CN111354744B - 阵列基板检测键及显示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 172
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract
本发明提供一种阵列基板检测键及其显示面板。阵列基板检测键包括依次层叠设置的玻璃基板、多缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏电极层和平坦有机层；所述阵列基板检测键定义有两个测试区和连接区；每一测试区设有裸露所述栅极层的凹槽；位于所述测试区的栅极层与所述连接区的源漏电极层电连接。显示面板包括所述阵列基板检测键。通过延伸位于所述测试区的所述栅极层实现与所述连接区的所述源漏电极层电连接，增加了两者电连接部位上的膜层厚度，可防止其在边界处出现剥落，从而保证所述阵列基板检测键正常并避免监控出现异常现象。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板检测键及显示面板。
背景技术
针对阵列基板电性监控的现有方法为在阵列基板制作的同时在其周边同时制作检测键(TEG Test Key)，通过对阵列基板施加电压，并在检测键处测量方块电阻，用电压值除以电阻值可得到电流值，即可检测阵列基板的电流值变化曲线，通过对比分析可得出阵列基板的均匀性等特性，进而可了解阵列基板的品质。
请参阅图1所示，为现有阵列基板检测键的平面图，所述阵列基板检测键200包括两个测试区210和位于所述两个测试区210之间的连接区220，在所述测试区210设置一凹槽21，通过在所述两个测试区210的所述凹槽21内分别连接探针来测量所述连接区220的电阻值。
请参阅图2所示，为图1所示阵列基板检测键沿A-A方向的局部结构剖面图，所述测试区210包括依次层叠设置的玻璃基板211、多缓冲层212、有源层213、栅极绝缘层214、栅极层215、层间绝缘层216、源漏电极层217和平坦有机层218；所述连接区220还包括位于所述平坦有机层218上的氧化铟锡层219，其中所述源漏电极层217与所述氧化铟锡层219间隔交错设置，并通过过孔22贯穿所述平坦有机层218实现电连接。
请同时参阅图1和图2所示，所述凹槽21大体呈矩形，所述凹槽21贯穿所述平坦有机层218并裸露所述源漏电极层217。但由于现有的阵列基板检测键200中的所述平坦有机层218在所述凹槽21外侧边界处易出现剥落，从而导致所述阵列基板检测键200异常而无法用于监控。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种阵列基板检测键及显示面板，可解决现有技术中的所述平坦有机层在边界处易出现剥落从而导致所述阵列基板检测键异常无法用于监控的技术问题，保证所述阵列基板检测键正常。
为了解决上述问题，本发明中提供一种阵列基板检测键，包括依次层叠设置的玻璃基板、多缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏电极层和平坦有机层；其中，所述阵列基板检测键定义有两个测试区和位于所述两个测试区之间的连接区；每一测试区设有一凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦有机层、所述源漏电极层和所述层间绝缘层并裸露所述栅极层；位于所述测试区的所述栅极层朝向所述连接区延伸并与所述连接区的所述源漏电极层电连接。
进一步的，其中位于所述测试区的所述栅极层通过多个贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述连接区的所述源漏电极层实现电连接。
进一步的，其中所述连接区的所述源漏电极层间隔设置，所述源漏电极层上还包括一氧化铟锡层，所述氧化铟锡层与所述源漏电极层间隔交错设置且部分重叠，所述氧化铟锡层与所述源漏电极层在重叠位置通过第二过孔贯穿所述平坦有机层实现电连接。
进一步的，其中所述连接区的宽度小于所述测试区的宽度。
进一步的，其中所述多缓冲层包括层叠设置的遮光层、第一缓冲层和第二缓冲层；所述遮光层与所述有源层相对设置；第一缓冲层位于所述遮光层上且完全覆盖所述遮光层；第二缓冲层位于所述第一缓冲层上。
进一步的，其中所述第一缓冲层的材料包括SiNx。
进一步的，其中所述第二缓冲层的材料包括SiOx。
进一步的，其中所述栅极绝缘层的材料包括SiOx。
进一步的，其中所述层间绝缘层的材料包括SiNx或SiOx。
本发明还提供一种显示面板，包括所述阵列基板检测键，所述显示面板还包括有一阵列基板，所述阵列基板检测键的所述测试区与所述阵列基板电连接。
本发明的有益效果是：提供一种阵列基板检测键及其显示面板，通过延伸位于所述测试区的所述栅极层实现与所述连接区的所述源漏电极层电连接，代替现有技术延伸位于所述测试区的所述源漏电极层实现与所述连接区的所述氧化铟锡层电连接，从而增加了所述测试区与所述连接区电连接部位上的膜层厚度，即从现有技术所述源漏电极层上的所述平坦有机层增加为所述栅极层上的所述层间绝缘层、所述源漏电极层和所述平坦有机层，可防止其在边界处出现剥落，从而保证所述阵列基板检测键正常并避免监控出现异常现象。
附图说明
图1为现有阵列基板检测键的平面图；
图2为图1所示现有阵列基板检测键沿A-A方向的局部结构剖面图；
图3为本发明阵列基板检测键的平面图；
图4为图3所示本发明阵列基板检测键沿B-B方向的局部结构剖面图；
图5为本发明阵列基板检测键的多缓冲层的结构示意图。
图中部件标识如下：
100、阵列基板检测键,10、测试区,20、连接区,
11、玻璃基板，12、多缓冲层，13、有源层，14、栅极绝缘层，
15、栅极层，16、层间绝缘层，17、源漏电极层，18、平坦有机层，
19、氧化铟锡层，101、凹槽，201、第一过孔，202、第二过孔，
121、遮光层，122、第一缓冲层,123、第二缓冲层。
具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
请参阅图3、图4所示，本发明一实施例中，阵列基板检测键100包括依次层叠设置的玻璃基板11、多缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间绝缘层16、源漏电极层17和平坦有机层18；其中，所述阵列基板检测键100定义有两个测试区10和位于所述两个测试区10之间的连接区20；每一测试区10设有一凹槽101，所述凹槽101贯穿所述平坦有机层18、所述源漏电极层17和所述层间绝缘层16并裸露所述栅极层15；位于所述测试区10的所述栅极层15朝向所述连接区20延伸并与所述连接区20的所述源漏电极层17电连接。
在本实施例中，位于所述测试区10的所述栅极层15通过多个贯穿所述层间绝缘层16的第一过孔201与所述连接区20的所述源漏电极层17实现电连接。
请参阅图4所示，所述连接区20的所述源漏电极层17间隔设置，所述源漏电极层17上还包括一氧化铟锡层19，所述氧化铟锡层19与所述源漏电极层17间隔交错设置且部分重叠，所述氧化铟锡层19与所述源漏电极层17在重叠位置通过第二过孔202贯穿所述平坦有机层18实现电连接。所述连接区20由多个重复单元构成一个具有一定电阻的接线来连接位于所述连接区20两端的所述测试区10，每一重复单元均由所述氧化铟锡层19与所述源漏电极层17在重叠位置通过所述第二过孔202连接组成，所述第二过孔202处存在较大的电阻值，通过测量所述连接区20的电阻值并除以重复单元的个数即可得知每一重复单元的电阻值，其测量方式为现有技术，在此不做赘述。
在本实施例中，所述连接区20的宽度小于所述测试区10的宽度。
在本实施例中，所述凹槽101在所述测试区10朝向所述连接区20一侧的宽度等于所述连接区20的宽度。所述凹槽101大致呈矩形，用于连接探针来测量所述连接区20的电阻值，在所述测试区10朝向所述连接区20一侧延伸的所述栅极层15上的所述凹槽101的宽度变窄形成连接端，连接端的宽度等于所述连接区20的宽度。
请参阅图5所示，所述多缓冲层12包括层叠设置的遮光层121、第一缓冲层122和第二缓冲层123。具体地讲，所述遮光层121与所述有源层13相对设置；第一缓冲层122位于所述遮光层121上且完全覆盖所述遮光层121；第二缓冲层123位于所述第一缓冲层122上。
在本实施例中，所述第一缓冲层的材料包括SiNx。
在本实施例中，所述第二缓冲层的材料包括SiOx。
在本实施例中，所述栅极绝缘层14的材料包括SiOx。
在本实施例中，所述层间绝缘层16的材料包括SiNx或SiOx。所述层间绝缘层16可以为一层，也可以为多层，多层所述层间绝缘层16的设置方式为SiNx层与SiOx层交叠设置。
本发明还提供一种显示面板，包括所述阵列基板检测键100，所述显示面板还包括有一阵列基板(图未示)，所述阵列基板检测键100的所述测试区10与所述阵列基板电连接。其中，所述测试区10与所述显示面板的结构可同时制作。
值得注意的是，位于所述测试区10的所述栅极层15与位于显示面板显示区的所述栅极层15互不连接，所述测试区10的所述栅极层15仅仅作为所述阵列基板检测键100的引出作用。并且在所述测试区10制作所述栅极层15可有效增加所述凹槽101在所述测试区10的四周的膜层厚度，防止其在边界处出现剥落，通过所述凹槽101裸露的所述栅极层15与外部设备电连接用于测量所述连接区20的电阻值。
在使用时，可通过在所述阵列基板检测键100所在的显示面板上施加一个电压U，在所述两个测试区10的所述凹槽101内裸露的所述栅极层15分别连接探针来测量所述连接区20的电阻值R,通过计算U/R可知通过所述阵列基板检测键100的电流I，即为通过所述阵列基板检测键100所在的显示面板的电流I。通过统计所述电流I随时间变化的曲线，并与标准变化曲线对比可知所述显示面板通过的电流I变化是否正常，尤其是通过对比所述电流I的最大趋向值，即可推知所述显示面板的所述阵列基板部分的均匀性是否良好，从而可判断所述显示面板的寿命长短。另外，所述电阻值R为方块电阻，其测量方式为现有技术，在此不做赘述。通过所述电阻值R也可推算得知所述面板的厚度范围，其也为现有技术，在此不做赘述。
当测量所述连接区20的电阻值R时，现有的测量结果范围为45-65Ω/cm2，本发明实施例的测量结果范围为在45-65Ω/cm2基础上增加0.8-1.2Ω/cm2，由于所述阵列基板检测键100的面积相对于所述显示面板的面积很小，因此其增加的电阻可忽略不计，因此不需要对现有其他相关设备进行调整，其具有很强的实用性。
本发明的有益效果是：提供一种阵列基板检测键及其显示面板，通过延伸位于所述测试区的所述栅极层实现与所述连接区的所述源漏电极层电连接，代替现有技术延伸位于所述测试区的所述源漏电极层实现与所述连接区的所述氧化铟锡层电连接，从而增加了所述测试区与所述连接区电连接部位上的膜层厚度，即从现有技术所述源漏电极层上的所述平坦有机层增加为所述栅极层上的所述层间绝缘层、所述源漏电极层和所述平坦有机层，可防止其在边界处出现剥落，从而保证所述阵列基板检测键正常并避免监控出现异常现象。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板检测键，包括依次层叠设置的玻璃基板、多缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏电极层和平坦有机层；
其特征在于，
所述阵列基板检测键定义有两个测试区和位于所述两个测试区之间的连接区；
每一测试区设有一凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦有机层、所述源漏电极层和所述层间绝缘层并裸露所述栅极层；
位于所述测试区的所述栅极层朝向所述连接区延伸并与所述连接区的所述源漏电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，位于所述测试区的所述栅极层通过多个贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述连接区的所述源漏电极层实现电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，
所述连接区的所述源漏电极层间隔设置，所述源漏电极层上还包括一氧化铟锡层，所述氧化铟锡层与所述源漏电极层间隔交错设置且部分重叠，所述氧化铟锡层与所述源漏电极层在重叠位置通过第二过孔贯穿所述平坦有机层实现电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述连接区的宽度小于所述测试区的宽度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，
所述多缓冲层包括
遮光层，与所述有源层相对设置；
第一缓冲层，位于所述遮光层上且完全覆盖所述遮光层；以及
第二缓冲层，位于所述第一缓冲层上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述第一缓冲层的材料包括SiNx。
7.根据权利要求5所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述第二缓冲层的材料包括SiOx。
8.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料包括SiOx。
9.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述层间绝缘层的材料包括SiNx或SiOx。
10.一种显示面板，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板检测键，所述显示面板还包括有一阵列基板，所述阵列基板检测键的所述测试区与所述阵列基板电连接。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010257371.3A CN111354744B (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 阵列基板检测键及显示面板 |
| PCT/CN2020/085873 WO2021196307A1 (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-21 | 阵列基板检测键及显示面板 |
| US16/765,430 US11527450B2 (en) | 2020-04-03 | 2020-04-21 | TEG test key of array substrate and display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010257371.3A CN111354744B (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 阵列基板检测键及显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111354744A CN111354744A (zh) | 2020-06-30 |
| CN111354744B true CN111354744B (zh) | 2021-04-27 |
Family
ID=71197813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010257371.3A Active CN111354744B (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 阵列基板检测键及显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11527450B2 (zh) |
| CN (1) | CN111354744B (zh) |
| WO (1) | WO2021196307A1 (zh) |
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- 2020-04-03 CN CN202010257371.3A patent/CN111354744B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111354744A (zh) | 2020-06-30 |
| US11527450B2 (en) | 2022-12-13 |
| WO2021196307A1 (zh) | 2021-10-07 |
| US20220115279A1 (en) | 2022-04-14 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |