JPS62249125A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS62249125A JPS62249125A JP61092102A JP9210286A JPS62249125A JP S62249125 A JPS62249125 A JP S62249125A JP 61092102 A JP61092102 A JP 61092102A JP 9210286 A JP9210286 A JP 9210286A JP S62249125 A JPS62249125 A JP S62249125A
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- display device
- crystal display
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は液晶表示装＃に係り、％に薄膜トランｙｘりを
能動素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関Ｔる。
能動素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関Ｔる。
液晶表示装ｒＪ１：ｒｃおいて、能動素子をスイッチン
グ素子とするアクティブマトリクス型は、大容量の表示
装置ＩｔＶｃ適することから、多様な検討が進められて
いる。
グ素子とするアクティブマトリクス型は、大容量の表示
装置ＩｔＶｃ適することから、多様な検討が進められて
いる。
舅４図にお層で、液晶表示装置１００の基本的な構造を
示す。この裟ｌ１１ｔｒｉ、透明基板１に形成されたス
イッチング素子２、配向膜３、対向基板４、共通透明イ
欅５・配向膜６、液晶７を封入し両基８２を重ね会わぜ
るゾール材８、スイッチング素子２ｖｃ接続される端子
９、再４板に接着これた晴間’＆１０．１１から溝数さ
れ＾。スイッチング素子２を駆りして、これに接続され
ている透明’ｄｌ’ｔと共通透Ｅ０４ゼ極５闇ｉ’（電
圧を印７１ｕＬ 、液晶をｕｌ乍させて表示を行なう。
示す。この裟ｌ１１ｔｒｉ、透明基板１に形成されたス
イッチング素子２、配向膜３、対向基板４、共通透明イ
欅５・配向膜６、液晶７を封入し両基８２を重ね会わぜ
るゾール材８、スイッチング素子２ｖｃ接続される端子
９、再４板に接着これた晴間’＆１０．１１から溝数さ
れ＾。スイッチング素子２を駆りして、これに接続され
ている透明’ｄｌ’ｔと共通透Ｅ０４ゼ極５闇ｉ’（電
圧を印７１ｕＬ 、液晶をｕｌ乍させて表示を行なう。
第５図に液昂我示装［１００の平面図を示す。
スイッチング素子２がマトリクス伏に配置されている。
この例では％ ＭＯＳ ＦＥＴが示されている。
一方の慣（ソース）は個別ｖｃ設けらｎた透明電極を弁
して液晶セルを駆動する。他方の極（ドレイン）ハ、ド
レインｔｊｌ１２にＬり、ドレイン端子１３／（接続さ
れている。°またゲートに、ゲート栂１４Ｖｃより、ゲ
ート端子１５に接続されている。
して液晶セルを駆動する。他方の極（ドレイン）ハ、ド
レインｔｊｌ１２にＬり、ドレイン端子１３／（接続さ
れている。°またゲートに、ゲート栂１４Ｖｃより、ゲ
ート端子１５に接続されている。
この？Ｌ明港孜１の上に液晶？封入した対向基板４が接
着されている。
着されている。
第６図ζ、アクティブマトリクス基板の製造方房を示す
。
。
（ａ）において、ガラス寺の透明基数１の上に、多結晶
／リコン等の半一体層１６ｆ形成Ｔる。
／リコン等の半一体層１６ｆ形成Ｔる。
（ｂ）ＶＣＣオニ、Ｓ ｉｏｚ ＋ Ｓ ：３１Ｎ４
なとのケート絶碌嗅１７、多給晶ンリコ／等から成るケ
ート１８を形成する。
なとのケート絶碌嗅１７、多給晶ンリコ／等から成るケ
ート１８を形成する。
（ｃ）ＶＣおいて、ゲート１８を加工後、これをマスク
として、ビイオンを注入し、ソース１９、ドレイ／２０
を形成する。
として、ビイオンを注入し、ソース１９、ドレイ／２０
を形成する。
（ｄ）Ｖ（おいて、８１０２等の保護膜２１を形取後、
コンタクト穴を設け、ソース側ＶＣハ液晶駆動中の透ｆ
ｌＪ１１ｊｉ＊２２、ドレイン佃りπ汀Ａｔ等のドレイ
ン電極２３？形成する。
コンタクト穴を設け、ソース側ＶＣハ液晶駆動中の透ｆ
ｌＪ１１ｊｉ＊２２、ドレイン佃りπ汀Ａｔ等のドレイ
ン電極２３？形成する。
以上第４．５．ｌ’ｉ図で述べた液晶表示、ｆｅｆｉｔ
において、スイッチング素子は、液晶の中に封入される
ことＶＣなる。この場合、液晶、配向膜、７−ル材料等
の不純物がスイッチング素子中に浸入し、特性劣化を引
き起重ことがある。また、液晶自身の抵抗率も相互の不
純物が原因で低下する場合もある。しかし従来の構造の
液晶表示ｉ置では、単に表示特性の劣ｒヒという１′４
（断でしか、劣化の状況を知ることができなかった。
において、スイッチング素子は、液晶の中に封入される
ことＶＣなる。この場合、液晶、配向膜、７−ル材料等
の不純物がスイッチング素子中に浸入し、特性劣化を引
き起重ことがある。また、液晶自身の抵抗率も相互の不
純物が原因で低下する場合もある。しかし従来の構造の
液晶表示ｉ置では、単に表示特性の劣ｒヒという１′４
（断でしか、劣化の状況を知ることができなかった。
なお、孜晶表示裂りについてσ多くの公知例→；あるが
、例えば、特開昭５８−１８４１２１号公報に一例が述
べられている。
、例えば、特開昭５８−１８４１２１号公報に一例が述
べられている。
本宛明の目的ａ１アクティブマトリクス型の液晶神示装
噴匠おいて、その％ヰ劣化を定価的に正確に解析できる
液晶表示装＃ｆ提供することにある。
噴匠おいて、その％ヰ劣化を定価的に正確に解析できる
液晶表示装＃ｆ提供することにある。
本発明は、アクティブマトリクスのスイッチング素子等
の配電を工夫することにより、孜晶表示装酋の特牲牙外
部から評価できるようにしたことを特徴とする。具体的
１’ｉ′ｉ、評価用の素子を同時に形成して液晶表示装
偉を形成Ｔること？ｉ−特徴とする。
の配電を工夫することにより、孜晶表示装酋の特牲牙外
部から評価できるようにしたことを特徴とする。具体的
１’ｉ′ｉ、評価用の素子を同時に形成して液晶表示装
偉を形成Ｔること？ｉ−特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。透８
１Ｊ基物１、スイッチング素子２、対向基板４、ドレイ
／＠１２、ドレイン端子１３、ゲート−＠１４、ゲート
端子１５の構５５１汀従来と同様であるが、これと同一
本板上に、特性評価用のスイッチング素子２′とそのソ
ース＊４４２４、ソース繰２５、ソース端子２６、ゲー
ト線１４′、ゲート端子１５′？形成ｆる。この特性評
価用素子の領域も対向基板４にエリ、表示計・作領依と
同時に封入することを特徴と下る。
１Ｊ基物１、スイッチング素子２、対向基板４、ドレイ
／＠１２、ドレイン端子１３、ゲート−＠１４、ゲート
端子１５の構５５１汀従来と同様であるが、これと同一
本板上に、特性評価用のスイッチング素子２′とそのソ
ース＊４４２４、ソース繰２５、ソース端子２６、ゲー
ト線１４′、ゲート端子１５′？形成ｆる。この特性評
価用素子の領域も対向基板４にエリ、表示計・作領依と
同時に封入することを特徴と下る。
次に＠２図Ｖ（おいて、本発明の特徴である、特性評価
用素子の形成方法について示す。これな、基本的ＶＣは
第６図と全く同じであり、ηル６図（ｄ）にオイて、透
明電極２２の代りに、ソース、ドレイン側共に、Ａｔ等
のソース１！Ｌ極２２′、ドレイン側共２３をｅ７攻丁
れげ艮い。これに、川ｌ■において・透明基６１へのス
イッチング素子２斗を形成するプロセスを乱ζずに形成
てることができる。
用素子の形成方法について示す。これな、基本的ＶＣは
第６図と全く同じであり、ηル６図（ｄ）にオイて、透
明電極２２の代りに、ソース、ドレイン側共に、Ａｔ等
のソース１！Ｌ極２２′、ドレイン側共２３をｅ７攻丁
れげ艮い。これに、川ｌ■において・透明基６１へのス
イッチング素子２斗を形成するプロセスを乱ζずに形成
てることができる。
次に本発明の具体的な運用方法について説、明する。ま
ず、透明）！ｉ叛ｌＶｃ素子分形成終了した時点で一％
呑評価用のスイッチング素子２′をいドレイ７４子１３
、ケート端子１５’、ソース′酸極２４又にソース端子
２６を使って評価する。こうすることＶｃより、画像表
示用のスイッチング素子２を傷つけることなく、マトリ
ックスに使った素子２の素子の％性を推定できる。次に
、対向基板４を接増し、液晶を封入Ｔる。この時点で、
ドレイン端子】３、ゲート端子１５′、ソース端子２６
を使ってスイッチング素子２′の特性を再評価Ｔる。
ず、透明）！ｉ叛ｌＶｃ素子分形成終了した時点で一％
呑評価用のスイッチング素子２′をいドレイ７４子１３
、ケート端子１５’、ソース′酸極２４又にソース端子
２６を使って評価する。こうすることＶｃより、画像表
示用のスイッチング素子２を傷つけることなく、マトリ
ックスに使った素子２の素子の％性を推定できる。次に
、対向基板４を接増し、液晶を封入Ｔる。この時点で、
ドレイン端子】３、ゲート端子１５′、ソース端子２６
を使ってスイッチング素子２′の特性を再評価Ｔる。
こうすることｖｃＬ９、液晶封入工程あるいは、封入俊
の柱時変化を知ることができる。この結果を解析するこ
と［エリ、不良原因や寿命を知ることができる。
の柱時変化を知ることができる。この結果を解析するこ
と［エリ、不良原因や寿命を知ることができる。
第３図に異なる実施例を示す。これ汀、第１図に比較し
、ｇ瀘測定Ｔｔ極２７を設けたことを特徴とする。液晶
封入後、容量測定端子２８と、対向基板４ｖｃ形成した
共通透明電極間の“各端あるｈに、リーク電流を杆価す
ることによ−９、液晶の劣化肇監祝することができる。
、ｇ瀘測定Ｔｔ極２７を設けたことを特徴とする。液晶
封入後、容量測定端子２８と、対向基板４ｖｃ形成した
共通透明電極間の“各端あるｈに、リーク電流を杆価す
ることによ−９、液晶の劣化肇監祝することができる。
以上の実施例では、評価用素子の列を下辺に設は二が、
他の辺に設けることも可能である。
他の辺に設けることも可能である。
以上の実施例でな、スイッチング素子として、多結晶シ
リコンを使った〜４０ＳＦＥＴ［ついて述ベタカ、アモ
ルファスノリコンあるイｄ ｅｓ 晶他シリコンのＭＯ
ＳＦＥＴ Ｋついても応用できる。またスイッチング素
子としてｎ、ＭＯ８ＰＥＴ の他に、ダイオードやＡ
ｆＩＭ型の非線型素子が採用できる。また基板にガラス
を使った例について述ベニが、石英やサファイア板、Ｓ
ｉ 上の酸化模ｑ）場合も同様である。また実施例では
、ドレイ７線を表示部と共用しているが、全く個別に形
成することもできる。
リコンを使った〜４０ＳＦＥＴ［ついて述ベタカ、アモ
ルファスノリコンあるイｄ ｅｓ 晶他シリコンのＭＯ
ＳＦＥＴ Ｋついても応用できる。またスイッチング素
子としてｎ、ＭＯ８ＰＥＴ の他に、ダイオードやＡ
ｆＩＭ型の非線型素子が採用できる。また基板にガラス
を使った例について述ベニが、石英やサファイア板、Ｓ
ｉ 上の酸化模ｑ）場合も同様である。また実施例では
、ドレイ７線を表示部と共用しているが、全く個別に形
成することもできる。
以上述べた本発明によれば、アクティブマトリクス型液
晶表示装置の＠姓劣比等を外部から闇単に評価でき、原
因究明等の有力手殺とすることができる。
晶表示装置の＠姓劣比等を外部から闇単に評価でき、原
因究明等の有力手殺とすることができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例の液晶表示装り平
面略図、第３図は本ボ明？説明するためのスイッチング
索子断面図、第４図は液晶表示装置＠面略図、＠５図は
従来技術を説Ｂｆｉ■るための液晶表示装置θ平面略図
、第６図ａ従来技術を説ｔａｇするためのスイッチング
素子断面図である。
面略図、第３図は本ボ明？説明するためのスイッチング
索子断面図、第４図は液晶表示装置＠面略図、＠５図は
従来技術を説Ｂｆｉ■るための液晶表示装置θ平面略図
、第６図ａ従来技術を説ｔａｇするためのスイッチング
素子断面図である。
Claims (1)
- １、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、表
示領域近傍に能動素子あるいは液晶材料の特性を評価す
る手段を設け、これを表示領域と同時に封入して外部か
ら評価できる構造としたことを特徴とする液晶表示装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092102A JPS62249125A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092102A JPS62249125A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62249125A true JPS62249125A (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=14045080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61092102A Pending JPS62249125A (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62249125A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264473A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル検査装置 |
| JP2005331744A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その検査方法および電子機器 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP61092102A patent/JPS62249125A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0264473A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル検査装置 |
| JP2005331744A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その検査方法および電子機器 |
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