JP2002341790A - 表示画素回路 - Google Patents
表示画素回路Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】開口率を低下させること無くクロストークを低
減する。 【解決手段】表示画素回路は第１および第２電源線と、
有機ＥＬ素子１６と、第１および第２電源線間で有機Ｅ
Ｌ素子１６と直列に接続され有機ＥＬ素子１６に駆動電
流を供給する駆動トランジスタと、この駆動トランジス
タを制御する駆動制御回路とを備える。特に、駆動制御
回路は映像信号を供給する信号線１２、信号線１２上の
映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート電極Ｇに選
択的に印加する画素スイッチ、駆動トランジスタのゲー
ト電極Ｇに印加される映像信号の電圧を保持し画素スイ
ッチが非導通である間に映像信号の電圧をゲート電極Ｇ
に印加するキャパシタ、および駆動トランジスタのゲー
ト電極Ｇおよび信号線１２に絶縁膜を介して重なるよう
に形成され画素スイッチ１３が非導通であるときに電位
変化しない配線層ＰＬを含む。
減する。 【解決手段】表示画素回路は第１および第２電源線と、
有機ＥＬ素子１６と、第１および第２電源線間で有機Ｅ
Ｌ素子１６と直列に接続され有機ＥＬ素子１６に駆動電
流を供給する駆動トランジスタと、この駆動トランジス
タを制御する駆動制御回路とを備える。特に、駆動制御
回路は映像信号を供給する信号線１２、信号線１２上の
映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート電極Ｇに選
択的に印加する画素スイッチ、駆動トランジスタのゲー
ト電極Ｇに印加される映像信号の電圧を保持し画素スイ
ッチが非導通である間に映像信号の電圧をゲート電極Ｇ
に印加するキャパシタ、および駆動トランジスタのゲー
ト電極Ｇおよび信号線１２に絶縁膜を介して重なるよう
に形成され画素スイッチ１３が非導通であるときに電位
変化しない配線層ＰＬを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば携帯用情報機
器の表示装置に関し、特に有機ＥＬ(Electro Luminesce
nce)素子のような発光素子を用いて表示装置の表示画素
を構成する表示画素回路に関する。
器の表示装置に関し、特に有機ＥＬ(Electro Luminesce
nce)素子のような発光素子を用いて表示装置の表示画素
を構成する表示画素回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、有機ＥＬ表示装置が軽量、薄
型、高輝度という特徴を持つことから携帯電話のような
携帯用情報機器のモニタディスプレイとして注目されて
いる。典型的な有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配
列される複数の表示画素により画像を表示するように構
成される。この有機ＥＬ表示装置では、複数の走査線が
これら表示画素の行に沿って配置され、複数の信号線が
これら表示画素の列に沿って配置され、複数の画素スイ
ッチがこれら走査線および信号線の交差位置近傍に配置
される。各表示画素は有機ＥＬ素子、一対の電源線間で
この有機ＥＬ素子に直列に接続される駆動トランジス
タ、およびこの駆動トランジスタのゲート電圧を保持す
るキャパシタにより構成される。各画素スイッチは対応
走査線から供給される走査信号に応答して導通し、対応
信号線から供給される映像信号の階調電圧を駆動トラン
ジスタのゲートに印加する。駆動トランジスタはこの階
調電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給する。
型、高輝度という特徴を持つことから携帯電話のような
携帯用情報機器のモニタディスプレイとして注目されて
いる。典型的な有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配
列される複数の表示画素により画像を表示するように構
成される。この有機ＥＬ表示装置では、複数の走査線が
これら表示画素の行に沿って配置され、複数の信号線が
これら表示画素の列に沿って配置され、複数の画素スイ
ッチがこれら走査線および信号線の交差位置近傍に配置
される。各表示画素は有機ＥＬ素子、一対の電源線間で
この有機ＥＬ素子に直列に接続される駆動トランジス
タ、およびこの駆動トランジスタのゲート電圧を保持す
るキャパシタにより構成される。各画素スイッチは対応
走査線から供給される走査信号に応答して導通し、対応
信号線から供給される映像信号の階調電圧を駆動トラン
ジスタのゲートに印加する。駆動トランジスタはこの階
調電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給する。
【０００３】有機ＥＬ素子は赤、緑、または青の蛍光性
有機化合物を含む薄膜である発光層をカソード電極およ
びアノード電極間に挟持した構造を有し、発光層に電子
および正孔を注入しこれらを再結合させることにより励
起子を生成させ、この励起子の失活時に生じる光放出に
より発光する。アノード電極はＩＴＯ等で構成される透
明電極であり、カソード電極はアルミニウム等の金属で
構成される反射電極である。この構成により、有機ＥＬ
素子は１０Ｖ以下の印加電圧で１００〜１０００００ｃ
ｍ／ｍ２程度の輝度を得ることができる。
有機化合物を含む薄膜である発光層をカソード電極およ
びアノード電極間に挟持した構造を有し、発光層に電子
および正孔を注入しこれらを再結合させることにより励
起子を生成させ、この励起子の失活時に生じる光放出に
より発光する。アノード電極はＩＴＯ等で構成される透
明電極であり、カソード電極はアルミニウム等の金属で
構成される反射電極である。この構成により、有機ＥＬ
素子は１０Ｖ以下の印加電圧で１００〜１０００００ｃ
ｍ／ｍ２程度の輝度を得ることができる。
【０００４】ところで、駆動トランジスタのゲート電極
は、画素スイッチが非導通に成ったときに電気的なフロ
ーティング状態となるため、ゲート電極が隣接信号線と
容量結合している場合、ゲート電圧がこれら隣接信号線
の電位変化に伴って変動する。
は、画素スイッチが非導通に成ったときに電気的なフロ
ーティング状態となるため、ゲート電極が隣接信号線と
容量結合している場合、ゲート電圧がこれら隣接信号線
の電位変化に伴って変動する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、ゲー
ト電極と隣接信号線間の寄生容量が比較的大きかったた
めに、これが隣接表示画素間のクロストークとして表示
品質を低下させる原因となっていた。この対策として、
ゲート電極を信号線から離して配置することも考えられ
るが、これは表示画素の開口率を低下させる結果とな
る。
ト電極と隣接信号線間の寄生容量が比較的大きかったた
めに、これが隣接表示画素間のクロストークとして表示
品質を低下させる原因となっていた。この対策として、
ゲート電極を信号線から離して配置することも考えられ
るが、これは表示画素の開口率を低下させる結果とな
る。
【０００６】本発明の目的は、開口率を低下させること
無くクロストークを低減できる表示画素回路を提供する
ことにある。
無くクロストークを低減できる表示画素回路を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１お
よび第２電源線と、駆動電流に対応した輝度で発光する
発光素子と、第１および第２電源線間で発光素子と直列
に接続され発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジ
スタと、この駆動トランジスタを制御する駆動制御回路
とを備え、駆動制御回路は映像信号を供給する信号線、
信号線上の映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート
電極に選択的に印加する画素スイッチ、この画素スイッ
チを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される
映像信号の電圧を保持し画素スイッチが非導通である間
に映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート電極に印
加するキャパシタ、および駆動トランジスタのゲート電
極および信号線に絶縁膜を介して重なるように形成され
画素スイッチが非導通であるときに電位変化しない配線
層を含む表示画素回路が提供される。
よび第２電源線と、駆動電流に対応した輝度で発光する
発光素子と、第１および第２電源線間で発光素子と直列
に接続され発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジ
スタと、この駆動トランジスタを制御する駆動制御回路
とを備え、駆動制御回路は映像信号を供給する信号線、
信号線上の映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート
電極に選択的に印加する画素スイッチ、この画素スイッ
チを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される
映像信号の電圧を保持し画素スイッチが非導通である間
に映像信号の電圧を駆動トランジスタのゲート電極に印
加するキャパシタ、および駆動トランジスタのゲート電
極および信号線に絶縁膜を介して重なるように形成され
画素スイッチが非導通であるときに電位変化しない配線
層を含む表示画素回路が提供される。
【０００８】この表示画素回路では、キャパシタがゲー
ト電極および配線層間の容量結合により構成され、信号
線およびゲート電極間の容量結合よりも大きな値を得る
ことができる。すなわち、駆動トランジスタのゲート電
圧がゲート電極および信号線間の寄生容量によって変動
しにくくなるためクロストークを低減できる。また、こ
の構成はゲート電極と信号線間の距離を離す必要がない
ため、開口率の低下も防止できる。
ト電極および配線層間の容量結合により構成され、信号
線およびゲート電極間の容量結合よりも大きな値を得る
ことができる。すなわち、駆動トランジスタのゲート電
圧がゲート電極および信号線間の寄生容量によって変動
しにくくなるためクロストークを低減できる。また、こ
の構成はゲート電極と信号線間の距離を離す必要がない
ため、開口率の低下も防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
有機ＥＬ表示装置について添付図面を参照して説明す
る。
有機ＥＬ表示装置について添付図面を参照して説明す
る。
【００１０】図１はこの有機ＥＬパネル１０を示す。こ
の有機ＥＬパネル１０は、ガラス板上において画像を表
示するためにマトリクス状に配置される複数の表示画素
ＰＸ、これら表示画素ＰＸの行に沿って配置される複数
の走査線１１、これら表示画素ＰＸの列に沿って配置さ
れる複数の信号線１２、これら走査線１１および信号線
１２の交差位置近傍に配置される複数の画素スイッチ１
３、複数の走査線１１を駆動する走査線ドライバ１４、
および複数の信号線１２を駆動する信号線ドライバ１５
を備える。各表示画素ＰＸは有機ＥＬ素子１６、一対の
電源線ＤＶＤＤ，ＤＶＳＳ間でこの有機ＥＬ素子１６に
直列に接続されたＰチャネル薄膜トランジスタである駆
動トランジスタ１７、およびこの駆動トランジスタ１７
のゲート電圧を保持するコンデンサ１８により構成され
る。電源線ＤＶＤＤは例えば＋１５Ｖの所定電位に設定
され、電源線ＤＶＳＳは例えば０Ｖの電位に設定され
る。各画素スイッチ１３は例えばＮチャネル薄膜トラン
ジスタにより構成され、対応走査線１１から供給される
走査信号により駆動されたときに対応信号線１２から供
給される映像信号の電圧を駆動トランジスタ１７のゲー
ト電極に印加する。駆動トランジスタ１７はこの映像信
号の電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子１６に供給す
る。有機ＥＬ素子１６は赤、緑、または青の蛍光性有機
化合物を含む薄膜である発光層をカソード電極およびア
ノード電極間に挟持した構造を有し、発光層に電子およ
び正孔を注入しこれらを再結合させることにより励起子
を生成させ、この励起子の失活時に生じる光放出により
発光する。
の有機ＥＬパネル１０は、ガラス板上において画像を表
示するためにマトリクス状に配置される複数の表示画素
ＰＸ、これら表示画素ＰＸの行に沿って配置される複数
の走査線１１、これら表示画素ＰＸの列に沿って配置さ
れる複数の信号線１２、これら走査線１１および信号線
１２の交差位置近傍に配置される複数の画素スイッチ１
３、複数の走査線１１を駆動する走査線ドライバ１４、
および複数の信号線１２を駆動する信号線ドライバ１５
を備える。各表示画素ＰＸは有機ＥＬ素子１６、一対の
電源線ＤＶＤＤ，ＤＶＳＳ間でこの有機ＥＬ素子１６に
直列に接続されたＰチャネル薄膜トランジスタである駆
動トランジスタ１７、およびこの駆動トランジスタ１７
のゲート電圧を保持するコンデンサ１８により構成され
る。電源線ＤＶＤＤは例えば＋１５Ｖの所定電位に設定
され、電源線ＤＶＳＳは例えば０Ｖの電位に設定され
る。各画素スイッチ１３は例えばＮチャネル薄膜トラン
ジスタにより構成され、対応走査線１１から供給される
走査信号により駆動されたときに対応信号線１２から供
給される映像信号の電圧を駆動トランジスタ１７のゲー
ト電極に印加する。駆動トランジスタ１７はこの映像信
号の電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子１６に供給す
る。有機ＥＬ素子１６は赤、緑、または青の蛍光性有機
化合物を含む薄膜である発光層をカソード電極およびア
ノード電極間に挟持した構造を有し、発光層に電子およ
び正孔を注入しこれらを再結合させることにより励起子
を生成させ、この励起子の失活時に生じる光放出により
発光する。
【００１１】信号線ドライバ１５は各水平走査期間にお
いて映像信号の電圧を複数の信号線１２に並列的に供給
する。走査線ドライバ１４は各垂直走査期間において順
次複数の走査線１１に走査信号を供給する。各行の画素
スイッチ１３はこれら走査線１４のうちの対応する１本
から共通に供給される走査信号により１水平走査期間だ
け導通し、走査信号が再び１垂直走査期間後に供給され
るまで非導通となる。１行分の駆動トランジスタ１７は
これら画素スイッチ１３の導通により複数の信号線１２
から供給される映像信号の電圧に対応した駆動電流を有
機ＥＬ素子１６にそれぞれ供給する。
いて映像信号の電圧を複数の信号線１２に並列的に供給
する。走査線ドライバ１４は各垂直走査期間において順
次複数の走査線１１に走査信号を供給する。各行の画素
スイッチ１３はこれら走査線１４のうちの対応する１本
から共通に供給される走査信号により１水平走査期間だ
け導通し、走査信号が再び１垂直走査期間後に供給され
るまで非導通となる。１行分の駆動トランジスタ１７は
これら画素スイッチ１３の導通により複数の信号線１２
から供給される映像信号の電圧に対応した駆動電流を有
機ＥＬ素子１６にそれぞれ供給する。
【００１２】また、信号線ドライバ１５は映像信号電圧
の出力に先だって一時的に所定のリセット電圧を出力す
るよう構成される。表示画素ＰＸはさらに画素スイッチ
１３および駆動トランジスタ１７のゲート電極間に直列
に接続されるキックキャパシタ２０、駆動トランジスタ
１７のゲート電極およびドレイン電極間に接続されるリ
セットスイッチ２１、および駆動トランジスタ１７のド
レイン電極および有機ＥＬ素子１６間に接続される出力
スイッチ２２で構成される閾値キャンセル回路を含む。
リセットスイッチ２１および出力スイッチ２２は例えば
Ｐチャネル薄膜トランジスタで構成され、それぞれ外部
からの制御信号ＳＷ１，ＳＷ２により制御される。この
制御により、リセットスイッチ２１はリセット電圧が画
素スイッチ１３を介して供給される間だけ導通し、出力
スイッチ２２はリセットスイッチ２１が導通状態にある
期間を除いて持続的に導通する。
の出力に先だって一時的に所定のリセット電圧を出力す
るよう構成される。表示画素ＰＸはさらに画素スイッチ
１３および駆動トランジスタ１７のゲート電極間に直列
に接続されるキックキャパシタ２０、駆動トランジスタ
１７のゲート電極およびドレイン電極間に接続されるリ
セットスイッチ２１、および駆動トランジスタ１７のド
レイン電極および有機ＥＬ素子１６間に接続される出力
スイッチ２２で構成される閾値キャンセル回路を含む。
リセットスイッチ２１および出力スイッチ２２は例えば
Ｐチャネル薄膜トランジスタで構成され、それぞれ外部
からの制御信号ＳＷ１，ＳＷ２により制御される。この
制御により、リセットスイッチ２１はリセット電圧が画
素スイッチ１３を介して供給される間だけ導通し、出力
スイッチ２２はリセットスイッチ２１が導通状態にある
期間を除いて持続的に導通する。
【００１３】この閾値キャンセル回路では、リセット電
圧が画素スイッチ１３を介して供給されると、リセット
スイッチ２１が導通し出力スイッチ２２が非導通とな
る。このとき図２に示す経路ＰＴ１を介して流れる電流
により、ゲート電圧が駆動トランジスタ１７のスレッシ
ョルド電圧Ｖthに等しくなるまで駆動トランジスタ１７
のゲート電極およびキックキャパシタ２０間のノード電
位が上昇する。映像信号電圧がリセット電圧に続いて供
給されると、リセットスイッチ２１が非導通となり出力
スイッチ２２が導通する。これにより、駆動トランジス
タ１７のゲート電極およびキックキャパシタ２０間のノ
ード電位がスレッショルド電圧Ｖthを映像信号電圧に加
えたレベルとなり、駆動電流が図２に示す経路ＰＴ２を
介して流れる。ここで、駆動電流はリセット電圧と映像
信号電圧との電位差により決定されることになり、駆動
トランジスタ１７のスレッショルド電圧Ｖthにバラツキ
があっても、駆動電流が変動しなくなる。この閾値キャ
ンセル回路は一般に知られ、駆動トランジスタ１７のス
レッショルド電圧Ｖthの影響を回避できる。
圧が画素スイッチ１３を介して供給されると、リセット
スイッチ２１が導通し出力スイッチ２２が非導通とな
る。このとき図２に示す経路ＰＴ１を介して流れる電流
により、ゲート電圧が駆動トランジスタ１７のスレッシ
ョルド電圧Ｖthに等しくなるまで駆動トランジスタ１７
のゲート電極およびキックキャパシタ２０間のノード電
位が上昇する。映像信号電圧がリセット電圧に続いて供
給されると、リセットスイッチ２１が非導通となり出力
スイッチ２２が導通する。これにより、駆動トランジス
タ１７のゲート電極およびキックキャパシタ２０間のノ
ード電位がスレッショルド電圧Ｖthを映像信号電圧に加
えたレベルとなり、駆動電流が図２に示す経路ＰＴ２を
介して流れる。ここで、駆動電流はリセット電圧と映像
信号電圧との電位差により決定されることになり、駆動
トランジスタ１７のスレッショルド電圧Ｖthにバラツキ
があっても、駆動電流が変動しなくなる。この閾値キャ
ンセル回路は一般に知られ、駆動トランジスタ１７のス
レッショルド電圧Ｖthの影響を回避できる。
【００１４】駆動トランジスタ１７のゲート電極は信号
線１２と容量結合し、図２に示すように画素スイッチ１
３が非導通である間にこの信号線１２の電位変化に伴っ
てゲート電圧を変動させる寄生容量ＰＣを構成する。
線１２と容量結合し、図２に示すように画素スイッチ１
３が非導通である間にこの信号線１２の電位変化に伴っ
てゲート電圧を変動させる寄生容量ＰＣを構成する。
【００１５】図３は表示画素ＰＸ周辺の平面構造を示
し、図４は図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構造を
示す。図３に示す配線層ＰＬは表示画素ＰＸの行毎に設
けられる電源線ＤＶＤＤであり、駆動トランジスタ１
７、リセットスイッチ２１、および出力スイッチ２２を
含む素子駆動部ＤＲと画素スイッチ１２との間の領域に
配置され、図４に示すように信号線１２および駆動トラ
ンジスタ１７のゲート電極Ｇに絶縁膜を介して重なるよ
うに形成される。キャパシタ１８は配線層ＰＬおよびゲ
ート電極Ｇ間の容量結合により形成され、キャパシタ２
０はゲート電極Ｇおよび画素スイッチ１３のソース電極
Ｓ間の容量結合により形成される。ゲート電極Ｇは信号
線１２よりも極めて短い距離で配線層ＰＬおよびソース
電極Ｓと隣接し、かつ信号線１２よりも極めて広い面積
で対向する。従って、キャパシタ１８，２０の容量値は
ゲート電極Ｇおよび信号線１２間の寄生容量ＰＣの容量
値に比べて極めて大きな値を持つ。
し、図４は図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構造を
示す。図３に示す配線層ＰＬは表示画素ＰＸの行毎に設
けられる電源線ＤＶＤＤであり、駆動トランジスタ１
７、リセットスイッチ２１、および出力スイッチ２２を
含む素子駆動部ＤＲと画素スイッチ１２との間の領域に
配置され、図４に示すように信号線１２および駆動トラ
ンジスタ１７のゲート電極Ｇに絶縁膜を介して重なるよ
うに形成される。キャパシタ１８は配線層ＰＬおよびゲ
ート電極Ｇ間の容量結合により形成され、キャパシタ２
０はゲート電極Ｇおよび画素スイッチ１３のソース電極
Ｓ間の容量結合により形成される。ゲート電極Ｇは信号
線１２よりも極めて短い距離で配線層ＰＬおよびソース
電極Ｓと隣接し、かつ信号線１２よりも極めて広い面積
で対向する。従って、キャパシタ１８，２０の容量値は
ゲート電極Ｇおよび信号線１２間の寄生容量ＰＣの容量
値に比べて極めて大きな値を持つ。
【００１６】上述の有機ＥＬパネルでは、キャパシタ１
８がゲート電極Ｇおよび配線層ＰＬ間の容量結合により
構成され、信号線１２およびゲート電極Ｇ間の容量結合
よりも大きな値を得ることができる。すなわち、駆動ト
ランジスタ１７のゲート電圧がゲート電極Ｇおよび信号
線１２間の寄生容量ＰＣによって変動しにくくなるた
め、クロストークを低減できる。また、この構成はゲー
ト電極と信号線間の距離を離す必要がないため、開口率
の低下も防止できる。
８がゲート電極Ｇおよび配線層ＰＬ間の容量結合により
構成され、信号線１２およびゲート電極Ｇ間の容量結合
よりも大きな値を得ることができる。すなわち、駆動ト
ランジスタ１７のゲート電圧がゲート電極Ｇおよび信号
線１２間の寄生容量ＰＣによって変動しにくくなるた
め、クロストークを低減できる。また、この構成はゲー
ト電極と信号線間の距離を離す必要がないため、開口率
の低下も防止できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、開口率を低下させるこ
と無くクロストークを低減できる表示画素回路を提供す
ることができる。
と無くクロストークを低減できる表示画素回路を提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬパネルの構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図２】図１に示す表示画素の動作を説明するための図
である。
である。
【図３】図２に示す表示画素周辺の平面構造を示す図で
ある。
ある。
【図４】図３に示すＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構造を示
す図である。
す図である。
１２…信号線 １３…画素スイッチ １４…走査線ドライバ １５…信号線ドライバ １６…有機ＥＬ素子 １７…駆動トランジスタ １８…キャパシタ ２０…キックキャパシタ Ｇ…ゲート電極 Ｓ…ソース電極 ＰＸ…表示画素 ＰＬ…配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６８０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６８０Ｇ 3/30 3/30 Ｊ Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 DA01 DB03 EB00 GA04 5C080 AA06 BB05 CC03 DD10 EE29 FF11 JJ03 JJ06 5C094 AA09 AA10 AA48 AA53 BA03 BA27 CA19 DA09 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 FA01 FA02 FB01 FB12 FB14 FB15 GA10
Claims (3)
- 【請求項１】 第１および第２電源線と、駆動電流に対
応した輝度で発光する発光素子と、前記第１および第２
電源線間で前記発光素子と直列に接続され前記発光素子
に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、この駆動ト
ランジスタを制御する駆動制御回路とを備え、前記駆動
制御回路は映像信号を供給する信号線、前記信号線上の
映像信号の電圧を前記駆動トランジスタのゲート電極に
選択的に印加する画素スイッチ、前記画素スイッチを介
して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加される映
像信号の電圧を保持し前記画素スイッチが非導通である
間に映像信号の電圧を前記駆動トランジスタのゲート電
極に印加するキャパシタ、および前記駆動トランジスタ
のゲート電極および前記信号線に絶縁膜を介して重なる
ように形成され前記画素スイッチが非導通であるときに
電位変化しない配線層を含むことを特徴とする表示画素
回路。 - 【請求項２】 前記配線層は前記第１および第２電源線
の一方を構成することを特徴とする請求項１に記載の表
示画素回路。 - 【請求項３】 前記駆動制御回路は前記画素スイッチお
よび前記駆動トランジスタのゲート間に直列に接続され
るキックキャパシタ、前記駆動トランジスタのゲートお
よびドレイン間に接続されリセット電圧が画素スイッチ
を介して供給される間だけ導通するリセットスイッチ、
および前記駆動トランジスタのドレインおよび前記発光
素子間に接続され前記リセットスイッチが導通状態にあ
る期間を除いて持続的に導通する出力スイッチにより構
成される閾値キャンセル回路を含むことを特徴とする請
求項１に記載の表示画素回路。
Priority Applications (1)
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| JP2001147960A JP2002341790A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 表示画素回路 |
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