KR20080048627A - 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널 - Google Patents

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Abstract

박막 트랜지스터의 특성을 측정할 수 있는 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널이 개시된다. 어레이 기판은 게이트 배선부, 데이터 배선부, 화소부, 적어도 하나의 테스트 트랜지스터 및 테스트 패드부를 포함한다. 게이트 배선부는 제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선을 갖는다. 데이터 배선부는 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선을 갖는다. 화소부는 게이트 배선들 및 데이터 배선들과 전기적으로 연결된다. 테스트 트랜지스터는 게이트 더미배선 및 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된다. 테스트 패드부는 게이트 더미배선, 데이터 더미배선 및 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 이로써, 테스트 트랜지스터는 테스트 패드부를 통해 실시간으로 특성을 측정할 수 있다.
Figure P1020060118819
테스트 트랜지스터, 게이트 더미배선, 데이터 더미배선, 테스트 패드부

Description

어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널{ARRAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에서 대향기판의 일부를 제거한 상태를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 A부분을 확대해서 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3에서 게이트 더미배선, 데이터 더미배선, 테스트 트랜지스터 및 테스트 패드부 사이의 연결관계를 도시한 회로도이다.
도 5는 도 4와 다른 연결관계를 갖는 평면도이다.
도 6은 도 5의 다른 연결관계를 갖는 평면도이다.
도 7은 도 2의 테스트 트랜지스터의 특성의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 8은 도 1에서 테스트 패드부가 복수개 배치된 상태를 도시한 평면도이다.
도 9는 도 1과 다른 실시예를 도시한 평면도이다.
도 10은 도 1과 또 다른 실시예를 도시한 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 어레이 기판 110 : 게이트 배선부
112 : 게이트 배선 114 : 게이트 더미배선
120 : 데이터 배선부 122 : 데이터 배선
124 : 데이터 더미배선 130 : 화소부
132 : 박막 트랜지스터 134 : 화소전극
136 : 더미 화소전극 140 : 테스트 트랜지스터
150 : 테스트 패드부 152 : 게이트 테스트패드
154 : 데이터 테스트패드 156 : 드레인 테스트패드
160 : 게이트 구동부 170 : 데이터 구동부
180 : 제1 정전기 방지부 190 : 제2 정전기 방지부
200 : 대향기판 300 : 표시패널
10 : 게이트 연성회로기판 20 : 데이터 연성회로기판
본 발명은 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터의 특성을 측정할 수 있는 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널에 관한 것이다.
대표적인 평판표시장치인 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)는 액정(Liquid Crystal)의 전기적 및 광학적 특성을 이용하여 영상을 표시한다. 상기 액정표시장치는 다른 표시장치에 비해 두께가 얇고 무게가 가벼우며, 낮은 소비전력 및 낮은 구동전압에서 작동하는 장점을 갖고 있어, 산업 전반에 걸쳐 많이 사용되고 있다.
상기 액정표시장치는 액정의 광투과율을 이용하여 영상을 표시하는 액정표시패널 및 상기 액정표시패널의 하부에 배치되어 상기 액정표시패널로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리(back-light assembly)를 포함한다.
상기 액정표시패널은 어레이 기판, 상기 어레이 기판에 대향하는 대향기판, 및 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 여기서, 상기 어레이 기판은 제1 방향으로 형성된 게이트 배선, 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 형성된 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 투명한 화소전극을 포함한다.
한편, 상기 액정표시패널을 구동하여 영상을 오랜 시간동안 구동할 경우, 상기 박막 트랜지스터의 특성을 일반적으로 변경된다. 따라서, 상기 액정표시패널을 구동한 후에 상기 박막 트랜지스터의 특성을 알아 낼 수 있는 방법이 필요한다.
일반적으로 종래에는, 상기 대향기판을 상기 어레이 기판으로부터 제거하는 디캡(decap) 과정을 통해 상기 박막 트랜지스터의 특성을 직접 측정하였다. 그러나, 이러한 디캡 과정을 통한 측정방법은 상기 액정표시패널을 파괴시킬 뿐만 아니라 정전기 유입에 의해 정확한 상기 박막 트랜지스터의 특성을 측정할 수 없는 문제점을 갖고 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 박막 트랜지스터의 특성을 정확하게 실시간으로 측정할 수 있는 어레이 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 어레이 기판을 갖는 표시패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 어레이 기판은 게이트 배선부, 데이터 배선부, 화소부, 적어도 하나의 테스트 트랜지스터 및 테스트 패드부를 포함한다.
상기 게이트 배선부는 제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선을 갖는다. 상기 데이터 배선부는 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선을 갖는다. 상기 화소부는 상기 게이트 배선들 및 상기 데이터 배선들과 전기적으로 연결된다. 상기 테스트 트랜지스터는 상기 게이트 더미배선 및 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된다. 상기 테스트 패드부는 상기 게이트 더미배선, 상기 데이터 더미배선 및 상기 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된다.
여기서, 상기 테스트 패드부는 상기 게이트 더미배선과 전기적으로 연결된 게이트 테스트패드, 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 데이터 테스트패드 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 드레인 테스트패드를 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 어레이 기판은 상기 게이트 배선들로 게이트 신호들을 인가하고, 상기 게이트 더미배선으로 게이트 더미신호를 인가하는 게이트 구동부 및 상기 데 이터 배선들로 데이터 신호들을 인가하고, 상기 데이터 더미배선으로 데이터 더미신호를 인가하는 데이터 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외곽에 형성된 제2 영역을 갖는 어레이 기판, 상기 제1 영역을 커버하도록 배치된 대향기판 및 상기 어레이 기판 및 상기 대향기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
상기 어레이 기판은 제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선을 갖는 게이트 배선부와, 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선을 갖는 데이터 배선부와, 상기 제1 영역에 형성되며, 상기 게이트 배선들 및 상기 데이터 배선들과 전기적으로 연결된 화소부와, 상기 게이트 더미배선 및 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 테스트 트랜지스터와, 상기 제2 영역에 형성되고, 상기 게이트 더미배선, 상기 데이터 더미배선 및 상기 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 테스트 패드부를 포함한다.
이러한 본 발명에 따르면, 게이트 더미배선, 데이터 더미배선 및 테스트 트랜지스터과 전기적으로 연결된 테스트 패드부가 어레이 기판에 형성됨에 따라, 박막 트랜지스터와 동일한 특성을 갖는 테스트 트랜지스터의 특성을 실시간으로 정확하게 측정할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널을 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하여 본 실시예에 의한 표시패널을 간단하게 우선 설명하겠다.
본 실시예에 의한 표시패널(300)은 어레이 기판(100), 대향기판(200) 및 액정층(미도시)을 포함한다.
어레이 기판(100)은 매트릭스(matrix) 형태로 배치되고, 투명하면서 도전성인 복수의 화소전극(pixel electrode)들과, 상기 각 화소전극에 구동전압을 인가하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)들과, 상기 박막 트랜지스터들을 각각 작동시키기 위한 신호선(signal line)들을 포함한다.
대향기판(200)은 어레이 기판(100)과 마주보도록 배치된다. 대향기판(200)은 예를 들어, 전면에 배치되며 투명하면서 도전성인 공통전극(common electrode) 및 상기 단위화소들과 일대일로 대응되는 컬러필터(color filter)들을 포함한다.
상기 액정층은 어레이 기판(100) 및 대향기판(200)의 사이에 개재되며, 상기 화소전극들 및 상기 공통전극의 사이에 형성된 전기장에 의하여 재배열된다. 재배열된 액정층은 외부에서 인가된 광의 광투과율을 조절한다.
도 2는 도 1에서 대향기판의 일부를 제거한 상태를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 A부분을 확대해서 도시한 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 실시예에 의한 어레이 기판(100)에 대하여 자세하게 설명하겠다.
본 실시예에 의한 어레이 기판(100)은 제1 영역(AR1) 및 제1 영역(AR1)의 외곽에 형성된 제2 영역(AR2)으로 구분되고, 게이트 배선부(110), 데이터 배선 부(120), 화소부(130), 테스트 트랜지스터(140), 테스트 패드부(150), 게이트 구동부(160) 및 데이터 구동부(170)를 포함한다. 여기서, 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1)은 대향기판(AR2)에 의해 커버되는 영역을 의미한다.
게이트 배선부(110)는 제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선(112)들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선(114)을 포함한다. 이때, 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)은 제1 방향을 따라 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1) 및 제2 영역(AR2)에 걸쳐서 형성된다.
게이트 더미배선(114)은 게이트 배선(112)들의 양측 중 적어도 일측에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 도 2에서는 게이트 더미배선(114)이 게이트 배선(112)들의 우측에 형성된 것을 일례로 도시하였다. 한편, 게이트 더미배선(114)은 게이트 배선(112)들 중 최외곽에 형성된 최외곽 게이트 배선(112a)과 전기적으로 분리될 수도 있고, 전기적으로 연결될 수도 있다.
데이터 배선부(120)는 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선(122)들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선(124)을 포함한다. 여기서, 제2 방향은 제1 방향에 수직한 것이 바람직하고, 데이터 배선(122)들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선(124)은 제2 방향을 따라 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1) 및 제2 영역(AR2)에 걸쳐서 형성된다.
데이터 더미배선(124)은 데이터 배선(122)들의 양측 중 적어도 일측에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 도 2에서는 데이터 더미배선(124)이 데이터 배선(122)들의 하측에 형성된 것을 일례로 도시하였다. 한편, 데이터 더미배선(124) 은 데이터 배선(122)들 중 최외곽에 형성된 최외곽 데이터 배선(122a)과 전기적으로 분리될 수도 있고, 전기적으로 연결될 수도 있다.
화소부(130)는 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1) 내에 형성되어 게이트 배선(112)들 및 데이터 배선(114)들과 전기적으로 연결되고, 박막 트랜지스터(132)들 및 화소전극(134)들을 포함한다.
박막 트랜지스터(132)들의 게이트 전극은 게이트 배선(112)들과 전기적으로 연결되고, 박막 트랜지스터(132)들의 소스 전극은 데이터 배선(122)들과 전기적으로 연결된다.
화소전극(134)들은 게이트 배선(112)들 및 데이터 배선(122)들에 의해 정의 된 단위화소들 내에 형성되고, 박막 트랜지스터(132)들의 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 화소전극(134)들은 투명하면서 도전성인 물질, 일례로 산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 및 아몰퍼스 산화주석인듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 등으로 이루어진다.
테스트 트랜지스터(140)는 적어도 하나가 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1)에 형성되어, 게이트 더미배선(114) 및 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결된다. 즉, 테스트 트랜지스터(140)의 게이트 전극(G)은 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결되고, 테스트 트랜지스터(140)의 소스 전극(S)은 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결된다.
한편, 어레이 기판(100)의 제1 영역(AR1)에는 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 더미 화소전극(142)을 더 형성되 는 것이 바람직하다. 이와 같이, 더미 화소전극(142)을 더 형성될 경우, 박막 트랜지스터(132)들 및 테스트 트랜지스터(140)가 서로 동일한 연결조건을 가질 수 있다. 그러나, 경우에 따라서는 더미 화소전극(142)은 생략될 수도 있다.
테스트 패드부(150)는 어레이 기판(100)의 제2 영역(AR2)에 형성되어, 게이트 더미배선(114), 데이터 더미배선(124) 및 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 테스트 패드부(150)는 후술될 게이트 구동부(160) 또는 데이터 구동부(170)와 인접한 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 일례로 도 1 및 도 2에서는 테스트 패드부(150)는 게이트 구동부(160)와 인접한 위치에 배치되는 것을 도시하였다.
구체적으로, 테스트 패드부(150)는 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결된 게이트 테스트패드(152), 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결된 데이터 테스트패드(154) 및 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결된 드레인 테스트패드(156)를 포함한다.
한편, 테스트 패드부(150)는 테스트 트랜지스터(140)의 특성을 측정하는 데 사용되는 테스트 유닛(미도시)의 프로브핀들과 접촉되어 테스트 신호들을 인가받는다.
게이트 구동부(160)는 어레이 기판(100)의 제2 영역(AR2)에 형성되어, 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결된다. 그로 인해, 게이트 구동부(160)는 게이트 배선(112)들로 게이트 신호들을 인가하고, 게이트 더미배선(114)으로 게이트 더미신호를 인가한다.
게이트 구동부(160)는 제2 방향으로 복수개가 배치될 수 있고, 이와 다르게 하나가 제2 방향으로 연장된 형상을 갖으며 배치될 수도 있다. 일례로, 도면에서는 복수의 게이트 구동부(160)들이 제2 방향을 따라 배치된 것을 도시하였다.
또한, 게이트 구동부(160)는 도 1 및 도 2와 같이, 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)의 양측에 배치되어, 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)의 양단과 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 이와 다르게 게이트 구동부(160)는 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)의 일측에만 배치되어, 게이트 배선(112)들 및 게이트 더미배선(114)의 일단과 전기적으로 연결될 수도 있다.
한편, 게이트 더미배선(114)에 인가되는 게이트 더미신호는 게이트 배선(112)들로 게이트 신호들과 다른 별도의 신호일 수 있지만, 상기 게이트 신호들 중 어느 하나와 동일한 신호인 것이 바람직하다. 즉, 게이트 더미배선(114)은 게이트 배선(112)들 중 최외곽에 형성된 최외곽 게이트 배선(112a)과 전기적으로 연결되어, 최외곽 게이트 배선(112a)에 인가되는 게이트 신호가 게이트 더미배선(114)에도 인가될 수 있다.
데이터 구동부(170)는 어레이 기판(100)의 제2 영역(AR2)에 형성되어, 데이터 배선(122)들 및 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결된다. 그로 인해, 데이터 구동부(170)는 데이터 배선(122)들로 데이터 신호들을 인가하고, 데이터 더미배선(124)으로 데이터 더미신호를 인가한다.
데이터 구동부(170)는 데이터 배선(122)들 및 데이터 더미배선(124)의 일측 에 배치되어, 데이터 배선(122)들 및 데이터 더미배선(124)의 일단과 전기적으로 연결된다. 여기서, 데이터 구동부(170)는 제1 방향으로 복수개가 배치될 수 있고, 이와 다르게 하나가 제1 방향으로 연장된 형상을 갖으며 배치될 수도 있다. 일례로, 도면에서는 복수의 데이터 구동부(170)들이 제1 방향을 따라 배치된 것을 도시하였다.
한편, 데이터 더미배선(124)에 인가되는 데이터 더미신호는 데이터 배선(122)들로 데이터 신호들과 다른 별도의 신호일 수 있지만, 상기 데이터 신호들 중 어느 하나와 동일한 신호인 것이 바람직하다. 즉, 데이터 더미배선(124)은 데이터 배선(122)들 중 최외곽에 형성된 최외곽 데이터 배선(122a)과 전기적으로 연결되어, 최외곽 데이터 배선(122a)에 인가되는 데이터 신호가 데이터 더미배선(124)에도 인가될 수 있다.
도 4는 도 3에서 게이트 더미배선, 데이터 더미배선, 테스트 트랜지스터 및 테스트 패드부 사이의 연결관계를 도시한 회로도이다.
도 4를 참조하여 게이트 더미배선(114), 데이터 더미배선(124), 테스트 트랜지스터(140) 및 테스트 패드부(150) 사이의 연결관계만을 설명하면 다음과 같다.
게이트 더미배선(114)은 제1 방향으로 길게 연장되어 일단이 게이트 테스트패드(152)와 전기적으로 연결된다. 데이터 더미배선(124)은 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 길게 연장되어 일단이 데이터 테스트패드(154)와 전기적으로 연결된다.
테스트 트랜지스터(140)는 게이트 전극(G)이 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결되고, 소스 전극(S)이 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결되며, 드 레인 전극(D)이 드레인 테스트패드(156)와 전기적으로 연결된다.
또한, 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(D)은 액정 커패시터(Clc)의 제1 전극과 전기적으로 연결된다. 이때, 액정 커패시터(Clc)의 제1 전극은 더미 화소전극이이고, 제2 전극은 대향기판에 형성된 공통전극(Vcom)이다.
선택적으로, 어레이 기판(100)은 게이트 더미배선(114) 및 게이트 테스트패드(152) 사이에 배치된 제1 정전기 방지부(180)와, 데이터 더미배선(124) 및 데이터 테스트패드(154) 사이에 배치된 제2 정전기 방지부(190)를 더 포함하는 것이 바람직하다.
구체적으로 설명하면, 제1 정전기 방지부(180)의 일단은 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결되고, 타단은 게이트 테스트패드(152)와 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 정전기 방지부(190)의 일단은 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결되고, 타단은 데이터 테스트패드(154)와 전기적으로 연결된다. 여기서, 제1 및 제2 정전기 방지부(180, 190)는 정전 다이오드를 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 제1 정전기 방지부(180)가 게이트 더미배선(114) 및 게이트 테스트패드(152) 사이에 형성되고, 제2 정전기 방지부(190)가 데이터 더미배선(124) 및 데이터 테스트패드(154) 사이에 형성될 경우, 테스트 패드부(150)에 상기 테스트 유닛의 프로브핀들이 접촉될 때 발생되는 정전기가 테스트 트랜지스터(140)에 인가되어, 테스트 트랜지스터(140)의 특성이 변경되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(D) 및 드레인 테스트패드(156) 사이에도 제3 정전기 방지부(미도시)가 더 형성될 수도 있다.
도 5는 도 4와 다른 연결관계를 갖는 평면도이다.
도 5를 참조하면 도 4와 달리, 게이트 더미배선(114), 데이터 더미배선(124) 및 테스트 트랜지스터(150)가 모두 복수 개로 형성될 수 있다. 여기서, 게이트 더미배선(114) 및 데이터 더미배선(124) 중 어느 하나만 복수 개로 형성될 수 있다.
도 5를 참조하여 보다 구체적으로 예를 들어 설명하면, 2개의 게이트 더미배선(114)들이 제1 방향으로 병렬로 형성되고, 2개의 데이터 더미배선(124)들이 제2 방향으로 병렬로 형성된다. 테스트 트랜지스터는 4개가 2행 2열 형태로 배치되어, 2개의 게이트 더미배선(114)들 및 2개의 데이터 더미배선(124)들과 전기적으로 연결된다.
여기서, 게이트 더미배선(114)들 각각은 별도의 게이트 테스트패드(152)들과 전기적으로 연결되고, 데이터 더미배선(124)들 각각은 별도의 데이터 테스트패드(154)들과 전기적으로 연결될 수도 있지만, 게이트 더미배선(114)들 모두 하나의 게이트 테스트패드(152)와 전기적으로 연결되고, 데이터 더미배선(124)들 모두 하나의 데이터 테스트패드(154)와 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다. 또한, 테스트 트랜지스터(140)들의 드레인 전극(D)도 모두 하나의 드레인 테스트패드(156)와 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.
이와 같이, 게이트 더미배선(114), 데이터 더미배선(124) 및 테스트 트랜지스터(150)가 모두 복수 개로 형성됨에 따라, 복수의 테스트 트랜지스터(150)들의 특성을 동시에 측정할 수 있다. 그로 인해, 테스트 트랜지스터(150)의 특성 테이터의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.
도 6은 도 5의 다른 연결관계를 갖는 평면도이다.
도 6을 참조하면 도 5와 달리, 복수의 게이트 더미배선(114)들 중 적어도 둘이 서로 단락될 수 있고, 데이터 더미배선(124)들 중 적어도 둘이 서로 단락될 수 있다.
도 6을 참조하여 보다 구체적으로 예를 들어 설명하면, 2개의 게이트 더미배선(114)들이 서로 단락되고, 2개의 데이터 더미배선(124)들이 서로 단락된다. 여기서, 게이트 더미배선(114)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 앞단에서 서로 단락되고, 데이터 더미배선(124)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 앞단에서 서로 단락되는 것이 바람직하다. 즉, 게이트 더미배선(114)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 바로 좌측에서 서로 단락되고, 데이터 더미배선(124)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 바로 상측에서 서로 단락되는 것이 바람직하다.
이와 같이, 게이트 더미배선(114)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 앞단에서 서로 단락되고, 데이터 더미배선(124)들은 테스트 트랜지스터(140)들의 앞단에서 서로 단락될 경우, 하나의 게이트 더미신호 및 하나의 데이터 더미신호가 동시에 테스트 트랜지스터(140)들에 인가될 수 있다.
도 7은 도 2의 테스트 트랜지스터의 특성의 변화를 나타낸 그래프이다.
일반적으로 어레이 기판(100)에 형성된 테스트 트랜지스터(140)는 도 7에 도시된 그래프와 같은 전기적인 특성을 갖는다.
보다 구체적으로 설명하면, 테스트 트랜지스터(140)의 소스 전극(S)으로 일정한 소스 전압, 일례로 10V가 인가되고 있다고 가정할 때, 게이트 전극(G)으로 인 가되는 게이트 전압(Vg)이 서서히 증가되면, 드레인 전극에 흐르는 드레인 전류(Id)도 서서히 증가한다. 그러나, 게이트 전압(Vg)이 계속 증가되면, 드레인 전류(Id)는 증가되는 폭이 점점 감소되어 일정해진다. 반면, 게이트 전압(Vg)이 서서히 감소되면, 드레인 전류(Id)도 서로 감소된다. 그러나, 게이트 전압(Vg)이 계속 감소되면, 드레인 전류(Id)는 감소되다가 다시 증가된다.
게이트 전압(Vg)은 일반적으로 게이트 온전압(Von) 및 게이트 오프전압(Voff) 중 어느 하나의 값을 갖는다. 일례로, 게이트 온전압(Von)은 20V 이고, 게이트 오프전압(Voff)은 -7V 이다. 이때, 게이트 전압(Vg)이 게이트 온전압(Von)을 가질 때, 드레인 전류(Id)는 상대적으로 매우 높은 값을 갖고, 게이트 전압(Vg)이 게이트 오프전압(Voff)을 가질 때, 상대적으로 매우 낮은 값을 갖는다.
한편, 표시패널(300)을 장시간 구동할 경우, 테스트 트랜지스터(140)의 특성곡선은 좌측 또는 우측으로 이동하는 데, 일반적으로 우측으로 이동한다. 이렇게 테스트 트랜지스터(140)의 특성곡선이 우측으로 이동하게 되면, 게이트 전압(Vg)이 게이트 온전압(Von)을 가질 때의 드레인 전류(Id)가 예전의 드레인 전류(Id)보다 낮아지고, 게이트 전압(Vg)이 게이트 오프전압(Voff)을 가질 때의 드레인 전류(Id)가 예전의 드레인 전류(Id)보다 높아진다. 즉, 테스트 트랜지스터(140)의 전기적인 특성이 나빠진다.
결국, 표시패널(300)을 구동함에 따른 테스트 트랜지스터(140)의 특성을 측정할 필요가 있다. 이때, 테스트 트랜지스터(140)의 특성은 박막 트랜지스터(132)들의 특성과 거의 동일함으로, 박막 트랜지스터(132)들을 대표한다고 볼 수 있다.
따라서 본 실시예에 따르면, 게이트 더미배선(114), 데이터 더미배선(124) 및 테스트 트랜지스터(140)의 드레인 전극(S)과 전기적으로 연결된 테스트 패드부(150)가 어레이 기판(100)에 형성됨에 따라, 박막 트랜지스터(132)들와 동일한 특성을 갖는 테스트 트랜지스터(140)의 특성을 실시간으로 정확하게 측정할 수 있다.
즉, 표시패널(300)을 장시간동안 구동시킨 후에, 데이터 테스트패드(154)에 일정한 데이터 테스트전압을 인가하고, 게이트 테스트패드(152)로 변화되는 게이트 테스트전압을 인가하면서, 드레인 테스트패드(156)로부터 드레인 테스트전압을 측정하여, 테스트 트랜지스터(140)의 특성을 실시간으로 정확하게 측정한다.
또한, 테스트 패드부(150)에 의한 테스트 트랜지스터(140)의 특성을 측정하는 방법은 종래에서와 같이 대향기판(200)을 어레이 기판(100)으로부터 제거하는 디캡(decap) 과정이 생략되어, 정전기가 유입되거나 패널 자체가 파괴되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 테스트 패드부(150)를 이용할 경우, 테스트 트랜지스터(140)의 특성 이외에도 게이트 신호 및 데이터 신호의 딜레이도 측정할 수 있다.
이하, 표시패널(300)의 여러 다른 실시예를 설명하기로 한다.
도 8은 도 1에서 테스트 패드부가 복수개 배치된 상태를 도시한 평면도이다.
우선 도 8을 참조하면, 테스트 패드부(150)는 하나가 아닌 복수개가 형성될 수 있다. 예를 들어, 한 쌍의 테스트 패드부(150)들이 서로 대각선으로 마주보도록 제2 영역(AR2) 상에 형성될 수 있다.
도 9는 도 1과 다른 실시예를 도시한 평면도이다.
이어서 도 9를 참조하면, 데이터 구동부(170)는 제2 영역에 배치되지만, 게이트 구동부(160)는 제2 영역(AR2)이 아닌 제1 영역(AR1)에 배치되어, 대향기판(200)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 게이트 구동부(160)는 별도의 박막 트랜지스터(132)들에 의해 구성된 회로일 수 있다.
한편, 제2 영역(AR2)은 일례로 제1 영역(AR1)의 상측에 형성되고, 테스트 패드부(150)는 데이터 구동부(170)와 근접한 제2 영역(AR2)에 형성된다.
도 10은 도 1과 또 다른 실시예를 도시한 평면도이다.
또한, 표시패널(300)은 게이트 연성회로기판(10) 및 데이터 연성회로기판(20)을 더 포함할 수 있다.
게이트 연성회로기판(10)은 어레이 기판(100)의 제2 영역(AR2)과 중첩되어, 게이트 배선(112)의 일단 및 게이트 더미배선(114)의 일단과 전기적으로 연결된다. 이때, 게이트 연성회로기판(10)의 일면에는 게이트 구동부(160)가 장착되어, 게이트 배선(112) 및 게이트 더미배선(114)과 전기적으로 연결된다.
또한, 데이터 연성회로기판(20)은 어레이 기판(100)의 제2 영역(AR2)과 중첩되어, 데이터 배선(122)의 일단 및 데이터 더미배선(124)의 일단과 전기적으로 연결된다. 이때, 데이터 연성회로기판(20)의 일면에는 데이터 구동부(170)가 장착되어, 데이터 배선(122) 및 데이터 더미배선(124)과 전기적으로 연결된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 게이트 더미배선, 데이터 더미배선 및 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 테스트 패드부가 어레이 기판에 형성됨에 따라, 박막 트랜지스터들과 동일한 특성을 갖는 테스트 트랜지스터의 특성을 실시간으로 정확하게 측정할 수 있다.
또한, 테스트 패드부를 이용하여 테스트 트랜지스터의 특성을 측정할 경우, 대향기판을 어레이 기판으로부터 제거하는 디캡 과정이 생략되어, 정전기가 유입되거나 패널 자체가 파괴되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 테스트 패드부를 이용할 경우, 테스트 트랜지스터의 특성 이외에도 게이트 신호 및 데이터 신호의 딜레이도 측정할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (20)

  1. 제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선을 갖는 게이트 배선부;
    상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선을 갖는 데이터 배선부;
    상기 게이트 배선들 및 상기 데이터 배선들과 전기적으로 연결된 화소부;
    상기 게이트 더미배선 및 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 테스트 트랜지스터; 및
    상기 게이트 더미배선, 상기 데이터 더미배선 및 상기 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 테스트 패드부를 포함하는 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테스트 패드부는
    상기 게이트 더미배선과 전기적으로 연결된 게이트 테스트패드;
    상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 데이터 테스트패드; 및
    상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 드레인 테스트패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트 더미배선 및 상기 게이트 테스트패드 사이에 배치되어 전기적으로 연결된 제1 정전기 방지부; 및
    상기 데이터 더미배선 및 상기 데이터 테스트패드 사이에 배치되어 전기적으로 연결된 제2 정전기 방지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 정전기 방지부는 정전 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  5. 제2항에 있어서, 상기 게이트 배선들로 게이트 신호들을 인가하고, 상기 게이트 더미배선으로 게이트 더미신호를 인가하는 게이트 구동부; 및
    상기 데이터 배선들로 데이터 신호들을 인가하고, 상기 데이터 더미배선으로 데이터 더미신호를 인가하는 데이터 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  6. 제5항에 있어서, 상기 게이트 더미배선은 상기 게이트 배선들의 양측 중 적어도 일측에 형성되고,
    상기 데이터 더미배선은 상기 데이터 배선들의 양측 중 적어도 일측에 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 게이트 더미신호는 상기 게이트 신호들 중 어느 하나와 동일하고,
    상기 데이터 더미신호는 상기 데이터 신호들 중 어느 하나와 동일한 것을 특 징으로 하는 어레이 기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트 더미배선은 상기 게이트 배선들 중 최외곽에 형성된 최외곽 게이트 배선과 전기적으로 연결되고,
    상기 데이터 더미배선은 상기 데이터 배선들 중 최외곽에 형성된 최외곽 데이터 배선과 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  9. 제2항에 있어서, 상기 게이트 더미배선 및 상기 데이터 더미배선 중 적어도 하나는 복수개로 형성되고, 상기 테스트 트랜지스터는 복수개로 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  10. 제9항에 있어서, 상기 게이트 더미배선들 중 적어도 둘 이상은 상기 테스트 트랜지스터들의 앞단에서 서로 단락된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  11. 제9항에 있어서, 상기 데이터 더미배선들 중 적어도 둘 이상은 상기 테스트 트랜지스터들의 앞단에서 서로 단락된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 더미 화소전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  13. 제1항에 있어서, 상기 화소부는
    상기 게이트 배선들 및 상기 데이터 배선들과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터들; 및
    상기 박막 트랜지스터들의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  14. 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외곽에 형성된 제2 영역을 갖는 어레이 기판;
    상기 제1 영역을 커버하도록 배치된 대향기판; 및
    상기 어레이 기판 및 상기 대향기판 사이에 개재된 액정층을 포함하고,
    상기 어레이 기판은
    제1 방향으로 형성되며, 게이트 배선들 및 적어도 하나의 게이트 더미배선을 갖는 게이트 배선부;
    상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되고, 데이터 배선들 및 적어도 하나의 데이터 더미배선을 갖는 데이터 배선부;
    상기 제1 영역에 형성되며, 상기 게이트 배선들 및 상기 데이터 배선들과 전기적으로 연결된 화소부;
    상기 게이트 더미배선 및 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 적어도 하나의 테스트 트랜지스터; 및
    상기 제2 영역에 형성되고, 상기 게이트 더미배선, 상기 데이터 더미배선 및 상기 테스트 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적으로 연결된 테스트 패드부를 포함 하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  15. 제14항에 있어서, 상기 테스트 패드부는 상기 제2 영역 상에 복수 개가 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
  16. 제14항에 있어서, 상기 게이트 배선들로 게이트 신호들을 인가하고, 상기 게이트 더미배선으로 게이트 더미신호를 인가하는 게이트 구동부; 및
    상기 데이터 배선들로 데이터 신호들을 인가하고, 상기 데이터 더미배선으로 데이터 더미신호를 인가하는 데이터 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  17. 제16항에 있어서, 상기 데이터 구동부는 상기 제2 영역에 배치된 것을 특징으로 하는 표시패널.
  18. 제17항에 있어서, 상기 게이트 구동부는 상기 제1 영역에 배치되어, 상기 대향기판에 의해 커버되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  19. 제16항에 있어서, 상기 게이트 구동부가 장착되고, 상기 제2 영역과 중첩되어 상기 게이트 배선 및 상기 게이트 더미배선과 전기적으로 연결된 게이트 연성회로기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
  20. 제16항에 있어서, 상기 데이터 구동부가 장착되고, 상기 제2 영역과 중첩되어 상기 데이터 배선 및 상기 데이터 더미배선과 전기적으로 연결된 데이터 연성회로기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
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