CN104062786B - 液晶显示器的连接垫结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种液晶显示器的连接垫结构，其至少包括：多个连接垫(31)，形成在基板边缘区域的部分上表面；平坦层(26)，其一侧面为斜面(261)，并位于连接垫(31)的另一部分上表面，其中，斜面(261)是在利用透光率渐变的掩膜图案化覆盖连接垫(31)的平坦层(26)，将形成在连接垫(31)的部分上表面的平坦层(26)去除的同时形成。本发明还公开一种液晶显示器的连接垫结构的制作方法。本发明将平坦层的一侧面形成为斜面，并使平坦层的斜面的倾斜角大幅度减小，致使平坦层的斜面变得平缓，这样在形成导电层时，不易使导电层断裂，同时避免了不同信号线(例如扫描线、数据线)之间的短路。

Description

液晶显示器的连接垫结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，更具体地讲，涉及一种液晶显示器的连接垫结构及其制作方法。
背景技术
随着液晶显示器(LCD)的尺寸的增大，液晶显示器中的各种信号线的阻容延迟(RCDelay)变的愈加严重，导致像素充电变差，从而影响液晶显示器的显示品质。
为了降低信号线之间的寄生电容，减小阻容延迟，现有的解决方案是在阵列(Array)基板的第二层金属(即制作源极、漏极的金属)制作完成之后，增加一层厚度很大的平坦层(Overcoat Layer)。该平坦层可以增加第二层金属和像素电极、公共电极之间的距离，从而起到减小寄生电容的作用。
此外，为了节省制作成本，平坦层的制作通常与防护层(Passivation Layer)同时完成，并且在阵列基板的边缘区域制作一较大的开口区来使连接垫结构露出。然而，由于制作完成的平坦层厚度(通常为1.5um～3.0um)较大，所以在连接垫结构与平坦层上制作导电层时，极易使导电层断裂。
此外，连接垫结构通过异向性导电膜(Anisotropic conductive film，ACF)与例如软性电路板(Chip on Film，COF)电连结，导电粒子分散在ACF中。当ACF受到挤压后，导电粒子会向连接垫结构周围移动，其中一部分导电粒子会到达平坦层的底端，由于平坦层厚度较大，因此这部分导电粒子很难越过平坦层，从而在平坦层的底端处聚集起来，进而引起不同信号线(例如扫描线、数据线)之间短路。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种液晶显示器的连接垫结构的制作方法，其至少包括步骤：A)在基板边缘区域的部分上表面形成多个连接垫；C)在该基板边缘区域的部分上表面形成平坦层，并覆盖所述连接垫；D)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层，将形成在所述连接垫的部分上表面的平坦层去除的同时，将形成在所述连接垫的另一部分上表面的平坦层的一侧面形成斜面。
进一步地，在执行步骤C)之前，所述制作方法还包括步骤：B)在该基板边缘区域的部分上表面形成绝缘层，并覆盖所述连接垫。
进一步地，所述步骤D)替换为：E)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层和绝缘层，将形成在所述连接垫的部分上表面的平坦层和绝缘层去除的同时，将形成在所述连接垫的另一部分上表面的平坦层的一侧面形成斜面。
进一步地，所述步骤D)替换为：E)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层和绝缘层，将形成在所述连接垫的部分上表面的平坦层和绝缘层的部分去除的同时，将形成在所述连接垫的另一部分上表面的平坦层的一侧面形成斜面。
进一步地，所述制作方法还包括：在该基板边缘区域的部分上表面形成导电层，其中，所述导电层覆盖所述连接垫的部分上表面、所述平坦层的斜面及其顶面。
进一步地，所述制作方法还包括：在该基板边缘区域的部分上表面形成导电层，其中，所述导电层覆盖所述连接垫的未被所述绝缘层的其余部分覆盖的部分上表面、所述绝缘层的其余部分上表面、所述平坦层的斜面及其顶面。
本发明的另一目的还在于提供一种液晶显示器的连接垫结构，其至少包括：多个连接垫，形成在基板边缘区域的部分上表面；平坦层，其一侧面为斜面，并位于所述连接垫的另一部分上表面，其中，所述斜面是在利用透光率渐变的掩膜图案化覆盖所述连接垫的平坦层，将形成在所述连接垫的部分上表面的平坦层去除的同时形成。
进一步地，所述连接垫结构还包括：绝缘层，位于所述连接垫的另一部分上表面与所述平坦层之间。
进一步地，所述连接垫结构还包括：绝缘层，其中，所述绝缘层的部分位于所述连接垫的另一部分上表面与所述平坦层之间，所述绝缘层的其余部分位于所述连接垫的部分上表面。
进一步地，所述连接垫结构还包括：导电层，覆盖所述连接垫的部分上表面、所述平坦层的斜面及其顶面。
进一步地，所述连接垫结构还包括：导电层，其覆盖所述连接垫的未被所述绝缘层的其余部分覆盖的部分上表面、所述绝缘层的其余部分上表面、所述平坦层的斜面及其顶面。
本发明通过将平坦层的一侧面形成为斜面，并使平坦层的斜面的倾斜角(即平坦层的斜面与底面之间的夹角)大幅度减小，致使平坦层的斜面变得平缓。这样，在形成导电层时，不易使导电层断裂。此外，当本发明的连接垫结构通过异向性导电膜(Anisotropicconductive film，ACF)与例如软性电路板(Chip on Film，COF)电连结之后，ACF受到挤压后会导致ACF中的部分导电粒子向连接垫结构周围移动，由于平坦层的斜面较为平缓，因此这部分导电粒子易于越过平坦层的斜面，不易在平坦层的斜面的底端聚集起来，从而避免了不同信号线(例如扫描线、数据线)之间的短路。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1是根据本发明的实施例的液晶显示器的连接垫结构的部分俯视示意图；
图2是根据本发明的实施例的液晶显示器的部分侧向剖视示意图；
图3是根据本发明的另一实施例的液晶显示器的连接垫结构的部分俯视示意图；
图4是根据本发明的另一实施例的液晶显示器的部分侧向剖视示意图；
图5是根据本发明的实施例的液晶显示器的连接垫结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
图1是根据本发明的实施例的液晶显示器的连接垫结构的部分俯视示意图。图2是根据本发明的实施例的液晶显示器的部分侧向剖视示意图。
参照图1和图2，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)20配置在一基板(例如玻璃基板)10的像素区域A的部分上表面；其中，薄膜晶体管20包括在基板10的像素区域A的部分上表面依次形成的栅电极21、绝缘层22、由非晶硅层23和欧姆接触层24组成的有源层、有源层上的源电极(金属层)25a和漏电极(金属层)25b、平坦层26、位于漏电极25b上方并在平坦层26中形成的过孔27以及位于过孔27中并与漏电极25b电连结的透明电极层(即ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)电极层)28。
连接垫结构30配置在基板10的边缘区域B的部分上表面；其中，连接垫结构30包括在基板10的边缘区域B的部分上表面依次形成的多个连接垫31、绝缘层22、平坦层26及透明电极层28。此外，由于平坦层26具有绝缘功能，所以作为本发明的另一实施方式，在连接垫31的上表面可不形成绝缘层22。
所述连接垫31是与薄膜晶体管20的栅电极21同时形成的，但本发明并不限制于此。平坦层26的一侧面为斜面261，并位于所述连接垫31的另一部分上表面。此外，斜面261是在利用透光率渐变的掩膜对处于边缘区域B并覆盖所述连接垫31的平坦层26进行图案化处理，将形成在所述连接垫31的部分上表面的平坦层26去除的同时形成。处于边缘区域B的绝缘层22的部分位于所述连接垫31的另一部分上表面与平坦层26之间，绝缘层22的其余部分位于所述连接垫31的部分上表面。透明电极层28覆盖所述连接垫31的未被绝缘层22的其余部分覆盖的部分上表面、绝缘层22的其余部分上表面以及处于边缘区域B的平坦层26的顶面263。
在本实施例中，由于采用透光率渐变的掩膜形成斜面261，并可使斜面261的倾斜角(即平坦层26的斜面261与底面262之间的夹角)大幅度减小，致使平坦层26的斜面261变得平缓。这样，在形成透明电极层28时，不易使透明电极层28断裂。此外，当本实施例的连接垫结构30通过异向性导电膜(Anisotropic conductive film，ACF)与例如软性电路板(Chip on Film，COF)电连结之后，ACF受到挤压后会导致ACF中的部分导电粒子向连接垫结构30周围移动，由于平坦层26的斜面261较为平缓，因此这部分导电粒子易于越过平坦层26的斜面261，不易在平坦层26的斜面261的底端聚集起来，从而避免了不同信号线(例如扫描线、数据线)之间的短路。
作为本发明的另一实施方式，参照图3和图4，位于所述连接垫31的部分上表面的绝缘层22的其余部分也可被去除掉。这样，透明电极层28覆盖所述连接垫31的部分上表面以及处于边缘区域B的平坦层26的顶面263。如此，可使的制作较为简单，并且可减小未被平坦层26覆盖的连接垫31的宽度，有利于液晶显示器的窄边框的设计。
由于本实施例中的薄膜晶体管20的制作方法已成为公知技术，因此为了避免重复赘述，对薄膜晶体管20的制作方法不作说明。以下，只针对本实施例的液晶显示器的连接垫结构的制作方法进行说明。
图5是根据本发明的实施例的液晶显示器的连接垫结构的制作方法的流程图。
参照图1、图2和图5，在操作301中，在基板10的边缘区域B的部分上表面形成多个连接垫31。这里，所述连接垫31是与薄膜晶体管20的栅电极21同时形成的，也就是说，所述连接垫31所采用的材料可与制作薄膜晶体管20的栅电极21的材料相同，但本发明并不限制于此。
在操作302中，在基板10的边缘区域B的部分上表面形成绝缘层22，并覆盖多个连接垫31。
在操作303中，在基板10的边缘区域B的部分上表面形成平坦层26，并覆盖绝缘层22。
在操作304中，利用透光率渐变的掩膜图案化平坦层26和绝缘层22，将形成在所述连接垫31的部分上表面的平坦层26和绝缘层22的部分去除的同时，将形成在所述连接垫31的另一部分上表面的平坦层26的一侧面形成斜面261。
这里，需要说明的是，绝缘层22的其余部分位于所述连接垫31的部分上表面。所述透光率渐变的掩膜可指的是其相对于所述连接垫31的部分上表面的部分为透明(即透光率约为100％)，其相对于斜面261的部分透光率渐变(即从相对于斜面261的底端至相对于斜面261的顶端透光率逐渐减小)，其相对于平坦层26的顶面263的部分的透光率约为0的掩膜。此外，所述透光率渐变的掩膜还可是狭缝密度渐变(即透光率渐变)的掩膜，其指的是其相对于所述连接垫31的部分上表面的部分的狭缝的密度较大，其相对于斜面261的部分狭缝的密度渐变(即从相对于斜面261的底端至相对于斜面261的顶端狭缝的密度逐渐减小)，其相对于平坦层26的顶面263的部分的狭缝的密度最小(或者没有狭缝)的掩膜。
在操作305中，在基板10的边缘区域B的部分上表面形成透明电极层28。这里，透明电极层28覆盖所述连接垫31的未被绝缘层22的其余部分覆盖的部分上表面、绝缘层22的其余部分上表面以及处于边缘区域B的平坦层26的顶面263。
此外，在上述操作中，操作302可以被移除，即在进行完操作301之后，直接进行操作303。相应的，在操作303、操作304以及操作305中，对绝缘层22进行的操作可相应的被移除。
作为本发明的另一实施方式，在操作304中，利用透光率渐变的掩膜图案化平坦层26和绝缘层22，将形成在所述连接垫31的部分上表面的平坦层26和绝缘层22去除的同时，将形成在所述连接垫31的另一部分上表面的平坦层26的一侧面形成斜面261。在操作305中，在基板10的边缘区域B的部分上表面形成透明电极层28。这里，透明电极层28覆盖所述连接垫31部分上表面以及处于边缘区域B的平坦层26的顶面263。这样，可使的制作较为简单，并且可减小未被平坦层26覆盖的连接垫31的宽度，有利于液晶显示器的窄边框的设计。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (9)

1.一种液晶显示器的连接垫结构的制作方法，其特征在于，至少包括步骤：
A)在基板显示区域形成薄膜晶体管的栅电极的同时，在基板边缘区域的部分上表面形成多个连接垫(31)；
B)在该基板边缘区域的部分上表面形成绝缘层(22)，并覆盖所述连接垫(31)；
C)在该基板边缘区域的部分上表面形成平坦层(26)，并覆盖所述连接垫(31)；
D)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层(26)，将形成在所述连接垫(31)的部分上表面的平坦层(26)去除的同时，将形成在所述连接垫(31)的另一部分上表面的平坦层(26)的一侧面形成斜面(261)；
F)在该基板的边缘区域的部分上表面形成导电层(28)，所述导电层(28)分别接触所述连接垫(31)和薄膜晶体管的漏极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤D)替换为：
E)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层(26)和绝缘层(22)，将形成在所述连接垫(31)的部分上表面的平坦层(26)和绝缘层(22)去除的同时，将形成在所述连接垫(31)的另一部分上表面的平坦层(26)的一侧面形成斜面(261)。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤D)替换为：
E)利用透光率渐变的掩膜图案化所述平坦层(26)和绝缘层(22)，将形成在所述连接垫(31)的部分上表面的平坦层(26)和绝缘层(22)的部分去除的同时，将形成在所述连接垫(31)的另一部分上表面的平坦层(26)的一侧面形成斜面(261)。
4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述导电层(28)覆盖所述连接垫(31)的部分上表面、所述平坦层(26)的斜面(261)及其顶面(263)。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述导电层(28)覆盖所述连接垫(31)的未被所述绝缘层(22)的其余部分覆盖的部分上表面、所述绝缘层(22)的其余部分上表面、所述平坦层(26)的斜面(261)及其顶面(263)。
6.一种液晶显示器的连接垫结构，其特征在于，至少包括：
多个连接垫(31)，形成在基板边缘区域的部分上表面；所述多个连接垫(31)与形成在基板像素区域的薄膜晶体管的栅电极同时形成；
平坦层(26)，其一侧面为斜面(261)，并位于所述连接垫(31)的另一部分上表面，其中，所述斜面(261)是在利用透光率渐变的掩膜图案化覆盖所述连接垫(31)的平坦层(26)，将形成在所述连接垫(31)的部分上表面的平坦层(26)去除的同时形成；
绝缘层(22)，位于所述连接垫(31)的另一部分上表面与所述平坦层(26)之间；
导电层(28)，形成在该基板的边缘区域的部分上表面，所述导电层(28)分别接触所述连接垫(31)和薄膜晶体管的漏极。
7.根据权利要求6所述的连接垫结构，其特征在于，所述绝缘层(22)的部分位于所述连接垫(31)的另一部分上表面与所述平坦层(26)之间，所述绝缘层(22)的其余部分位于所述连接垫(31)的部分上表面。
8.根据权利要求6所述的连接垫结构，其特征在于，所述导电层(28)覆盖所述连接垫(31)的部分上表面、所述平坦层(26)的斜面(261)及其顶面(263)。
9.根据权利要求6所述的连接垫结构，其特征在于，所述导电层(28)覆盖所述连接垫(31)的未被所述绝缘层(22)的其余部分覆盖的部分上表面、所述绝缘层(22)的其余部分上表面、所述平坦层(26)的斜面(261)及其顶面(263)。
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