JPS5958467A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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Publication number
JPS5958467A
JPS5958467A JP16997482A JP16997482A JPS5958467A JP S5958467 A JPS5958467 A JP S5958467A JP 16997482 A JP16997482 A JP 16997482A JP 16997482 A JP16997482 A JP 16997482A JP S5958467 A JPS5958467 A JP S5958467A
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JP
Japan
Prior art keywords
power supply
display device
semiconductor substrate
active matrix
section
Prior art date
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Pending
Application number
JP16997482A
Other languages
English (en)
Inventor
高原 和博
権藤 浩之
泰史 大川
沖 賢一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5958467A publication Critical patent/JPS5958467A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (Il+  発明の技術分野 本発明は表示装置に係り、特にエレク1−ロルミネソセ
ンス(E L )表示装置のチップ内の電源配線の改良
に関する。
(bl  従来技術と問題点 従来TE Lディスプレイモジュール等のEL表示装置
においては、チップ表面に形成された電源配線がそれ程
太くないので、その抵抗値は無視し得る程小さくは出来
ない。そのため大画面のELディスプレー装置を構成す
る場合等5、かかるチップを多数直列に接続すると、そ
の電源ラインの抵抗による電源電圧の低下が問題となる
(C1発明の目的 本発明の目的は、電源配線の抵抗値を小さくし得るEL
表示装置の構造を提供することにある。
(dl  発明の構成 本発明の特徴は、半導体基板上にE L発光層を挟んで
対向する一対の電極を有するEL素子及び該EL素子に
対応して前記半導体基板表面に形成された駆動回路とか
らなる画素を複数個具備してなるアクティブマトリクス
部と、前記半導体基板表面に前記アクティブマトリクス
部内の前記各画素を選択的に動作せしめるためのデータ
アドレス部とが形成され、且つ前記アクティブマトリク
ス部及びデータアドレス部の能動素子と前記EL素子と
の間を電気的及び光学的にシールドするシールド電極を
具備せしめた構成において、前記シールド電極を電源配
線として用いたことにある。
(e)  発明の実施例 以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第1図は従来のEL表示装置のチップ1を模式的に示す
平面図であって、大別してデータアドレス回路部2とア
クティブマトリクス回路部3と、これらを構成する各素
子を作動させるための電源配線4.5とを有する。なお
6,6゛ば電源配線4.5の接続バッドである。
上記構成において、電源配線4.5はチップ1の周辺部
に設けられており、余り太く出来ない。
そのため後述する大画面のELディスプレイ装置(第4
図参照)のように、該千ツブ1を多数直列に接続する場
合にはこの電源配線4.5の抵抗値による電圧降下のた
め、素子を正雷に動作させるに必要な電圧を維持するこ
とが困難になる。
本発明はこのような難点を解消するためになされたもの
であって、第2図に示すように上記データアドレス回路
部2及びアクティダマ1−リクス回路部3上を電気的及
び光学的にシールドするために設けられたシールド電極
7及び8が太いことに着目し、これを電源配線として利
用するものである。
第3図はEL表示装置のアクティブマトリクス回路部3
の1画素部分を模式的に示す要部断面図であって、同図
に見られるように2個の能動素子Q+ 、Q2  (い
ずれもMOS  FET)及び蓄積容量Csとからなる
駆動回路11と、E L発光層12を挟んで対向して配
設された透明電極13及び画素電極14からなるEL素
子15との間に、シールド電極8が介装されている。な
お上記駆動回路11はシリコン(Si)のような半導体
基板(図示せず)表面に、また上記E L素子15は半
導体基板上に形成されている。
かかる構成は上記アクティブマトリクス回路部3のみな
らず、前記データアドレス回路部2を構成する能動素子
上にもシールド電極7が形成されて・全能動素子を前記
EL素子から電気的、光学的にシールドしている。
本実施例では上記2種のシールド電極7,8を電源配線
の2組の接続パッド6及び6゛にそれぞれ接続し、一方
をVnp、他方を接地側ラインとして使用する。
かかる構成としたことにより、本実施例のEL表示装置
においては電源配線の抵抗値による電圧降下は無視し得
る程度とすることが出来る。従って例えば第4図に見ら
れるように、多数のEL表示装置のチップ1を直並列に
接続して大画面のEI5ディスプレイ装置を構成した場
合においても、問題となるような電源電圧の低下は生じ
ない。
(fl  発明の詳細 な説明した如く本発明によれば、電源配線の抵抗値が小
さく、従って電源電圧の低下は無視し得る程度に小さく
なる。そのため多数のチップを直列に接続することが可
能となり、大画面のELディスプレイ装置を容易に構成
出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のEL表示装置のytt点を説明するため
の要部平面図、第2図及び第3図は本発明の一実施例を
模式的に示す要部平面図及び要部断面図、第4図は本発
明の効果の一例を説明するために掲げた大画面のE L
ディスプレイ装置の要部を模式的に示す平面図である。 図において、1はEL表示装置のチップ、2はデータア
ドレス回路部、3はアクティダマ1−リクス回路部、4
及び5は電源配線、7及び8はシールド電極、11は駆
動回路、12はE L発光層、13は透明電極、14は
画素電極、15はEL素子を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上にEL発光層を挟んで対向する一対の電極
    を有するEL素子及び該EL素子に対応して前記半導体
    基板表面に形成された駆動回路とからなる画素を複数個
    具備してなるアクティブマトリクス部と、前記半導体基
    板表面に前記アクティブマトリクス部内の前記各画素を
    選択的に動作せしめるためのデータアドレス部とが形成
    され、且つ前記アクティブマトリクス部及びデータアド
    レス部の能動素子と前記E L素子との間を電気的及び
    光学的にシールドするシールド電極を具備せしめた構成
    において、前記シールド電極を電源配線として用いたこ
    とを特徴とする表示装置。
JP16997482A 1982-09-28 1982-09-28 表示装置 Pending JPS5958467A (ja)

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JPS5958467A true JPS5958467A (ja) 1984-04-04

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