CN100399396C - 电光学装置、其检查方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电光学装置。各单位电路(U)包括OLED元件(16)和控制其动作的控制电路(15)。在检查端子(TPa1)输入为了试验性地驱动OLED元件(16)的检查信号。多个单位电路(U)之中，位于有效区域(A)的边角的检查单位电路(Ut)连接了开关元件(41)。此开关元件(41)使检查单位电路(Ut)的OLED元件(16)和检查端子(TPa1)电绝缘的关断状态切换为检查单位电路(Ut)的OLED元件(16)和检查端子(TPa1)电导通的导通状态。由此，能有效地检查包括电光学装置和控制电路的多个单位电路。

Description

电光学装置、其检查方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及检查利用了从电作用变换为光学作用的元件或者从光学作用变换为电作用的元件(以下总称为“电光学元件”)的电光学装置的技术。
背景技术
利用了液晶和有机发光二极管元件(以下称为“OLED(有机发光二极管)元件”)等的电光学元件的电光学装置广泛普及。例如，由薄膜晶体管等的开关元件控制电光学元件的动作的多个单位电路(像素电路)以平面状配置的有源矩阵型的电光学装置以前就被提出。在这种电光学装置中，各单位电路的特性(例如开关元件的电特性)的误差特别成问题。为了解决此问题，例如在专利文献1中，记载了和单位电路分别形成与在各单位电路中所包含的开关元件具有同样构成的开关元件，通过检查其电特性检查各单位电路的特性的技术。
但是，在作为电光学元件利用了液晶的电光学装置中，由于液晶本身的特性对于全部的单位电路是大致相同的，所以只要检查各单位电路之中开关元件的特性，就能够对于全部的单位电路判断特性差异的有无。但是，在电光学元件是对每个单位电路分别形成的电光学装置中，不只是开关元件的特性，电光学元件的特性也有存在差异的可能性，所以只检查开关元件特性的优良，作为单位电路全体的检查来说是不充分的。例如，由喷墨法和真空蒸镀法这样的方法形成作为电光学元件的OLED元件的情况下，各单位电路中OLED元件的特性虽然产生不少的差异，但根据专利文献1中记载的技术不能检查到各单位电路的OLED元件的特性。还有，这样的问题不只是存在于从电作用变换为光学作用(例如亮度)的OLED元件等的电光学元件中，在利用为了从光学作用变换为电作用的电光学元件(例如，输出和受光量相对应的电信号的光电检测元件)的电光学装置中也产生同样的问题。
专利文献1：特开平11-167123号公报(段0019以及图1)
发明内容
本发明是鉴于这样的情况进行的发明，目的在于对排列了包括电光学元件和控制它的控制电路的多个单位电路的电光学装置有效地进行检查。
为了解决上述的问题，本发明包括：分别具有电光学元件和控制该电光学元件的控制电路的多个单位电路、输入为了驱动所述电光学元件的检查信号的检查端子、能获取在所述多个单位电路之中作为检查对象被选择的检查单位电路的电光学元件和所述检查端子之间设置的、使所述检查单位电路的电光学元件和所述检查端子电绝缘的第1状态以及使所述检查单位电路的所述电光学元件和所述检查端子电导通的第2状态的检查信号提供元件。
根据此构成，因为从检查端子输入的检查信号经由作为第2状态的检查信号提供元件被提供给检查单位电路的电光学元件，所以能只独立检查单位电路之中电光学元件的特性。还有，本发明中所谓电光学元件是包括从电作用变换为光学作用的元件以及从光学作用变换为电作用的元件两方面的概念。关于前者的电光学元件是例如根据提供的电信号，光学特性(例如亮度和透过率)产生变化的元件。这种电光学元件的典型例子有利用了发光聚合物和发光低分子材料的有机EL(电致发光)元件，但本发明适用的范围不限定于此。另一方面，关于后者的电光学元件是例如根据对该电光学元件的入射光的特性(例如入射光量)，输出电信号的元件。这种电光学元件的典型例子有根据入射光的光量输出电信号的CCD(电荷耦合器件)元件等的光电检测元件。
在本发明的具体形式中，配置了输入检查指示信号的检查输入端子，该检查指示信号指示电光学元件的检查的执行，检查信号提供元件是根据从检查输入端子输入的检查指示信号，将第1状态以及第2状态的一种状态切换为另一种状态的开关元件。根据此形式，第1状态和第2状态由检查指示端子被适当地切换，开关元件作为第2状态进行检查的另一方面，在通常的使用状态下，通过将开关元件作为第1状态，抑制检查端子对检查单位电路的影响(例如检查端子附带的寄生电容的影响和在检查端子产生的噪声的影响)。
另外，在其他的形式中，作为检查信号提供元件采用了通过赋予能量从第1状态变化为第2状态的反熔丝。根据此构成，通过使反熔丝变化为第2状态执行检查的另一方面，例如对于检查的必要性较少的电光学装置，通过使反熔丝维持在第1状态这样，减少对于检查单位电路来说检查端子的影响。还有，在本形式中，优选反熔丝和构成各单位电路的控制电路的晶体管以共同的工艺形成。即，在更优选的形式中，各单位电路的控制电路包括具有连接了布线层的半导体层、夹着栅绝缘膜与半导体层相对的栅极的晶体管元件，反熔丝包括：由和布线层相同的材料形成的、和检查单位电路的电光学元件相连的第1端部、由和布线层相同的材料和第1端部分离形成的、和检查端子相连的第2端部、由和栅极相同的材料形成的、同时夹着栅绝缘膜、和第1端部以及第2端部相对的中间部。通过对中间部和第1端部以及第2端部相互相对的部分施加能量，第1端部和第2端部经由中间部导通。根据此形式，和由独立的工艺形成反熔丝的情况相比较，能谋求制造工艺的简化和制造成本的降低。
但是，以平面状排列的多个单位电路中的边缘部，特别是位于边角的单位电路比位于其它位置的单位电路存在更容易产生特性误差的倾向。因此，在本发明的优选形式中，在以平面状排列形成有效区域的多个单位电路之中，将位于有效区域的边缘的单位电路作为检查单位电路选定。进一步优选的是在多个单位电路之中，将位于成为大致矩形形状的有效区域的边缘的单位电路作为检查单位电路。根据这样的形式，通过将位于有效区域的边缘的单位电路作为检查的对象，能以更优良的精度判断电光学装置是否良好。在其它的形式中，虚电光学元件被配置在有效区域的周围。在电光学元件排列的区域中，存在位于边缘的电光学元件特别容易产生特性误差的倾向。作为此倾向的根源，如果在有效区域的周围形成虚的电光学元件，就能够使有效区域内的电光学元件的特性均一。还有，所谓虚的电光学元件是不具备电光学元件本来的功能(例如显示图像的功能和受光的功能)的电光学元件，而不管是否对其配备控制电路。
本发明中的有效区域是指和电光学装置本来的功能直接相关的单位电路排列的区域。例如，在利用从电作用变换为光学作用的电光学元件显示图像的电光学装置中，由使用者识别的图像实际被显示的区域(所谓显示区域)作为有效区域这样来理解。另外，利用从光学作用变换为电作用的电光学元件，在输出和受光量相对应的电信号的电光学装置中，将实际接收作为向电信号变换的对象的光的区域作为有效区域这样来理解。
在本发明的优选形式中，各单位电路的控制电路包括电光学元件、切换和该控制电路的电导通以及非导通的开关元件(后面叙述的各实施方式中的晶体管T3)。根据此形式，因为能在电光学元件的检查时，将该电光学元件和控制电路电切断，所以能够排除控制电路的影响，更精度良好地检查电光学元件的特性。
在进一步其它的形式中，介于检查信号提供元件和检查端子之间的布线包括相互隔离形成的多个第1布线部和由比各个第1布线部耐腐蚀性高的材料形成的、使多个第1布线部的各个相互电连接的第2布线部。根据这样的形式，由于各个第1布线部是相互隔离地形成的，所以能够防止在检查端子侧的第1布线部产生的腐蚀扩散到检查信号提供元件和电光学元件的情况。在这样的形式中，优选各个单位电路的控制电路包括具有和布线层相连的、夹着半导体层和栅绝缘膜、和半导体层相对的栅极的晶体管元件，多个第1布线部由和布线层相同的材料形成，第2布线部由和半导体层相同的材料形成。根据这样的形式，和以其它的元件独立的工艺形成的情况相比，能谋求制造工艺的简化以及制造成本的降低。
在本发明的其它形式中，电光学元件是包括发光层的多层在阳极和阴极之间层叠构成的OLED元件，具有将从包括构成OLED元件的各层和阳极以及阴极的多层之中选择的2层以上的层层叠形成的校准图案。根据此形式，通过观察校准图案，能够测量OLED元件各层的相对位置关系和膜厚。进一步，在其它形式中，电光学元件是将包括发光层的多层在阳极和阴极之间层叠构成的OLED元件。具有将从包括构成OLED元件的各层和阳极以及阴极的多层中选择的2层以上的层层叠形成的第1校准图案、将构成第1校准图案的各层组合的、不同的2层以上的层层叠形成的第2校准图案。根据此形式，通过比较第1校准图案的观察结果和第2校准图案的观察结果，能更精度良好地检查OLED元件的各层的位置关系。
本发明的电光学装置作为各种电子设备的显示装置和光电检测装置被使用。作为这样的电子设备有个人计算机、便携电话机、便携信息终端、监视器、数字静像照相机、取景器等。
本发明也作为检查电光学装置的方法被确定。即，此方法是检查包括具有电光学元件和控制该电光学元件的控制电路的多个单位电路的电光学装置的方法，从使在各多个单位电路之中作为检查的对象选择的检查单位电路和检查端子之间设置的检查信号提供元件以及检查单位电路的电光学元件和检查端子电绝缘的第1状态变化为使检查单位电路的电光学元件和检查端子电导通的第2状态之后，向检查端子输入为了驱动电光学元件的检查信号，检查提供了此检查信号时的电光学元件的状态变化。根据此方法，能得到和关于本发明的电光学装置同样的效果。进一步，在各单位电路的控制电路具有切换电光学元件和该控制电路的电导通以及非导通的开关元件的构成中，如果输入检查信号时将开关元件作为关断状态使电光学元件和控制电路非导通，就能排除控制电路的特性的影响，只独立地检查电光学元件的特性。
附图说明
图1是表示关于本发明的第1实施方式的电光学装置的构成的方框图。
图2是表示同一电光学装置的扫描线驱动电路的动作的时序图。
图3是表示同一电光学装置的检查单位电路以及其周边构成的电路图。
图4是为了说明检查模式中的检查内容的时序图。
图5是为了说明同一实施方式的效果的俯视图。
图6是表示为了检查同一电光学装置的检查装置的构成的方框图。
图7是表示同一检查单位电路以及其周边的构成的剖视图。
图8是表示在同一单位电路中OLED元件的层叠构造的剖视图。
图9是表示在同一电光学装置中检查端子附近的构成的俯视图。
图10是表示在同一电光学装置中校准图案群的构成的俯视图。
图11是表示关于本发明的第2实施方式的电光学装置中检查单位电路以及其周边的构成的电路图。
图12是表示同一检查单位电路以及其周边的构成的剖视图。
图13是表示和同一检查单位电路相连的反熔丝的构成的剖视图。
图14是表示适用了本发明的个人计算机的构成的立体图。
图15是表示适用了本发明的便携电话机的构成的立体图。
图16是表示适用了本发明的便携信息终端的构成的立体图。
图中：D-电光学装置，10-衬底，11-扫描线，12-发光控制线，13-数据线，U-单位电路，Ut-检查单位电路，15-控制电路，16-OLED元件(电光学元件)，18-虚元件，21-扫描线驱动电路，22-数据线驱动电路，26-公共电极，41-开关元件(检查信号提供元件)，42-反熔丝(检查信号提供元件)，56-像素电极，61-布线，611-第1布线部，612-第2布线部，62-布线，621-第1布线部，622-中间部，AP-校准图案群，AP1-第1校准图案，AP2-第2校准图案，95-检查用晶体管，97-检查用OLED元件，70-检查装置，71-检查装置，711-承载台，713-输入探针，714-输出探针，73-状态设定单元，74-测量单元，76-处理单元，A-有效区域，TPa1-检查端子，TPa2-检查指示端子，TPa3-检查模式端子，Yi-扫描信号，GCi-发光控制信号，Dj-数据信号，St-检查信号，Sgate-检查指示信号，Smod-检查模式信号。
具体实施方式
(1.第1实施方式)
首先，说明作为电光学元件利用了OLED元件的电光学装置适用于本发明的方式。图1是表示此电光学装置的构成的方框图。如同图所示，电光学装置D具有衬底10。此衬底10是由玻璃和塑料等具有透光性的材料形成的、大致矩形形状的板状构件。图1所示的各要素在衬底10的表面上形成。在这各个要素形成的衬底10的表面上粘贴密封板29。此密封板29是比衬底10外形尺寸还要小的板状的构件。在从衬底10中密封板29的边缘突出的区域，沿着衬底10的边缘形成多个连接端子(Py、Px、TPa1、TPa2…、)。详细情况后面叙述，这些连接端子是用于为了对电光学装置D输入电信号和从电光学装置D输出电信号。
在衬底10的表面上，形成向X方向延伸的总共m条的扫描线11、和各扫描线11成对的、向X方向延伸的总共m条发光控制线12、在向和X方向垂直的Y方向延伸的总共n条数据线13(m以及n都是自然数)。在扫描线11以及发光控制线12对和数据线13的各交叉点上配置了作为像素发挥功能的单位电路U。这样，关于本实施方式的电光学装置D是各单位电路U在X方向以及Y方向以m行×n列的矩阵状排列的有源矩阵型的显示装置。以下，将单位电路U配列的大致矩形形状的区域A记为“有效区域”。此有效区域A是由使用者识别的图像被实际显示的区域。
各单位电路U包括以和提供的电信号相对应的亮度发光的OLED元件16。在这些单位电路U中，全彩色显示装置的情况下，分配红色、绿色以及蓝色的任意一种，各单位电路U的OLED元件16发射与该单位电路U分配的颜色相对应的波长的光。其中对应于红色的单位电路U经由电源线25和连接端子PELr相连，对应于绿色的单位电路U经由电源线25和连接端子PELg相连，对应于蓝色的单位电路U经由电源线25和连接端子PELb相连。对连接端子PELr、PELg以及PELb的各个施加对各种发色光的每个独立地选定的电源电压VEL。
另外，如图1所示，在有效区域A的周围形成了多个虚元件18。各个虚元件18是在X方向以及Y方向具有和各单位电路大致相同的间隔排列的元件，是和各单位电路U的OLED元件16以共同的工艺、采用相同的材料形成的OLED元件。只是，由于各个虚元件18和所谓扫描线11和数据线13的其它要素不是电气上连接的，所以对图像的显示没有任何作用。上述的有效区域A也可以理解为在多个OLED元件排列的区域中除去虚元件18配置的区域的区域。
此处，在关于本实施方式的电光学装置D的动作模式中，除了作为显示装置本来的功能的、在有效区域A显示图像的模式(以下，称为“通常显示模式”)之外，还有为了检查各单位电路U的特性的模式(以下，称为“检查模式”)。在其中的检查模式中，将多个单位电路U之中预先被选定的单位电路U(以下，有特别被称为“检查单位电路”的情况)作为检查的对象。通过检查这些检查单位电路Ut的特性的优良，推测其它单位电路U的特性的优良。在本实施方式中，假设是在图1所示的多个单位电路U之中，有效区域A的右上角配置的3个电位电路U，即分别位于第1行第(n-1)列、第1行第n列以及第2行第n列的3个单位电路U作为检查单位电路Ut被选定的情况。
如图1所示，各检查单位电路Ut经由分别对应配置的开关41和连接端子(以下特别称为“检查端子”)TPa1相连。在本实施方式中的开关元件41是n沟道型的晶体管。在和各开关元件41的漏极连接的检查端子TPa1上，在检查时，输入为了试验性地驱动OLED元件16的检查信号St。进一步，各开关元件41的栅极相对于输入为了指示OLED元件16的检查执行的检查指示信号Sgate的连接端子(以下，特别称为“检查指示端子”)TPa2，是共同连接的。另一方面，对于检查单位电路Ut之外的单位电路U，没有连接开关元件41。还有，在以下的说明中，单纯记为“单位电路U”时，意味着包括检查单位电路Ut的任意的单位电路U。
在有效区域A的周围配置了扫描线驱动电路21(21a以及21b)和数据线驱动电路22。各扫描线11其一端(图1中的左侧一端)经由AND门31和扫描线驱动电路21a相连的同时，其另一端(图1中的右侧一端)和扫描线驱动电路21b相连。另外，各个发光控制线12其一端经由OR门32和扫描线驱动电路21a相连的同时，另一端和扫描线驱动电路21b相连。扫描线驱动电路21b的输出由检查模式信号Smod的翻转信号控制。此翻转信号为低电平时，扫描线驱动电路21b的输出为浮置的，为高电平时，和扫描线驱动电路21a同步输出，控制扫描线11以及发光控制线12。各扫描线驱动电路21(21a以及21b)由包括相当于扫描线11或者发光控制线12的总条数的m位的移位寄存器构成。当通常显示模式被选定时，各扫描线驱动电路21如图2所示，基于经由连接端子Py提供的控制信号(例如时钟信号)，在分割了各垂直扫描期间(1F)的每个水平扫描期间(1H)，按顺序从各个输出端依次输出成为有效电平(在本实施方式中是低电平)的扫描信号Y1、Y2、…、Ym。进一步，各扫描线驱动电路21从各输出端依次输出对扫描信号Y1、Y2、…、Ym的理论电平翻转的发光控制信号GC1、GC2、…、GCm。即，如图2所示，对第i行的发光控制线12提供的发光控制信号GCi在1个垂直扫描期间中的第i个水平扫描期间为高电平，在其它期间维持低电平。还有，此处示例了在各扫描线11以及各发光控制线12的两侧配置了扫描线驱动电路21a以及21b的构成，但如果扫描信号Yi和发光控制信号Gci的波形的衰减和延迟以及电压下降不成问题的话，只在各扫描线11和各发光控制线12的一侧配置了扫描线驱动电路21的构成也能被采用。
在图1所示的连接端子(以下称为“检查模式端子”)TPa13中输入为了对检查单位电路Ut指示实施的检查内容的检查模式信号Smod。此检查模式信号Smod在检查模式中，根据检查的内容为高电平以及低电平的一个，另一方面，在通常显示模式中，是维持为低电平的信号。在图1中，从上方开始数，第i个OR门32的一个输入端和扫描线驱动电路21中发光控制信号GCi的输出端相连，另一个输入端和与检查模式端子TPa3连接的布线34相连。即，在检查模式信号Smod维持低电平的通常显示模式中，从扫描线驱动电路21a输出的各个发光控制信号GCi经由OR门32被提供给第i行的发光控制线12。另外，布线34连接了下拉用的电阻R2的同时连接了反相器36的输入端。在图1中从上方开始数，第i个AND门31的一个输入端和扫描线驱动电路21中的扫描信号Yi的输出端相连，另一个输入端和与反相器36的输出端连接的布线35相连。即，在检查模式信号Smod维持低电平的通常显示模式中，从扫描线驱动电路21输出的各扫描信号Yi经由AND门31被提供给第i行的扫描线11。扫描信号Yi如果变为有效电平，表示选择了第i行的扫描线11。
另一方面，在数据线驱动电路22上连接了各数据线13的一端。此数据线驱动电路22是对各数据线13提供对应于从相当于数据线13的总条数的总计n个连接端子Px的各个提供的图像数据的数据信号D1、D2、…、Dn的电路。例如，在通常显示模式中，数据线驱动电路22对于和各扫描线驱动电路21所选择的扫描线11对应的1行(总计n个)的单位电路U，输出对应于图像数据的数据信号D1、D2、…、Dn。图像数据是指定各个单位电路U的OLED元件16的亮度(灰度)的数据。
在各数据线13和与此相邻的电源线25之间介入插入p沟道型的晶体管(以下，称为“数据电压控制晶体管”)Td。此数据电压控制晶体管Td的栅极和上述的布线35相连。检查模式信号Smod在维持低电平的通常显示模式中，从全部数据电压控制晶体管Td变为关断状态开始，使各数据线13和各电源线25电绝缘。
另一方面，在检查模式中，检查模式信号Smod如果过渡为高电平，从全部数据电压控制晶体管Td变为导通状态开始，使各数据线13和与此相邻的电源线25导通。作为此结果，各数据线13变为和与此相邻的电源线25上施加的电源电压VEL大致相同的电位。由此，对多个Px端子进行检查，即使不从外部施加电压，也能够设定各数据线13的电位。进一步，在数据线驱动电路22上连接了布线34。数据线驱动电路22如果在对此布线34提供的检查模式信号Smod变为高电平时，使全部数据线信号D1、D2、…、Dn的输出端成为检查状态(即，数据线驱动电路22和全部数据线13的电气连接被切断)。
接着，图3是表示各单位电路U的电气构成的电路图。还有在同图中，由于特别示例了检查单位电路Ut，与此相连的开关元件41和检查端子TPa1也一并图示，而不管单位电路U的构成本身是否是检查单位电路Ut，是通用的。另外，图3所示的检查单位电路Ut是属于第i行第j列的检查单位电路(j为满足1≤j≤n的自然数)。
如同图所示，一个单位电路U包括控制电路15和上述的OLED元件16。其中控制电路15是为了控制驱动OLED元件16的动作的电路，包括p沟道型的晶体管T1、T2以及T3和电容元件C。晶体管T2其源极和电源线25相连的同时，漏极和晶体管T3的源极相连。晶体管T3其漏极和OLED元件16的阳极相连的同时，栅极和第i行的发光控制线12相连。晶体管T1其源极和晶体管T2的栅极相连，漏极和第j列的数据线13相连，栅极和第i行的扫描线11相连。另外，电容元件C其一端和晶体管T1的源极以及晶体管T2的栅极相连，另外一端和晶体管T2的源极(进一步和电源线25)相连。另一方面，OLED元件16包括夹在阳极和阴极之间的发光层，以对应于顺时针方向电流的亮度发光。OLED元件16的阴极是跨越全部单位电路U单一地形成的电极(以下称为“公共电极”)26。此公共电极26如图1所示，从和衬底10垂直的方向看来，是和密封板29的大部分重合这样形成的。对公共电极26经由连接端子Pgnd施加电源的低电位电压(接地电压)Gnd。
以图3所示的构成为基础，在通常显示模式中，由于如果扫描信号Yi变为低电平，则晶体管T1变为导通状态，所以晶体管T2的栅极电位在此时刻变成和对数据线13提供的数据信号Dj的电位相等。即，电容元件C被充电为对应于数据信号Dj的电压(更具体说，相当于电源电压VEL和数据信号Dj的电位的差的电压)。此时发光控制信号GCi由于维持在高电平，所以晶体管T3变为关断状态，即，控制电路15和OLED元件16被电绝缘。接着，如果经过第i个水平扫描期间，扫描信号Yi过渡为高电平，晶体管T1变为关断状态，另一方面，发光控制信号GCi过渡为低电平，晶体管T3变为导通状态。此时，由于对晶体管T2施加在电容元件C积累的电压，所以对应于数据信号Dj的电流经由晶体管T3被提供给OLED元件16，OLED元件16以对应于此电流的亮度发光。
另一方面，如图3所示，开关元件41的源极相对于检查单位电路Ut之中的OLED元件16的阳极，和晶体管T3的连接点N电气连接。如上所述，此开关元件41的栅极和检查指示端子TPa2相连，漏极和检查端子TPa1相连。图3中所示的电阻R1将检查指示端子TPa2的电位在开放状态下设定为Gnd电位，是为了使开关元件41关的下拉电阻，被介入插入从检查指示端子TPa2至开关元件41的栅极的布线和公共电极26之间。
接着，对于在检查模式中为了检查检查单位电路Ut的顺序详细进行叙述。在此检查中，将检查单位电路Ut的OLED元件16从控制电路15电气切断之后，执行检查该OLED元件16单独的特性的步骤(以下，称为“元件检查步骤”)和检查包括了控制电路15的检查单位电路Ut全体的特性的步骤(以下，称为“单位电路检查步骤”)。
首先，在元件检查步骤中，如图4所示，使检查模式信号Smod为高电平。此结果，从各AND门31向扫描线11提供的扫描信号Yi被强制地设定为低电平的同时，从各OR门32向发光控制线12提供的发光控制信号GCi被强制地设定为高电平。这样如果发光控制信号GCi变为高电平，检查单位电路Ut的晶体管T3变为关断状态。即，在元件检查步骤中，各检查单位电路Ut的OLED元件16变为和控制电路15电气切断的状态。另一方面，如果检查模式信号Smod变为高电平，全部数据电压控制晶体管Td变为导通状态，对各数据线13施加与此相邻的电源线25的电源电压VEL的同时，各数据线13成为和数据线驱动电路22电气切断的状态。由此，晶体管T2关，通过和晶体管T3一同进行2次关，即使晶体管T2、T3中存在漏电流也能够抑制其影响。
进一步，如图4所示，在元件检查步骤中，在检查指示端子TPa2输入的检查指示信号Sgate维持在高电平。即，开关元件41变为导通状态，OLED元件16和检查端子TPa1成为电气导通的状态。此状态的基础是对检查端子TPa1，通过检查信号St的输入，向OLED元件16提供电流。在图4中示例了从元件检查步骤执行期间Al的始点开始至终点为止，电压值慢慢增加的电压波形作为检查信号St被输入的情况。在元件检查步骤中，通过观察伴随此电压上升，OLED元件16的发光量的变化，检查各检查单位电路Ut中OLED元件16单独的特性。例如，观察检查信号St的电压值和OLED元件16的发光量的关系，如果此关系满足规定的条件(例如，和检查信号St的增加成比例，OLED元件16的发光量在期待值的范围内增加这样的关系)，则判断为特性良好，另一方面，如果不满足此条件，则判断为特性不好。
另一方面，在单位电路检查步骤中，如图4所示，使检查模式信号Smod为和通常显示模式同样的低电平。此结果，从扫描线驱动电路21输出的扫描信号Yi通过AND门31被提供给扫描线11的同时，同样地从扫描线驱动电路21输出的发光控制信号GCi通过OR门32被提供给发光控制线12。另一方面，各数据电压控制晶体管Td变为关断状态，数据线13和电源线25电气地绝缘，数据线驱动电路22和各数据线13变为电气导通。
此状态的基础是通过利用向连接端子Py的输入信号控制扫描线驱动电路21，扫描信号Yi以及发光控制信号GCi两个信号都变为低电平。此结果，如图4所示，检查单位电路Ut的晶体管T1变为导通状态，晶体管T2的栅极和数据线13导通的同时，晶体管T3变为导通状态，控制电路15和OLED元件16电气连接。进一步，在此状态下，对和检查单位电路Ut对应的数据线13施加规定的波形数据信号Dj这样，控制数据线驱动电路22。在图4中，从单位电路检查步骤执行期间A2的始点开始至终点为止，电压直线增加，数据信号Dj被施加到数据线13。
另一方面，在单位电路检查步骤中也和元件检查步骤同样地，检查指示信号Sgate被维持在高电平，开关元件41变为导通状态。在此状态下，因为检查端子TPa1和检查单位电路Ut的连接点N为大致相同的电位，所以根据数据信号Dj的变化，能从检查端子TPa1观察在OLED元件16上的驱动电压的变化。即，随着数据信号Dj的提供，通过测量检查端子TPa1的电位变化，能检查各检查单位电路Ut的OLED元件驱动特性。即比较检查端子TPa1的电位(即连接点N的电位)的变化和数据信号Dj的波形，如果它们之间规定的关系成立，则判断为检查单位电路Ut的特性良好，另一方面，如果此关系不成立，则判断为检查单位电路Ut产生了何种不良情况。例如，如图4所示，如果从检查端子TPa1检测的连接点N的电位随着数据信号Dj的电位变化而变化，就能够判断检查单位电路Ut的特性适当。这样，检查端子TPa1同时作为在元件检查步骤中为了输入检查信号St的端子以及在单位电路检查步骤中为了输出连接点N的电位的端子。
如以上说明的这样，在本实施方式中，基于使控制电路15和OLED元件16电切断的状态，因为能只对OLED元件16的特性独立地进行检查，所以当OLED元件16产生不适当的情况时，能对此迅速把握。另外，除了能够检查OLED元件16单独的特性，由于还能够检查单位电路全体的特性，所以通过综合考虑这些检查结果，能够迅速而且准确地查明不当的产生位置(例如，不当处位于OLED元件16和控制电路15的哪个中)。进一步，因为利用配置在密封板29外侧的检查端子TPa1和检查指示端子TPa2执行检查，所以具有能够非破坏地检查密封板29被粘贴之后的电光学装置D的优点。
但是，作为为了独立地检查检查单位电路Ut的OLED元件16的构成，也考虑了直接地连接检查单位电路Ut的连接点N和检查端子TPa1的构成。但是，以此构成为基础，因为即使在通常显示模式中，也能维持检查单位电路Ut和检查端子TPa1间的导通，检查单位电路Ut会产生或者受到由检查端子TPa1引起的寄生电容的影响，或者由于检查端子TPa1感应的噪声到达检查单位电路Ut这样的种种不适当情况。例如，如果检查单位电路Ut受到检查端子TPa1引起的寄生电容的影响，在检查单位电路Ut和其它单位电路U中，特性差异很大，带来显示质量的下降。对此，根据本实施方式，在通常显示模式中，因为使开关元件41为关断状态，检查端子TPa1和检查单位电路Ut电绝缘，所以能避免这些不适当情况，能够使检查单位电路Ut和除此之外的单位电路U的特性不产生差异。
除此之外，在本实施方式中，因为不是将属于对显示没有作用的虚元件18而是将属于有效区域A的检查单位电路Ut的OLED元件16作为检查对象，所以和将虚元件18作为检查对象的构成相比较，能够进一步提高检查的有效性。对于此效果详细叙述如下。
图5是表示在衬底10上形成的OLED元件16以及虚元件18的排列的俯视图。从同图可以看出，对于属于有效区域A的各OLED元件16，由其全部周围总共8个OLED元件16包围，位于有效区域A的外侧的虚元件18由总共5个至3个虚元件18以及OLED元件16部分地包围。这样，由于虚元件18和有效区域A内的OLED元件16其排列的连续性不同，所以其各自形成时的条件，OLED元件16和虚元件18是不同的。例如，通过喷墨法在衬底10上涂布发光材料之后使其干燥形成OLED元件16的情况下，因为使各发光材料干燥时的条件根据其位置而不同，所以可以说OLED元件16和虚元件18的特性特别容易产生不同。这样的特性不同在由一个大型衬底(所谓母模玻璃)统一形成多个电光学装置D的情况下(所谓取多面)也会产生。
即，如果将虚元件18作为检查对象，可能存在和位于有效区域A内的各个OLED元件16实际的良好状况相背离的检查结果的可能性。例如，不管位于有效区域A内的各OLED元件16的特性实际是否是良好的，由于在制造工艺中条件的差异引起虚元件18的特性不良的情况下，个别地使电光学装置D完成亮灯检查，也不能判断是否良好。因此，判断良好为止需要时间，延迟对制造工艺的反馈。对此，在本实施方式中，因为将对实际显示有作用的有效区域A的OLED元件16作为检查对象，所以不会受到在制造工艺中的条件差异的影响，能电精度良好、简单地自动判断各OLED元件16的优良。另外，将虚元件18作为检查对象时，为了维持检查的精度，有必要使各自的特性维持在和有效区域A内的OLED元件16同样的程度，因此，确保在比较宽的空间形成较多的虚元件18变得有必要。因为使检查对象的虚元件18以和OLED元件16同等的密度分布是必要的。对此，在本实施方式中，因为不将虚元件18作为检查对象，所以没有必要使其特性和有效区域A内的OLED元件16是同样的。即，具有能够减少为了形成各虚元件18所需要的空间的优点。
以上说明的检查利用例如图6所示的构成的检查装置70进行。同图所示的检查装置71包括：在决定了作为检查对象的电光学装置D的位置之后安装的承载台711、顶端部分面向承载台711的输入探针713以及输出探针714。输入探针713以及输出探针714的各个是包括了与电光学装置D的各个连接端子接触的针状的顶端部分的检查针。其中输入探针713和状态设定单元73相连。此状态设定单元73是在检查模式中，生成输入到电光学装置D的各种信号，提供给输入探针713的装置。如果进一步详细叙述的话，状态设定单元73在元件检查步骤中生成并输出检查模式信号Smod和检查指示信号Sgate以及检查信号St。这些信号经由输入探针713分别被提供给检查模式端子TPa3和检查指示端子TPa2以及检查端子TPa1。进一步，在单位电路检查步骤中，状态设定单元73除了将检查模式信号Smod以及检查指示信号Sgate，还将为了控制扫描线驱动电路21的信号和数据信号Dj从输入探针713分别输出到连接端子Py以及各连接端子Px。
另一方面，图6所示的测量单元74是在根据OLED元件16的发光量和单位电路检查步骤中，为了测量从检查端子TPa2输出的电压的装置，和上述的输出探针714以及输出和来自电光学装置D的发光量对应的电信号的亮度计741相连。以此构成为基础，测量单元74在元件检查步骤以及单位电路检查步骤中，基于对应于来自检查单位电路Ut的OLED元件16发出的光亮的亮度计741的电信号进行测量。另一方面，输出探针714在单位检查步骤中和检查端子TPa1接触。在此状态下，测量单元74从输出探针714检测检查端子TPa1的电位(即连接电N的电位)。
如图6所示的处理单元76是为了控制状态设定单元73以及测量单元74的装置。此处理单元76例如是个人计算机，包括为了显示检查结果的显示装置和由操作者操作的多个操作键。如果元件检查步骤和单位电路检查步骤的开始是通过对操作键的操作指示的，则处理单元76将各步骤的开始指示和在各步骤中应当对电光学装置D输入的信号(例如检查信号St)的指示对状态设定单元73输出。另外，处理单元76对由测量单元74测量的连接点N的电位和在各步骤中来自OLED元件16的发光量等的测量值进行处理，在显示装置显示。操作者通过确认此显示，能够判断电光学装置D的好坏。
接着，参照图7对检查单位电路Ut以及开关元件41的具体的构成进行说明。还有，在同图中，虽然只表示了控制电路15的晶体管T3和开关元件41，但晶体管T1和T2也具有和此相同的构成。进一步，构成扫描线驱动电路21和数据线驱动电路22的晶体管和数据电压控制晶体管也是和图7的晶体管T3和开关元件41相同的构成。
如图7所示，在衬底10上形成的晶体管T3以及开关元件41的各个包括由在衬底10的表面上形成的铝、MoW合金、多晶硅等构成的栅极51、覆盖栅极5 1这样在衬底10上形成的栅绝缘膜52、在此栅绝缘膜52的表面上形成的半导体层53。半导体层53例如是由多晶硅形成的膜，包括夹着栅绝缘膜52和栅极51相对的沟道区53C、在其两侧形成的漏区53D以及源区53S。晶体管T3和开关元件41的源极55S以及漏极55D是以覆盖半导体层53的方式形成的第1层间绝缘膜541的表面上形成的，分别和半导体层53的源区53S以及漏区53D导通。
进一步，在覆盖源极55S以及漏极55D的第2层间绝缘膜542的表面上形成像素电极56。此像素电极56例如由ITO(铟锡氧化物)等的具有光透过性的导电材料构成，和晶体管T3的漏极55D以及开关元件41的源极55S导通。在第2层间绝缘膜542的表面形成隔壁层543。此隔壁层543是为了隔离相互相邻的OLED元件16之间的膜，和OLED元件16对应这样，具有开口的开口部。OLED元件16例如通过喷墨法和真空蒸镀法等的成膜技术，埋入各开口部的内侧这样形成。此OLED元件16是如图8所示，将空穴注入层161、空穴传输层162、发光层163、电子传输层164以及电子注入层165的5层从阳极(像素电极56)一侧向着阴极(公共电极26)一侧，按照此顺序层叠的构成。只是，发光层163以外的各层能被适当省略。图7所示的公共电极26如上所述，从和衬底10垂直的板面看来，全部单位电路U以及全部虚元件18重合这样，例如由铝和银等的单金属或者以此为主要成分的合金等具有光反射性的材料形成。由这些元素形成的衬底10的表面由粘贴层544和密封板29粘贴在一起。
另外，从开关元件41开始至检查端子TPa1的布线61和检查端子TPa1是和构成晶体管T3以及开关元件41的各层以同样的工艺、由同样的材料形成的。此处，图9是表示检查端子TPa1和与此连接的布线61的构成的俯视图。同图中检查端子TPa1的外形用点划线表示。如图7以及图9所示，检查端子TPa1是和像素电极56以同样的工艺、由同样的材料形成的。即，通过使覆盖第2层间绝缘膜542这样形成的导电膜图案化，一同形成像素电极56和检查端子TPa1。另一方面，布线61是将和半导体层53以同样的工艺形成的第2布线部612、和源极55S以及漏极55D(布线层)以相同的工艺形成的多个第1布线部611从衬底10一侧看来按照此顺序层叠的构成。其中的第2布线部612是通过向由多晶硅构成的膜体中高浓度地注入杂质形成的，从和开关元件41的漏极55D导通的部分开始向衬底10的边缘延伸和检查端子TPa1重合。多个第1布线部611如图9所示，如果从和衬底10垂直的方向看来，相隔间隔d相互分离这样形成，分别经由第2布线部612相互导通。
此处，各个第1布线部611是由铝、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铜(Cu)等中的任何一种或者其合金构成的、电阻率低的导电性材料形成。另一方面，具有由于水分和离子的附着容易产生腐蚀这样的性质。另一方面，第2布线部612由多晶硅等比第1布线部611电阻率还要高的导电性材料形成的另一方面，耐腐蚀性比第1布线部611还要高。此处，以只由单一的第1布线部611形成布线61的构成的基础中，在布线61中检查端子TPa1一侧产生的腐蚀直到到达开关元件41为止进行，存在使开关元件41的特性恶化的可能性。对此，在本实施方式，由于第1布线部611是由相互分离的多个部分构成的，所以即使在检查端子TPa1一侧产生了腐蚀，此腐蚀的进行在一个第1布线部611处停止，腐蚀不会进行到其它的第1布线部611和开关元件41。除此之外，和只由第2布线部612作为布线61的构成相比较，具有能将该布线61的电阻抑制为较低的优点。
还有，此处说明了从开关元件41开始至检查端子TPa1为止的布线61的构成，和其它信号输入用的连接端子相连接的布线采用同样的构成也可以。即，这些布线包括由电阻率低的导电性材料相互隔离形成的多个第1布线部和由耐腐蚀性高的导电性材料形成的、使各第1布线部导通的第2布线部。在图1中除了电源端子，每个连接端子被图示的部分Ad相当于多个第1布线部相互隔离的部分(即，隔开图9所示的间隔d的部分)。
但是，在以上说明的这样的检查模式中，通过利用开关元件41能检查各OLED元件16单独的特性和单位电路U全体的特性。但在本实施方式中，为了在衬底10上形成更多面的检查电光学装置D的要素(以下，称为“检查辅助要素”)。作为此检查辅助要素有：校准图案群AP、检查用晶体管95、检查用OLED元件97。对于这些检查辅助要素的详细叙述如下。
首先，图1所示的校准图案群AP是为了检查构成OLED元件16的各层的相对位置关系和膜厚是否是适当的图案，配置在图1所示的密封板29的左上角附近和右上角附近。各校准图案群AP包括相互邻接配置的第1校准图案AP1和第2校准图案AP2。图10是表示放大的校准图案群AP的俯视图。如同图所示，第1校准图案AP1以及第2校准图案AP2的各个是俯视大致矩形形状的第1层91和第2层92以及第3层93，从衬底10一侧看来按照此顺序以图形中心为同一中心层叠的构成。第1层91比第2层92、第2层92比第3层93各自外形的尺寸其各边等间隔地要大。图案形状此处是以矩形进行示例的，但只要是能达到目的的形状，也可以变形为多边形和环形等。另外，粗糙面和图案群也可以除了AP1和AP2之外，另外通过电光学元件的层叠数追加形成适当必要的图案。
第1校准图案AP1之中，第1层91和像素电极56、第2层92和构成OLED的空穴注入层161、第3层93和构成OLED元件16的空穴传输层162分别在相同的工艺中由相同的材料形成。另一方面，构成第2校准图案AP2的各层和构成第1校准图案AP1的各层组合不同。更具体说，第2校准图案AP2之中，第1层91和像素电极56、第2层92和空穴传输层162、第3层93和发光层163分别在相同的工艺中由相同材料形成。通过利用显微镜等观察第1校准图案AP1以及第2校准图案AP2的各层的位置关系，能够检查构成OLED元件16的各层和像素电极56以及公共电极26是否是以正确的位置关系以及图案宽度形成的。例如，通过观察第1校准图案AP1，能够检查像素电极56和空穴注入层161以及空穴传输层162是否是形成为正确的位置关系和图案宽度。进一步，通过由光学干涉计测量第1层91乃至第3层93的膜厚，能够判断构成OLED元件16的各层是否形成为适当的膜厚。
另一方面，图1所示的检查用晶体管95(所谓TEG(检查元素组))被用于检查电光学装置D中所包括的晶体管(例如，构成扫描线驱动电路21和数据线驱动电路22的晶体管)的电特性是否正确。此检查用晶体管95是和各单位电路U的晶体管T1至T3在共同的工艺中形成的晶体管，其漏极和连接端子TPb1相连，源极和连接端子TPb2相连，栅极和连接端子TPb3相连。在检查电光学装置D的工艺中，通过由输入探针713对连接端子TPb3施加电压，在使检查用晶体管95为导通状态时，由输入探针713对连接端子TPb1施加规定的电压，此时在连接端子TPb2中流动的电流由输出探针714检测。这样通过观察检查用晶体管95是否正确工作，能够推测构成各单位电路U的晶体管的特性是否正确。
另外，利用了图1所示的虚元件的独立检查用OLED元件97是在电光学装置D的动作中产生的异常分析等时，为了方便比较各单位电路U的OLED元件16的特性变动和异常而设置的元件，包括和各单位电路U的OLED元件16以共同的工艺形成的OLED元件971以及和像素电极56以共同的工艺形成的连接端子TPc相连的电极972。在检查电光学装置D的工艺中，从输入探针713经由连接端子TPc以及连接端子Pgnd对电极972和公共电极26施加规定的电压，通过观察此时的OLED元件971的发光量和电特性，能够推测各单位电路U中所包括的OLED元件16的特性是否正确以及随时间变化的有无。
(2.第2实施方式)
接着，对关于本发明的第2实施方式的电光学装置D进行说明。在上述第1实施方式中，示例了在检查端子TPa1和检查单位电路Ut的OLED元件16(更详细说是连接点N)之间介入插入开关元件41的构成。本实施方式是取代此开关元件41，采用反熔丝(反熔丝)的方式。因为除此之外的构成和上述第1实施方式的电光学装置D相同，所以以下只对关于反熔丝的部分进行说明，适当省略其它要素的说明。
图11是表示在本实施方式中检查单位电路Ut和其周边的构成的电路图。如同图中所示，反熔丝42其一端和检查单位电路Ut的连接点N相连的同时，另外一端和检查端子TPa1相连。此反熔丝42初始状态(刚制造之后的阶段)是一端和另外一端电绝缘的状态，其后通过赋予规定的能量，变化为一端和另外一端导通的状态(以下，称为“导通状态”)的元件。
接着，图12是表示在本实施方式中从检查用单位电路U至检查端子TPa1为止的构成的剖视图。图13是表示反熔丝42的构成的俯视图。如这些图所示，从连接点N至检查端子TPa1延伸的布线62包括以间隔g隔开相互分离的多个第1布线部621。其中一个第1布线部621(图12中左侧的第1布线部621)和检查单位电路Ut的连接点N相连，另外一个第1布线部621(图12中右侧的第1布线部621)和连接端子TPa1相连。进一步，在各个第1布线部621的下层形成由和半导体层53相同的材料构成的辅助布线623。如图13所示，各个第1布线部621之中另外一个第1布线部621附近的部分621a比其它部分宽度还要宽。另外，在衬底10的表面上形成中间部622。此中间部622是和晶体管T3的栅极51以相同的工艺由相同材料形成的膜。在图13中，对中间部622和各个第1布线部621重合的区域用斜线表示。如同图所示，中间部622如果从和衬底10垂直的方向看，是夹着栅绝缘膜52、和两个第1布线部621的部分621a重合这样形成的。图11所示的反熔丝42由各个第1布线部621和中间部622构成。在图12以及图13中，表示一端和另外一端处于由栅绝缘膜52相互绝缘的状态(初始状态)的反熔丝42。
以此构成为基础，如果通过从衬底10一侧或者密封板29一侧照射激光等的高密度能量束L，对中间部622和各个第1布线部621的重复区域赋予能量，此各个部分溶解，作为此结果，变成各个第1布线部621和中间部622相互导通的状态。作为对反熔丝42照射的激光，采用中间部622和各个第1布线部621容易吸收的波长(例如红外光)的激光。这样如果反熔丝42变为导通状态，由于检查单位电路Ut和检查端子TPa1变为相互导通，所以能够执行在上述第1实施方式中说明的元件检查步骤以及单位电路检查步骤。更具体地说，制造后实际显示图像，将确认了存在某种不适当的电光学装置D作为对象，使反熔丝42变化为导通状态之后，执行检查。
如以上说明的这样，在本实施方式中也能得到和上述第1实施方式同样的效果。例如，由于从OLED元件16至检查端子TPa1的布线62之中，耐腐蚀性低的第1布线部611是相互分离形成的，假设即使第1布线部621之中检查端子TPa1一侧发生了腐蚀，此腐蚀也不会到达OLED元件16。另外，在本实施方式中，如图12所示，因为是在公共电极26和隔壁层543不重合的位置形成反熔丝42，所以能对反熔丝42效率良好地照射激光。还有，反熔丝42的构成不限于图12以及图13所示的构成。例如，作为使多个第1布线部621以窄间隔分离的反熔丝42也可以。此种情况下，通过对各个第1布线部621的终端部分赋予能量，能使各个第1布线部621相互导通。另外，和半导体层53以共同的工艺形成的布线部以及和漏极或者源极以共同的工艺形成的布线部相互分离形成的部分作为反熔丝使用也可以。此种情况下通过对各个布线部的终端部赋予能量，也能够使各布线部相互导通。
(变形例)
对于上述各实施方式进行种种变形。具体的变形方式如下。还有，适当组合以下的各方式也可以。
(1)为了对检查单位电路Ut的OLED元件16提供检查信号的元件(检查信号提供元件)不限于开关元件41以及反熔丝42。例如，替代开关元件41和反熔丝42，也可以采用在由钛形成的第1电极和由铜形成的第2电极之间使硫化铜等的固体电解质介入的开关(所谓纳米桥)。在此开关中，如果对第1电极施加负电压，在第2电极发生氧化反应，铜离子在固体电解质溶出，另一方面，在第1电极发生还原反应，铜离子作为金属铜析出。这样，通过在第1电极析出的铜到达第2电极，开关变为导通状态。另外，如果对第1电极施加正电压，由在两电极间形成的架桥消失，再次变为关断状态。
另外，在上述的第2实施方式中，示例了通过激光的照射使反熔丝42变为导通状态的构成，但以除此之外的方法，通过赋予能量(例如电场和热或者机械的能量)作为导通状态也可以。这样，本发明中的检查信号提供元件只要是使检查单位电路Ut的OLED元件16和检查端子TPa1电绝缘的第1状态以及使检查电位电路Ut的OLED元件16和检查端子TPa1电绝缘的第2状态的元件即可，而不管从第1状态向第2状态的变化(或者此逆向的变化)的可逆性和使其从第1状态向第2状态变化的方法怎样。
(2)控制各单位电路Ut中OLED元件16的动作的控制电路15的构成当然不限定于图3的构成。例如，在上述各实施方式中，示例了使对应于数据线13的电位的电压在电容元件C中保持，提供OLED元件16中的电流的电压编程方式的电光学元件D。使对应于在数据线13中流动的电流的电压在电容元件C中保持的电流编程方式的电光学元件D也能适用于本发明。另外，在上述各实施方式中，示例了通过控制晶体管T3切换控制电路15和OLED元件16的导通以及非导通的构成，但此晶体管T3不一定是必要的。只是，根据设置了此晶体管T3的构成，在检查模式的元件检查步骤中，具有能完全排除控制电路15的影响，精度良好地只检查OLED元件16的特性的优点。
(3)在上述各实施方式中，示例了将位于有效区域A的一角的总共3个单位电路U作为检查单位电路Ut的情况，但检查单位电路Ut的个数和位置不限于此。例如，也可以将位于有效区域A的四角的单位电路U作为检查单位电路Ut，或者将位于有效区域A的中央部分的单位电路U作为检查单位电路Ut也可以。只是，如果考虑到位于有效区域A的周边部分的OLED元件16和其他OLED元件16相比，容易产生特性的误差这样的倾向的话，可以说配置在有效区域A的边角的检查单位电路Ut的构成是优选。另外，根据配置了在有效区域A的边角的检查单位电路Ut的构成，还具有为了连接各检查单位电路Ut和检查端子TPa1的布线容易的优点。
(4)利用了OLED元件以外的电光学元件的电光学装置也能适用于本发明。例如，利用由热阴极元件和冷阴极元件等的电子发射源和从该电子发射源发射出的电子碰撞的荧光体构成的电光学元件的电场发射型显示器(FED：场发射显示器、其中包括表面传导型显示器SED和弹道型表面发射显示器BSD等)和利用了具有存储性的非发光型的电光学装置的有源矩阵型电泳显示器以及纳米显示器、旋转、球形显示器等的显示装置、光打印机和图像形成装置等的光线头等各种电光学装置也能和上述各实施方式同样地适用于本发明。另外，在上述各实施方式中，示例了利用将电作用变换为光学作用的电光学元件的电光学装置，但与此相反，利用了将光学作用变换为电作用的电光学元件的电光学装置也能适用于本发明。例如，考虑采用将输出和受光量相对应的电信号的CCD和CMOS感应器、大型X线图像感应器等的受光元件作为电光学元件的电光学装置。这样的电光学装置例如被用于读取原稿的图像的扫描仪和检查装置、医疗设备等各种电子设备中。
(4.应用例)
接着，对于适用关于本发明的电光学装置D的电子设备进行说明。图14中表示适用关于上述各实施方式的电光学装置D1的便携型的个人计算机的构成。个人计算机2000包括作为显示单元的电光学装置D1和主体部2010。在主体部2010中设置了电源开关2001以及键盘2002。此电光学装置D由于采用了OLED元件16，所以能显示视角宽阔的易视画面。
图15表示适用了关于上述各实施方式的电光学装置D的便携电话机的构成。便携电话机3000包括多个操作按钮3001以及滚动按钮3002和作为显示单元的电光学装置D。通过操作滚动按钮3002，在电光学装置D上显示的画面被滚动。
图16表示适用了关于上述各实施方式的电光学装置D的信息便携终端(PDA：个人数字助理)的构成。信息便携终端4000包括多个操作按钮4001以及电源开关4002和作为显示单元的电光学装置D。如果操作电源开关4002，住址目录和时间表这样的各种信息在电光学装置D上被显示。
还有，作为适用关于本发明的电光学装置D的电子设备，除了图14至图16所示的设备外，还能列举出包括数字静像照相机、电视机、取景器型和监视器直视型的录像带摄像机、车用导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、字处理器、工作站、电视电话、POS终端、扫描仪、接触面板的设备等。

Claims (15)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：
分别具有电光学元件和控制相应电光学元件的控制电路的多个单位电路；
被输入用于驱动所述电光学元件的检查信号的检查端子；和
检查信号提供元件，其被设置在所述多个单位电路之中作为检查对象被选择的检查单位电路的电光学元件与所述检查端子之间，取得第1状态和第2状态，其中第1状态是使所述检查单位电路的电光学元件与所述检查端子电绝缘的状态，第2状态是使所述检查单位电路的所述电光学元件与所述检查端子电导通的状态。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
具备被输入指示所述电光学元件的检查执行的检查指示信号的检查指示端子，
所述检查信号提供元件是根据从所述检查指示端子输入的检查指示信号、从所述第1状态以及所述第2状态中的一方切换为另一方的开关元件。
3.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述检查信号提供元件是通过能量的赋予从所述第1状态变化为所述第2状态的反熔丝。
4.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于，
所述各单位电路的控制电路包括晶体管元件，该晶体管元件具有连接了布线层的半导体层和夹着栅绝缘膜与所述半导体层对向的栅极；
所述反熔丝具备：由与所述布线层相同材料形成的与所述检查单位电路的电光学元件连接的第1端部；由与所述布线层相同材料并从所述第1端部隔离形成的与所述检查端子连接的第2端部；和由与所述栅极相同材料形成的并且夹着所述栅绝缘膜与所述第1端部以及所述第2端部对向的中间部，通过对所述中间部与所述第1端部和所述第2端部相互对向的部分赋予能量，使所述第1端部和所述第2端部经由所述中间部导通。
5.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述检查单位电路是排列为平面状的形成有效区域的所述多个单位电路之中位于所述有效区域的边缘的单位电路。
6.根据权利要求5所述的电光学装置，其特征在于，
所述检查单位电路是在所述多个单位电路之中位于呈大致矩形形状的所述有效区域的角落的单位电路。
7.根据权利要求5或者6所述的电光学装置，其特征在于，具备：
设置在所述有效区域的周围的虚电光学元件。
8.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述各单位电路的控制电路具有切换所述电光学元件与相应控制电路的电导通以及非导通的开关元件。
9.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
具备介于所述电光学元件与所述检查端子之间的布线，
所述布线具有：相互隔离地形成的多个第1布线部；和由比所述各第1布线部的耐腐蚀性还高的材料形成的使所述多个第1布线部的每一个相互电气连接的第2布线部。
10.根据权利要求9所述的电光学装置，其特征在于，
所述各单位电路的控制电路包括晶体管元件，该晶体管元件具有连接了布线层的半导体层和夹着栅绝缘膜与所述半导体层对向的栅极；
所述多个第1布线部由与所述布线层相同的材料形成，所述第2布线部由与所述半导体层相同的材料形成。
11.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述电光学元件是将包括发光层的多层在阳极和阴极之间层叠形成的OLED元件，
并具有校准图案，该校准图案是从包括构成所述OLED元件的各层和所述阳极及所述阴极的多层之中选择的2层以上的层层叠形成的。
12.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述电光学元件是将包括发光层的多层在阳极和阴极之间层叠形成的OLED元件，
还具有第1校准图案和第2校准图案，其中第1校准图案是从包括构成所述OLED元件的各层和所述阳极及所述阴极的多层之中选择的2层以上的层层叠形成的，第2校准图案是与构成所述第1校准图案的各层组合不同的2层以上的层层叠形成的。
13.一种电子设备，其特征在于，
具备根据权利要求1～12中任一项所记载的电光学装置。
14.一种电光学装置的检查方法，是检查具备多个单位电路的电光学装置的方法，其中多个单位电路分别具有电光学元件和控制相应电光学元件的控制电路，其特征在于，
将设置在所述多个单位电路之中作为检查对象被选择的检查单位电路与检查端子之间的检查信号提供元件，从第1状态变化为第2状态之后，向所述检查端子输入用于驱动所述电光学元件的检查信号，其中第1状态是使所述检查单位电路的电光学元件与所述检查端子电绝缘的状态，第2状态是使所述检查单位电路的所述电光学元件与所述检查端子电导通的状态，
检查提供该检查信号时的所述电光学元件的状态的变化。
15.根据权利要求14所述的电光学装置的检查方法，其特征在于，
所述各单位电路的所述控制电路具有切换所述电光学元件与相应控制电路的电导通及非导通的开关元件，
当输入所述检查信号时，所述开关元件为断开状态，使所述电光学元件与所述控制电路非导通。
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004028233A1 (de) * 2004-06-11 2005-12-29 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Verfahren zur Ansteuerung und Schaltung eines Elements einer Leuchtanzeige
KR101348406B1 (ko) * 2005-03-14 2014-01-07 엘지디스플레이 주식회사 구동회로 및 이를 포함하는 유기 이엘 디스플레이 장치
KR100769428B1 (ko) * 2005-04-28 2007-10-22 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치와 발광 표시장치의 휘도수치화 장치 및휘도수치화 방법
KR100754140B1 (ko) * 2005-12-21 2007-08-31 삼성에스디아이 주식회사 원장단위 검사가 가능한 유기 발광 표시장치 및 모기판과그 검사방법
JP4890276B2 (ja) * 2006-01-31 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7479655B2 (en) * 2006-01-31 2009-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101337459B1 (ko) 2006-02-03 2013-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 그 표시장치를 구비한 전자기기
JP5127244B2 (ja) * 2006-02-03 2013-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器
KR20080008704A (ko) * 2006-07-21 2008-01-24 삼성전자주식회사 표시기판, 그 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
KR100740133B1 (ko) * 2006-07-31 2007-07-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR100812023B1 (ko) * 2006-08-23 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 모기판
KR100732819B1 (ko) 2006-08-30 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 모기판
JP4944547B2 (ja) * 2006-08-31 2012-06-06 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示装置及びその製造方法または駆動方法
KR20080048627A (ko) * 2006-11-29 2008-06-03 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
US7994607B2 (en) * 2007-02-02 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5525694B2 (ja) 2007-03-14 2014-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5228424B2 (ja) * 2007-09-25 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100911962B1 (ko) * 2007-10-22 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치
TW200950178A (en) * 2008-01-30 2009-12-01 Koninkl Philips Electronics Nv OLED lighting device
BRPI0919433A2 (pt) * 2008-09-30 2015-12-15 Sharp Kk painel de exibição e método de inspeção de painel de exibição
US20100283474A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Panasonic Corporation Test circuit and optical pickup device
EP2664002B1 (en) 2011-01-12 2021-08-04 Universal Display Corporation Oled lighting device with short tolerant structure
US9698140B2 (en) * 2011-01-12 2017-07-04 Universal Display Corporation OLED lighting device with short tolerant structure
CN103246092B (zh) 2013-04-28 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102103840B1 (ko) * 2013-10-11 2020-04-23 엘지디스플레이 주식회사 프로브 자동접촉검사가 가능한 유기전계발광 표시소자의 검사장치시스템 및 방법
KR102070056B1 (ko) * 2013-10-11 2020-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자의 검사시스템 및 방법
KR102190339B1 (ko) 2014-02-25 2020-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6277380B2 (ja) * 2014-02-25 2018-02-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｅｌ表示装置の製造方法
JP6322569B2 (ja) * 2014-12-27 2018-05-09 株式会社東芝 半導体スイッチ
US9729242B2 (en) * 2015-01-23 2017-08-08 Furukawa Electric Co., Ltd. Optical module for reducing crosstalk
US10565912B2 (en) * 2017-11-06 2020-02-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Electrical characteristics inspection method
JP7012548B2 (ja) * 2018-02-07 2022-01-28 シャープ株式会社 表示装置及び表示システム
WO2019187101A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス及びその製造方法
WO2019187085A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス及びその製造方法
KR102569929B1 (ko) * 2018-07-02 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP7187862B2 (ja) * 2018-07-20 2022-12-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP6988725B2 (ja) * 2018-07-30 2022-01-05 株式会社Ｊｖｃケンウッド 液晶表示装置及びその画素検査方法
CN109243350B (zh) * 2018-11-09 2021-10-22 惠科股份有限公司 量测讯号电路及其量测方法
WO2020100305A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 シャープ株式会社 表示装置
CN112289777B (zh) * 2020-10-28 2023-07-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN114464135B (zh) * 2022-04-07 2022-06-24 天宜微电子(北京)有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN114708835B (zh) * 2022-04-07 2022-10-21 天宜微电子(北京)有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11167123A (ja) * 1997-09-30 1999-06-22 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003066865A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示基板およびその検査方法と検査装置
US20030080934A1 (en) * 2001-06-04 2003-05-01 Seiko Epson Corporation Driving circuit and driving method
CN1448908A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 精工爱普生株式会社 电子装置、电子装置的驱动方法、光电装置及电子设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799688A (en) * 1980-12-11 1982-06-21 Sharp Kk Display driving circuit
JPS61249077A (ja) * 1985-04-26 1986-11-06 三菱電機株式会社 マトリクス型表示装置
JPS62249125A (ja) * 1986-04-23 1987-10-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置
DE69427051T2 (de) * 1993-05-28 2001-09-06 Canon Kk Photoelektrische Umwandlungsanordnung
JPH08130233A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Toshiba Corp 半導体検査装置およびその検査方法
JP3224001B2 (ja) * 1995-06-26 2001-10-29 シャープ株式会社 データ信号線駆動回路および走査信号線駆動回路並びに画像表示装置
SG111928A1 (en) * 2001-01-29 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
JP2002350802A (ja) * 2001-05-25 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP4003471B2 (ja) * 2002-02-12 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2004191603A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置およびその検査方法
JP4141988B2 (ja) * 2004-06-29 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動回路、駆動方法、電気光学装置および電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11167123A (ja) * 1997-09-30 1999-06-22 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US20030080934A1 (en) * 2001-06-04 2003-05-01 Seiko Epson Corporation Driving circuit and driving method
JP2003066865A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示基板およびその検査方法と検査装置
CN1448908A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 精工爱普生株式会社 电子装置、电子装置的驱动方法、光电装置及电子设备

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