CN109872983B - 测试焊垫 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种测试焊垫(PAD),包括:一平坦层;一源漏极层(SD),与所述平坦层部分交迭且位于所述平坦层之下,其中所述平坦层的一边界邻接所述源漏极层的上表面;以及一透明导电层,自所述源漏极层的上表面沿着所述平坦层之一侧壁延伸至所述平坦层的上表面。
Description
技术领域
本发明是有关于一种测试焊垫,特别是有关于一种可防止透明导电层爬坡异常的测试焊垫。
背景技术
目前之电性测试扎针的测试焊垫(PAD)系如图1A及图1B所示,图1A为传统的测试焊垫未配置透明导电层时的顶视图;图1B为传统的具透明导电层之测试焊垫的放大剖视图。在图1A及图1B中,测试焊垫1是将源漏极层(SD)11设置在平坦层(PLN)12的孔内,在源漏极层(SD)11制程中易出现源漏极层(SD)11的边缘出现侧向蚀刻的问题而产生源漏极层(SD)11侧壁内缩S的情形,导致透明导电层13在源漏极层(SD)11内缩的侧壁处爬坡时容易断裂,而使测试扎针的测试焊垫(PAD)1品质异常,影响到电性检查机的正常监控。
因此,亟需一种可防止透明导电层爬坡异常的测试焊垫,以解决数组电性监控中由于测试扎针的测试焊垫异常导致监控失真的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种测试焊垫,在本发明的测试焊垫设计中,透过将电性测试扎针的测试焊垫中平坦层的孔内配置源漏极层(Source/drain,SD),可以避免由于源漏极层的侧向蚀刻导致透明电极在源漏极层侧壁内缩(Taper)处爬坡断裂,改善电性监控的准确性,解决数组电性监控中由于测试扎针的测试焊垫异常导致监控失真的问题。
据此,依据本发明的一实施例,提供一种测试焊垫(PAD),包括;一平坦层;一源漏极层(SD),与所述平坦层部分交迭且位于所述平坦层之下,其中所述平坦层的一边界邻接所述源漏极层的上表面;以及一透明导电层,自所述源漏极层的上表面沿着所述平坦层之一侧壁延伸至所述平坦层的上表面。
在本发明的一实施例中,所述透明导电层保形地自所述源漏极层的上表面沿着所述平坦层之侧壁延伸至所述平坦层的上表面。
在本发明的一实施例中,所述源漏极层与所述平坦层之交迭处的一边缘具有一内缩(Taper)侧壁。
在本发明的一实施例中,所述透明导电层藉由所述平坦层与所述源漏极层的内缩侧壁隔离。
在本发明的一实施例中,所述透明电极层所覆盖之所述源漏极层的上表面、所述平坦层之所述侧壁、以及所述平坦层的上表面皆为平坦表面。
在本发明的一实施例中,在上视图中,所述源漏极层环绕所述平坦层。
在本发明的一实施例中,所述透明电极层包括下列至少一者:氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3);优选包括氧化铟锡(ITO)。
在本发明的一实施例中,所述平坦层包括下列至少一者:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、光致抗蚀剂、苯并环丁烯(enzocyclobutane,BCB)、环烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚醇、聚环氧乙烷、聚苯、聚醚、聚酮、以及上述的组合。
在本发明的一实施例中,所述测试焊垫更包括一绝缘层位于所述源漏极层之下。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A为传统的测试焊垫未配置透明导电层时的顶视图。
图1B为传统的具透明导电层之测试焊垫的放大剖视图。
图2A为本发明之一实施例的测试焊垫未配置透明导电层时的顶视图。
图2B为本发明之一实施例的具透明导电层之测试焊垫的放大剖视图。
具体实施方式
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式作详细说明。
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[纵向]、[横向]、[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明提供一种测试焊垫,在本发明的测试焊垫设计中,透过将电性测试扎针的测试焊垫中平坦层的孔内配置源漏极层(Source/drain,SD),可以避免由于源漏极层的侧向蚀刻导致透明电极在源漏极层侧壁内缩(Taper)处爬坡断裂,改善电性监控的准确性,解决数组电性监控中由于测试扎针的测试焊垫异常导致监控失真的问题。
据此,依据本发明的一实施例,提供一种测试焊垫(PAD),如图2A及图2B所示。
图2A为本发明之一实施例的测试焊垫未配置透明导电层时的顶视图。图2B为本发明之一实施例的具透明导电层之测试焊垫的剖视图。参见图2A及图2B,具体而言,本发明之一实施例的测试焊垫2包括:一平坦层22;一源漏极层(SD)21,与所述平坦层22部分交迭且位于所述平坦层22之下,其中所述平坦层22的一边界B2邻接所述源漏极层的上表面A1;以及一透明导电层23,自所述源漏极层21的上表面A1沿着所述平坦层之一侧壁S2延伸至所述平坦层22的上表面A2。
继续参见图2A及图2B,在本发明的一实施例中,所述透明导电层23保形地自所述源漏极层21的上表面A1沿着所述平坦层22之侧壁S2延伸至所述平坦层22的上表面A2。
参见图2A,在本发明的一实施例中,在顶视图中,所述源漏极层21环绕所述平坦层22。
参见图2B,在本发明的一实施例中,所述源漏极层21与所述平坦层22之交迭处的一边缘具有一内缩(Taper)侧壁S1。
参见图2B,在本发明的一实施例中,所述透明导电层23藉由所述平坦层22与所述源漏极层21的内缩侧壁S1隔离。
参见图2B,在本发明的一实施例中,所述透明电极层23所覆盖之所述源漏极层21的上表面A1、所述平坦层22之所述侧壁S2、以及所述平坦层22的上表面A2皆为平坦表面。
在本发明的一实施例中,所述透明电极层23包括下列至少一者:氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3);优选包括氧化铟锡(ITO)。
在本发明的一实施例中,所述平坦层22包括下列至少一者:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、光致抗蚀剂、苯并环丁烯(enzocyclobutane,BCB)、环烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚醇、聚环氧乙烷、聚苯、聚醚、聚酮、以及上述的组合。
参见图2B,在本发明的一实施例中,所述测试焊垫1更包括一绝缘层24位于所述源漏极层21之下。
综上而言,本发明提供一种测试焊垫,在本发明的测试焊垫设计中,透过将电性测试扎针的测试焊垫中平坦层的孔内配置源漏极层(Source/drain,SD),可以避免由于源漏极层的侧向蚀刻导致透明电极在源漏极层侧壁内缩(Taper)处爬坡断裂,改善电性监控的准确性,解决数组电性监控中由于测试扎针的测试焊垫异常导致监控失真的问题。
虽然本发明结合其具体实施例而被描述,应该理解的是,许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此,其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。
Claims (9)
1.一种测试焊垫(PAD),包括:
一平坦层;
一源漏极层(SD),与所述平坦层部分交迭且位于所述平坦层之下,其中所述平坦层的一边界邻接所述源漏极层的上表面;以及
一透明导电层,自所述源漏极层的上表面沿着所述平坦层之一侧壁延伸至所述平坦层的上表面,其中在上视图中,所述源漏极层环绕所述平坦层。
2.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述透明导电层保形地自所述源漏极层的上表面沿着所述平坦层之侧壁延伸至所述平坦层的上表面。
3.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述源漏极层与所述平坦层之交迭处的一边缘具有一内缩(Taper)侧壁。
4.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述透明导电层藉由所述平坦层与所述源漏极层的内缩侧壁隔离。
5.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述透明导电层所覆盖之所述源漏极层的上表面、所述平坦层之所述侧壁、以及所述平坦层的上表面皆为平坦表面。
6.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述透明导电层包括下列至少一者:氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锡(TiO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、以及氧化镓(Ga2O3)。
7.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述透明导电层包括氧化铟锡(ITO)。
8.根据权利要求1所述的测试焊垫,其中所述平坦层包括下列至少一者:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、光致抗蚀剂、苯并环丁烯(enzocyclobutane,BCB)、环烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚醇、聚环氧乙烷、聚苯、聚醚、聚酮、以及上述的组合。
9.根据权利要求1所述的测试焊垫,更包括一绝缘层位于所述源漏极层之下。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101110443A (zh) * | 2006-07-21 | 2008-01-23 | 三星电子株式会社 | 显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备 |
CN101556382A (zh) * | 2008-04-10 | 2009-10-14 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法和测试方法 |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100769160B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-10-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 테스트 패드 |
CN101576693B (zh) * | 2008-05-09 | 2011-04-20 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示面板及其制造方法 |
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CN104062786B (zh) * | 2014-07-01 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器的连接垫结构及其制作方法 |
KR102251003B1 (ko) * | 2014-09-22 | 2021-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
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CN108493155B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 连接结构及其制作方法、阵列基板及其制作方法 |
CN109801925B (zh) * | 2019-01-17 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种微led显示面板及其制备方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101110443A (zh) * | 2006-07-21 | 2008-01-23 | 三星电子株式会社 | 显示基板、其制造方法和具有显示基板的显示设备 |
CN101556382A (zh) * | 2008-04-10 | 2009-10-14 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法和测试方法 |
CN101846858A (zh) * | 2009-03-27 | 2010-09-29 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
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