JPS61249077A - マトリクス型表示装置 - Google Patents
マトリクス型表示装置Info
- Publication number
- JPS61249077A JPS61249077A JP60091449A JP9144985A JPS61249077A JP S61249077 A JPS61249077 A JP S61249077A JP 60091449 A JP60091449 A JP 60091449A JP 9144985 A JP9144985 A JP 9144985A JP S61249077 A JPS61249077 A JP S61249077A
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- JP
- Japan
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- display device
- matrix type
- type display
- active element
- matrix
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は例えば薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと称
する）アレイを用いたマトリクス表示装置に関するもの
である。
する）アレイを用いたマトリクス表示装置に関するもの
である。
第２図および第３図は一般的なＴＰＴアレイの画素の構
成およびマ） ＋７クス型液晶表示装置の構成を示すも
のである。これらの図において、１はゲート電極線、２
はソース電極線、３はドレイン電極、４はＴＰＴ、５は
表示電極、６は表示材料、７はＴＦＴアレイ、８はＴＦ
Ｔアレイ基板、９は対向電極基板、１０は対向電極、１
１はマ）ＩＪクス麗表示装置を各々示している。
成およびマ） ＋７クス型液晶表示装置の構成を示すも
のである。これらの図において、１はゲート電極線、２
はソース電極線、３はドレイン電極、４はＴＰＴ、５は
表示電極、６は表示材料、７はＴＦＴアレイ、８はＴＦ
Ｔアレイ基板、９は対向電極基板、１０は対向電極、１
１はマ）ＩＪクス麗表示装置を各々示している。
ＴＦＴアレイ７は、複数のゲート電極線１とこれらのゲ
ート電極線１と立体又差するソース電極線２よシなるマ
トリクス製配線を有し、その交点に、ＴＰＴ４等の電圧
−電流特性が非線形な特性を有する能動素子や表示電極
５等が形成された画素の集積にニジ構成されている。
ート電極線１と立体又差するソース電極線２よシなるマ
トリクス製配線を有し、その交点に、ＴＰＴ４等の電圧
−電流特性が非線形な特性を有する能動素子や表示電極
５等が形成された画素の集積にニジ構成されている。
また、マトリクス型表示装置１１は、ＴＦＴアレイ７を
形成するＴＦＴアレイ基板８とこれに対向する透明電極
等の対向電極１０を有する対向電極基板９およびこの両
基板８，９間に液晶等の表示部材６が挾持されて構成さ
れている。
形成するＴＦＴアレイ基板８とこれに対向する透明電極
等の対向電極１０を有する対向電極基板９およびこの両
基板８，９間に液晶等の表示部材６が挾持されて構成さ
れている。
マトリクス型表示装置１１は例えば画素表示等に用いら
れる関係から、できるだけ大面積、高解像度で高画質で
あることが望ましい。上記ＴＰＴアレイ７は複数のゲー
ト電極線１と複数のソース電極ＭＡ２とがＴＦＴアレイ
７の大きさに対応した長さだけ必要となシ、しかも画素
開口率の関係から可能な限シ線幅を細くする必要がある
。またゲート電極線１とソース電極線２とは立体交差に
なっているため、この間の層間絶縁を完全にする必要が
ある。更に、マトリクス型表示装置１１を大画面でしか
も安価に製造するため、ゲート電極線１とソース電極線
２との交点に配置されるＴＰＴ４等にアモルファスシリ
コン等の半導体を用いる場合、良好なスイッチング特性
を得るためのゾロセスの開発等が必要である。そして、
表示材料６に低電圧駆動が可能な液晶等の材料を用いる
場合、ＴＰＴアレイ基板８にラビング等の配向処理が必
要となシ、ＴＦＴ４のゲート破壊、ゲート電極線１とソ
ース電極線２のショートおよびオープン等の画素の生存
率の低下といった問題が発生する。
れる関係から、できるだけ大面積、高解像度で高画質で
あることが望ましい。上記ＴＰＴアレイ７は複数のゲー
ト電極線１と複数のソース電極ＭＡ２とがＴＦＴアレイ
７の大きさに対応した長さだけ必要となシ、しかも画素
開口率の関係から可能な限シ線幅を細くする必要がある
。またゲート電極線１とソース電極線２とは立体交差に
なっているため、この間の層間絶縁を完全にする必要が
ある。更に、マトリクス型表示装置１１を大画面でしか
も安価に製造するため、ゲート電極線１とソース電極線
２との交点に配置されるＴＰＴ４等にアモルファスシリ
コン等の半導体を用いる場合、良好なスイッチング特性
を得るためのゾロセスの開発等が必要である。そして、
表示材料６に低電圧駆動が可能な液晶等の材料を用いる
場合、ＴＰＴアレイ基板８にラビング等の配向処理が必
要となシ、ＴＦＴ４のゲート破壊、ゲート電極線１とソ
ース電極線２のショートおよびオープン等の画素の生存
率の低下といった問題が発生する。
従来のＴＦＴアレイ７では前記の諸問題を解決するため
の特性評価モニタが無く、このためＴＰＴアレイ７の有
効表示エリアに直接ゾロ−ピングし、ＴＦＴアレイ７の
破壊につながる評価方法等で行わなければならず、また
ＴＦＴ４のＣ−■特性やゲート電極線１とソース電極線
２の眉間絶縁等は非常に測定が困難であるため、ＴＰＴ
アレイ７の製造ゾＣセスへの特性評価結果のフィードバ
ックが遅く、製造歩留の向上や性能の向上を図ることが
短期間で行えない等の問題点を有していた。
の特性評価モニタが無く、このためＴＰＴアレイ７の有
効表示エリアに直接ゾロ−ピングし、ＴＦＴアレイ７の
破壊につながる評価方法等で行わなければならず、また
ＴＦＴ４のＣ−■特性やゲート電極線１とソース電極線
２の眉間絶縁等は非常に測定が困難であるため、ＴＰＴ
アレイ７の製造ゾＣセスへの特性評価結果のフィードバ
ックが遅く、製造歩留の向上や性能の向上を図ることが
短期間で行えない等の問題点を有していた。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、安価で高画質のマトリクス型表示装置を得ることを
目的とする。
で、安価で高画質のマトリクス型表示装置を得ることを
目的とする。
この発明に係るマトリクス型表示装置は、能動素子アレ
イ基板の有効表示エリア外に特性評価用モニタ部を形成
したものである。
イ基板の有効表示エリア外に特性評価用モニタ部を形成
したものである。
この発明のマトリクス型表示装置においては、特性評価
用モニタ部を測定することにより、能動素子の特性やゲ
ート電極とソース電極の眉間絶縁や画素特性の評価が容
易に行える。
用モニタ部を測定することにより、能動素子の特性やゲ
ート電極とソース電極の眉間絶縁や画素特性の評価が容
易に行える。
第１図はこの発明の一実施例によるマトリクス型表示装
置の平面図である。図中、１，２は第２図と同様に複数
のゲート電極線およびこれらのゲート電極線１と交差、
するソース電極線で、また８は能動素子基板であるＴＦ
Ｔアレイ基板、９はこのＴＦＴ基板８と対向して設けら
れる対向電極基板、１１はマトリクス型表示装置である
。そして１２は、ゲート電極線１およびソース電極線２
の外部回路と接続用の周辺リードアウト部で、この周辺
リードアウト部１２の空きスペース、すなわちＴＦ、Ｔ
アレイ基板８の有効表示エリア外に特性評価用モニタ部
１３が形成されている。この特性評価用モニタ部１３は
、能動素子であるＴＰＴ４０Ｃ−Ｖ特性評価用、ゲート
およびソース電極マトリクス配線１，２の眉間絶縁評価
用および画素特性評価用等のモニタで構成されている。
置の平面図である。図中、１，２は第２図と同様に複数
のゲート電極線およびこれらのゲート電極線１と交差、
するソース電極線で、また８は能動素子基板であるＴＦ
Ｔアレイ基板、９はこのＴＦＴ基板８と対向して設けら
れる対向電極基板、１１はマトリクス型表示装置である
。そして１２は、ゲート電極線１およびソース電極線２
の外部回路と接続用の周辺リードアウト部で、この周辺
リードアウト部１２の空きスペース、すなわちＴＦ、Ｔ
アレイ基板８の有効表示エリア外に特性評価用モニタ部
１３が形成されている。この特性評価用モニタ部１３は
、能動素子であるＴＰＴ４０Ｃ−Ｖ特性評価用、ゲート
およびソース電極マトリクス配線１，２の眉間絶縁評価
用および画素特性評価用等のモニタで構成されている。
このように構成されたマトリクス型表示装置は、特性評
価用モニタ部１３が配設されているため、この特性評価
用モニタ部１３ｔ−測定することにょシ、ＴＦＴアレイ
７の特性等を類推できる。このためＴＦＴアレイ７の破
壊が低減できると共に、素早く評価結果が製造プロセス
へフィードバックされるので性能の向上が可能である。
価用モニタ部１３が配設されているため、この特性評価
用モニタ部１３ｔ−測定することにょシ、ＴＦＴアレイ
７の特性等を類推できる。このためＴＦＴアレイ７の破
壊が低減できると共に、素早く評価結果が製造プロセス
へフィードバックされるので性能の向上が可能である。
また特性評価用そニタ部１３が対向電極基板９と重なら
ない位置に配設されているため、マトリクス星表示装置
１１完成後のＴＦＴアレイ７の評価も可能で、製造プロ
セス全体を通してＴＰＴアレイ７′の評価が行え、歩留
が高くかつ低コストで高画質なマトリクス型表示装置１
１が得られる。
ない位置に配設されているため、マトリクス星表示装置
１１完成後のＴＦＴアレイ７の評価も可能で、製造プロ
セス全体を通してＴＰＴアレイ７′の評価が行え、歩留
が高くかつ低コストで高画質なマトリクス型表示装置１
１が得られる。
以上のようにこの発明のマトリクス星表示装置によれば
、能動素子アレイ基板の有効表示エリア外に特性評価用
モニタ部を形成したので、製造プロセス全体を通して特
性のモニタが可能となり、最適プロセス条件の設定が容
易で、かつ製造プロセスの途中過程で発生した特性不良
素子の除去が可能である。従って特性が良好でかつ安価
なマトリクス製表示装置が安定して得られる等の効果が
ある。
、能動素子アレイ基板の有効表示エリア外に特性評価用
モニタ部を形成したので、製造プロセス全体を通して特
性のモニタが可能となり、最適プロセス条件の設定が容
易で、かつ製造プロセスの途中過程で発生した特性不良
素子の除去が可能である。従って特性が良好でかつ安価
なマトリクス製表示装置が安定して得られる等の効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例によるマトリクス製表示装
置の平面図、第２図は一般的な薄板トランジスタアレイ
画素の構成を示す図、第３図は一般的なマトリクス製表
示装置の断面図である。 １・・・ゲート電極線、２・・・ソース電極線、４・・
・薄膜トランジスタ、５・・・表示電極、６・・・表示
部材、７・・・薄膜トランジスタアレイ、８・・・薄膜
トランジスタアレイ基板、９・・・対向電極基板、１０
・・・対向電極、１１・・・マトリクス製表示装置、１
２・・・周辺リードアウト部、１３・・・特性評価用モ
ニタ部。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
置の平面図、第２図は一般的な薄板トランジスタアレイ
画素の構成を示す図、第３図は一般的なマトリクス製表
示装置の断面図である。 １・・・ゲート電極線、２・・・ソース電極線、４・・
・薄膜トランジスタ、５・・・表示電極、６・・・表示
部材、７・・・薄膜トランジスタアレイ、８・・・薄膜
トランジスタアレイ基板、９・・・対向電極基板、１０
・・・対向電極、１１・・・マトリクス製表示装置、１
２・・・周辺リードアウト部、１３・・・特性評価用モ
ニタ部。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）複数のゲート電極線とこれらのゲート電適線と直
交する複数のソース電極線を有し、これら電極線の交点
に非線形特性を有する能動素子および表示電極等を設け
た能動素子アレイと、この能動素子アレイを形成する能
動素子アレイ基板と、この能動素子アレイ基板との間に
表示部材を挾持してなる対向電極を有する対向電極基板
とを備えたマトリクス型表示装置において、前記能動素
子アレイ基板の有効表示エリア外に特性評価用モニタ部
を形成したことを特徴とするマトリクス型表示装置。 - （２）特性評価モニタ部は、薄膜トランジスタのＣ−Ｖ
特性評価用、ゲートおよびソース電極マトリクス配線の
層間絶縁評価用および画素特性評価用から構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマトリ
クス型表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091449A JPS61249077A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | マトリクス型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60091449A JPS61249077A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | マトリクス型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61249077A true JPS61249077A (ja) | 1986-11-06 |
Family
ID=14026670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60091449A Pending JPS61249077A (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | マトリクス型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61249077A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136687A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | 関西日本電気株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JP2005331744A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その検査方法および電子機器 |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP60091449A patent/JPS61249077A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136687A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | 関西日本電気株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| JPH0364872B2 (ja) * | 1985-12-10 | 1991-10-08 | Kansai Nippon Electric | |
| JP2005331744A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その検査方法および電子機器 |
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