TWI432077B - 發光裝置 - Google Patents

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TWI432077B
TWI432077B TW096101938A TW96101938A TWI432077B TW I432077 B TWI432077 B TW I432077B TW 096101938 A TW096101938 A TW 096101938A TW 96101938 A TW96101938 A TW 96101938A TW I432077 B TWI432077 B TW I432077B
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Eiji Kanda
Ryoichi Nozawa
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Seiko Epson Corp
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Description

發光裝置
本發明乃有關利用有機EL(電激發光)材料等之發光材料之發光裝置之構造。
在以往提案有經由將為控制供予發光元件之電流量之電晶體，設置於每一發光元件的主動矩陣方式之發光裝置(例如專利文獻1)。於此類發光裝置中，為提升開口率(從排列發光元件之範圍之各發光元件光之放射光，實際射出之範圍的比例)，使電晶體及發光元件之各層或為電性連接各個之配線，層積於基板上。
[專利文獻1]日本特開2004－119219號公報
但是，於層積以上之各要素之構成中，相互接近之各要素則電容性地加以結合(即，於各要素間寄生有電容)。然後，例如起因於各部之寄生電容，使得各種信號之波形被鈍化，會有阻礙發光元件之高精度的控制的情形。以如此情事為背景，本發明之一形態乃解決減低寄生於發光裝置之各部之電容的影響的課題為目的。
本發明之第1之形態乃具備於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和控制供予前述發光元件之電流量的驅動電晶體，和電性連接於前述驅動電晶體之閘極電極之電容元件(例如圖2之電容元件C1或圖32之電容元件C2)，前述第1電極乃與前述電容元件重合。
於此形態中，使與電容元件重合形成第1電極之後，不與利用於發光元件之控制的各種開關元件重合地，形成第1電極，亦可容易確保第1電極之面積。因此，在充分確保第1電極之面積下，可減低寄生於第1電極與開關元件間之電容(更可防止起因於寄生電容之開關動作之延遲)。
例如設置對應於選擇信號成為開啟狀態或關閉狀態之選擇電晶體(例如圖2或圖21之選擇電晶體Tsl)，前述驅動電晶體之閘極電極，藉由成為開啟狀態之前述選擇電晶體，設定在對應於從資料線供給之資料信號之電位的構成中，不與前述選擇電晶體重合地，形成前述第1電極。根據此形態時，由於可減低第1電極與選擇電晶體間之寄生容量，可使選擇電晶體迅速地動作(即不會產生起因於寄生電容之延遲)。
又，設置對應於啟始信號成為開啟狀態或關閉狀態之啟始化電晶體(例如圖2之啟始電晶體Tint)，前述驅動電晶體之閘極電極及沒極，藉由成為開啟狀態之前述啟始化電晶體，電性連接之構成中，不與前述啟始化電晶體重合地，形成前述第1電極。根據此形態時，由於可減低第1電極與啟始化電晶體間之寄生容量，可使啟始化電晶體迅速地動作。然而，藉由啟始化電晶體電性連接之驅動電晶體之閘極電極乃設定呈對應於此驅動電晶體之君限值電壓的電位。因此，可補償驅動電晶體之臨限值電壓的誤差。
然而，電容元件乃典型而言為設定或保持驅動電晶體之閘極電極之電位而利用者。例如，一形態之電容元件(例如圖2之電容元件C1)乃介入存在於驅動電晶體之閘極電極與資料線間。然而，藉由啟始化電晶體電性連接之驅動電晶體之閘極電極乃設定呈對應於此驅動電晶體之君限值電壓的電位。又，其他形態之電容元件(例如圖21或圖32之電容元件C2)乃介入存在於驅動電晶體之閘極電極與供給定電位之配線(例如電源線)間。於此構成中，從資料線供給至驅動電晶體之閘極電極的電位，則保持於電容元件。
本發明之第2之形態乃具備供予特定之電合的供電(例如圖2或圖21之電源線15)、和於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和控制從前述供電線供予前述發光元件之電流量的驅動電晶體，前述供電線乃含有介入存在於前述第1電極與前述驅動電晶體間的部分為特徵者。然；而，供電線之典型例乃為供給電源電位之電源線者。
根據此形態時，於第1電極與驅動電晶體間介入存在有供電線之故，相較於在第1電極與驅動電晶體間不介入存在有導電體之構成，兩者電容性之結合可被抑制。因此，可減低第1電極及驅動電晶體之一方之電位變動對其他之電位影響。
本發明之第3之形態乃具備供給資料信號之資料線、和供予特定之電位的供電、和於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和將從前述供電線供予前述發光元件之電流量，對應於資料信號加以控制的驅動電晶體，前述供電線乃含有介入存在於前述第1電極與前述資料線間的部分。根據此形態時，於第1電極與資料線間介入存在有供電線之故，相較於在第1電極與資料線間不介入存在有導電體之構成，兩者電容性之結合可被抑制。因此，可減低第1電極及資料線之一方之電位變動對其他之電位影響。
本發明之第4之形態乃具備供給資料信號之資料線、和於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和將供予前述發光元件之電流量，對應於資料信號加以控制的驅動電晶體，前述第1電極乃形成於被覆前述資料線之絕緣層(例如圖11之第1絕緣層L1或第2絕緣層L2)之面上之光反射性之電極，該外周緣乃與前述資料線重合為特徵。
根據此形態時，將反映資料線之膜厚的階差，經由形成於絕緣層之表面，於第1電極之外周緣之附近，形成傾斜面(例如圖11之傾斜面211)。然後，可將來自發光層之射出光，在此傾斜面加以反射，提升光線之利用效率。
本發明之第5之形態乃具備於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和控制供予前述發光元件之電流量的驅動電晶體，和電性連接於前述驅動電晶體之閘極電極之電容元件、和導通於較前述第2電極阻抗率為低之材料所形成之前述第2電極的補助配線(例如圖3或圖12或圖22之補助配線27)，前述補助配線乃前述驅動電晶體及前述電容元件為不重合者為特徵。
根據此形態時，使驅動電晶體及電容元件不重合地，形成補助配線之故，可削減寄生於補助配線與驅動電晶體間或補助配線與電容元件間之電容。因此，可減低補助配線及驅動電晶體(或電容元件)之一方之電位變動對其他之電位影響。
於關於第5之形態之發光裝置中，例如設置對應於選擇信號成為開啟狀態或關閉狀態之選擇電晶體、和重合於前述選擇電晶體之同時，形成開口部(圖4之開口部251)之絕緣層(例如圖4之間隔壁25)，驅動電晶體乃藉由成為開啟狀態之前述選擇電晶體，對應於從資料線供給1之資料信號，控制對於前述發光元件之電流量。於此形態中，補助配線形成於絕緣層上方之構成為適切者。根據此形態時，於補助配線與選擇電晶體間，介入存在有絕緣層之故，可控制選擇電晶體與補助配線之電容性的結合。為寬廣確保發光元件發光之開口部或配置電源線之範圍，選擇電晶體乃與補助配線重合者為佳。
又，例如，設置對應於啟始化信號成為開啟狀態或關閉狀態之啟始化電晶體、和重合於前述啟始化電晶體的同時，形成開口部之絕緣層的構成中，補助配線乃可得形成於絕緣層之上方。根據此形愈，可抑制補助配線與啟始化電晶體之電容性結合。為寬廣確保發光元件發光之開口部或配置電源線之範圍，啟始化電晶體乃與補助配線重合者為佳。
關於本發明之第6之形態之發光裝置，具備向第1方向(例如圖18~圖20或圖28~圖30之X方向)延伸之複數之控制線、和延伸於與前述第1方向不同之第2方向(例如圖18~圖20或圖28~圖30之Y方向)，與前述複數之控制線交叉的資料線、和在對應於前述複數之控制線與前述資料線的交叉位置，各別加以配置，排列於前述第2方向之複數之單位元件。
前述各個複數之單位元件乃包含於第1電極與第2電極間，介入發光層的發光元件、和經由對應於供予前述資料線之信號而設定閘極電極之電位，控制供予前述發光元件之電流量的驅動電晶體、和令對於前述驅動電晶體之閘極電極而言可否供給特定之電位，或對於前述發光元件而言可否供給電流者，對應於供給至對應在前述複數之控制線中之該單位元件的控制線的信號加以控制的控制電晶體。控制對於驅動電晶體之閘極電極之特定電位之供給之可否之控制電晶體乃例如圖2之選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint。又，控制對於前述發光元件之電流供給之可否之控制電晶體乃例如圖31之發光控制電晶體Tcnt。因此，本形態之控制線乃例如相當於圖2之選擇線11或啟始化線12，或圖31之發光控制線14。
以上之構成下，於前述複數之單位元件中之第1單位元件(例如圖18~圖20或圖28~圖30之第i行之單位元件P)中，前述控制電晶體與前述控制線乃由前述驅動電晶體視之，位於前述第2方向之一方側，各個在於前述複數之單位元件中之前述第2方向之一方側，鄰接於前述第1之單位元件的第2之單位元件(例如第(i－1)行之單位元件P)、與於前述第2方向之另一方側，鄰接於前述第1之單位元件的第3之單位元件(例如第(i＋1)行之單位元件P)中，前述控制電晶體與前述控制線乃由前述驅動電晶體視之，位於前述第2方向之另一方面側。然後，前述資料線乃包含由與前述複數之控制線同層所形成，排列於前述第2方向之複數之第1資料線部、和形成於被覆前述複數之控制線的絕緣層面上，電性連接前述各第1資料部的第2資料線部，前述第1資料線部乃在於前述第1之單位元件與前述第3之單位元件所連續，前述第2資料線部乃交叉於對應於前述第1之單位元件的前述控制線與對應於前述第2之單位元件的前述控制線。
根據此形態時，在於第1之單位元件與第3之單位元件連續地形成第1資料線部之故，於第1之單位元件與第3之單位元件之間隙，無需形成第2資料線部。然而，於本發明中。複數之要素為「由同層所形成」乃意味經由共通之膜體(不論是單層或複數層)之選擇性除去，複數之要素在同工程加以形成，不論各要素是相互離開或連續。以上所說明之第6之形態之具體例乃做為第3實施形態及第5實施形態加以後述。
關於第6之形態之發光裝置，例如設置具備供給特定之電位的供電線，前述驅動電晶體乃控制從前述供電線供給至前述發光元件之電流量，前述供電線乃由與前述資料線之第2資料線部同層所形成，包含位於前述第1之資料線部中前述第1之單位元件與前述第3之單位元件的間隙部分(例如圖29之連結部153)。根據此形態時，包含位於第1之單位元件與第3之單位元件之間隙的部分之故，可使供電線低阻抗化。
於更適切之形態中，設置具備較前述第2電極阻抗率為低之料所形成，導通於該第2電極之補助配線，前述補助配線乃重合於前述第1之單位元件之前述控制電晶體及前述控制線與前述第2之單位元件之前述控制電晶體及前述控制線而形成，不形成於前述第1之單位元件與前述第3之單位元件之間隙者。根據此形態時，與在於每單位元件，獨立地形成補助配線之構成比較，可擴大形成於第1之單位元件與第2之單位元件間的補助配線之線寬。於此構成中，在補助配線之形成要求高精度之下，可經由低廉之方法，形成補助配線。又，形成於發光裝置之補助配線條數為少之故，於形成補助配線時，可使設於各補助配線與其他之構成要素間的範圍領域變少。因此，可使為形成補助配線之範圍或發光元件之發光範圍變廣。
關於本發明之發光裝置乃利用於各種電子機器。此電子機器之典型例乃將發光裝置，做為顯示裝置加以利用的機器。做為此種之電子機器乃有個人電腦或攜帶型電話等。當然，關於本發明之發光裝置之用途乃不限定於畫像之顯示。例如，可在經由光線之照射，在感光體光鼓等之像載持體，形成潛像之曝光裝置(曝光光學頭)，配置於液晶裝置之背面側，照明此之裝置(背光)或搭載於掃描器等之畫像讀取裝置，照明原稿之裝置等之各種照明裝置等，各用途用，適用本發明之發光裝置。
 <A：第1實施例形態>
<A－1：發光裝置之電性構成>圖1乃顯示關於本發明之第1實施形態之發光裝置D之電性構成的方塊圖。如同圖所示，發光裝置D乃具有複數之選擇線11、和複數之啟始化線12、和複數之資料線13。各選擇線11及各啟始化線12乃延伸存在於X方向。各資料線13乃延伸存在於正交於X方向之Y方向。於選擇線11及啟始化線12之各對與各資料線13之各交叉，配置單位元件(畫素)P。因此，此等之單位元件P乃在於X方向及Y方向，排列呈矩陣狀。一個單位元件P乃成為發光之最小單位的要素。各單位元件P乃藉由電源線15，供給高位側之電源電位Vdd。
圖2乃顯示各單位元件P之構成的電路圖。如同圖所示，從電源線15到達接地線(接地電位Gnd)之路徑上，配置發光元件E與驅動電晶體Tdr。發光元件W乃使有機EL材料所成至少發光層23，介於第1電極21(陽極)與第2電極(陰極)間之元件。第1電極21乃於每畫素P相互隔離而形成。第2電極22乃於複數之單位元件P連續形成加以接地(Gnd)。發光層23乃以對應於從第1電極21向第2電極22流入之電流量之光量加以發光。
驅動電晶體Tdr乃將供予發光元件E之電流量，對應於閘極電極之電位(以下稱「閘極電極」)Vg加以控制之p通道型之薄膜電晶體。又，驅動電晶體Tdr之源極電極(S)乃連接於電源線15，該汲極電極(D)乃連接於發光元件E之第1電極21。
於驅動電晶體Tdr之閘極電極與汲極電極(發光元件E之第1電極21)間，介入存在有為控制兩者之電性連接之n通道型電晶體(以下稱「啟始化電晶體」)Tint。啟始化電晶體Tint之閘極電極乃連接於啟始化線12。於啟始化線12中，從驅動電路(圖示略)供給啟始化信號Sb。啟始化信號Sb成為啟動位準，啟始化電晶體Tint變化為開啟狀態時，驅動電晶體Tdr之閘極電極與汲極電極則電性連接。以下，有將藉由成為開啟狀態之啟始化電晶體Tint，使驅動電晶體Tdr之閘極電極與汲極電極呈電性連接之狀態，稱為驅動電晶體Tdr呈二極連接的狀態而加以說明的情形。
如圖2所示，單位元件P乃包含由電極E1與電極E2所構成之電容元件C1。電極E1乃連接於驅動電晶體Tdr之閘極電極。於電極E2與資料線13間，介入存在有為控制兩者之電性連接之n通道型電晶體(以下稱「選擇電晶體」)Tsl。此選擇電晶體Tsl之閘極電極乃連接於選擇線11。於選擇線11中，從驅動電路(圖示略)供給選擇信號Sa。然而，驅動電晶體Tdr或選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint之導電型，可由圖2之例示加以適切變更。
接著，將一個單位元件P之動作，區分為啟始化期間與寫入期間與驅動期間加以說明。首先，於啟始化期間，從驅動電路(圖示略)向資料線13供給特定之電位Vref的同時，選擇線11之選擇信號Sa與啟始化線12之啟始化信號Sb則維持在啟動位準(高位準)。因此，於電容元件C1之電極E2，從資料線13藉由選擇電晶體Tsl，供給電位Vref。又，經由啟始化電晶體Tint變化呈開啟狀態，驅動電晶體Tdr則成為二極連接。因此，驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg乃收斂於供予電源線15之電源電位Vdd與驅動電晶體Tdr之臨限值電壓Vth之差分值(Vg＝Vdd－Vth)。
接著，於啟始化期間之經過後的寫入期間，啟始化信號Sb則遷移至非啟動位準(低位準)。因此，啟始化電晶體Tint變化呈開啟狀態，解除驅動電晶體Tdr之二極連接。又，選擇電晶體Tsl維持在開啟狀態，從資料線13供予電極E2之電位Vref，則變更至資料電位Vdata。資料電位Vdata乃對應於指定成單位元件P之色階的電位。
驅動電晶體Tdr之閘極電極之阻抗乃充分為高之故，電極E2從電位Vref至資料電位Vdata，僅變動變化量△V(＝Vref－Vdata)時，電極E1之電位乃經由電容元件C1之電容耦合，於啟始化期間自設定之電位Vg(＝Vdd－Vth)變動。此時之電極E1之電位變化量乃對應於電容元件C1與其他寄生電容(寄生於驅動電晶體Tdr之閘極電容或其他之配線的電容)之電容比而定之。更且體而言，令電容元件C1之電容值為「C」，令寄生電容之電容值為「Cs」時，電極E1之電位之變化量乃表現呈「△V．C/(C＋Cs)」。因此，驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg乃於寫入期間之終點，設定呈以下之式(1)之位準。
Vg＝Vdd－Vth－k．△V………(1)惟k＝C/(C＋Cs)
接著，於寫入期間之經過後的驅動期間，選擇信號Sa則遷移至非啟動位準，選擇電晶體Tsl則變化成關閉狀態。然後，對應於驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg之電流，則經由從電源線15至驅動電晶體Tdr之源極電極與汲極電極，供給至發光元件E。經由此電流之供給，發光元件E乃以對應於資料電位Vdata之光量進行發光。
現在，驅動電晶體Tdr假定在飽和範圍動作之時，於驅動期間，供予發光元件E的電流量I乃藉由以下式(2)加以表現。惟，式(2)之「β」乃驅動電晶體Tdr之增益係數，「Vgs」乃驅動電晶體Tdr之閘極－源極間之電壓。
I＝(β/2)(Vgs－Vth)2 ＝(β/2)(Vdd－Vg－Vth)2 ………(2)
經由式(1)之代入，式(2)則變形如下。
I＝(β/2)(k－△V)2
即，供予發光元件E之電流量I乃不關連於驅動電晶體Tdr之臨限值電壓Vth。因此，根據本實施形態時，可抑制起猶於各驅動電晶體Tdr之臨限值電壓Vth之不均(來自設計值之不同或其他單位元件P之驅動電晶體Tdr的不同)之發光元件E之光量之誤差(亮度不均)。
<A－2：單位元件P之構造>接著，說明單位元件P之具體構造。圖3乃顯示一個單位元件P之構成的平面圖，圖4乃由圖3之IV－IV線所視之剖面圖。然而，圖3雖為平面圖，為使各要素容易被掌握，對於與圖4共通之各要素，施以與圖4相同之形態影線。對於以下參照之其他之平面圖亦相同。又，於以下參照之各圖面中，為使方便說明，使各部之尺寸比率由實際之裝置加以適切變更。
如圖4所示，驅動電晶體Tdr或發光元件E之圖2之各要素乃形成於基板10之面上。基板10乃至少由玻璃或塑膠等之各種絕緣性材料所成之板狀構件。然而，將被覆基板10之絕緣性之膜體(例如氧化矽或氮化矽等之膜體)，做為基材，於基板190之面上，形成單位元件P之各要素亦可。又，本實施形態之發光裝置D乃頂發射型者。因此，對於基板10無需光透過性。
圖5至圖7乃顯示形成單位元件P之各階段之基板10之面上情形的平面圖。然而，於圖5至圖7中，圖3所示之第1電極21所欲形成之範圍A則經由二點虛線加以一併記入。
如圖4及圖5所示，於基板10之面上，半導體層31與半導體層41則經由矽等之半導體材料加以形成。半導體層31與半導體層41乃經由在於基板10之全域連續加以形成之膜體之圖案化，以同一工程整體加以形成。然而，如半導體層31與半導體層41之關係，複數之要素乃經由共通之膜體(不論是單層或複數層)之選擇性除去，以同一工程加以形成，以下則單以「由同層加以形成」加以表記。由同層加以形成之各要素乃當然由同一材料所成，各膜厚則略呈一致。根據複數之要素由同層加以形成之構成，相較於該各構成由其他層加以形成之構成而言，有可實現製造工程之簡化或製造成本之減低的優點。
如圖4及圖5所示，半導體層31乃含第1元件部311與第2元件部312。第1元件部311乃做為驅動電晶體Tdr之半導體層加以工作的略矩形狀的部分。第2元件部312乃做為啟始化電晶體Tint之半導體層工作的部分，包含從第1元件部311向Y方向之負側連續之部分312a、和從此部分312a向X方向之正側延伸存在之部分312b、和從此部分312b向Y方向之正側延伸存在之部分312c。
半導體層41乃由半導體層31視之，配置於Y方向之正側的部分，包含構成圖2之電容元件C1之略矩形狀之電極E2、和從電極E2延伸存在於Y方向之正側之元件部411。元件部411乃做為選擇電晶體Tsl之半導體層加以工作的部分。
如圖4所示，形成半導體層31與半導體層41之基板10之表面乃在該全域，被覆於閘極絕緣層L0。如圖4及圖6所示，於閘極絕緣層L0之面上，選擇線11與啟始化線12與中間導電體51與第1資料線131則經由導電性材料，由同層加以形成。
選擇線11乃在複數之單位元件P，延伸存在於X方向，與半導體層41之元件部41重合。元件部411中，挾持閘極絕緣層L0，對向於選擇線11之範圍乃選擇電晶體Tsl之通道範圍。啟始化線12乃在複數之單位元件P，延伸存在於X方向，與半導體層31之第2元件部312重合。對於各第2元件部312之部分312a及部分312c中，挾持閘極絕緣層L0，對向於啟始化線12之範圍為啟始化電晶體Tint之通道範圍。
即，本實施形態之啟始化電晶體Tint乃雙閘極構造之電晶體。
中間導電體51乃形成於選擇線11與啟始化線12之間隙之部分，包含電極E1與閘極電極511與連結部513。電極E1乃由垂直於基板10之方向視之，為與半導體層41之電極E2重合之略矩形狀之部分。如圖4及圖6所示，挾持閘極絕緣層L0(介電質)，電極E1與電極E2為呈對向地，構成圖2之電容元件C1。
如圖6所示，連結部513乃由電極E1之右上部延伸存在於Y方向之負側。閘極電極511乃與電極E1隔出間隔，從連結部513延伸存在於X方向之負側的部分，於第1元件部311之略全寬(X方向之尺寸)，與第1元件部311重合。如圖4所示，第1元件部311中，挾持閘極絕緣層L0，對向於閘極電極511之範圍為驅動電晶體Tdr之通道範圍311c。又，第1元件部311中，較通道範圍311c之為電極E2側之範圍(a1如圖6所示，由垂直於基板10之方向視之，位於閘極電極511與電極E1之間隙的範圍)乃源極範圍311s，該相反側之範圍乃汲極範圍311d。
第1資料線部分131乃構成圖2之資料線13之部分。此第1資料線乃由中間導電體51視之，配置於X方向之負側範圍，於選擇線11與啟始化線12之間隙，延伸存在於Y方向。
圖8乃在圖6之階段之4個單位元件P，在X方向及Y方向加以排列之情形。如圖6及圖8所示，於各單位元件P，形成於Y方向之負側之周緣的第2元件部312(啟始化電晶體Tint)乃位於X方向之正側，形成於Y方向之正側之周緣的元件部411(選擇電晶體Tsl)乃位於X方向之負側。
現在，則假設第2元件部312與元件部411配置於各單位元件P之X方向的同側的構成。於此構成中，為確實隔離第2元件部312與元件部411，需充分確保鄰接於Y方向之各單位元件P之間隙範圍(相當於圖8之範圍B之範圍)之故，會有阻礙單位元件P之高精密化的問題。對此，於本實施形態中，第2元件部312及元件部411之X方向之位置為不同之故，如圖8所示，第2元件部312與元件部411乃在範圍B內，沿X方向交互排列。根據此構成時，即使範圍B狹小化，仍可確實間隔第2元件部312與元件部411之故，有容易使單位元件P高精密化的優點。
如圖4所示，形成中間導電體51或第1資料線部131之閘極絕緣層L0之表面乃在該全域，被覆於第1絕緣層L1。如圖4及圖7所示，於第1絕緣層L1之面上，連接部61與導通部71與電源線15與第2資料線部132則經由導電性材料由同層加以形成。
如圖7所示，由垂直於基板10之方向視之，連接部61乃重合於第2元件部312之部分312c與中間導電體51(閘極電極511)。然後，連接部61乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Ha1，導通至部分312c，藉由貫通第1絕緣層L1之連接孔Ha2，導通至中間導電體51。即，驅動電晶體Tdr之閘極電極511(電容元件C1之電極E1)與啟始化電晶體Tint之通道範圍乃藉由連接部61，電性加以連接。然而，本說明書之連接孔乃電性連接位於絕緣層之一方側之要素與位於絕緣層之另一方側之要素的部分，更具體而言，為使絕緣層貫通該厚度方向之部分(孔或穴)。連接孔之平面形狀可為任意者。
導通部71乃介入存在於驅動電晶體Tdr與發光元件E間，使兩者電性連接之部分，由垂直於基板10之方向視之，挾持驅動電晶體Tdr，配置於與電容元件C1相反之範圍(即對於驅動電晶體Tdr而言之Y方向之負側範圍)。本實施形態之導通部71乃重合於第1元件部311之汲極範圍311d之部分711、和挾持啟始化線12位於與部分711相反側之部分712為連續之形狀者。
由垂直於基板10之方向視之，在第1絕緣層L1中，與汲極範圍311D重合之範圍，形成貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之複數之連接孔Ha3。此等之連接孔Ha3乃排列於閘極電極511所延伸存在之X方向(即驅動電晶體Tdr之通道寬度方向)。導通部71之部分711乃藉由各連接孔Ha3，導通至汲極範圍311d。
接著，圖9乃顯示在圖7之階段之個單位元件P排列之情形的平面圖。如圖7及圖9所示，電源線15乃沿複數之單位元件P之排列，延伸存在於X方向之帶狀配線。此電源線15乃由垂直於基板10之方向視之，重合於各單位元件P之電容元件C1與驅動電晶體Tdr之源極範圍311s的兩者。如圖6及圖7所示，在第1絕緣層L1中，與源極範圍311s重合之範圍，形成貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之複數之連接孔Ha4。此等之連接孔Ha3乃排列於閘極電極511所延伸存在之X方向。電源線15乃藉由各連接孔Ha4，導通至驅動電晶體Tdr之源極範圍311s。本實施形態之電源線15乃由垂直於基板10之方向視之，不重合於選擇電晶體Tsl(元件部411)或選擇線11、及啟始化電晶體Tint(第2元件部312)或啟始化線12地，選擇該形狀或尺寸。於本實施形態中，電源線15乃與選擇線11或啟始化線12平行延伸存在。
第2資料線132乃伴隨第1資料線131，構成資料線13之部分，如圖7及圖9所示，於各電源線15之間隙，延伸存在於Y方向。如圖7所示，第2資料線部132中，Y方向之正側(下側)之端部132a乃與第1資料線部131之Y方向之負側(上側)之端部131a重合。端部132a與端部131a乃藉由貫通第1絕緣層L1之連接孔Ha5，相互導通。同樣地，第2資料線部132中，Y方向之負側之端部132b與第1資料線部131之Y方向之正側之端部131b(參照圖6)，乃藉由連接孔Ha6，相互導通。如以上所述，經由電性連接沿Y方向交互排列之第1資料線部131與第2資料線部132，於Y方向構成呈直線狀延伸存在之資料線13。
如圖7所示，於第2資料線部，連設有分歧部134。分歧部134乃挾持選擇線11，位於與電容元件C1相反側之位置的部分，延伸存在於X方向，與半導體層41之元件部411重合。此分歧部134乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Ha7，導通至元件部411。即，選擇電晶體Tsl與資料線13乃藉由分歧部134電性連接。
如圖4所示，形成第2資料線部132或電源線15之第1絕緣層L1之表面乃在該全域，被覆於第2絕緣層L2。如圖3及圖4所示，第2絕緣層L2之表面形成第1電極21。第1電極21乃例如經由鋁或銀等之金屬或0妁此等金屬為主成分的合金等之光反射性之導電性材料所形成，藉由貫通第2絕緣層L2之連接孔Ha8，導通至導通部71之部分712。即，驅動電晶體Tdr之汲極範圍311d與發光元件E之第1電極21)藉由導通部71，電性加以連接。又，將第2絕緣層L2經由丙烯酸或聚醯亞胺之樹脂形成之時，將樹立經由熱加以硬化之工程中，藉由熱傳導性高之電源線，將熱均勻向樹脂傳導之故，樹脂會熔融。由此，為使第2絕緣層L2之表面更為平坦化，可使形成於該上之第1電極21之凹凸變少。
如圖3或圖4竹中所示，第1電極21乃由垂直於基板10之方向視之，與導通部71或驅動電晶體Tdr或電容元件C1重合。如圖6或圖7所示，配置單位元件P之範圍L1，驅動電晶體Tdr或電容元件C1所佔面積為大之故，根據本實施形態時，可將第1電極21在寬廣之範圍加以形成。因此，於本實施形態中，和僅與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint重合地，形成第1電極21之構成比較，可實現高開口率。又，於與第2絕緣層L2中之選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint重合之範圍的表面，會有顯現反映此等之電晶體外形的階差之情形。於本實施形態中，於與第2絕緣層L2中之驅動電晶體Tdr或電容元件C1重合之寬廣範圍之平坦面，形成第1電極21之故，可有效防止起因於第2絕緣層L2之階差之第1電極21之不良(例如斷線)或發光層23之不良。
又，電源線15乃與電容元件C1與驅動電晶體Tdr之源極範圍311s重合之後，如圖4或圖7所示，於第1電極21與驅動電晶體Tdr之源極範圍311s(更且為電容元件C1)間，介入存在電源線15。根據此構成時，與於第1電極與21驅動電晶體Tdr間不介入存在有電源線比較，可抑制第1電極21與驅動電晶體間Tdr之電容性之結合。因此，可減低第1電極21及驅動電晶體Tdr之一方之電位變化對其他之電位影響，由此可進行各發光元件E之正確控制。又，於形成第1電極21之範圍中，被覆驅動電晶體Tdr或電容元件C1地，形成電源線15之故，可平坦化形成第1電極21之表面。
更且，第1電極21乃如圖3所示，由垂直於基板10之方向視之，與資料線13之第1資料線部131重合。電源線15乃與第1資料線部131重合之後，如圖3或圖7所示，於第1電極21與第1資料線部131間，介入存在電源線15。根據此構成時，與於第1電極21與第1資料線部131間不介入存在有電源線15之構成比較，可抑制第1電極21與資料線13(第1資料線部131)之電容性之結合。因此，可減低第1電極21及資料線13之一方之電位變化對其他之電位影響，由此可進行各發光元件E之正確控制。
於形成第1電極21之第2絕緣層L2之表面，經由絕緣性材料，形成間隔壁25。間隔壁25乃對應於第1電極21，開口部251形成於各單位元件P之絕緣性之膜體，負責電性絕緣相鄰接之第1電極21的工作(即可各別控制第1電極21之電位之功能)。
發光層23乃被覆形成間隔壁25之第2絕緣層L2之整面地，於複數之單位元件P，連續加以形成。即，發光層23乃置入開口部251之內側，包含接觸於第1電極21之部分(即實際發光之部分)與位於間隔壁25之面上的部分。然而，第1電極21乃於每一發光元件E各別加以形成之故，發光層23即使呈複數之發光元件E之連續，發光層23之光量乃於每一發光元件E，個別加以控制。又，成為促進或有效率化發光層23所成發光之各種機能層(正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻障層、電子阻障層)，做為層積於發光層23之構成亦可。
圖11乃圖3之XI－XI線所視之剖面圖。如圖11所示，於被覆資料線13之第1資料線部131之各要素(第1絕緣層L1、電源線15、第2絕緣層L2)，呈現反映第1資料線部131之膜厚之階差。第1電極21乃於形成如此階差之第2絕緣層L2之表面，形成呈薄膜狀之故，與第1電極21中之資料線13重合之部分乃反映第1資料線部131之形成而成為傾斜面。根據此構成，於圖11箭頭L所示，將從發光層23向與基板10平行之方向之射出光，於傾斜面211加以反射，向與基板10相反側(觀察側)射出。因此，與第1電極21之全域為平坦面之構成(即從發光層23向平行於基板10之方向之放射光，不向觀察側射出之構成)比較，可提各從發光層23之放射光的利用效率。
如圖4所示，第2電極22乃於複數之發光元件E連續加以形成，被覆發光層23與間隔壁25之電極者。因此，間隔壁25乃於各發光元件E之間隙之範圍，電性絕緣各第1電極21與第2電極22。換言之，間隔25乃於第1電極21與第2電極22間，分割流入之電流量之範圍(即，實際發光範圍)。第2電極22乃經由ITO(銦錫氧化物)或IZO(銦鋅氧化物)之光透過性之導電材料而形成。因此，來自發光層23，向與基板10相反側射出之光、和來自發光層23，向與基板10側射出，在第1電極21表面反射之光乃透過第2電極22而射出。即，本實施形態之發光裝置D乃頂發射型者。
然而，光透過性之導電材料多半為阻抗率為高之故，經由此種之材料所形成第2電極22乃成為高阻抗，該面內之電壓下降乃變得明顯。因此，供予各發光元件E之電位則對應於第2電極22之面內之位置而不同，就此結果而言，會有產生發光範圍之光量之不均(亮度或色階之不均)之情形。
為控制此光量之不均，本實施形態中，形成為補助第2電極22之導電性之補助配線27。補助配線27乃經由較第2電極22阻抗率為低之導電材料加以形成，導通至第2電極22之配線。圖3中，補助配線27乃僅就該外形，在方便上以二點虛線加以圖示。圖10乃在圖3之階段之4個單位元件P，在X方向及Y方向加以排列之情形。如圖3及圖10所示，本實施形態之補助配線27乃由基板10垂直視之，鄰接於間隔壁25之表面(開口部251以外之部)中鄰接於Y方向之各單位元件P之間隙範圍，向X方向延伸存在，不與第1電極21重合。更且，補助配線27乃如圖4所示，介入存在於發光層23與第2電極22間，接觸於兩者。根據以上構成時，電流之大部分乃流於低阻抗之補助配線27之故，第2電極22之電壓下降則被抑制。因此，供予各單位元件P之電位則被均化，就此結果而言，可有效抑制起因於電壓下降之各發光元件E之光量的不均。然而，如補助配線27，低阻抗之導電性材料多半乃具有遮光性(或光反射性)，但本實施形態中，不與第1電極21重合地，形成補助配線27之故，不會經由補助配線27之形成，使開口率下降。
又，補助配線27乃不與驅動電晶體Tdr或電容元件C1重合之故，會抑制兩者間之電容結合。因此，可抑制補助配線27與驅動電晶體Tdr或電容元件C1之一方之電位變化對其他之電位影響，就結果而言，可高精度地控制發光元件E之亮度。另一方面，由垂直於基板10之方向視之，補助配線27乃如圖3或圖10所示，與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint重合。但是，本實施形態；中，於補助配線27與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint(更且為選擇線11或啟始化線12)間，介入存在間隔壁25之故，跟在於兩者間未介入存在之構成比較，可抑制補助配線27與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint之電容性結合。因此，根據本實施形態時，補助配線27則雖為選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint之重合構成，仍可抑制選擇信號Sa或啟始化信號Sb之鈍化，可使選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint高速動作。然而，於以上之中，例示了補助配線27介入存在於發光層23與第2電極22間之構成，但補助配線27可形成於第2電極表面(與發光層23相反側之表面)。
<B：第2實施例形態>
接著，說明關於本發明之第2實施形態之單位元件P之具體構造。然；而，本實施形態之發光裝置發光裝置D之電性構成乃與第1實施形態(圖1及圖2)相同。於以下所示各形態中，對於與1實施形態共通之要素，則附上共通之符號，適切省略其詳細說明。
圖12乃顯示本實施形態之單位元件P之構成的平面圖，圖13至圖15乃顯示形成圖12之單位元件P之各階段之基板10之面上情形的平面圖。如圖13所示，於基板10之面上，半導體層32與半導體層42與半導體層45基板則經由半導體材料，由同層加以形成。半導體層32乃構成驅動電晶體Tdr之略矩形狀之部分。半導體層42乃由半導體層32視之，形成於Y方向之正側的部分，包含略矩形狀之電極E2、和從電極E2之左下部向X方向延伸存在之元件部421。元件部421乃做為選擇電晶體Tsl之半導體層加以工作之部分。半導體層45乃構成啟始化電晶體Tint之部分，挾持半導體層，在與半導體層32相反側之範圍，延伸存在於X方向。
於被覆以上之各要素之閘極絕緣層L0之面狀，如圖14所示，第1資料線部131與選擇線11及啟始化線12與中間導電體52與中繼配線部171，則由同層加以形成。第1資料線131乃與第1實施形態同樣地，構成資料線13之部分，由中間導電體52視之，在X方向之正側範圍，延伸存在於Y方向。
啟始化線12乃具有從延伸存在於X方向之部分，分支至Y方向之負側，重合於半導體層45的第1閘極電極121與第2閘極電極122。與半導體層45中之各個第1閘極電極121及第2閘極電極122重合之；8六1，為啟始化電晶體Tint之通道範圍。同樣地，選擇線11乃具有從延伸存在於X方向之部分，分支至Y方向之負側，重合於半導體層42的元件部421之第1閘極電極111與第2閘極電極122。第1閘極電極111與第2閘極電極112乃空出間隔，鄰接於X方向。元件部421中，挾持閘極絕緣層L0，各與第1閘極電極111及第2閘極電極112重合之部分，為選擇電晶體Tsl之通道範圍。如以上所述，本實施形態之選擇電晶體Tsl及啟始化電晶體Tint乃雙閘極構造之電晶體。
中間導電體52乃包含對向於電極E2，構成電容元件C1之電極E1、和從電極E1之左上部向Y方向之負側延伸存在之連結部525、和從此連結部525向X方向之正側延伸存在，與半導體層32重合之閘極電極521、和電極E1中從X方向之略中央向Y方向之正側突出的連接部523。閘極電極521乃在半導體層32之X方向之全尺寸，與半導體層32重合地，延伸存在於X方向。如圖14所示，半導體層32中，挾持閘極絕緣層L0，對向於閘極電極521之範圍為驅動電晶體Tdr之通道範圍32c。又，挾持通道範圍32c，電極E1側之範圍為源極範圍32s，該相反側之範圍為汲極範圍32d。
第1中繼配線部171乃構成為電性連接啟始化電晶體Tint與驅動電晶體Tdr之汲極範圍32d之配線(以下稱中繼配線)的部分，由中間導電體52視之，在X方向之負側範圍，延伸存在於Y方向。即，本實施形態之中間導電體52乃配置於第1資料線部131與第1中繼配線部171之間隙。
於被覆以上之各要素之第1絕緣層L1之面上，如圖15所示，於第1絕緣層L1之面上，第2資料線部132與連接部52與第2中繼配線部172與導通部72與電源線15，則由同層加以形成。
第2資料線部132乃與第1實施形態相同，伴隨第1資料線部131，構成資料線13之配線者。即，第2資料線部132乃，藉由連接孔Ha1，從導通至第1資料線部131之圖緹面之上方之端部131a的端部132a，延伸存在於Y方向，而到達端部132b。端部132b乃藉由連接孔Hb2，導通至第1資料線部131峙圖緹面之下方的端部131b(參照圖14)。又，本實施形態之第2資料線部132乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Ha3，導通至元件部421。即，資料線13與選擇電晶體Tsl乃藉由連接孔Hb3電性連接。
如圖14及圖15所示，連接部62乃重合於中間導電體52之連接部523與半導體層45之X方向的正側之端部451地，延伸存在於Y方向。連接部62乃藉由貫通第1絕緣層L1之連接孔Hb4，導通至連接部523(電極E1或閘極電極521)的同時，藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Hb5，導通至半導體層45之端部451。即，電容元件C1之電極E1(更且為驅動電晶體Tdr之閘極電極52)與啟始化電晶體Tint乃藉由連接部62，電性加以連接。
導通部72乃藉由貫通第1絕緣層1之連接孔Hb6，導通至第1中繼配線部171。此導通部72乃與第1實施形態之導通部72相同，電性連接驅動電晶體Tdr之汲極電極和發光元件E之第1電極21的部分。與在第1絕緣層L1中，與汲極範圍32d重合之範圍中，形成貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之複數(在此為2個)之連接孔Ha7。此等之連接孔Ha7乃排列於閘極電極521所延伸存在之X方向(即驅動電晶體Tdr之通道寬度方向)。導通部72乃藉由各連接孔Ha7，導通至汲極範圍32d。
第2中繼配線部172乃如圖14及圖15所示，重合於半導體層45之X方向的負側之端部452與第1中繼配線部171地，延伸存在於Y方向之配線。此第2中繼配線部172乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Hb8，導通至端部452的同時，藉由貫通第1絕緣層L1之連接孔Hb9，導通至第1中繼配線部171。如以上所述，啟始化電晶體Tint與驅動電晶體Tdr之汲極範圍32d(更且為導通部72)乃藉由第1中繼配線部171與第2中繼配線部172所構成中繼配線17，電性加以連接。
圖16乃顯示圖15之階段之4個單位元件P加以排列之情形的平面圖。如圖15及圖16所示，在第1絕緣層L1中，與半導體層32之源極範圍32s(參照圖14)重合之範圍，形成貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之複數(在此為3個)之連接孔Hb10。此等之連接孔Ha10乃排列於閘極電極521所延伸存在之X方向。電源線15乃藉由各連接孔Ha10，導通至源極範圍32s。
本實施形態之電源線15乃在於複數之單位元件P，延伸存在於X方向之第1部分151、和於複數之單位元件P，延伸存在於Y方向之之第2部分152所交叉之形狀(格子狀)之配線。第1部分151乃通過各第2資料線部132之間隙範圍、和第2中繼配線部172及導通部72(部分172)之間隙範圍地，延伸存在於X方向。因此，如圖15或圖16所示，由垂直於基板10之方向視之，第1部分151乃重合於第1資料線部131與第1中繼配線部171與電容元件C1。又，第1部分152乃通過導通部72(部分722)及第2資料線部132之間隙範圍、和連接部62及第2中資料線部132之間隙範圍地，延伸存在於Y方向。另一方面，如圖15或圖16所示，電源線15乃不重合於選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint。
圖12之第1電極21乃形成於被覆以上要素之第2絕緣層L2之面上，藉由連接孔Hb11，電性連接於導通部72(更且為驅動電晶體Tdr之汲極範圍32d)。圖17乃顯示圖12之階段之4個單位元件P加以排列之情形的平面圖。圖12及圖17所示，第1電極21乃重合於驅動電晶體Tdr或電容元件C1及資料線13(第1資料線部131)地加以形成。根據此構成時，於第1電極21與驅動電晶體Tdr或電容元件C1間，以及於第1電極21與資料線13之第1資料線部131間，介入存在電源線。因此，於本實施形態中，與第1實施形態，可抑制第1電極21與各要素之電容性結合。
又，如圖12所示，由垂直於基板10之方向視之，本實施形態之第1電極21乃不重合於選擇電晶體Tsl箕啟始化電晶體Tint(更且為選擇線11或啟始化線12)。另一方面，如圖12及圖17所示，補助配線27乃形成於第2絕緣層12之面上之間隔壁25的表面中，形成在各第1電極21之間隙範圍，重合選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint(更且為選擇線11或啟始化線12)地，延伸存在於X方向。於補助配線27與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint間，介入存在間隔壁25之故，與第1實施形態同樣，可抑制補助配線27與選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint之電容性結合。然而，第2電極22之形態乃與第1實施形態相同。
然而，僅由電源線15或第1電極21之低阻抗化或開口率的提升之觀點視之，不僅是驅動電晶體Tdr或電容元件C1，亦重合於選擇電晶體Tsl或選擇電晶體Tint地，形成電源線15或第1電極21之構成(以下稱「對比例」)亦被採用。但是，於此對比例中，選擇電晶體Tsl或選擇線11則與電源線15及第1電極21電容性結合(即於兩者間寄生電容)，會有產生起因於此電容之選擇信號Sa波形的鈍化之情形。同樣地，附帶於啟始化電晶體Tint或啟始化線12與電源線15及第1電極21之間之電容乃會成為啟始化信號Sb之波形鈍化的原因。因此，於對比例中，例如選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint之開關會有延遲的問題。
相較之下，於本實施形態中，不與選擇電晶體Tsl或選擇線11及啟始化電晶體Tint或啟始化線12重合地，形成電源線15或第1電極之故，寄生於電源線15或第1電極21和其他要素間的電容，乃與對比例比較，有所減低。因此，根據本實施形態時，可抑制選擇信號Sa或啟始化信號Sb之波形的鈍化，可使選擇電晶體Tsl或啟始化電晶體Tint高速動作。
<C：第3實施例形態>
接著，說明關於本發明之第3實施形態之發光裝置D之具體構造。於以上之各形態；中，例示了所有之單位元件P以相同之形態，排列於基板10之面上的構成。對此，於本實施形態中，一個之單位元件P之形態(布局)與鄰接此之單位元件P之形態則有所不同。然而，本實施形態之一個單位元件P之構成乃與第2實施形態相同。因此，對於各單位元件P之具體構造。，適切地省略其說明。
圖18乃顯示在閘極絕緣層L0之面上，在形成第1資料線部121或選擇線11或啟始化線12的階段之9個單位元件P在X方向及Y方向加以排列之情形的平面圖。然而，於圖18及後述圖19或圖20中，圖示屬於從第(i－1)行至第(i＋1)行之各行的3列分之單位元件P。第i行乃奇數行，第(i－1)行及第(i＋1)行乃偶數行。如同圖所示，於本實施形態中，於奇數行(第i行)之各單位元件和偶數行(第i－1行)及(第i＋1行)之各單位元件P中，成為反轉構成各個之各要素之Y方向之配置的構成。
於偶數行(第i－1)行及第(i＋1)行之各單元件P，由驅動電晶體Tdr(更且為位於Y方向之正側之電容元件C1)視之，於Y方向之正側之範圍，配置選擇電晶體Tsl與選擇線11，更且由選擇線11視之，於Y方向之正側之範圍，配置啟始化電晶體Tint與啟始化線12。對此，於奇數行(第i)行之各單元件P中，由驅動電晶體Tdr(更且為位於Y方向之負側之電容元件C1)視之，於Y方向之負側之範圍，配置選擇電晶體Tsl與選擇線11，更且由選擇線11視之，於Y方向之負側之範圍，配置啟始化電晶體Tint與啟始化線12。因此，如圖18所示，在偶數行(第(i－1)行)之各單位元件P與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)之各單位元件P之間隙，對於介入存在對應於各個之2組之選擇線11及啟始化線12而言，於奇數行(第i行)之各單位元件P與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第(i＋1)行)之各單位元件P之間隙，皆不存選擇線11及啟始化線12。
由資料線13中之選擇線11或啟始化線12同層所形成第1資料線部131乃如圖18所示，在奇數行(第i行)之各單位元件P與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第i＋1行)之各單位元件P，呈直線狀連續地加以形成。換言之，各第1資料線部131乃將偶數行(第(i－1)行之選擇線11及啟始化線12與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)之選擇線11及啟始化線12，挾於Y方向呈分割之形狀。
接著，圖19乃顯示在第1絕緣層L1之面上，各要素(第2資料線部132或電源線15)所形成階段之某個單位元件P排列之情形的平面圖。如同圖所示，第2資料線部132乃與偶數行(第(i－1)行及位於該Y方向之正側的奇數行(第i行)之各行之選擇線11及啟始化線12交叉而形成，經由相互連結鄰接於Y方向之各第1資料線131，構成資料線13。如圖19所示，第2資料線部132乃鄰接於由與此同層所形成之電源線15之第2部分152，延伸存在於Y方向。
另一方面，第1資料線部131乃在於奇數行(第i行)與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第i＋1)行為連續之故，於此各行之間隙，不形成第2資料線部13。在此，於本實施形態中，僅就未形成第2資料線132之部分，電源線15之第2部分152則成為寬廣者。即，奇數行(第i行)與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第(i＋1)行)所延伸存在之第2部分152之寬度尺寸Wa，乃較偶數行(第i－1行)與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)所延伸存在之第2部分152之寬度尺寸Wb為大(Wa>Wb)。
圖20乃顯示在第2絕緣層L2之面上，各要素(第1電極.21或補助配線27)所形成之情形的平面圖。如同圖所示，形成於間隔壁25之面上之補助配線27乃於偶數行(第(i－1)行之各第1電極21與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)之各第1電極21之間隙，延伸存在於X方向，與選擇線11及啟始化線12重合。另一方面，奇數行(第i行)之各第1電極21與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第i＋1)行之各第1電極21乃相互接近而配置，於兩者之間隙，不形成補助配線27。即，於第2實施形態中，例示了在於每一單位元件P之1行，形成1條補助配線27之構成，於本實施形態中，於每一單位元件P之2行，形成1條之補助配線27。
如以上所說明，根據本實施形態時，將導通第1資料線部131與第2資料線部132之處所(連接孔Hb1、Hb2)之總數，與第2實施形態比較。,可減少約一半。因此，有減低資料線13之斷線(第1資料線部131與第2資料線132之導通不良)之可能性。又，於不需要第2資料線部13之處所，電源線15之第2部分152之線寬會擴大之故，與第2實施形態比較，可低阻抗化電源線15。更且，補助配線27乃與2行分之選擇線11及啟始化線12重合地，呈現寬資地加以形成之故，要求於補助配線27之尺寸上之精度則較第2實施形態為低。因此，可經由藉由光罩之蒸著等之低價技術，容易形成補助配線27。
<D：第4實施形態>
<D－1：發光裝置之電性構成>接著，對於關於本發明之第4實施形態之發光裝置加以說明。圖21乃顯示本實施形態之一個單位元件P之電性構成的電路圖。如圖同圖所示，於此單位元件P，未形成以上各形態之電容元件C1或啟始化電晶體Tint(啟始化線12)，驅動電晶體Tdr之閘極電極與資料線13之電性連接則經由選擇電晶體Tsl加以控制。又，驅動電晶體Tdr之閘極電極與源極電極(電源線15)間，介入存在電容元件C2。
於此構成中，選擇電晶體Tsl則變化為開啟狀態時，對應於指定在發光元件E之色階的資料電位Vdata，則從信號線13經由選擇電晶體Tsl，供給至驅動電晶體Tdr之閘極電極。於此時，於電容元件C2中，蓄積對應於資料電位Vdata之電荷之故，選擇電晶體Tsl變化呈關閉狀態時，驅動電晶體Tdr之閘極電極仍維持於資料電位Vdata。因此，於發光元件E中，持續供給對應於驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg的電流(即對應於資料電位Vdata之電流)。經由此電流之供給，發光元件E乃以對應於資料電位Vdata之亮度而發光。
<D－2：單位元件P之構造>接著，說明本實施形態之單位元件P之具體構造。圖22乃顯示一個單位元件P之構成的平面圖，圖23至圖25乃顯示形成單位元件P之各階段之基板10之面上情形的平面圖。然而，於圖23至圖25中，圖22所示之第1電極21所形成之範圍A則經由二點虛線加以一併記入。
如圖23所示，於基板10之面上，半導體層34與半導體層44則經由半導體材料，由同層加以形成。半導體層34乃構成驅動電晶體Tdr或電容元件C2之略矩形狀之部分。半導體層44乃由半導體層34視之，於Y方向之正側範圍，延伸存在於X方向。
如圖24所示，於被覆半導體層34與半導體層44之閘極絕緣層L0之面上，選擇線11和第1資料線131和中間導電體54則由同層加以形成。選擇線11乃具有從延伸存在於X方向之部分，分支至Y方向之負側，重合於半導體層44的2個閘極電極114。各閘極電極114與半導體層44則挾持閘極絕緣層L0而對向之部分，則做為雙閘極構敁之選擇電晶體Tsl加以工作。第1資料線131乃構成圖21之資料線13之部分，於各行之選擇線11之間隙範圍(由中間導電體11視之，在X方向之負側範圍)，延伸存在於Y方向。
中間導電體54乃包含略矩形狀之電極部F、和由電極部F之左上部延伸存在於Y方向之負側之連結部545、和由此連結部545延伸存在於X方向之正側，與半導體層34重合之閘極電極541。電極部F與與半導體層34則挾持閘極絕緣層L0而對向之部分，做為電容元件C2加以工作。又，半導體層34中，挾持閘極絕緣層L0，對向於閘極電極541之範圍為驅動電晶體Tdr之通道範圍34c。又，挾持半導體層34中之通道範圍34c，電極部F側之範圍為源極範圍34s，該相反側之範圍為汲極範圍34d。
於被覆以上之各要素之第1絕緣層L1之面上，如圖25所示，第2資料線部132與連接部64與導通部74與電源線15則由同層加以形成。第2資料線132乃伴隨第1資料線131，構成資料線13之配線，藉由連接孔Hc1，導通於第12資料線131之同時，於該Y方向之負側之鄰接行之第1資料線線部131，藉由連接孔Hc2加以導通。又，第2資料線部132乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Hc3，導通至半導體層44。
連接部64乃電性連接選擇電晶體Tsl與電容元件C2之部分。即，連接部64乃藉由貫通第1絕緣層L1之連接孔Hc4，導通至中間導電體54之電極部F的同時，藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之連接孔Hc5，導通至半導體層44。又，導通部74乃電性連接驅動電晶體Tdr與發光元件E之部分，藉由沿閘極電極541排列於X方向之複數之連接孔Hc6，導通示半導體層34之汲極範圍34d。
圖26乃顯示圖25之階段之4個單位元件P加以排列之情形的平面圖。如圖25及圖26所示，本實施形態之電源線15乃於鄰接於Y方向之各資料線部132之間隙範圍，延伸存在於X方向。電源線15乃藉由貫通第1絕緣層L1與閘極絕緣層L0之複數之連接孔Hca7，導通至半導體層34之源極範圍34s。
圖22之第1電極21乃形成於被覆以上要素之第2絕緣層L2之面上，藉由連接孔Hc8，導通至導通部74。圖27乃顯示圖22之階段之4個單位元件P加以排列之情形的平面圖。圖22及圖27所示，第1電極21乃與驅動電晶體Tdr或電容元件C1及資料線13重合地加以形成。根據此構成時，於第1電極與21與驅動電晶體Tdr或資料線13間，介入存在有電源線15之故，與第1實施形態相同，可抑制第1電極21與各要素之電容性之結合。又，第1電極21乃未重合於選擇電晶體Tsl之故，可抑制第1電極與選擇電晶體Tsl之電容性的結合。連接孔Hc1、Hc8、Hc6乃於X方向呈直線狀排列。又，連接孔Hc2、Hc4乃於X方向呈直線狀排列。又，構成選擇電晶體Tsl之半導體層44乃延伸存在於X方向。因此，可將電源線15向X方向寬廣地延伸存在。
另一方面，如圖22及圖27所示，補助配線27乃形成於第2絕緣層12之面上之間隔壁25的表面中，形成在各第1電極21之間隙範圍，重合選擇電晶體Tsl或選擇線11地，延伸存在於X方向。如此，於補助配線27與選擇電晶體Tsl間，介入存在間隔壁25之故，與第1實施形態同樣，可抑制補助配線27與選擇電晶體Tsl之電容性結合。然而，第2電極22之形態乃與第1實施形態相同。
<E：第5實施例形態>
接著，對於本發明之第5實施形態加以說明。於本實施形態中，一個之單位元件P之形態(布局)與鄰接該X方向及Y方向之各單位元件P之形態則有所不同。各單位元件P之構造乃與第4實施形態相同。因此，對於各單位元件P之具體構造。，適切地省略其說明。
圖28乃顯示第1資料線部131和選擇線11和中間導電體54由同層形成之階段之複數單位元件P在X方向及Y方向加以排列之情形的平面圖。同圖之第i行乃奇數行，第(i－1)行及第(i＋1)行乃偶數行。
於圖28之構成中，與第3實施形態相同，成為構成複數之單位元件P之各要素之Y方向之配置，在奇數行(第i行)與偶數行(第(i－1)行及第(i＋1)行)加以反轉之佈局。即，屬於奇數行(第i行)之單位元件P中，由驅動電晶體Tdr視之，配置選擇於Y方向之正側之驅動電晶體Tsl及選擇線11。對此，屬於偶數行(第(i－1)行及第(i＋1)行)之各單位元件P中，由驅動電晶體Tdr視之，配置選擇於Y方向之負側之驅動電晶體Tsl及選擇線11。然後，第1資料線部131乃在於偶數行(第(i－1)行)之單位元件P與位於該Y方向之正側之奇數行(第i)行之單位元件P，形成呈連續之形狀。
更且，於本實施形態中，構成單位元件P之各要素之X方向之配置，在第j刊與鄰接於該X方向之第(j＋1)列呈反轉之佈局。即，屬於第j列之各單位元件P中，由驅動電晶體Tdr或電容元件C2視之，於X方向之正側，對於配置第1資料線部131而言，屬於第(j＋1)列之各單位元件P中，由驅動電晶體Tdr或電容元件C2視之，於X方向之負側，配置第1資料線部131。因此，於第j列之第1資料線部131與第(j＋1)列之第1資料線部131之間隙，不存在驅動電晶體Tdr或電容元件C2。
接著，圖29乃顯示在第1絕緣層L1之面上，各要素(第2資料線部132或電源線15)所形成之情形的平面圖。如同圖所示，第2資料線部131乃交叉於奇數行(第i行)之選擇線11與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第i＋1)行之選擇線11。另一方面，於偶數行(第(i－1)行)與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)之間隙，不形成第2資料線132。
然後，本實施形態之電源線15乃與各單位元件P之電容元件C2重合地，除了延伸存在於X方向之部分，包含相互連結此等之各部分之連結部153。連結部153乃在於偶數行(第(i－1)行)與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行之間隙中，形成於與第j列與第(j＋1)列之各第1資料線131重合之範圍(即，未形成第2資料線部13之範圍)。根據如此本實施形態時，與第4實施形態比較，就連結部153之部分，擴大了電源線15之面積之故，使電源線15低阻抗化，抑制各單位元件P之電源電位Vdd之不均。
圖30乃顯示在第2絕緣層L2之面上，各要素(第1電極21或補助配線27)所形成之情形的平面圖。如同圖所示，形成於間隔壁25之面上之補助配線27乃於奇數行(第i行之第1電極21與鄰接於該Y方向之正側之偶數行(第(i＋1)行)之第1電極21之間隙，延伸存在於X方向，與屬於此等之各行之選擇線11及選擇電晶體Tsl重合。另一方面，於偶數行(第(i－1)行)與鄰接於該Y方向之正側之奇數行(第i行)之間隙(即未形成選擇線11或選擇電晶體Tsl之範圍)，不形成補助配線27。經由本實施形態，亦可發揮與第3實施形態相同的作用及效果。
<F：變形例>
於以上之形態中，可附加種種之變形。以下例示具體之變形之形態。然而，將以下之各形態，適切地加以組合亦可。
<F－1：變形例1>可適切變更以上各形態之單位元件P之電性構成。適於本發明之單位元件P之具體構造，例示如下。
(1)如圖31所示，於驅動電晶體Tdr與發光元件E間，成為介入存在電晶體(以下稱「發光控制電晶體」)Tcnt之構成亦可。此發光控制電晶體Tcnt乃將驅動電晶體Tdr之汲極電極與發光元件E之第1電極21之電性連接，對應於供予發光控制線14之發光控制信號Sc加以控制的開關元件。發光控制電晶體Tcnt變化為開啟狀態時，從電源線15向發光元件E之電流唁徑則被形成，允許發光元件E之發光，發光控制電晶體Tcnt變化為關閉狀態時，此路徑被遮蔽，禁止發光元件E之發光。因此，根據此構成時，僅除了啟始化期間或寫入期間的驅動期間中，令發光控制電晶體Tcnt做為開啟狀態而使發光元件E發光，而可正確規定發光元件E實際之發光時間。然而，對於圖21所例示構成之單位元件P而言，可追加發光控制電晶體Tcnt。
對於以上之構成之發光控制電晶體Tcnt或發光控制線14，亦採用與於以上之各形態所例示之選擇電晶體Tsl或選擇線11(或啟始化電晶體Tint或啟始化線12)同樣之形態。
(2)如圖32所示，於圖2例示之單位元件P，於驅動電晶體Tdr之閘極電極與源極電極(電源線15)間，成為介入插入電容元件C2之構成亦可。根據此構成時，有將在於寫入期間設定之驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg，於驅動期間，在電容元件C2加以保持之優點。當然，驅動電晶體Tdr之閘極電極之面積(通道範圍之面積)被充分確保之構成中，經由此驅動電晶體Tdr之閘極電容，保持閘極電位Vg。因此，即使從第1實施形態至第3實施形態，未配置電容元件C2之構成中，於驅動期間仍可保持閘極電位Vg。
如以上所述，連接於驅動電晶體Tdr之閘極電極之電容元件乃經由電容藕合，為設定驅動電晶體Tdr之閘極電位Vg之電容元件C1亦可，為保持驅動電晶體Tdr之閘極電極之電位的電容元件C2亦可。
<F－1：變形例2>於以上之形態，例示了第1電極21經由光反射性之材料所形成之構成，但亦可為從發光層23向基板10側之射出光，經由與第1電極21呈各別之反射層，反射至與基板10相反之側的構成。於此構成中，經由光反射性之材料，於第1絕緣層L1之面上，形成反射層，被覆該反射層地，形成第1電極21。第1電極21乃經由ITO或IZO等光透過性之導電材料加以形成。又，於以上之形態，例示了第2電極22經由光光透過性之材料所形成之構成，但亦可將具有遮光性或光反射性之導電性材料，形成充光分為薄之電極為第2電極的構成，透過從發光層23之放射光。
當然，從發光層23之射出光透過基板10射出的底發射型之發光裝置，亦適用本發明。於此構成中，例如經由光反射性之材料，形成第2電極22的同時，經由光透過性之導電性材料，形成第1電極21。然後，來自發光層23，向基板10側射出之光、和來自發光層23，向與基板10相反側射出，在第2電極22之表面反射之光乃透過第1電極21或基板10加以射出。
<F－3：變形例3>於以上構成中，例示了在於複數之單位元件P呈連續地，形成發光層23之構成，但亦可採用發光層23於每單位元件P加以分離之構成(例如發光層23僅形成於間隔壁25之開口部之內側的構成)。又，間隔壁25乃適切省略。
<F－4：變形例4>以上之各形態中，例示了至少包含由有機EL材料所成發光層23之發光元件E，但本發明之發光元件非限定於此。例如，可採用至少包含無機EL材料所成發光層之發光元件或LED(發光二極體)元件等之各種發光元件。本發明之發光元件乃只要滿足經由電能之供給(典型而言為電流之供給)而發光之元件，該具體構造或材料則皆可。
<G：應用例>接著，對於利用關於本發明之發光裝置之電子機器之具體形態加以說明。圖33乃顯示將關於以上說明之任一形態之發光裝置D，做為顯示裝置採用之可攜型之個人電腦之構成的斜視圖。個人電腦2000乃具備做為顯示裝置之發光裝置D和本體部2010。本體部2010中，設置電源開關2001及鍵盤2002。此發光裝置D乃將有機EL材料之發光層23使用於發光元件E之故，可顯示視角廣且易於觀賞之畫面。
於圖34中，顯示適用關於各形態之發光裝置D之手機之構成。手機3000乃具備複數之操作鈕3001及捲動鈕3002、以及做為顯示裝置之發光裝置D。經由操作捲動鈕3002，示於發光裝置D之畫面則被捲動。
於圖35中，顯示適用關於各形態之發光裝置D之攜帶資訊終端(PDA：數位個人助理)之構成。資訊攜帶終端4000乃具備複數之操作鈕4001及電源開關4002、以及做為顯示裝置之發光裝置D。操作電源開關4002時，地址或計畫本之各種資訊則示於發光裝置D。
然而，做為適用關於本發明之發光裝置之電子機器，除了圖33至圖35所示者之外，可列舉數位相機、電視、攝錄放影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子筆記本、電子紙、電算機、文字處理機、工作站、電視電話、POS終端、印表機、掃描器、錄放影機、具備觸控面板之機器等。又，關於本發明之發光裝置之用途乃不限定於畫像之顯示。例如於光寫入型之印表機或電子影印機之畫像形成裝置中，雖使用曝光對應於欲形成在用紙等之記錄材之畫像之感光體之寫入光學頭，做為此種之寫入光學頭亦可利用本發明之發光裝置。
D．．．發光裝置
P．．．單位元件
E．．．發光元件
10．．．基板
11．．．選擇線
12．．．啟始化線
13．．．資料線
14．．．發光控制線
15．．．電源線
21．．．第1電極
22．．．第2電極
23．．．發光層
Tdr．．．驅動電晶體
Tsl．．．選擇電晶體
Tint．．．啟始化電晶體
Tcnt．．．發光控制電晶體
C1、C2．．．電容元件
E1、E2．．．電極
L0．．．閘極絕緣層
L1．．．第1絕緣層
L2．．．第2絕緣層
[圖1]顯示第1實施形態之發光裝置之複數單位元件之排列的方塊圖。
[圖2]顯示各單位元件之電性構成的電路圖。
[圖3]顯示第1實施形態之單位元件之構成的平面圖。
[圖4]圖3之IV－IV線所視之剖面圖。
[圖5]顯示閘極絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖6]顯示第1絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖7]顯示第2絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖8]顯示第1絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖9]顯示第2絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖10]顯示第2電極所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖11]圖3之XI－XI線所視之剖面圖。
[圖12]顯示第2實施形態之單位元件之構成的平面圖。
[圖13]顯示閘極絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖14]顯示第1絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖15]顯示第2絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖16]顯示第2絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖17]顯示第2電極所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖18]顯示第3實施形態中，第1絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖19]顯示第2絕緣層所形成之階段之單位元件之平面圖。
[圖20]顯示第2電極所形成之階段之單位元件之平面圖。
[圖21]顯示第4實施形態之各單位元件之電性構成的電路圖。
[圖22]顯示一個單位元件之構成的平面圖。
[圖23]顯示閘極絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖24]顯示第1絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖25]顯示第2絕緣層所形成之階段之平面圖。
[圖26]顯示第2絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖27]顯示第2電極所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖28]顯示第5實施形態中，第1絕緣層所形成之階段之某複數之單位元件之平面圖。
[圖29]顯示第2絕緣層所形成之階段之複數之單位元件之平面圖。
[圖30]顯示第2電極所形成之階段之複數之單位元件之平面圖。
[圖31]顯示關於變形例之單位元件之構成的電路圖。
[圖32]顯示關於變形例之單位元件之構成的電路圖。
[圖33]顯示關於本發明之電子機器之具體例之個人電腦之斜視圖。
[圖34]顯示關於本發明之電子機器之具體例之手機之斜視圖。
[圖35]顯示關於本發明之電子機器之具體例之攜帶資訊機器之斜視圖。
11．．．選擇線
12．．．啟始化線
13．．．資料線
15．．．電源線
21．．．第1電極
251(25)．．．開口部
27．．．補助配線
61．．．連接部61
71．．．導通部
Ha8．．．連接孔

Claims (6)

  1. 一種發光裝置，其特徵乃具備供給特定之電位的供電線、和於第1電極與第2電極間，介入存在發光層的發光元件、和控制從前述供電線供予前述發光元件之電流量的驅動電晶體、和供給資料信號之資料線；前述供電線乃包含介入存在於前述第1電極與前述驅動電晶體間的部分；前述第1電極係設於每一單位元件；平面視之，前述供電線係包含前述驅動電晶體之閘極電極、和與前述第1電極重疊之部分、和前述資料線與前述第1電極重疊之部分；與前述資料線交叉者。
  2. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，更具備電性連接於前述驅動電晶體之閘極電極之電容元件，前述第1電極乃與前述電容元件重合者。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，更具備供給資料信號之資料線，前述驅動電晶體乃令前述電流量對應前述資料信號加以控制，前述供電線乃包含介入存在於前述第1電極與前述資料線間的部分。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，具備 供給資料信號之資料線，前述第1電極乃形成於被覆前述資料線之絕緣層面上的光反射性之電極，前述第1電極之外周緣乃與前述資料線重合。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，具備對應於選擇信號，成為開啟狀態或關閉狀態之選擇電晶體，前述驅動電晶體之閘極電極乃藉由成為開啟狀態之前述選擇電晶體，設定成對應於從資料線供給之資料信號的電位，前述第1電極乃與前述選擇電晶體不重合而形成者。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光裝置，其中，具備對應於啟始化信號，成為開啟狀態或關閉狀態之啟始化電晶體，前述驅動電晶體之閘極電極與汲極乃藉由成為開啟狀態之前述啟始化電晶體而電性連接，前述第1電極乃與前述啟始化電晶體不重合而形成者。
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