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Description
本発明は、表示装置に関する。
液晶表示装置は、画像を表示する為に偏光板が設けられる。また、有機ＥＬ表示装置は、視認性を向上するために偏光板が設けられる。偏光板の劣化は、表示装置の品質を低下させる。そこで、例えば、下記特許文献１は、偏光板に含まれる偏光子の耐久性を向上させた偏光板を開示している。
また、薄型表示装置は、内部に水分等の不純物が侵入することにより、劣化するおそれがある。そこで、薄型表示装置の表面に封止膜が配置される構成が知られている。例えば、下記特許文献２は、表面に６層の積層により形成される多層膜が設けられる表示装置を開示している。当該多層膜は、下層から順に、第１無機絶縁膜、第１有機絶縁膜、第２無機絶縁膜、第２有機絶縁膜、第３無機絶縁膜及び第４無機絶縁膜が積層されている。また、ＡｌＯ等で形成される第４無機絶縁膜の端部は、ＳｉＮ等で形成される第３無機絶縁膜の端部よりも表示装置の端側に位置する点が開示されている。
ところで、薄型表示装置は、内部に窒素を含む材料で形成された層や樹脂で形成された層を有する。当該樹脂には水分が混入することがあるため、水分と窒素を含む材料が化学反応を起こし、表示装置の内部でＮＨ３＋イオンが発生する場合がある。ＮＨ３＋イオンは、偏光板に含まれるヨウ素錯体にダメージを与えるため、偏光板が劣化する原因となる。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、偏光板の劣化を防止した表示装置を提供することにある。
本発明の一態様は、表示装置であって、画像を表示する表示領域を覆う封止膜と、前記封止膜の上に配置された第１電極層と、該第１電極層の上に窒素を含む材料で形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上側に配置された第２電極層と、を有し、前記表示領域のタッチされた位置を検出するタッチセンサ層と、前記タッチセンサ層を覆うオーバーコートと、前記オーバーコートの上に配置された偏光板と、を有し、前記タッチセンサ層は、さらに、前記第１絶縁層と前記オーバーコートとの間に窒素を含まない材料で形成され、前記第１絶縁層に含まれる窒素と前記オーバーコートに含まれる水分との反応を阻害する第２絶縁層を有する、ことを特徴とする。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
さらに、本発明の実施形態の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図１は、実施形態に係る表示装置１００の例を示す平面図である。表示装置１００の例として、有機ＥＬ表示装置を挙げる。
表示装置１００は、表示領域１０２と、額縁領域１０４とを有する。表示装置１００は、表示領域１０２にマトリクス状に配置され、それぞれ発光領域２０２（図２参照）から光を発する複数の画素を有する。具体的には、表示領域１０２には、例えば図２（ｂ）に示すように、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）からなる複数色の副画素を組み合わせて構成される画素がマトリクス状に配置される。画素によって、フルカラーの画像が表示される。
額縁領域１０４は、表示領域１０２の外側に配置される。具体的には、額縁領域１０４は、表示領域１０２のＸ方向及びＹ方向の両側に配置される。額縁領域１０４には、後述するように、湾曲される湾曲領域１２２が設けられる。また、額縁領域１０４には、表示装置１００と外部装置を接続する端子部１１６が設けられる。端子部１１６では、後述するサードメタル５０６が露出する。サードメタル５０６とＦＰＣ１１８の端子が接続することで、表示装置１００は外部装置から電源や信号が供給される。なお。Ｘ方向は、図面上左右方向であって、Ｙ方向は、図面上上下方向である。
また、表示装置１００は、ダム部１０６と、タッチセンサと、端子部１１６と、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１１８と、駆動ＩＣ１２０と、を有する。ダム部１０６は、額縁領域１０４に配置される。具体的には、ダム部１０６は、表示領域１０２を囲うように額縁領域１０４に配置される。
タッチセンサは、複数の電極１０８と、引き回し配線と、を含み、タッチされた位置を検出する。具体的には、複数の電極１０８は、駆動電極と検出電極の複数のペアを含む。駆動電極及び検出電極の複数のペアは、Ｘ方向及びＹ方向に離間して配置され、相互に主静電容量を形成する。例えば、駆動電極は、Ｘ方向及びＹ方向に並べて配置された複数の菱形状の電極である。また、図１及び図２（ａ）に示すように、Ｘ方向に並べて配置された複数の駆動電極は、各菱形状の部分を接続する配線１１０によって、それぞれ電気的に接続される。一方、Ｙ方向に並べて配置された複数の駆動電極は、電気的に接続されない。なお、図２（ａ）は、隣接する４個の電極を拡大した平面図である。
検出電極は、Ｘ方向及びＹ方向に並べて配置された複数の菱形状の電極である。また、Ｙ方向に並べて配置された複数の検出電極は、各菱形状の部分を接続する配線１１０によって、電気的に接続される。一方、Ｘ方向に並べて配置された複数の検出電極は、それぞれ電気的に接続されない。なお、駆動電極及び検出電極の形状はいずれも菱形以外の形状であってもよい。
Ｘ方向に並べて配置された複数の駆動電極を接続する配線１１０と、Ｙ方向に並べて配置された複数の検出電極を接続する配線１１０と、は異なる層に形成される。また、Ｙ方向に並べて配置された複数の検出電極を接続する配線１１０と、電極１０８と、は異なる層に形成される。そして、電極１０８と異なる層に配置された接続する配線１１０は、コンタクトホール２０１を介して、検出電極と電気的に接続される。これにより、駆動電極と検出電極とは電気的に接続しないように形成される。また、駆動電極と検出電極のペアは、それぞれがコンデンサの電極となって静電容量を形成するように、表示パネルの表面に近接して配置される。
電極１０８は、菱形の形状かつメッシュ状に形成される。具体的には、図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、駆動電極と検出電極は、メッシュ状に形成される。ここで、図２（ｂ）は、１個の電極の一部をさらに拡大した平面図である。また、電極１０８は、メッシュの孔部と発光領域２０２が重畳するように配置される。具体的には、図２（ｂ）に示すように、メッシュの孔部は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の副画素の各発光領域２０２と重なる位置に配置される。これにより、各副画素から出射される光が電極１０８によって遮られることがないため、表示装置１００の輝度を向上することができる。なお、図２（ｂ）は、図２（ａ）の一部を拡大した図である。また、電極１０８の形状は、菱形以外の形状であってもよい。
引き回し配線は、電極１０８と電気的に接続され、額縁領域１０４に配置される。具体的には、引き回し配線は、電気的に接続された駆動電極及び検出電極毎に１本配置される。各引き回し配線は、額縁領域１０４及び湾曲領域１２２を経由して、端子部１１６と電極１０８とを電気的に接続する。なお、図１のように、引き回し配線は、第１の層に配置された第１引き回し配線１１２と第２の層に配置された第２引き回し配線１１４で形成され、第１引き回し配線１１２と第２引き回し配線１１４が額縁領域１０４で接続される構成としてもよい。
タッチセンサは、駆動電極に入力された信号によって、変動した検出電極の電圧によってタッチされた位置を検出する。具体的には、駆動電極は、駆動信号が入力される。駆動信号によって、検出電極の電圧は、静電容量を介して変化する。タッチセンサは、検出電極の電圧変化によって、タッチされた位置を検出する。
ＦＰＣ１１８は、端子部１１６と接続される。ＦＰＣ１１８は、樹脂で形成され、可撓
性を有する。ＦＰＣ１１８は、駆動ＩＣ１２０が配置され、タッチセンサや表示領域１０２に形成された回路に対して、電源や信号を供給する。
性を有する。ＦＰＣ１１８は、駆動ＩＣ１２０が配置され、タッチセンサや表示領域１０２に形成された回路に対して、電源や信号を供給する。
駆動ＩＣ１２０は、ＦＰＣ１１８に配置され、タッチセンサや表示領域１０２に形成された回路に対して、電源や信号を供給する。具体的には、例えば、駆動ＩＣ１２０は、例えば、１画素を構成する複数の副画素のそれぞれに対応して配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタデータ信号線に対して副画素の階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ１２０によって、表示装置１００は、画像を表示領域１０２に表示する。また、駆動ＩＣ１２０は、駆動電極に入力する信号を生成し、検出電極の電圧に基づいてタッチされた位置を検出する。
図３は、表示装置１００に含まれる画素回路及び周辺回路の概略を示す模式図である。表示装置１００は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。
画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（thin film transistor）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４などを含む。
一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。
走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。
駆動電源回路２４は画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。
ここで、有機発光ダイオード６の下部電極は駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の上部電極５２０（図５参照）は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極５１２（図５参照）を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極５２０は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極５１２を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極５２０は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
続いて、湾曲された状態の表示装置１００について説明する。図４は、湾曲領域１２２の近傍における表示装置１００の模式的な断面を示す図である。図４に示すように、表示装置１００は、基板４０２と、保護フィルム４０４と、偏光板４０６と、補強フィルム４０８と、熱拡散シート４１０と、スペーサ４１２と、ＦＰＣ１１８と、駆動ＩＣ１２０と、補強樹脂４１４と、を含む。
基板４０２は、湾曲領域１２２において湾曲される。なお、基板４０２の上には、回路層５０２や封止膜５２２等の各層が配置されるが、図４では記載を省略している。
保護フィルム４０４は、基板４０２の上に配置される。保護フィルム４０４は、基板４０２上に配置された各層を保護するフィルムである。
偏光板４０６は、表示装置１００に入射した外光の反射を低減する。これにより、表示装置１００の視認性が向上する。
補強フィルム４０８は、表示装置１００を補強するフィルムである。補強フィルム４０８は、湾曲された状態の表示装置１００の表面及び裏面の平坦な領域に配置される。
熱拡散シート４１０は、表示装置１００の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート４１０は、表示装置１００の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、表示装置１００全体に拡散する。これにより、表示装置１００の一部だけ高温になる状態を防止する。
スペーサ４１２は、折り曲げられた表示装置１００の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ４１２は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。これにより、表示装置１００に厚み方向の圧力が加わっても湾曲領域１２２の曲率が許容範囲に保たれる。
また、スペーサ４１２の端部は、湾曲領域１２２の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ４１２の端部を湾曲領域１２２の背面に当接させることで、湾曲領域１２２の表面に圧力が加わっても湾曲領域１２２の形状を一定に保つことができる。スペーサ４１２によって、湾曲領域１２２に配置された配線にかかる応力を小さくし、配線の断線を起こりにくくすることができる。
ＦＰＣ１１８は、基板４０２の端子部１１６と接続される。ＦＰＣ１１８は、画素の点灯を制御する駆動ＩＣ１２０が配置される。
補強樹脂４１４は、表示装置１００を補強する樹脂である。補強樹脂４１４は、湾曲された状態の表示装置１００の湾曲領域１２２に配置される。
なお、湾曲領域１２２には補強樹脂４１４を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、湾曲領域１２２の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で表示装置１００を湾曲させることができる。湾曲領域１２２の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた表示装置１００の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた表示装置１００の厚さも小さくなる。
続いて、表示装置１００の断面について説明する。図５は、図１及び図２（ｂ）のＶ－Ｖ断面を示す図である。図６は、図１及び図２（ｂ）のVI－VI断面を示す図である。
図５及び図６に示すように、表示装置１００は、基板４０２と、回路層５０２と、サードメタル５０６と、透明電極５０８と、平坦化膜５１０と、層間膜５１２と、下部電極５１４と、リブ５１６と、ＥＬ層５１８と、上部電極５２０と、封止膜５２２と、タッチセンサ層５２４と、オーバーコート５２６と、偏光板５２８と、中立面保持用有機膜５２９と、を含んで構成される。
基板４０２は、例えば、ガラスやポリイミド等の可撓性がある材料で形成される。可撓性のある材料が用いられることにより、表示装置１００を屈曲することが出来る。
回路層５０２は、基板４０２の上層に、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、半導体層、パッシベーション層５０４等を含んで構成される。ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層によって、トランジスタ５０３が構成される。トランジスタ５０３は、例えば、画素に形成されたＥＬ層５１８に流す電流を制御する。また、トランジスタ５０３は、図３における駆動ＴＦＴ１２に相当する。
サードメタル５０６は、パッシベーション層５０４の上に配置される。具体的には、サードメタル５０６は、表示領域１０２及び額縁領域１０４において、パッシベーション層５０４の上に配置される。表示領域１０２に配置されたサードメタル５０６は、画素回路の一部を構成する。額縁領域１０４に配置されたサードメタル５０６は、端子部１１６に設けられた配線である。
透明電極５０８は、額縁領域１０４に配置されたサードメタル５０６の上に配置される。透明電極５０８は、下部電極５１４とサードメタル５０６とを電気的に接続する。
平坦化膜５１０は、表示領域１０２及び額縁領域１０４に配置される。具体的には、平坦化膜５１０は、表示領域１０２において、それぞれ回路層５０２及びサードメタル５０６の上に配置される。表示領域１０２に配置された平坦化膜５１０は、下部電極５１４と回路層５０２に含まれる電極とのショートを防止するとともに、回路層５０２に配置された配線やトランジスタ５０３による段差を平坦化する。額縁領域１０４に配置された平坦化膜５１０は、ダム部１０６を構成する。また、端子部１１６に配置された平坦化膜５１０は、サードメタル５０６で形成される複数の端子を電気的に接続しないように分離する。
層間膜５１２は、平坦化膜５１０の上に配置される。材料はシリコンナイトライド等の無機絶縁膜であり、層間膜５１２は、額縁領域１０４においてコンタクトホールが設けられ、当該コンタクトホールを介して、サードメタル５０６と下部電極５１４は電気的に接続される。
下部電極５１４は、層間膜５１２の上に配置される。具体的には、下部電極５１４は、表示領域１０２において、層間膜５１２及び平坦化膜５１０に形成されたコンタクトホールを介して、回路層５０２に形成されたトランジスタ５０３のソース又はドレイン電極と電気的に接続されるように形成される。
リブ５１６は、平坦化膜５１０の上に配置される。具体的には、表示領域１０２において、リブ５１６は、ＥＬ層５１８の発光する領域を囲うように形成される。
ＥＬ層５１８は、下部電極５１４の上に形成される。具体的には、ＥＬ層５１８は、表示領域１０２において、下部電極５１４及びリブ５１６の端部の上に形成される。また、ＥＬ層５１８は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層が積層されることによって形成される。発光層は、例えば、下部電極５１４から注入されたホールと、上部電極５２０から注入された電子とが再結合することにより発光する。ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び、電子注入層については従来技術と同様である為説明を省略する。なお、本実施形態では、発光層は、赤色、緑色、及び、青色の光を発光する材料を用いて形成される。
上部電極５２０は、ＥＬ層５１８の上に形成され、下部電極５１４との間に電流を流すことでＥＬ層５１８に含まれる発光層を発光させる。上部電極５２０は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の金属を含んで構成される透明導電膜やＡｇＭｇから成る光透過性を有する金属薄膜で形成される。下部電極５１４と、ＥＬ層５１８と、上部電極５２０との接触部は、有機発光素子５２１を構成する。有機発光素子５２１は、図３における有機発光ダイオード６に相当する。
封止膜５２２は、画像を表示する表示領域１０２を覆うように配置される。具体的には、封止膜５２２は、表示領域１０２の全ての領域と、額縁領域１０４の一部を覆うように配置される。
また、封止膜５２２は、下層バリア膜５３０と、封止平坦化膜５３２と、上層バリア膜５３４と、を含んで構成される。具体的には、下層バリア膜５３０は、表示領域１０２において上部電極５２０を覆うように形成される。封止平坦化膜５３２は、ダム部１０６の内側に下層バリア膜５３０を覆うように配置される。封止平坦化膜５３２は、下層バリア膜５３０の凹凸を平坦化する。上層バリア膜５３４は、下層バリア膜５３０と封止平坦化膜５３２を覆うように形成される。下層バリア膜５３０及び上層バリア膜５３４は、例えばＳｉＮ等の、水分を透過しない無機材料で形成される。封止平坦化膜５３２は、例えばアクリルやエポキシで形成される。封止膜５２２により、ＥＬ層５１８に水分が侵入することによって、ＥＬ層５１８が劣化することを防止できる。
タッチセンサ層５２４は、第１電極層５３６と、第１絶縁層５３８と、第２絶縁層５４０と、第２電極層５４２と、を有する。第１電極層５３６は、封止膜５２２の上に配置される。具体的には、図５に示すように、第１電極層５３６は、封止膜５２２に含まれる上層バリア膜５３４の上に配置される。第１電極層５３６は、Ｘ方向またはＹ方向のいずれか一方に並べて配置された複数の電極１０８を電気的に接続する配線１１０である。第１電極層５３６は、第２電極層５４２を介して、駆動信号の入力または検出信号の出力がなされる。第１電極層５３６は、センサ間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して第２電極層５４２と電気的に接続される。なお、第１電極層５３６と接続される第２電極層５４２は、引き回し配線の一部である。図６に示す領域では、第１電極層５３６は、配置されない。
第１絶縁層５３８は、第１電極層５３６の上に窒素を含む材料で形成される。具体的には、平面視で、第１電極層５３６と、第１絶縁層５３８と、第２電極層５４２と、が重なる領域には、寄生キャパシタが形成される。当該寄生キャパシタは、タッチセンサの検出精度を低下させる。その為、第１絶縁層５３８は、寄生キャパシタの容量が小さくなる材料であるシリコンナイトライドで形成される。
また、図５に示すように、第１絶縁層５３８は、第１電極層５３６と第２電極層５４２を電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられる。当該コンタクトホールは、駆動電極または検出電極として形成された電極１０８と、端子部１１６とを電気的に接続する。コンタクトホールが設けられた領域以外の領域において、第１絶縁層５３８は、第１電極層５３６を覆うように形成される。これにより、駆動電極と検出電極とが短絡することを防止する。
第２絶縁層５４０は、第１絶縁層５３８とオーバーコート５２６との間に窒素を含まない材料で形成される。具体的には、第２絶縁層５４０は、第１絶縁層５３８と第２電極層５４２の間に配置され、第１絶縁層５３８を覆うように配置される。第２絶縁層５４０は、シリコンオキサイドで形成される。また、第２絶縁層５４０は、アルミナで形成されてもよい。
第２絶縁層５４０は、第１絶縁層５３８に含まれる窒素とオーバーコート５２６に含まれる水分との反応を阻害する。具体的には、第２電極層５４２は、メッシュ状に形成される。第２絶縁層５４０が設けられない場合、第２電極層５４２のメッシュの孔部において、オーバーコート５２６と第１絶縁層５３８は接して配置される。オーバーコート５２６は有機材料で形成されるため、表示装置１００の製造過程においてオーバーコート５２６の内部に水分が侵入する場合がある。この場合、オーバーコート５２６内部の水分と、第１絶縁層５３８に含まれる窒素が反応し、ＮＨ３＋イオンが生じる。第２絶縁層５４０は、第１絶縁層５３８とオーバーコート５２６との間に配置されることにより、第１絶縁層５３８に含まれる窒素とオーバーコート５２６に含まれる水分との反応を阻害する。これにより、オーバーコート５２６の上に配置される偏光板５２８の劣化を防止できる。
なお、第１絶縁層５３８及び第２絶縁層５４０により、第１電極層５３６と、駆動電極または検出電極として形成される第２電極層５４２は、絶縁される。
第２電極層５４２は、第１絶縁層５３８の上側に配置される。具体的には、第２電極は、第１絶縁層５３８の上に配置された第２絶縁層５４０の上に配置される。第２電極層５４２は、駆動電極及び検出電極として形成され、平面視で菱形形状かつメッシュ状に配置される。第２電極層５４２が配置されない隙間は、メッシュの孔部に相当する。すなわち、図６に示すように、第２電極層５４２は、一定間隔でセンサ間絶縁層の上に配置される。また、図５に示す領域では、第２電極層５４２は切れ目なく形成される。
オーバーコート５２６は、タッチセンサ層５２４を覆うように形成される。具体的には、オーバーコート５２６は、タッチセンサ層５２４に含まれる第２絶縁層５４０及び第２電極層５４２を覆うように配置される。上記のように、オーバーコート５２６は、第１絶縁層５３８と直接接しないように配置される。また、オーバーコート５２６は、樹脂材料で形成される。
偏光板５２８は、オーバーコート５２６の上に配置される。具体的には、偏光板５２８は、ヨウ素錯体等で形成される偏光素子を含む材料で形成される。偏光板５２８は、外光による表示装置１００の視認性の低下を防止する。
中立面保持用有機膜５２９は、湾曲領域１２２の周辺において、タッチセンサ層５２４及び平坦化膜５１０の上に配置される。具体的には、中立面保持用有機膜５２９は、湾曲領域１２２が湾曲された状態で表示装置１００の形状を固定する有機膜である。中立面保持用有機膜５２９によって、湾曲によって生じる中立面が保持される。なお、中立面保持用有機膜５２９は、補強樹脂と一体であってもよいし、補強樹脂とは別に、補強樹脂の下側に配置されてもよい。中立面保持用有機膜５２９は図４の補強樹脂４１４である。
以上のように、本発明によれば、窒素を含む第１絶縁層５３８と水分を含むオーバーコート５２６は、第２絶縁層５４０により、直接接しないように配置される。これにより、第１絶縁層５３８に含まれる窒素と、オーバーコート５２６に含まれる水と、の反応によりＮＨ３＋イオンが発生し、偏光板５２８が劣化することを防止できる。
具体的には、図７を用いて本発明の効果について説明する。図７は、ＮＨ３＋イオンの検出量について説明するための図であり、イオンクロマト法により各試料から検出されたＮＨ３＋イオンの量の実験結果を示す図である。図７において、三角の印は、シリコンナイトライドをＣＶＤ法で形成する際に、製造装置内に導入したＮＨ３ガスの流量（グラフの右縦軸）を表す。また、棒グラフの高さは、検出されたＮＨ３＋イオンの量（グラフ左縦軸）を表す。
測定試料は、窒素が含まれていない比較試料（図中「Ｓｉウェハ」）と、従来技術で作成した試料（図中「ＳｉＮ膜１」及び「ＳＩＮ膜２」）と、本発明により作成した試料（図中「ＳｉＮを含む構成１」、「ＳｉＮを含む構成２」及び「ＳｉＮを含む構成３」である。
なお、「ＳｉＮ膜１」は、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＣＶＤ法で形成する際に、ＮＨ３ガスを用いて形成した試料である。「ＳｉＮ膜２」は、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＣＶＤ法で形成する際に、ＮＨ３ガスを用いずに形成した試料である。
また、「ＳｉＮを含む構成１」は、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＮＨ３ガスを用いて形成した上で、シリコンオキサイドである第２絶縁層５４０を３０ｎｍの厚さで形成した試料である。「ＳｉＮを含む構成２」は、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＮＨ３ガスを用いて形成した上で、シリコンオキサイドである第２絶縁層５４０を６０ｎｍの厚さで形成した試料である。
「ＳｉＮを含む構成３」は、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＮＨ３ガスを用いて形成した上で、アルミナである第２絶縁層５４０を３０ｎｍの厚さで形成した試料である。
図７に示すように、比較試料である「ＳｉＮ膜１」において、検出されたＮＨ３＋イオン量は、０．００μｇ／ｃｍ２である。当該値は、検出装置の検出下限以下の値である。従って、イオンクロマト法による実験が、高精度に行われていることを確認できる。
「ＳｉＮ膜１」及び「ＳＩＮ膜２」について、検出されたＮＨ３＋イオン量は、それぞれ０．６４μｇ／ｃｍ２及び０．２４μｇ／ｃｍ２である。従って、シリコンナイトライドを形成する際に、製造装置内にＮＨ３ガスを導入しないことによって、発生するＮＨ３＋イオンの量を低減できる。しかしながら、当該方法により作成されたタッチセンサは、第１絶縁層５３８の透過率が低下するため、表示装置１００の輝度が低下する。
一方、「ＳｉＮを含む構成１」、「ＳｉＮを含む構成２」及び「ＳｉＮを含む構成３」について、検出されたＮＨ３＋イオン量は、それぞれ０．０５μｇ／ｃｍ２、０．０３μｇ／ｃｍ２及び０．０３μｇ／ｃｍ２である。従来技術よりも本発明によって作成した試料について検出されたＮＨ３＋イオンの量は低い。
以上のように、本発明によれば、従来技術と比較して、発生するＮＨ３＋イオンを低減できることが確認された。また、第１絶縁層５３８であるシリコンナイトライドをＮＨ３ガスを用いて形成するため、表示装置１００の輝度の低下を防止できる。
上記実施形態の変形例として、図８に示すように、湾曲領域１２２の内側で、リブ５１６に設けられたコンタクトホールを介して、第２電極層５４２とサードメタル５０６とが接続されてもよい。具体的には、湾曲領域１２２の内側かつ第１絶縁層５３８及び第２絶縁層５４０の外側において、リブ５１６にコンタクトホールが形成される。当該コンタクトホールを介して、第２電極層５４２とサードメタル５０６とは電気的に接続される。また、湾曲領域１２２において、リブ５１６の上に第２電極層５４２は配置されない。当該構成によれば、湾曲領域１２２に配置される無機膜を削減することができる。これにより、中立面の制御が容易になるため、湾曲領域１２２に配置される各層の材料選定や膜厚に関する設計の自由度を高めることができる。
また、上記実施形態の他の変形例として、第２絶縁層５４０は、第２電極層５４２の上に表示領域１０２を覆うように配置されてもよい。具体的には、図９に示すように、第２絶縁層５４０は、第２電極層５４２とオーバーコート５２６の間に配置されてもよい。また、第２絶縁層５４０が表示領域１０２を覆うように配置されることにより、第２電極層５４２のメッシュの孔部により露出する第１絶縁層５３８は、第２絶縁層５４０に覆われる。当該構成により、第１絶縁層５３８とオーバーコート５２６が直接接しないように配置される。従って、当該構成であっても、従来技術と比較して、発生するＮＨ３＋イオンを低減できる。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 表示装置、１０２ 表示領域、１０４ 額縁領域、１０６ ダム部、１０８ 電極、１１０ 電極を接続する配線、１１２ 第１引き回し配線、１１４ 第２引き回し配線、１１６ 端子部、１１８ ＦＰＣ、１２０ 駆動ＩＣ、１２２ 湾曲領域、２０１ コンタクトホール、２０２ 発光領域、４ 画素アレイ部、６ 有機発光ダイオード、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０２ 基板、４０４ 保護フィルム、４０６ 偏光板、４０８ 補強フィルム、４１０ 熱拡散シート、４１２ スペーサ、４１４ 補強樹脂、５０２ 回路層、５０３ トランジスタ、５０４ パッシベーション層、５０６ サードメタル、５０８ 透明電極、５１０ 平坦化膜、５１２ 層間膜、５１４ 下部電極、５１６ リブ、５１８ ＥＬ層、５２０ 上部電極、５２１ 有機発光素子、５２２ 封止膜、５２４ タッチセンサ層、５２６ オーバーコート、５２８ 偏光板、５２９ 中立面保持用有機膜、５３０ 下層バリア膜、５３２ 封止平坦化膜、３３４ 上層バリア膜、５３６ 第１電極層、５３８ 第１絶縁層、５４０ 第２絶縁層、５４２ 第２電極層。
Claims (3)
- 画像を表示する表示領域を覆う封止膜と、
前記封止膜の上に配置された第１電極層と、該第１電極層の上に窒素を含む材料で形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上側に配置された第２電極層と、を有し、前記表示領域のタッチされた位置を検出するタッチセンサ層と、
前記タッチセンサ層を覆うオーバーコートと、
前記オーバーコートの上に配置された偏光板と、
を有し、
前記タッチセンサ層は、さらに、前記第１絶縁層と前記オーバーコートとの間に窒素を含まない材料で形成され、前記第１絶縁層に含まれる窒素と前記オーバーコートに含まれる水分との反応を阻害する第２絶縁層を有し、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層と前記第２電極層の間に配置され、前記第１絶縁層を覆う、
ことを特徴とする表示装置。 - 前記第１絶縁層は、シリコンナイトライドであって、
前記第２絶縁層は、シリコンオキサイドまたはアルミナである、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記表示装置は、さらに、表示領域にマトリクス状に配置され、それぞれ発光領域から光を発する複数の画素を有し、
前記第１電極層及び前記第２電極層は、メッシュ状であり、メッシュの孔と前記発光領域が重畳するように配置される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
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| JP2022081990A (ja) * | 2020-11-20 | 2022-06-01 | 日東電工株式会社 | 位相差層付偏光板およびそれを用いた有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
| KR20230082281A (ko) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
| WO2024127450A1 (ja) * | 2022-12-12 | 2024-06-20 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160103549A1 (en) | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US20160320885A1 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
| JP2018006749A (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP2018022322A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20180061898A1 (en) | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Having Touch Sensor and Method of Fabricating the Same |
| JP2018106706A (ja) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6458711B1 (en) * | 1997-03-20 | 2002-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Self-aligned silicide process |
| US7180100B2 (en) * | 2001-03-27 | 2007-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP2003273325A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN100394223C (zh) | 2003-04-21 | 2008-06-11 | 日东电工株式会社 | 偏振镜及其制造方法、偏振片、光学薄膜和图像显示装置 |
| JP4293543B2 (ja) | 2003-04-21 | 2009-07-08 | 日東電工株式会社 | 偏光子、その製造方法、偏光板、光学フィルムおよび画像表示装置 |
| KR101370301B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2014-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
| KR102345004B1 (ko) | 2015-02-26 | 2021-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2018
- 2018-10-30 JP JP2018203750A patent/JP7153533B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-15 US US16/653,078 patent/US10833133B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160103549A1 (en) | 2014-10-10 | 2016-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| US20160320885A1 (en) | 2015-04-28 | 2016-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with touch sensor |
| JP2018006749A (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 表示装置 |
| JP2018022322A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20180061898A1 (en) | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Having Touch Sensor and Method of Fabricating the Same |
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