JP4026618B2

JP4026618B2 - 電気光学装置、その検査方法および電子機器

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Publication number: JP4026618B2
Application number: JP2004150462A
Authority: JP
Inventors: 陽一今村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-05-20
Filing date: 2004-05-20
Publication date: 2007-12-26
Anticipated expiration: 2024-05-20
Also published as: CN100399396C; KR20060047221A; CN101271670B; CN101271670A; JP2005331744A; CN1700284A; US7145533B2; KR100690538B1; US20050258769A1

Description

本発明は、電気的な作用を光学的な作用に変換する素子または光学的な作用を電気的な
作用に変換する素子（以下では「電気光学素子」と総称する）を利用した電気光学装置を
検査する技術に関する

液晶や有機発光ダイオード素子（以下「ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）
素子」という）などの電気光学素子を利用した電気光学装置が広く普及している。例えば
、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子により電気光学素子の挙動を制御する複数の
単位回路（画素回路）が面状に配置されたアクティブマトリクス型の電気光学装置が従来
から提案されている。この種の電気光学装置においては、各単位回路の特性（例えばスイ
ッチング素子の電気的な特性）の誤差が特に問題となる。この問題を解決するために、例
えば特許文献１には、各単位回路に含まれるスイッチング素子と同等の構成のスイッチン
グ素子を単位回路とは別個に形成し、その電気的な特性を検査することによって各単位回
路の特性を検査する技術が開示されている。
特開平１１−１６７１２３号公報（段落００１９および図１）

ところで、電気光学素子として液晶を利用した電気光学装置においては、液晶自体の特
性は総ての単位回路にわたって略同等であるため、各単位回路のうちスイッチング素子の
特性さえ検査すれば総ての単位回路について特性のばらつきの有無を判定することができ
る。しかしながら、電気光学素子が単位回路ごとに別個に形成される電気光学装置におい
ては、スイッチング素子の特性だけではなく電気光学素子の特性もばらつく可能性がある
から、スイッチング素子の特性の良否のみを検査しても単位回路の全体の検査としては充
分ではない。例えば、インクジェット法や真空蒸着法といった方法により電気光学素子た
るＯＬＥＤ素子を形成した場合には各単位回路におけるＯＬＥＤ素子の特性のばらつきが
少なからず発生するが、特許文献１に記載された技術によっては各単位回路のＯＬＥＤ素
子の特性までは検査することができない。なお、このような問題は、電気的な作用を光学
的な作用（例えば輝度）に変換するＯＬＥＤ素子などの電気光学素子だけではなく、光学
的な作用を電気的な作用に変換するための電気光学素子（例えば、受光量に応じた電気信
号を出力する受光素子）を利用した電気光学装置においても同様に生じ得る問題である。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、電気光学素子とこ
れを制御する制御回路とを含む複数の単位回路が配列された電気光学装置を有効に検査す
ることにある。

上述した課題を解決するため、本発明は、電気光学素子と当該電気光学素子を制御する
制御回路とを各々が有する複数の単位回路と、前記電気光学素子を駆動するための検査信
号が入力される検査端子と、前記複数の単位回路のうち検査の対象として選択された検査
単位回路の電気光学素子と前記検査端子との間に設けられ、前記検査単位回路の電気光学
素子と前記検査端子とを電気的に絶縁させる第１の状態、および前記検査単位回路の前記
電気光学素子と前記検査端子とを電気的に導通させる第２の状態を取り得る検査信号供給
素子とを具備する。

この構成によれば、検査端子に入力された検査信号が、第２の状態にある検査信号供給
素子を介して検査単位回路の電気光学素子に供給されるから、検査単位回路のうち電気光
学素子の特性のみを独立して検査することができる。なお、本発明における電気光学素子
とは、電気的な作用を光学的な作用に変換する素子、および光学的な作用を電気的な作用
に変換する素子の双方を含む概念である。前者に係る電気光学素子は、例えば、供給され
た電気信号に応じて光学的な特性（例えば輝度や透過率）が変化する素子である。この種
の電気光学素子の典型例は、発光ポリマーや発光低分子材料を用いた有機ＥＬ（ElectroL
uminescent）素子であるが、本発明が適用される範囲はこれに限定されない。一方、後者
に係る電気光学素子は、例えば当該電気光学素子への入射光の特性（例えば入射光量）に
応じて電気信号を出力する素子である。この種の電気光学素子の典型例は、入射光の光量
に応じて電気信号を出力するＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子などの受光素子で
ある。

本発明の具体的な態様においては、電気光学素子の検査の実行を指示する検査指示信号
を入力する検査指示端子が配設され、検査信号供給素子は、検査指示端子から入力される
検査指示信号に応じて第１の状態および第２の状態の一方から他方に切り替わるスイッチ
ング素子である。この態様によれば、第１の状態と第２の状態とが検査指示端子によって
適宜に切り替えられるから、スイッチング素子を第２の状態として検査を実施する一方、
通常の使用状態においてはスイッチング素子を第１の状態とすることによって検査単位回
路に対する検査端子の影響（例えば検査端子に付随する寄生容量の影響や検査端子に発生
するノイズの影響）が抑制される。

また、他の態様においては、検査信号供給素子として、エネルギーの付与によって第１
の状態から第２の状態に変化するアンチヒューズが採用される。この構成によれば、アン
チヒューズを第２の状態に変化させることによって検査が実施される一方、例えば検査の
必要性が少ない電気光学装置についてはアンチヒューズを第１の状態のまま維持すること
によって検査単位回路に対する検査端子の影響が低減される。なお、本態様におけるアン
チヒューズは、各単位回路の制御回路を構成するトランジスタと共通の工程において形成
されることが好ましい。すなわち、より好ましい態様において、各単位回路の制御回路は
、配線層が接続された半導体層とゲート絶縁膜を挟んで半導体層に対向するゲート電極と
を有するトランジスタ素子を含み、アンチヒューズは、配線層と同一の材料によって形成
されて検査単位回路の電気光学素子に接続された第１の端部と、配線層と同一の材料によ
って第１の端部から離間して形成されて検査端子に接続された第２の端部と、ゲート電極
と同一の材料によって形成されるとともにゲート絶縁膜を挟んで第１の端部および第２の
端部に対向する中間部とを具備し、中間部と第１の端部および第２の端部とが相互に対向
する部分にエネルギーが付与されることによって第１の端部と第２の端部とが中間部を介
して導通する。この態様によれば、アンチヒューズを独立の工程にて形成する場合と比較
して製造工程の簡素化や製造コストの低減が図られる。

ところで、面状に配列された複数の単位回路のうち周縁部、特に隅部に位置する単位回
路は他の位置にある単位回路よりも特性の誤差が生じやすいという傾向がある。そこで、
本発明の好ましい態様において、面状に配列されて有効領域を形成する複数の単位回路の
うち有効領域の周縁に位置する単位回路が検査単位回路として選定される。さらに望まし
くは、複数の単位回路のうち、略矩形状をなす有効領域の隅部に位置する単位回路が検査
単位回路とされる。この態様によれば、有効領域の隅部にある単位回路を検査の対象とす
ることにより、より精度よく電気光学装置の良否を判定することができる。他の態様にお
いては、ダミーの電気光学素子が有効領域の周囲に配置される。電気光学素子が配列され
る領域のうち周縁に位置する電気光学素子は特性の誤差が特に生じやすいという傾向があ
る。この傾向のもとでも、有効領域の周囲にダミーの電気光学素子が形成されていれば、
有効領域内の電気光学素子の特性を均一化することができる。なお、ダミーの電気光学素
子とは、電気光学装置の本来の機能（例えば画像を表示する機能や光を受光する機能）に
寄与しない電気光学素子であり、これに付随して制御回路が配設されているか否かは不問
である。

本発明における有効領域とは、電気光学装置の本来の機能に直接的に関与する単位回路
が配列された領域である。例えば、電気的な作用を光学的な作用に変換する電気光学素子
を利用して画像を表示する電気光学装置においては、利用者によって視認される画像を実
際に表示する領域（いわゆる表示領域）が有効領域として把握される。また、光学的な作
用を電気的な作用に変換する電気光学素子を利用して受光量に応じた電気信号を出力する
電気光学装置においては、電気信号への変換の対象となる光を実際に受光する領域が有効
領域として把握される。

本発明の望ましい態様において、各単位回路の制御回路は、電気光学素子と当該制御回
路との電気的な導通および非導通を切り替えるスイッチング素子（後述する各実施形態に
おけるトランジスタＴ3）を有する。この態様によれば、電気光学素子の検査に際して当
該電気光学素子と制御回路とを電気的に切り離すことができるから、制御回路の影響を排
除してさらに精度よく電気光学素子の特性を検査することができる。

さらに別の態様において、検査信号供給素子と検査端子との間に介在する配線が、相互
に離間して形成された複数の第１配線部と、各第１配線部よりも耐食性の高い材料によっ
て形成されて複数の第１配線部の各々を相互に電気的に接続する第２配線部とを有する。
この態様によれば、各第１配線部が相互に離間して形成されているから、検査端子側の第
１配線部に発生した腐食が検査信号供給素子や電気光学素子に到達する事態が防止される
。この態様においては、各単位回路の制御回路が、配線層が接続された半導体層とゲート
絶縁膜を挟んで半導体層に対向するゲート電極とを有するトランジスタ素子を含み、複数
の第１配線部は配線層と同一の材料により形成され、第２配線部は半導体層と同一の材料
により形成されることが望ましい。この態様によれば、配線を他の要素から独立した工程
にて形成する場合と比較して、製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることがで
きる。

本発明の他の態様において、電気光学素子は、発光層を含む複数の層を陽極と陰極との
間に積層してなるＯＬＥＤ素子であり、ＯＬＥＤ素子を構成する各層と陽極および陰極と
を含む複数の層のなかから選択された２以上の層を積層してなるアライメントパターンを
具備する。この態様によれば、アライメントパターンを観察することにより、ＯＬＥＤ素
子の各層の相対的な位置関係や膜厚を測定することができる。さらに、別の態様において
、電気光学素子は、発光層を含む複数の層を陽極と陰極との間に積層してなるＯＬＥＤ素
子であり、ＯＬＥＤ素子を構成する各層と陽極および陰極とを含む複数の層のなかから選
択された２以上の層を積層してなる第１のアライメントパターンと、第１のアライメント
パターンを構成する各層とは組み合わせが異なる２以上の層を積層してなる第２のアライ
メントパターンとを具備する。この態様によれば、第１のアライメントパターンの観察結
果と第２のアライメントパターンの観察結果とを比較することにより、ＯＬＥＤ素子の各
層の位置関係をさらに精度よく検査することができる。

本発明の電気光学装置は各種の電子機器の表示装置や受光装置として採用される。この
ような電子機器としては、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末、モニタ
ー、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ等がある。

本発明は電気光学装置を検査する方法としても特定される。すなわち、この方法は、電
気光学素子と当該電気光学素子を制御する制御回路とを各々が有する複数の単位回路を備
えた電気光学装置を検査する方法であって、複数の単位回路のうち検査の対象として選択
された検査単位回路と検査端子との間に設けられた検査信号供給素子を、検査単位回路の
電気光学素子と検査端子とを電気的に絶縁させる第１の状態から、検査単位回路の電気光
学素子と検査端子とを電気的に導通させる第２の状態に変化させたうえで、電気光学素子
を駆動するための検査信号を検査端子に入力し、この検査信号を供給したときの電気光学
素子の状態の変化を検査する。この方法によれば、本発明に係る電気光学装置と同様の効
果が得られる。さらに、各単位回路の制御回路が、電気光学素子と当該制御回路との電気
的な導通および非導通を切り替えるスイッチング素子を有する構成において、検査信号を
入力するときにスイッチング素子をオフ状態として電気光学素子と制御回路とを非導通と
すれば、制御回路の特性の影響を排除して電気光学素子のみの特性を独立に検査すること
ができる。

＜１．第１実施形態＞
まず、電気光学素子としてＯＬＥＤ素子を利用した電気光学装置に本発明を適用した形
態を説明する。図１は、この電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図に示され
るように、電気光学装置Ｄは基板１０を有する。この基板１０は、ガラスやプラスチック
など光透過性を有する材料によって形成された略矩形状の板状部材である。図１に示され
る各要素は基板１０の表面上に形成されている。これらの各要素が形成された基板１０の
表面には封止板２９が貼り合わされている。この封止板２９は、基板１０よりも外形の寸
法が小さい板状の部材である。基板１０のうち封止板２９の周縁から張り出した領域には
、基板１０の縁辺に沿うように複数の接続端子（Ｐy、Ｐx、ＴＰa1、ＴＰa2、…）が形成
されている。詳細については後述するが、これらの接続端子は、電気光学装置Ｄに対する
電気信号の入力や電気光学装置Ｄからの電気信号の出力のために利用される。

基板１０の表面上には、Ｘ方向に延在する合計ｍ本の走査線１１と、各走査線１１と対
をなしてＸ方向に延在する合計ｍ本の発光制御線１２と、Ｘ方向に直交するＹ方向に延在
する合計ｎ本のデータ線１３とが形成されている（ｍおよびｎはともに自然数）。走査線
１１および発光制御線１２の対とデータ線１３との各交差には、画素として機能する単位
回路Ｕが配置されている。このように、本実施形態に係る電気光学装置Ｄは、各単位回路
ＵがＸ方向およびＹ方向にわたってｍ行×ｎ列のマトリクス状に配列されたアクティブマ
トリクス型の表示装置である。以下では、単位回路Ｕが配列された略矩形状の領域Ａを「
有効領域」と表記する。この有効領域Ａは、利用者によって視認される画像が実際に表示
される領域である。

各単位回路Ｕは、供給された電気信号に応じた輝度にて発光するＯＬＥＤ素子１６を有
する。これらの単位回路Ｕには、フルカラー表示装置の場合は赤色、緑色および青色の何
れかが割り当てられており、各単位回路ＵのＯＬＥＤ素子１６は、当該単位回路Ｕに割り
当てられた色に対応した波長の光を出射する。このうち赤色に対応する単位回路Ｕは電源
線２５を介して接続端子ＰELrに接続され、緑色に対応する単位回路Ｕは電源線２５を介
して接続端子ＰELgに接続され、青色に対応する単位回路Ｕは電源線２５を介して接続端
子ＰELbに接続されている。接続端子ＰELr、ＰELgおよびＰELbの各々には、各発光色ごと
に独立に選定された電源電圧ＶELが印加される。

また、図１に示されるように、有効領域Ａの周辺には複数のダミー素子１８が形成され
ている。各ダミー素子１８は、Ｘ方向およびＹ方向にわたって各単位回路Ｕと略同一の間
隔をもって配列された素子であり、各単位回路ＵのＯＬＥＤ素子１６と共通の工程にて同
一の材料により形成されたＯＬＥＤ素子である。ただし、各ダミー素子１８は、走査線１
１やデータ線１３といった他の要素と電気的に接続されていないため画像の表示には何ら
寄与しない。上述した有効領域Ａは、複数のＯＬＥＤ素子が配列された領域のうちダミー
素子１８が配置された領域を除外した領域としても把握され得る。

ここで、本実施形態の電気光学装置Ｄの動作モードには、表示装置本来の機能として有
効領域Ａに画像を表示するモード（以下「通常表示モード」という）のほか、各単位回路
Ｕの特性を検査するためのモード（以下「検査モード」という）がある。このうち検査モ
ードにおいては、複数の単位回路Ｕのなかから予め選定された単位回路Ｕ（以下では特に
「検査単位回路Ｕt」という場合がある）が検査の対象とされる。これらの検査単位回路
Ｕtの特性の良否を検査することによって他の単位回路Ｕの特性の良否が推定される。本
実施形態においては、図１に示される複数の単位回路Ｕのうち有効領域Ａの右上の隅部に
配置された３つの単位回路Ｕ、すなわち第１行第（ｎ−１）列、第１行第ｎ列、および第
２行第ｎ列にそれぞれ位置する３つの単位回路Ｕが検査単位回路Ｕtとして選定された場
合を想定する。

図１に示されるように、各検査単位回路Ｕtは、各々に対応して配置されたスイッチン
グ素子４１を介して接続端子（以下では特に「検査端子」という）ＴＰa1に接続されてい
る。本実施形態におけるスイッチング素子４１は、ｎチャネル型のトランジスタである。
各スイッチング素子４１のドレイン電極が接続された検査端子ＴＰa1には、検査に際して
ＯＬＥＤ素子１６を試験的に駆動するための検査信号Ｓtが入力される。さらに、各スイ
ッチング素子４１のゲート電極は、ＯＬＥＤ素子１６の検査の実行を指示するための検査
指示信号Ｓgateが入力される接続端子（以下では特に「検査指示端子」という）ＴＰa2に
対して共通に接続されている。一方、検査単位回路Ｕt以外の単位回路Ｕにはスイッチン
グ素子４１が接続されていない。なお、以下の説明において単に「単位回路Ｕ」と表記さ
れている場合には検査単位回路Ｕtを含む任意の単位回路Ｕを意味するものとする。

有効領域Ａの周辺には走査線駆動回路２１（２１ａおよび２１ｂ）とデータ線駆動回路
２２とが配置されている。各走査線１１は、その一端（図１における左側の端部）がＡＮ
Ｄゲート３１を介して走査線駆動回路２１ａに接続されるとともに他端（図１における右
側の端部）が走査線駆動回路２１ｂに接続されている。また、各発光制御線１２は、その
一端がＯＲゲート３２を介して走査線駆動回路２１ａに接続されるとともに他端が走査線
駆動回路２１ｂに接続されている。走査線駆動回路２１ｂの出力は、検査モード信号Ｓmo
dの反転信号で制御される。この反転信号がＬレベルのときは走査線駆動回路２１ｂの出
力は、フローティングとなり、Ｈレベルのときは走査線駆動回路２１aと同期して出力さ
れ、走査線１１および発光制御線１２を制御する。各走査線駆動回路２１（２１ａおよび
２１ｂ）は、走査線１１または発光制御線１２の総本数に相当するｍビットのシフトレジ
スタを含んで構成される。通常表示モードが選定されている場合、各走査線駆動回路２１
は、図２に示されるように、接続端子Ｐyを介して供給される制御信号（例えばクロック
信号）に基づいて、各垂直走査期間（１Ｆ）を分割した水平走査期間（１Ｈ）ごとに順番
にアクティブレベル（本実施形態ではＬレベル）となる走査信号Ｙ1、Ｙ2、…、Ｙmを各
出力段から順次に出力する。さらに、各走査線駆動回路２１は、走査信号Ｙ1、Ｙ2、…、
Ｙmの論理レベルを反転した発光制御信号ＧＣ1、ＧＣ2、…、ＧＣmを各出力段から順次に
出力する。したがって、図２に示されるように、第ｉ行目の発光制御線１２に供給される
発光制御信号ＧＣiは、１垂直走査期間のうち第ｉ番目の水平走査期間においてＨレベル
となり、その他の期間においてＬレベルを維持する。なお、ここでは各走査線１１および
各発光制御線１２の両側に走査線駆動回路２１ａおよび２１ｂが配置された構成を例示し
たが、走査信号Ｙiや発光制御信号ＧＣiの波形の鈍りや遅延および電圧降下が問題となら
ないのであれば、各走査線１１や各発光制御線１２の一方の側のみに走査線駆動回路２１
が配置された構成も採用され得る。

図１に示される接続端子（以下「検査モード端子」という）ＴＰa3には、検査単位回路
Ｕtに対して実施される検査の内容を指示するための検査モード信号Ｓmodが入力される。
この検査モード信号Ｓmodは、検査モードにおいては検査の内容に応じてＨレベルおよび
Ｌレベルの何れかとされる一方、通常表示モードにおいてはＬレベルに維持される信号で
ある。図１における上方から数えて第ｉ番目のＯＲゲート３２の一方の入力端は走査線駆
動回路２１における発光制御信号ＧＣiの出力段に接続され、他方の入力端は検査モード
端子ＴＰa3に連結された配線３４に接続されている。したがって、検査モード信号Ｓmod
がＬレベルを維持する通常表示モードにおいて、走査線駆動回路２１ａから出力される各
発光制御信号ＧＣiはＯＲゲート３２を経由して第ｉ行目の発光制御線１２に供給される
。また、配線３４には、プルダウン用の抵抗Ｒ2とともにインバータ３６の入力端が接続
されている。図１における上方から数えて第ｉ番目のＡＮＤゲート３１の一方の入力端は
走査線駆動回路２１における走査信号Ｙiの出力段に接続され、他方の入力端はインバー
タ３６の出力端に連結された配線３５に接続されている。したがって、検査モード信号Ｓ
modがＬレベルを維持する通常表示モードにおいて、走査線駆動回路２１から出力される
各走査信号ＹiはＡＮＤゲート３１を経由して第ｉ行目の走査線１１に供給される。走査
信号Ｙiがアクティブレベルになると、第ｉ行目の走査線１１が選択されたことを示す。

一方、データ線駆動回路２２には各データ線１３の一端が接続されている。このデータ
線駆動回路２２は、データ線１３の総本数に相当する合計ｎ個の接続端子Ｐxの各々から
供給される画像データに応じたデータ信号Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄnを各データ線１３に対して
供給する回路である。例えば、通常表示モードにおいて、データ線駆動回路２２は、各走
査線駆動回路２１が選択した走査線１１に対応する１行分（合計ｎ個）の単位回路Ｕに対
して画像データに応じたデータ信号Ｄ1、Ｄ2、…、Ｄnを出力する。画像データは各単位
回路ＵのＯＬＥＤ素子１６の輝度（階調）を指定するデータである。

各データ線１３とこれに隣接する電源線２５との間にはｐチャネル型のトランジスタ（
以下「データ電圧制御トランジスタ」という）Ｔdが介挿されている。このデータ電圧制
御トランジスタＴdのゲート電極は上述した配線３５に接続されている。検査モード信号
ＳmodがＬレベルを維持する通常表示モードにおいては総てのデータ電圧制御トランジス
タＴdがオフ状態となるから、各データ線１３と各電源線２５とは電気的に絶縁される。
一方、検査モードにおいて検査モード信号ＳmodがＨレベルに遷移すると総てのデータ電
圧制御トランジスタＴdはオン状態となるから、各データ線１３とこれに隣接する電源線
２５とが導通し、この結果として各データ線１３はこれに隣接する電源線２５に印加され
ている電源電圧ＶELと略同電位となる。これによって多数のＰｘ端子にプロービンブして
外部から電圧を与えなくとも各データ線１３の電位を設定することができる。さらに、デ
ータ線駆動回路２２には配線３４が接続されている。データ線駆動回路２２は、この配線
３４に供給される検査モード信号ＳmodがＨレベルになると、総てのデータ信号Ｄ1、Ｄ2
、…、Ｄnの出力端をフローティング状態とする（すなわちデータ線駆動回路２２と総て
のデータ線１３との電気的な接続が切り離される）。

次に、図３は、各単位回路Ｕの電気的な構成を示す回路図である。なお、同図において
は特に検査単位回路Ｕtが例示されているため、これに接続されたスイッチング素子４１
や検査端子ＴＰa1も併せて図示されているが、単位回路Ｕの構成自体は検査単位回路Ｕt
であるか否かに拘わらず共通である。また、図３に示された検査単位回路Ｕtは第ｉ行第
ｊ列に属するものとする（ｊは１≦ｊ≦ｎを満たす自然数）。

同図に示されるように、ひとつの単位回路Ｕは制御回路１５と上述したＯＬＥＤ素子１
６とを有する。このうち制御回路１５は、ＯＬＥＤ素子１６の挙動を制御し駆動するため
の回路であり、ｐチャネル型のトランジスタＴ1、Ｔ2およびＴ3と容量素子Ｃとを含む。
トランジスタＴ2は、そのソース電極が電源線２５に接続されるとともにドレイン電極が
トランジスタＴ3のソース電極に接続されている。トランジスタＴ3は、そのドレイン電極
がＯＬＥＤ素子１６の陽極に接続されるとともにゲート電極が第ｉ行目の発光制御線１２
に接続されている。トランジスタＴ1は、そのソース電極がトランジスタＴ2のゲート電極
に接続され、ドレイン電極が第ｊ列目のデータ線１３に接続され、ゲート電極が第ｉ行目
の走査線１１に接続されている。また、容量素子Ｃは、その一端がトランジスタＴ1のソ
ース電極およびトランジスタＴ2のゲート電極に接続され、他端がトランジスタＴ2のソー
ス電極（さらには電源線２５）に接続されている。一方、ＯＬＥＤ素子１６は、陽極と陰
極との間に挟持された発光層を有し、順方向電流に応じた輝度にて発光する。ＯＬＥＤ素
子１６の陰極は、総ての単位回路Ｕにわたって単一に形成された電極（以下「共通電極」
という）２６である。この共通電極２６は、図１に示されるように、基板１０に垂直な方
向からみて封止板２９の大部分と重なり合うように形成されている。共通電極２６には接
続端子Ｐgndを介して電源の低位側電圧（接地電位）Ｇndが印加される。

図３に示される構成のもと、通常表示モードにおいて走査信号ＹiがＬレベルになると
トランジスタＴ1がオン状態となるため、トランジスタＴ2のゲート電極の電位はその時点
においてデータ線１３に供給されているデータ信号Ｄjの電位に等しくなる。したがって
、容量素子Ｃはデータ信号Ｄjに応じた電圧（より具体的には電源電圧ＶELとデータ信号
Ｄjの電位との差分に相当する電圧）に充電される。このとき発光制御信号ＧＣiはＨレベ
ルに維持されているからトランジスタＴ3はオフ状態となり、したがって、制御回路１５
とＯＬＥＤ素子１６とは電気的に絶縁されている。次に、第ｉ番目の水平走査期間が経過
すると走査信号ＹiがＨレベルに遷移してトランジスタＴ1はオフ状態となる一方、発光制
御信号ＧＣiがＬレベルに遷移してトランジスタＴ3がオン状態となる。このとき、トラン
ジスタＴ2には容量素子Ｃに蓄えられた電圧が印加されるから、データ信号Ｄjに応じた電
流がトランジスタＴ3を介してＯＬＥＤ素子１６に供給され、この電流に応じた輝度にて
ＯＬＥＤ素子１６が発光する。

一方、図３に示されるように、スイッチング素子４１のソース電極は、検査単位回路Ｕ
tのうちＯＬＥＤ素子１６の陽極とトランジスタＴ3との接続点Ｎに対して電気的に接続さ
れている。上述したように、このスイッチング素子４１のゲート電極は検査指示端子ＴＰ
a2に接続され、ドレイン電極は検査端子ＴＰa1に接続されている。図３に示される抵抗Ｒ
1は、検査指示端子ＴＰa2の電位を開放状態でＧｎｄ電位に設定し、スイッチング素子４
１をオフするためのプルダウン抵抗であり、検査指示端子ＴＰa2からスイッチング素子４
１のゲート電極に至る配線と共通電極２６との間に介挿されている。

次に、検査モードにおいて検査単位回路Ｕtを検査するための手順について詳述する。
この検査においては、検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６を制御回路１５から電気的に
切り離したうえで当該ＯＬＥＤ素子１６単独の特性を検査するステップ（以下「素子検査
ステップ」という）と、制御回路１５を含めた検査単位回路Ｕt全体の特性を検査するス
テップ（以下「単位回路検査ステップ」という）とが実施される。

まず、素子検査ステップにおいては、図４に示されるように、検査モード信号Ｓmodが
Ｈレベルとされる。この結果、各ＡＮＤゲート３１から走査線１１に供給される走査信号
Ｙiが強制的にＬレベルに設定されるとともに、各ＯＲゲート３２から発光制御線１２に
供給される発光制御信号ＧＣiが強制的にＨレベルに設定される。こうして発光制御信号
ＧＣiがＨレベルになると、検査単位回路ＵtのトランジスタＴ3はオフ状態となる。した
がって、素子検査ステップにおいては、各検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６が制御回
路１５から電気的に切り離された状態となる。一方、検査モード信号ＳmodがＨレベルに
なると総てのデータ電圧制御トランジスタＴdがオン状態となり、各データ線１３に対し
てこれに隣接する電源線２５の電源電圧ＶELが印加されるとともに、各データ線１３はデ
ータ線駆動回路２２から電気的に切り離された状態となる。これによって、トランジスタ
Ｔ２がオフしトランジスタＴ３と合わせて２重にオフさせることで、トランジスタＴ２、
Ｔ３にリーク電流があってもその影響を抑制できる。

さらに、図４に示されるように、素子検査ステップにおいては、検査指示端子ＴＰa2に
入力される検査指示信号ＳgateがＨレベルに維持される。したがって、スイッチング素子
４１がオン状態となってＯＬＥＤ素子１６と検査端子ＴＰa1とが電気的に導通した状態と
なる。この状態のもと、検査端子ＴＰa1に対する検査信号Ｓtの入力によってＯＬＥＤ素
子１６に電流が供給される。図４においては、素子検査ステップが実行される期間Ａ1の
始点から終点にわたって電圧値が徐々に増加する電圧波形が検査信号Ｓtとして入力され
る場合が例示されている。素子検査ステップにおいては、この電圧上昇に伴なうＯＬＥＤ
素子１６の発光量の変化を観察することによって各検査単位回路ＵtにおけるＯＬＥＤ素
子１６単独の特性が検査される。例えば、検査信号Ｓtの電圧値とＯＬＥＤ素子１６の発
光量との関係を観測し、この関係が所定の条件（例えば検査信号Ｓtの増加に比例してＯ
ＬＥＤ素子１６の発光量が期待値の範囲で増加するといった関係）を満たしていれば特性
が良好であると判定する一方、この条件を満たしていなければ特性に不具合があると判定
する。

一方、単位回路検査ステップにおいては、図４に示されるように、検査モード信号Ｓmo
dが通常表示モードと同様にＬレベルとされる。この結果、走査線駆動回路２１から出力
された走査信号ＹiがＡＮＤゲート３１を通過して走査線１１に供給されるとともに、同
じく走査線駆動回路２１から出力された発光制御信号ＧＣiがＯＲゲート３２を通過して
発光制御線１２に供給される状態となる。一方、各データ電圧制御トランジスタＴdはオ
フ状態となってデータ線１３と電源線２５とが電気的に絶縁され、データ線駆動回路２２
と各データ線１３とは電気的に導通することになる。

この状態のもと、接続端子Ｐｙへの入力信号を用いて走査線駆動回路２１を制御するこ
とにより、走査信号Ｙiおよび発光制御信号ＧＣiの双方がＬレベルとなる。この結果、図
４に示されるように、検査単位回路ＵtのトランジスタＴ1がオン状態となってトランジス
タＴ2のゲートとデータ線１３とが導通するとともに、トランジスタＴ3がオン状態となっ
て制御回路１５とＯＬＥＤ素子１６とが電気的に接続される。さらに、この状態において
、検査単位回路Ｕtに対応したデータ線１３に対して所定の波形のデータ信号Ｄjが印加さ
れるようにデータ線駆動回路２２が制御される。図４においては、単位回路検査ステップ
が実施される期間Ａ2の始点から終点にわたって電圧が直線的に増加していくデータ信号
Ｄjがデータ線１３に印加される。

一方、単位回路検査ステップにおいても、素子検査ステップと同様に、検査指示信号Ｓ
gateがＨレベルに維持されてスイッチング素子４１がオン状態とされる。この状態におい
ては、検査端子ＴＰa1が検査単位回路Ｕtの接続点Ｎと略同電位となるので、データ信号
Ｄjの変化に応じ、ＯＬＥＤ素子１６に加わる駆動電圧の変化を検査端子ＴＰa1から観測
することができる。したがって、データ信号Ｄjの供給に伴なう検査端子ＴＰa1の電位の
変化を測定することによって各検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子駆動特性を検査すること
ができる。すなわち、検査端子ＴＰa1の電位（すなわち接続点Ｎの電位）の変化とデータ
信号Ｄjの波形とを比較し、これらの間に所定の関係が成立していれば検査単位回路Ｕtの
特性が良好であると判定する一方、この関係が成立していなければ検査単位回路Ｕtに何
らかの不具合が発生していると判定する。例えば、図４に示されるように、検査端子ＴＰ
a1から検出された接続点Ｎの電位がデータ信号Ｄjの電位の変化に追随するように変化し
ていれば、検査単位回路Ｕtの特性は適正であると判定することができる。このように、
検査端子ＴＰa1は、素子検査ステップにおいて検査信号Ｓtを入力するための端子、およ
び、単位回路検査ステップにおいて接続点Ｎの電位を出力するための端子として兼用され
る。

以上に説明したように、本実施形態においては、制御回路１５とＯＬＥＤ素子１６とを
電気的に切り離した状態のもとでＯＬＥＤ素子１６の特性のみを独立して検査することが
できるから、ＯＬＥＤ素子１６に不具合が発生している場合にこれを迅速に把握すること
ができる。また、ＯＬＥＤ素子１６単独の特性に加えて単位回路Ｕ全体の特性も検査する
ことができるから、これらの検査結果を総合的に勘案することによって不具合の発生箇所
（例えば不具合がＯＬＥＤ素子１６と制御回路１５の何れにあるのか）を迅速かつ的確に
突き止めることができる。さらに、封止板２９の外側に配置された検査端子ＴＰa1や検査
指示端子ＴＰa2を利用して検査が実施されるから、封止板２９が貼り合わされた後の電気
光学装置Ｄを非破壊にて検査することができるという利点がある。

ところで、検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６を独立に検査するための構成としては
、検査単位回路Ｕtの接続点Ｎと検査端子ＴＰa1とを直接に連結した構成も考えられる。
しかしながら、この構成のもとで、通常表示モードにおいても検査単位回路Ｕtと検査端
子ＴＰa1との導通が維持されることになるため、検査単位回路Ｕtが検査端子ＴＰa1に起
因した寄生容量の影響を受けたり、検査端子ＴＰa1から誘導されるノイズが検査単位回路
Ｕtに到達するといった種々の不具合が発生し得る。そして、例えば検査単位回路Ｕtが検
査端子ＴＰa1に起因した寄生容量の影響を受けると、検査単位回路Ｕtと他の単位回路Ｕ
とで特性が大きく相違して表示品位の低下を招きかねない。これに対し、本実施形態によ
れば、通常表示モードにおいてはスイッチング素子４１がオフ状態とされて検査端子ＴＰ
a1と検査単位回路Ｕtとが電気的に絶縁されるから、これらの不具合を回避して検査単位
回路Ｕtとそれ以外の単位回路Ｕとの特性に差異が出ないようにさせることができる。

加えて、本実施形態においては、表示に寄与しないダミー素子１８ではなく有効領域Ａ
に属する検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６が検査対象とされるから、ダミー素子１８
を検査の対象とした構成と比較して、さらに検査の有効性を高めることができる。この効
果について詳述すると以下の通りである。

図５は、基板１０上に形成されたＯＬＥＤ素子１６およびダミー素子１８の配列を示す
平面図である。同図から明らかなように、有効領域Ａに属する各ＯＬＥＤ素子１６はその
全周囲にわたり合計８個のＯＬＥＤ素子１６によって包囲されているのに対し、有効領域
Ａの外側に位置するダミー素子１８は、合計５個乃至３個のダミー素子１８およびＯＬＥ
Ｄ素子１６によって部分的に包囲されているに過ぎない。このようにダミー素子１８と有
効領域Ａ内のＯＬＥＤ素子１６とではその配列の連続性が相違しているため、各々が形成
されるときの条件はＯＬＥＤ素子１６とダミー素子１８とで相違することになる。例えば
、発光材料をインクジェット法によって基板１０上に塗布したうえで乾燥させてＯＬＥＤ
素子１６を形成する場合には、各発光材料を乾燥させるときの条件がその位置に応じて相
違するから、ＯＬＥＤ素子１６とダミー素子１８とで特に特性が相違しやすいと言える。
このような特性の相違は、ひとつの大型基板（いわゆるマザーガラス）から多数の電気光
学装置Ｄを一括して形成する場合（いわゆる多面取り）にも発生し得る。

したがって、ダミー素子１８を検査の対象とすれば、有効領域Ａ内に位置する各ＯＬＥ
Ｄ素子１６の実際の良否とは乖離した検査の結果となる可能性がある。例えば、有効領域
Ａ内に位置する各ＯＬＥＤ素子１６の特性が実際には良好であるにも拘わらず、製造工程
における条件のばらつきに起因してダミー素子１８の特性が不良である場合には、個別に
電気光学装置Ｄを完成させ点灯検査し、良否を判定せざるを得ない。このため良否を判定
するまでに時間を要し、製造工程へのフィードバックが遅れてしまう。これに対し、本実
施形態においては、実際に表示に寄与する有効領域ＡのＯＬＥＤ素子１６が検査の対象と
されるから、製造工程における条件のばらつきの影響を受けずに電気的に精度よく簡便に
各ＯＬＥＤ素子１６の良否を自動判定することができる。また、ダミー素子１８を検査の
対象とする場合に検査の精度を維持するためには各々の特性を有効領域Ａ内のＯＬＥＤ素
子１６と同等に維持する必要があり、そのためには比較的に広いスペースを確保して多く
のダミー素子１８を形成することが必要となる。検査対象のダミー素子１８をＯＬＥＤ素
子１６と同等の密度にて分布させる必要があるからである。これに対し、本実施形態にお
いては、ダミー素子１８は検査の対象とされないから、その特性が有効領域Ａ内のＯＬＥ
Ｄ素子１６と同等である必要はない。したがって、各ダミー素子１８を形成するためのス
ペースを低減することができるという利点がある。

以上に説明した検査は、例えば図６に示される構成の検査装置７０を利用して実施され
る。同図に示されるプロービング装置７１は、検査の対象となる電気光学装置Ｄが位置決
めされたうえで載置されるステージ７１１と、先端部がステージ７１１に向けられた入力
プローブ７１３および出力プローブ７１４とを有する。入力プローブ７１３および出力プ
ローブ７１４の各々は、電気光学装置Ｄの各接続端子に接触させられる針状の先端部を備
えた検査針である。このうち入力プローブ７１３は状態設定ユニット７３に接続されてい
る。この状態設定ユニット７３は、検査モードにおいて電気光学装置Ｄに入力される各種
の信号を生成して入力プローブ７１３に供給する手段である。さらに詳述すると、状態設
定ユニット７３は、素子検査ステップにおいて検査モード信号Ｓmodと検査指示信号Ｓgat
eと検査信号Ｓtとを生成して出力する。これらの信号は入力プローブ７１３を介して検査
モード端子ＴＰa3と検査指示端子ＴＰa2と検査端子ＴＰa1とにそれぞれ供給される。さら
に、単位回路検査ステップにおいて、状態設定ユニット７３は、検査モード信号Ｓmodお
よび検査指示信号Ｓgateのほか、走査線駆動回路２１を制御するための信号やデータ信号
Ｄjを入力プローブ７１３から接続端子Ｐyおよび各接続端子Ｐxにそれぞれ出力する。

一方、図６に示される測定ユニット７４は、ＯＬＥＤ素子１６による発光量や単位回路
検査ステップにおいて検査端子ＴＰa2から出力される電圧を測定するための手段であり、
上述した出力プローブ７１４と、電気光学装置Ｄからの発光量に応じた電気信号を出力す
る輝度計７４１とが接続されている。この構成のもと、測定ユニット７４は、素子検査ス
テップおよび単位回路検査ステップにおいて検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６から発
せられた光量を輝度計７４１からの電気信号に基づいて計測する。一方、出力プローブ７
１４は、単位回路検査ステップにおいて検査端子ＴＰa1に接触させられる。この状態にお
いて、測定ユニット７４は、検査端子ＴＰa1の電位（すなわち接続点Ｎの電位）を出力プ
ローブ７１４から検出する。

図６に示される処理ユニット７６は、状態設定ユニット７３および測定ユニット７４を
制御するための手段である。この処理ユニット７６は、例えばパーソナルコンピュータで
あり、検査の結果を表示するための表示装置と、作業者によって操作される複数の操作子
とを有する。素子検査ステップや単位回路検査ステップの開始が操作子への操作によって
指示されると、処理ユニット７６は、各ステップの開始指示や各ステップにて電気光学装
置Ｄに入力されるべき信号（例えば検査信号Ｓt）の指示を状態設定ユニット７３に出力
する。また、処理ユニット７６は、測定ユニット７４によって測定された接続点Ｎの電位
や各ステップにおけるＯＬＥＤ素子１６からの発光量などの計測値を処理して表示装置に
表示させる。作業者は、この表示を確認することによって電気光学装置Ｄの良否を判定す
ることができる。

次に、図７を参照して、検査単位回路Ｕtおよびスイッチング素子４１の具体的な構成
を説明する。なお、同図においては、制御回路１５のトランジスタＴ3とスイッチング素
子４１のみが示されているが、トランジスタＴ1やＴ2もこれと同様の構成となっている。
さらに、走査線駆動回路２１やデータ線駆動回路２２を構成するトランジスタやデータ電
圧制御トランジスタも図７のトランジスタＴ3やスイッチング素子４１と同様の構成であ
る。

図７に示されるように、基板１０上に形成されたトランジスタＴ3およびスイッチング
素子４１の各々は、基板１０の表面上に形成されたアルミニウム、ＭｏＷ合金、ポリシリ
コン等からなるゲート電極５１と、ゲート電極５１を覆うように基板１０上に形成された
ゲート絶縁膜５２と、このゲート絶縁膜５２の表面上に形成された半導体層５３とを有す
る。半導体層５３は例えばポリシリコンによって形成された膜体であり、ゲート絶縁膜５
２を挟んでゲート電極５１に対向するチャネル領域５３Ｃと、その両側に形成されたドレ
イン領域５３Ｄおよびソース領域５３Ｓとを含んでいる。トランジスタＴ3およびスイッ
チング素子４１のソース電極５５Ｓおよびドレイン電極５５Ｄは、半導体層５３を覆うよ
うに形成された第１層間絶縁膜５４１の表面上に形成され、それぞれ半導体層５３のソー
ス領域５３Ｓおよびドレイン領域５３Ｄと導通している。

さらに、ソース電極５５Ｓおよびドレイン電極５５Ｄを覆う第２層間絶縁膜５４２の表
面上には画素電極５６が形成されている。この画素電極５６は例えばＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）などの光透過性を有する導電材料からなり、トランジスタＴ3のドレイン電極５
５Ｄとスイッチング素子４１のソース電極５５Ｓとに導通している。第２層間絶縁膜５４
２の表面には隔壁層５４３が形成されている。この隔壁層５４３は、相互に隣接するＯＬ
ＥＤ素子１６同士を仕切るための膜体であり、ＯＬＥＤ素子１６に対応するように開口し
た開口部を有する。ＯＬＥＤ素子１６は、例えばインクジェット法や真空蒸着法などの成
膜技術によって各開口部の内側に入り込むように形成される。このＯＬＥＤ素子１６は、
図８に例示されるように、ホール注入層１６１、ホール輸送層１６２、発光層１６３、電
子輸送層１６４および電子注入層１６５の５層が、陽極（画素電極５６）側から陰極（共
通電極２６）側に向かってこの順番に積層された構成となっている。ただし、発光層１６
３以外の各層は適宜に省略され得る。図７に示される共通電極２６は、上述したように、
基板１０に垂直な板面からみて総ての単位回路Ｕおよび総てのダミー素子１８に重なり合
うように、例えばアルミニウムや銀などの単体金属またはこれらを主成分とする合金など
光反射性を有する材料によって形成される。これらの要素が形成された基板１０の表面に
は接着層５４４を介して封止板２９が貼り合わされる。

また、スイッチング素子４１から検査端子ＴＰa1に至る配線６１と検査端子ＴＰa1とは
、トランジスタＴ3およびスイッチング素子４１を構成する各層と共通の工程において同
一の材料により形成される。ここで、図９は、検査端子ＴＰa1とこれに連結される配線６
１との構成を示す平面図である。同図においては検査端子ＴＰa1の外形が一点鎖線にて示
されている。図７および図９に示されるように、検査端子ＴＰa1は、画素電極５６と共通
の工程にて同一の材料により形成される。すなわち、第２層間絶縁膜５４２を覆うように
形成された導電膜をパターニングすることによって画素電極５６と検査端子ＴＰa1とが一
括的に形成される。一方、配線６１は、半導体層５３と共通の工程にて形成される第２配
線部６１２と、ソース電極５５Ｓおよびドレイン電極５５Ｄ（配線層）と共通の工程にて
形成される複数の第１配線部６１１とが基板１０側からみてこの順番に積層された構成と
なっている。このうち第２配線部６１２は、ポリシリコンからなる膜体に不純物を高濃度
に注入することによって形成され、スイッチング素子４１のドレイン電極５５Ｄと導通す
る部分から基板１０の周縁に向かって延在して検査端子ＴＰa1と重なり合う。複数の第１
配線部６１１は、図９に示されるように基板１０に垂直な方向からみると間隔ｄを隔てて
相互に離間するように形成され、各々が第２配線部６１２を介して相互に導通する。

ここで、各第１配線部６１１は、アルミニウム、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（
Ｗ）、タンタル（Ｔa）、銅（Ｃｕ）等のいずれかかその合金からなる抵抗率の低い導電
性材料によって形成される一方、水分やイオンの付着により腐食が発生しやすいという性
質を有する。一方、第２配線部６１２は、ポリシリコンなど第１配線部６１１よりも抵抗
率の高い導電性材料によって形成される一方、耐食性は第１配線部６１１よりも高い。こ
こで、配線６１を単一の第１配線部６１１のみから形成した構成のもとでは、配線６１の
うち検査端子ＴＰa1側に発生した腐食がスイッチング素子４１に到達するまで進行してス
イッチング素子４１の特性を劣化させる可能性がある。これに対し、本実施形態において
は第１配線部６１１が相互に離間した複数の部分によって構成されているから、たとえ検
査端子ＴＰa1側に腐食が発生したとしても、この腐食の進行はひとつの第１配線部６１１
にとどまり、他の第１配線部６１１やスイッチング素子４１にまで腐食が進行することは
ない。加えて、配線６１を第２配線部６１２のみとした構成と比較して、当該配線６１の
抵抗を低く抑えることができるという利点がある。

なお、ここではスイッチング素子４１から検査端子ＴＰa1に至るまでの配線６１の構成
を説明したが、他の信号入力用の接続端子に連結された配線も同様の構成としてもよい。
すなわち、これらの配線は、抵抗率の低い導電性材料によって相互に離間して形成された
複数の第１配線部と、耐食性の高い導電性材料によって形成されて各第１配線部を導通さ
せる第２配線部とを含む。図１において電源端子を除く接続端子ごとに図示された部分Ａ
dは、複数の第１配線部が相互に離間した部分（すなわち図９に示す間隔ｄを隔てた部分
）に相当している。

ところで、以上に説明したように検査モードにおいてはスイッチング素子４１を利用す
ることによって各ＯＬＥＤ素子１６単独の特性や単位回路Ｕ全体の特性を検査することが
できるが、本実施形態においては、電気光学装置Ｄをさらに多面的に検査するための要素
（以下「検査補助要素」という）が基板１０上に形成されている。この検査補助要素とし
ては、アライメントパターン群ＡＰと、検査用トランジスタ９５と、検査用ＯＬＥＤ素子
９７とがある。これらの検査補助要素について詳述すると以下の通りである。

まず、図１に示されるアライメントパターン群ＡＰは、ＯＬＥＤ素子１６を構成する各
層の相対的な位置関係や膜厚が適正であるか否かを検査するためのパターンであり、図１
に示される封止板２９の左上の隅部の近傍と右上の隅部の近傍とに配置されている。各ア
ライメントパターン群ＡＰは、相互に隣接して配置された第１のアライメントパターンＡ
Ｐ1と第２のアライメントパターンＡＰ2とを含む。図１０は、アライメントパターン群Ａ
Ｐを拡大して示す平面図である。同図に示されるように、第１のアライメントパターンＡ
Ｐ1および第２のアライメントパターンＡＰ2の各々は、平面的にみて略矩形状の第１層９
１と第２層９２と第３層９３とが基板１０側からみてこの順番に図形中心を同一にして積
層された構成となっている。第１層９１は第２層９２よりも、第２層９２は第３層９３よ
りも、それぞれ外形の寸法が各辺等間隔に大きい。パターン形状は、ここでは矩形を例示
したが、目的を達成するものであれば、多角形やリング形などに変形してもよい。また粗
い面とパターン群は、電気光学素子の積層数により適宜必要なパターンをＡＰ１やＡＰ２
とは別に追加してもよい。

第１のアライメントパターンＡＰ1のうち、第１層９１は画素電極５６と、第２層９２
はＯＬＥＤ素子１６を構成するホール注入層１６１と、第３層９３はＯＬＥＤ素子１６を
構成するホール輸送層１６２と、それぞれ共通の工程において同一の材料により形成され
る。一方、第２のアライメントパターンＡＰ2を構成する各層は第１のアライメントパタ
ーンＡＰ1を構成する各層とは組合せが相違している。より具体的には、第２のアライメ
ントパターンＡＰ2のうち、第１層９１は画素電極５６と、第２層９２はホール輸送層１
６２と、第３層９３は発光層１６３と、それぞれ共通の工程において同一の材料により形
成される。第１のアライメントパターンＡＰ1および第２のアライメントパターンＡＰ2の
各層の位置関係を顕微鏡などを利用することによって観察することにより、ＯＬＥＤ素子
１６を構成する各層と画素電極５６および共通電極２６とが適正な位置関係やパターン幅
にて形成されているか否かを検査することができる。例えば、第１のアライメントパター
ンＡＰ1を観察することにより、画素電極５６とホール注入層１６１とホール輸送層１６
２とが適正な位置やパターン幅に形成されているか否かを検査することができる。さらに
、第１層９１ないし第３層９３の膜厚を光学干渉計によって測定することにより、ＯＬＥ
Ｄ素子１６を構成する各層が適正な膜厚に形成されているか否かを判定することができる
。

一方、図１に示される検査用トランジスタ９５（いわゆるＴＥＧ（Test Element Group
））は、電気光学装置Ｄに含まれるトランジスタ（例えば走査線駆動回路２１やデータ線
駆動回路２２を構成するトランジスタ）の電気的な特性が適正であるか否かを検査するた
めに利用される。この検査用トランジスタ９５は、各単位回路ＵのトランジスタＴ1ない
しＴ3と共通の工程において形成されたトランジスタであり、そのドレイン電極が接続端
子ＴＰb1に接続され、ソース電極が接続端子ＴＰb2に接続され、ゲート電極が接続端子Ｔ
Ｐb3に接続されている。電気光学装置Ｄを検査する工程においては、入力プローブ７１３
から接続端子ＴＰb3に電圧が印加されることによって検査用トランジスタ９５がオン状態
とされているときに入力プローブ７１３から接続端子ＴＰb1に所定の電圧が印加され、こ
のときの接続端子ＴＰb2に流れる電流を出力プローブ７１４によって検出する。こうして
検査用トランジスタ９５が適正に動作するか否かを観察することによって、各単位回路Ｕ
を構成するトランジスタの特性が適正であるか否かを推定することができる。

また、図１に示されるダミー素子を利用した単独の検査用ＯＬＥＤ素子９７は、電気光
学装置Ｄの動作中に発生した異常分析等において各単位回路ＵのＯＬＥＤ素子１６の特性
変動や異常を簡便に比較検査するために設けられた素子であり、各単位回路ＵのＯＬＥＤ
素子１６と共通の工程にて形成されたＯＬＥＤ素子９７１と、画素電極５６と共通の工程
にて形成されて接続端子ＴＰcに接続された電極９７２とを有する。電気光学装置Ｄを検
査する工程においては、入力プローブ７１３から接続端子ＴＰcおよび接続端子Ｐgndを介
して電極９７２と共通電極２６とに所定の電圧が印加され、このときのＯＬＥＤ素子９７
１の発光量や電気的特性を観察することによって、各単位回路Ｕに含まれるＯＬＥＤ素子
１６の特性が適正であるか否かや経時変化の有無を推定することができる。

＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置Ｄについて説明する。上記第１実施形
態においては、検査端子ＴＰa1と検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６（より詳細には接
続点Ｎ）との間にスイッチング素子４１が介挿された構成を例示した。本実施形態は、こ
のスイッチング素子４１の代わりにアンチヒューズ（anti-fuse）が採用された態様であ
る。これ以外の構成は上記第１実施形態の電気光学装置Ｄと共通するため、以下ではアン
チヒューズに関する部分のみを説明し、その他の要素の説明は適宜に省略する。

図１１は、本実施形態における検査単位回路Ｕtとその周辺の構成を示す回路図である
。同図に示されるように、アンチヒューズ４２は、その一端が検査単位回路Ｕtの接続点
Ｎに接続されるとともに、他端が検査端子ＴＰa1に接続されている。このアンチヒューズ
４２は、初期状態（製造された直後の段階）においては一端と他端とが電気的に絶縁され
た状態にあり、その後に所定のエネルギーが付与されることによって一端と他端とが導通
した状態（以下「オン状態」という）に変化する素子である。

次に、図１２は、本実施形態における検査用単位回路Ｕから検査端子ＴＰa1までの構成
を示す断面図であり、図１３は、アンチヒューズ４２の構成を示す平面図である。これら
の図に示されるように、接続点Ｎから検査端子ＴＰa1に至るように延在する配線６２は、
間隔ｇを隔てて相互に離間する複数の第１配線部６２１を有する。このうち一方の第１配
線部６２１（図１２における左側の第１配線部６２１）は検査単位回路Ｕtの接続点Ｎに
接続されており、他方の第１配線部６２１（図１２における右側の第１配線部６２１）は
接続端子ＴＰa1に接続されている。さらに、各第１配線部６２１の下層には、半導体層５
３と共通の材料からなる補助配線６２３が形成されている。図１３に示されるように、各
第１配線部６２１のうち他方の第１配線部６２１に近接する部分６２１ａは他の部分より
も幅が広くなされている。また、基板１０の表面上には中間部６２２が形成されている。
この中間部６２２は、トランジスタＴ3のゲート電極５１と共通の工程において同一の材
料により形成された膜体である。図１３においては、中間部６２２と各第１配線部６２１
とが重なり合う領域に斜線が付されている。同図に示されるように、中間部６２２は、基
板１０に垂直な方向から見ると、ゲート絶縁膜５２を挟んで双方の第１配線部６２１の部
分６２１ａと重なり合うように形成される。図１１に示されるアンチヒューズ４２は、各
第１配線部６２１と中間部６２２とによって構成される。図１２および図１３においては
、一端と他端とがゲート絶縁膜５２を介して相互に絶縁された状態（初期状態）にあるア
ンチヒューズ４２が示されている。

この構成のもと、基板１０側または封止板２９側からレーザーなどの高密度のエネルギ
ー束Ｌを照射することにより中間部６２２と各第１配線部６２１との重複領域にエネルギ
ーを付与すると、これらの各部が溶融し、この結果として各第１配線部６２１と中間部６
２２とが相互に導通した状態となる。アンチヒューズ４２に照射されるレーザーとしては
、中間部６２２や各第１配線部６２１が吸収しやすい波長（例えば赤外光）のレーザーが
採用される。こうしてアンチヒューズ４２がオン状態になると、検査単位回路Ｕtと検査
端子ＴＰa1とが相互に導通することになるから、上記第１実施形態にて説明した素子検査
ステップおよび単位回路検査ステップを実施することができる。より具体的には、製造後
に実際に画像を表示させてみて何らかの不具合が存在することが確認された電気光学装置
Ｄを対象として、アンチヒューズ４２をオン状態に変化させたうえで検査が実施される。

以上に説明したように、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の効果が得られ
る。例えば、ＯＬＥＤ素子１６から検査端子ＴＰa1に至る配線６２のうち耐食性の低い第
１配線部６２１は相互に離間して形成されているから、仮に第１配線部６２１のうち検査
端子ＴＰa1側に腐食が発生したとしても、この腐食がＯＬＥＤ素子１６にまで到達するこ
とはない。また、本実施形態においては、図１２に示されるように共通電極２６や隔壁層
５４３と重なり合わない位置にアンチヒューズ４２が形成されるから、アンチヒューズ４
２に対して効率よくレーザーを照射することができる。なお、アンチヒューズ４２の構成
は図１２および図１３に示したものに限られない。例えば、複数の第１配線部６２１を狭
い間隔をもって離間させてアンチヒューズ４２としてもよい。この場合には各第１配線部
６２１の端部にエネルギーを付与することによって各第１配線部６２１を相互に導通させ
ることができる。また、半導体層５３と共通の工程にて形成された配線部とドレイン電極
またはソース電極と共通の工程にて形成された配線部とを相互に離間して形成した部分を
アンチヒューズ４２として利用してもよい。この場合にも各配線部の端部にエネルギーを
付与することによって各配線部を相互に導通させることができる。

＜３．変形例＞
上記各実施形態に対しては種々の変形が施される。具体的な変形の態様は以下の通りで
ある。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。

（１）検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６に検査信号を供給するための素子（検査信号
供給素子）はスイッチング素子４１およびアンチヒューズ４２に限られない。例えば、ス
イッチング素子４１やアンチヒューズ４２の代わりに、チタンからなる第１電極と銅から
なる第２電極との間に硫化銅などの固体電解質を介在させたスイッチ（いわゆるナノブリ
ッジ）を採用してもよい。このスイッチにおいては、第１電極に負電圧を印加すると、第
２電極にて酸化反応が発生して銅イオンが固体電解質に溶出する一方、第１電極にて還元
反応が発生して銅イオンが金属の銅として析出する。こうして第１電極に析出した銅が第
２電極まで到達することによってスイッチはオン状態となる。また、第１電極に正電圧を
印加すれば、両電極間に形成された架橋が消滅することによって再びオフ状態となる。

また、上記第２実施形態においては、レーザーの照射によってアンチヒューズ４２をオ
ン状態とする構成を例示したが、これ以外の方法にてエネルギー（例えば電界や熱あるい
は機械的なエネルギー）を付与することによりオン状態としてもよい。このように、本発
明における検査信号供給素子は、検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６と検査端子ＴＰa1
とを電気的に絶縁させる第１の状態、および検査単位回路ＵtのＯＬＥＤ素子１６と検査
端子ＴＰa1とを電気的に接続させる第２の状態となる素子であれば足り、第１の状態から
第２の状態への変化（あるいはこの逆の変化）の可逆性や第１の状態から第２の状態に変
化させるための方法の如何は不問である。

（２）各単位回路ＵにおいてＯＬＥＤ素子１６の挙動を制御する制御回路１５の構成が図
３の構成に限定されないことはもちろんである。例えば、上記各実施形態においてはデー
タ線１３の電位に応じた電圧を容量素子Ｃに保持してＯＬＥＤ素子１６に電流を供給する
電圧プログラミング方式の電気光学装置Ｄを例示したが、データ線１３に流れる電流に応
じた電圧を容量素子Ｃに保持する電流プログラミング方式の電気光学装置Ｄにも本発明は
適用され得る。また、上記各実施形態においては、トランジスタＴ3を制御することによ
って制御回路１５とＯＬＥＤ素子１６との導通および非導通を切り替える構成を例示した
が、このトランジスタＴ3は必ずしも必要ではない。ただし、このトランジスタＴ3を設け
た構成によれば、検査モードの素子検査ステップにおいて、制御回路１５の影響を完全に
排除してＯＬＥＤ素子１６のみの特性を精度よく検査することができるという利点がある
。

（３）上記各実施形態においては有効領域Ａのひとつの隅部に位置する合計３個の単位回
路Ｕを検査単位回路Ｕtとした場合を例示したが、検査単位回路Ｕtの個数や位置はこれに
限定されない。例えば、有効領域Ａの四隅に位置する単位回路Ｕを検査単位回路Ｕtとし
てもよいし、あるいは有効領域Ａの中央部に位置する単位回路Ｕを検査単位回路Ｕtとし
てもよい。ただし、有効領域Ａの周辺部に位置するＯＬＥＤ素子１６は他のＯＬＥＤ素子
１６と比較して特性の誤差が生じやすいという傾向を考慮すると、有効領域Ａの隅部に検
査単位回路Ｕtを配置した構成が望ましいと言える。また、有効領域Ａの隅部に検査単位
回路Ｕtを配置した構成によれば、各検査単位回路Ｕtと検査端子ＴＰa1とを接続するため
の配線が容易であるという利点もある。

（４）ＯＬＥＤ素子以外の電気光学素子を用いた電気光学装置にも本発明は適用され得る
。例えば、熱陰極素子や冷陰極素子などの電子放出源と当該電子放出源から放出された電
子が衝突する蛍光体とからなる電気光学素子を用いた電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ：
Field Emission Display、これには表面伝導型ディスプレイＳＥＤや弾道型表面放出ディ
スプレイＢＳＤ等が含まれる）や、メモリ性を有し非発光型の電気光学素子を用いたアク
ティブマトリクス型電気泳動ディスプレイやトナーディスプレイ、ツイスト・ボールディ
スプレイなどの表示装置、光プリンタや画像形成装置などの光ラインヘッドなど各種の電
気光学装置にも上記各実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、上記各実施形態に
おいては、電気的な作用を光学的な作用に変換する電気光学素子を用いた電気光学装置を
例示したが、これとは逆に、光学的な作用を電気的な作用に変換する電気光学素子を用い
た電気光学装置にも本発明は適用され得る。例えば、受光量に応じた電気信号を出力する
ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ、大型Ｘ線イメージセンサなどの受光素子を電気光学素子として
採用した電気光学装置が考えられる。このような電気光学装置は、例えば原稿の画像を読
み取るスキャナや検査装置、医療機器など各種の電子機器に採用される。

＜４．応用例＞
次に、本発明に係る電気光学装置Ｄを適用した電子機器について説明する。図１４に、
上記各実施形態に係る電気光学装置Ｄ１を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータ
の構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置
Ｄ１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキー
ボード２００２が設けられている。この電気光学装置ＤはＯＬＥＤ素子１６を用いるので
、視野角が広く見易い画面を表示できる。

図１５に、上記各実施形態に係る電気光学装置Ｄを適用した携帯電話機の構成を示す。
携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、な
らびに表示ユニットとしての電気光学装置Ｄを備える。スクロールボタン３００２を操作
することによって、電気光学装置Ｄに表示される画面がスクロールされる。

図１６に、上記各実施形態に係る電気光学装置Ｄを適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Pe
rsonal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタ
ン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示ユニットとしての電気光学装置Ｄ
を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の
情報が電気光学装置Ｄに表示される。

なお、本発明に係る電気光学装置Ｄが適用される電子機器としては、図１４から図１６
に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビューファインダ型やモニター直
視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワ
ードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、スキャナ、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同電気光学装置の走査線駆動回路の動作を示すタイミングチャートである。同電気光学装置の検査単位回路およびその周辺の構成を示す回路図である。検査モードにおける検査の内容を説明するためのタイミングチャートである。同実施形態の効果を説明するための平面図である。同電気光学装置を検査するための検査装置の構成を示すブロック図である。同検査単位回路およびその周辺の構成を示す断面図である。同単位回路におけるＯＬＥＤ素子の積層構造を示す断面図である。同電気光学装置における検査端子の近傍の構成を示す平面図である。同電気光学装置におけるアライメントパターン群の構成を示す平面図である。本発明の第２実施形態に係る電気光学装置のうち検査単位回路およびその周辺の構成を示す回路図である。同検査単位回路およびその周辺の構成を示す断面図である。同検査単位回路に接続されたアンチヒューズの構成を示す平面図である。本発明を適用したパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。本発明を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。本発明を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。

符号の説明

Ｄ……電気光学装置、１０……基板、１１……走査線、１２……発光制御線、１３……デ
ータ線、Ｕ……単位回路、Ｕt……検査単位回路、１５……制御回路、１６……ＯＬＥＤ
素子（電気光学素子）、１８……ダミー素子、２１……走査線駆動回路、２２……データ
線駆動回路、２６……共通電極、４１……スイッチング素子（検査信号供給素子）、４２
……アンチヒューズ（検査信号供給素子）、５６……画素電極、６１……配線、６１１…
…第１配線部、６１２……第２配線部、６２……配線、６２１……第１配線部、６２２…
…中間部、ＡＰ……アライメントパターン群、ＡＰ1……第１のアライメントパターン、
ＡＰ2……第２のアライメントパターン、９５……検査用トランジスタ、９７……検査用
ＯＬＥＤ素子、７０……検査装置、７１……プロービング装置、７１１……ステージ、７
１３……入力プローブ、７１４……出力プローブ、７３……状態設定ユニット、７４……
測定ユニット、７６……処理ユニット、Ａ……有効領域、ＴＰa1……検査端子、ＴＰa2…
…検査指示端子、ＴＰa3……検査モード端子、Ｙi……走査信号、ＧＣi……発光制御信号
、Ｄj……データ信号、Ｓt……検査信号、Ｓgate……検査指示信号、Ｓmod……検査モー
ド信号。

Claims

発光あるいは受光が可能な電気光学素子と当該電気光学素子を制御する制御回路とを各々が有する複数の単位回路と、
前記電気光学素子を駆動するための検査信号が入力される検査端子と、
前記複数の単位回路のうち検査の対象として選択された検査単位回路の電気光学素子と前記検査端子との間に設けられ、前記検査単位回路の電気光学素子と前記検査端子とを電気的に絶縁させる第１の状態、および前記検査単位回路の前記電気光学素子と前記検査端子とを電気的に導通させる第２の状態を取り得る検査信号供給素子と
を具備し、
前記検査単位回路は、有効領域に配列される前記複数の単位回路のうち前記有効領域の周縁に位置する単位回路である電気光学装置。
前記電気光学素子の検査の実行を指示する検査指示信号が入力される検査指示端子を具備し、
前記検査信号供給素子は、前記検査指示端子から入力される検査指示信号に応じて前記第１の状態および前記第２の状態の一方から他方に切り替わるスイッチング素子である請求項１に記載の電気光学装置。
前記検査信号供給素子は、エネルギーの付与によって前記第１の状態から前記第２の状態に変化するアンチヒューズである請求項１に記載の電気光学装置。
前記各単位回路の制御回路は、配線層が接続された半導体層とゲート絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向するゲート電極とを有するトランジスタ素子を含み、
前記アンチヒューズは、前記配線層と同一の材料によって形成されて前記検査単位回路の電気光学素子に接続された第１の端部と、前記配線層と同一の材料によって前記第１の端部から離間して形成されて前記検査端子に接続された第２の端部と、前記ゲート電極と同一の材料によって形成されるとともに前記ゲート絶縁膜を挟んで前記第１の端部および前記第２の端部に対向する中間部とを具備し、前記中間部と前記第１の端部および前記第２の端部とが相互に対向する部分にエネルギーが付与されることによって前記第１の端部と前記第２の端部とが前記中間部を介して導通する請求項３に記載の電気光学装置。
前記検査単位回路は、前記複数の単位回路のうち、略矩形状をなす前記有効領域の隅部に位置する単位回路である請求項１に記載の電気光学装置。
前記有効領域の周囲に設けられたダミーの電気光学素子を具備する請求項５に記載の電気光学装置。
前記各単位回路の制御回路は、前記電気光学素子と当該制御回路との電気的な導通および非導通を切り替えるスイッチング素子を有する請求項１に記載の電気光学装置。
前記電気光学素子と前記検査端子と間に介在する配線を具備し、
前記配線は、相互に離間して形成された複数の第１配線部と、前記各第１配線部よりも耐食性の高い材料によって形成されて前記複数の第１配線部の各々を相互に電気的に接続する第２配線部とを有する請求項１に記載の電気光学装置。
前記各単位回路の制御回路は、配線層が接続された半導体層とゲート絶縁膜を挟んで前記半導体層に対向するゲート電極とを有するトランジスタ素子を含み、
前記複数の第１配線部は前記配線層と同一の材料により形成され、前記第２配線部は前記半導体層と同一の材料により形成される請求項８に記載の電気光学装置。
前記電気光学素子は、発光層を含む複数の層を陽極と陰極との間に積層してなるＯＬＥＤ素子であり、
前記ＯＬＥＤ素子を構成する各層と前記陽極および前記陰極とを含む複数の層のなかから選択された２以上の層を積層してなるアライメントパターンを具備する請求項１に記載の電気光学装置。
前記電気光学素子は、発光層を含む複数の層を陽極と陰極との間に積層してなるＯＬＥＤ素子であり、
前記ＯＬＥＤ素子を構成する各層と前記陽極および前記陰極とを含む複数の層のなかから選択された２以上の層を積層してなる第１のアライメントパターンと、前記第１のアライメントパターンを構成する各層とは組み合わせが異なる２以上の層を積層してなる第２のアライメントパターンとを具備する請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１から１１の何れか１項に記載の電気光学装置を具備する電子機器。
発光あるいは受光が可能な電気光学素子と当該電気光学素子を制御する制御回路とを各々が有する複数の単位回路を備えた電気光学装置を検査する方法であって、
有効領域に配列される前記複数の単位回路のうち検査の対象として選択され、前記有効領域の周縁に位置する検査単位回路と検査端子との間に設けられた検査信号供給素子を、前記検査単位回路の電気光学素子と前記検査端子とを電気的に絶縁させる第１の状態から、前記検査単位回路の前記電気光学素子と前記検査端子とを電気的に導通させる第２の状態に変化させたうえで、前記電気光学素子を駆動するための検査信号を前記検査端子に入力し、
この検査信号を供給したときの前記電気光学素子の状態の変化を検査する電気光学装置の検査方法。
前記各単位回路の前記制御回路は、前記電気光学素子と当該制御回路との電気的な導通および非導通を切り替えるスイッチング素子を有し、
前記検査信号を入力するときに、前記スイッチング素子をオフ状態として前記電気光学素子と前記制御回路とを非導通とする請求項１３に記載の電気光学装置の検査方法。