２１７と第３接続配線２１８とが重畳してもよい。
有機平坦化膜３１２は、第２配線層３１０を覆うように配置される。具体的には、有機平坦化膜３１２は、第３接続配線２１８である第２配線層３１０及び第１無機絶縁膜３０８を覆うように配置される。
なお、図７(c)に示すように、第１無機絶縁膜３０８が第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成の場合は、有機平坦化膜３１２は、第３接続配線２１８である第２配線層３１０及び第１配線層３０６を覆うように配置される。
図８(a)乃至(c)は、図６(b)及び図６(d)におけるVIII-VIII断面を示す図である。図８(a)に示すように、第１接続配線２１６が設けられる領域の下側に無機膜２１０が配置される。なお、図８(b)及び図８(c)に示すように、無機膜２１０は、第３接続配線２１８が設けられる領域の下側に配置されてもよい。
第１配線層３０６は、無機膜２１０の上に配置される。具体的には、第１接続配線２１６である第１配線層３０６は、無機膜２１０の上に配置される。
第１無機絶縁膜３０８は、無機膜２１０及び第１配線層３０６を覆うように配置される。なお、図８(b)に示すように、第１無機絶縁膜３０８は、第１接続配線２１６の周囲と、第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成としてもよい。また、図８(c)に示すように、第１無機絶縁膜３０８は、第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成としてもよい。
第２配線層３１０は、第１無機絶縁膜３０８の上に配置される。具体的には、第３接続配線２１８である第２配線層３１０は、第１接続配線２１６である第１配線層３０６の右側の領域において、第１無機絶縁膜３０８の上に配置される。
なお、図８(a)は、第２配線層３１０が第１配線層３０６と平面視で重複しない位置に配置される構成を記載しているが、第２配線層３１０は、第１配線層３０６の一部と平面視で重複する位置に配置されてもよい。
有機平坦化膜３１２は、第２配線層３１０を覆うように配置される。具体的には、有機平坦化膜３１２は、第３接続配線２１８である第２配線層３１０及び第１無機絶縁膜３０８を覆うように配置される。
なお、図８(c)に示すように、第１無機絶縁膜３０８が第３接続配線２１８の下側にのみ配置される構成の場合は、有機平坦化膜３１２は、第３接続配線２１８である第２配線層３１０及び第１配線層３０６を覆うように配置される。
上記のように、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８を、第１配線層３０６と第２配線層３１０によって構成することで、接続配線１本あたりの配置面積を小さくすることができる。これにより、接続配線の配置密度を向上させることが可能となる。
さらに、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８を延伸方向６００に対して斜めに配置することにより、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８に応力が加えられたとしても、第１乃至第３接続配線２１６，２１７，２１８の断裂を防止することができる。
また、図６(b)に示す第１接続配線２１６及び及び図６(d)に示す第３接続配線２１８のように、第１接続配線２１６と第３接続配線２１８を電気的に絶縁する場合には、第１接続配線２１６は、差動信号の一方が入力され、該第１接続配線２１６と組み合わされる第３接続配線２１８は、当該差動信号の他の一方が入力されるようにしてもよい。差動信号のペアが入力されることで、放射ノイズを低減することができる。
上記の実施形態においては、湾曲領域２１４の第１配線層３０６の下に無機膜２１０が配置される実施形態について説明したが、無機膜２１０は省略してもよい。また、有機平坦化膜３１２の代わりに第２無機絶縁膜３１４を配置してもよい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 有機ＥＬ表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 有機ELパネル、２０２ 絶縁基板、２０４ 第１配線基板、２０６ 第２配線基板、２０８ 表示領域、２１０ 無機膜、２１２ 額縁領域、２１４ 湾曲領域、２１６ 第１接続配線、２１７ 第２接続配線、２１８ 第３接続配線、２２０ 接続領域、２２２ 駆動用半導体、２２４ 回路部品、２２６ 接続端子部、３００ 半導体層、３０２ トランジスタ、３０４ ゲート絶縁膜、３０６ 第１配線層、３０８ 第１無機絶縁膜、３１０ 第２配線層、３１２ 有機平坦化膜、３１４ 第２無機絶縁膜、３１６ 有機EL膜、３１８ 反射膜、３２０ 下部電極、３２２ 有機バンク、３２４ 上部電極、３２６ 第１無機封止膜、３２８ 有機封止膜、３３０ 第２無機封止膜、３３２ 外部コンタクト部、５０１ 保護フィルム、５０２ 偏光板、５０３ 第１補強フィルム、５０４ 熱拡散シート、５０５ スペーサ、５０６ 第２補強フィルム、６００ 延伸方向。

Claims (5)

  1. 少なくとも１つの端子を含む画素アレイ部を有する表示領域と、前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号を供給される接続端子部を有する接続領域と、前記表示領域と前記接続領域とを連結し、前記画素アレイ部と前記接続端子部との間に配置される第１接続配線、第２接続配線及び第３接続配線を有する湾曲領域と、を有する表示装置であって、
    前記第１接続配線及び第２接続配線は、それぞれ第１配線層に離間してかつ平行に、前記第１乃至第３接続配線の延伸方向に対して斜めに配置され、
    前記第３接続配線は、前記第１配線層と異なる第２配線層に、平面視で、前記第１接続配線及び第２接続配線の間に配置される、ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記第１乃至第３接続配線は、それぞれ、前記第１乃至第３接続配線の延伸方向に対して一方側に斜めに配置された領域と、前記一方側の反対側に斜めに配置された領域と、を交互に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１接続配線は、前記表示領域の周囲に配置された額縁領域と、前記接続領域とにおいて、第２及び第３接続配線と電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. さらに、湾曲領域の前記第１配線層と前記第配線２層の間に、前記第１及び前記第２接続配線と、前記第３接続配線と、を電気的に絶縁する絶縁層を有する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
  5. 前記第１乃至第３接続配線は、それぞれ電源電圧が入力されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の表示装置。
JP2017054297A 2017-03-21 2017-03-21 表示装置 Pending JP2018155999A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017054297A JP2018155999A (ja) 2017-03-21 2017-03-21 表示装置
US15/924,340 US10608018B2 (en) 2017-03-21 2018-03-19 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017054297A JP2018155999A (ja) 2017-03-21 2017-03-21 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018155999A true JP2018155999A (ja) 2018-10-04

Family

ID=63583603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017054297A Pending JP2018155999A (ja) 2017-03-21 2017-03-21 表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10608018B2 (ja)
JP (1) JP2018155999A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7506696B2 (ja) 2021-12-09 2024-06-26 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 フレキシブル表示パネル
JP7518095B2 (ja) 2020-05-22 2024-07-17 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109037295A (zh) * 2018-08-03 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板和显示面板
KR20200113108A (ko) * 2019-03-22 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 터치 감지 장치와 이를 포함하는 표시 장치
CN110828694A (zh) * 2019-10-31 2020-02-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及触控显示装置
JP7341863B2 (ja) * 2019-11-12 2023-09-11 新光電気工業株式会社 電子機器
KR20210126841A (ko) 2020-04-10 2021-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5428190A (en) * 1993-07-02 1995-06-27 Sheldahl, Inc. Rigid-flex board with anisotropic interconnect and method of manufacture
US5600179A (en) * 1994-09-27 1997-02-04 Nec Corporation Package for packaging a semiconductor device suitable for being connected to a connection object by soldering
JP3011233B2 (ja) * 1997-05-02 2000-02-21 日本電気株式会社 半導体パッケージ及びその半導体実装構造
US6441476B1 (en) * 2000-10-18 2002-08-27 Seiko Epson Corporation Flexible tape carrier with external terminals formed on interposers
JP2001210919A (ja) * 1999-11-17 2001-08-03 Sharp Corp フレキシブル配線板およびそれを用いた電子機器
KR100846464B1 (ko) * 2002-05-28 2008-07-17 삼성전자주식회사 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
JP3908671B2 (ja) * 2003-01-29 2007-04-25 松下電器産業株式会社 半導体装置およびそれを用いたディスプレイ装置
CN1745405A (zh) * 2003-01-30 2006-03-08 东芝松下显示技术有限公司 显示器、接线板及其制造方法
JP4591157B2 (ja) * 2005-03-31 2010-12-01 パナソニック株式会社 配線基板及びこれを用いた入力装置とその製造方法
US7710739B2 (en) * 2005-04-28 2010-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR100765261B1 (ko) * 2006-07-11 2007-10-09 삼성전자주식회사 표시장치
KR20080008704A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 삼성전자주식회사 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
CN102105922A (zh) * 2008-09-29 2011-06-22 夏普株式会社 显示装置
US9349969B2 (en) * 2013-02-01 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
JP6127570B2 (ja) * 2013-02-20 2017-05-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及び電子機器
KR102085961B1 (ko) * 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
US10075573B2 (en) 2014-09-29 2018-09-11 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
JP2016076146A (ja) 2014-10-08 2016-05-12 凸版印刷株式会社 タッチパネル
US9706607B2 (en) 2014-12-10 2017-07-11 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with multiple types of micro-coating layers
US20160172428A1 (en) * 2014-12-11 2016-06-16 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with corrosion resistant printed circuit film
JPWO2016166888A1 (ja) * 2015-04-17 2018-02-15 オリンパス株式会社 撮像装置
KR102381285B1 (ko) * 2015-08-06 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102463838B1 (ko) * 2015-08-24 2022-11-04 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치와 이의 제조 방법
KR102421578B1 (ko) * 2015-12-02 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
JP6742738B2 (ja) * 2016-01-26 2020-08-19 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN107170774B (zh) * 2016-03-07 2020-10-27 株式会社日本显示器 显示装置
JP2018054736A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN108400138B (zh) * 2016-12-28 2020-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种柔性显示面板、显示装置和柔性显示面板的制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7518095B2 (ja) 2020-05-22 2024-07-17 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示装置
JP7506696B2 (ja) 2021-12-09 2024-06-26 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 フレキシブル表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
US20180277569A1 (en) 2018-09-27
US10608018B2 (en) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018155999A (ja) 表示装置
CN106898612B (zh) 显示装置
US9922909B2 (en) Display device
JP6253541B2 (ja) 表示装置
CN110226192B (zh) 显示装置
JP6784522B2 (ja) 表示装置
US10706773B2 (en) Display device
JP7153533B2 (ja) 表示装置
JP6625933B2 (ja) 表示装置
US10923558B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
US10734468B2 (en) Display device
JP6842362B2 (ja) 表示装置
US10134828B2 (en) Display device and method of manufacturing a display device
US10573706B2 (en) Display device
JP2019095507A (ja) 表示装置
TWI625855B (zh) Display device
US12048185B2 (en) Display device including resin filled dam spaces
US11963411B2 (en) Display device
JP7246534B2 (ja) アレイ基板
US20180358423A1 (en) Display device
JP7002629B2 (ja) 素子基板
CN110476198B (zh) 显示装置
WO2021009811A1 (ja) 表示装置