CN104122713A - 一种液晶显示器阵列基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，该方法包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖整个该基板；在该钝化层上方沉积一层透明导电层，并蚀刻形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；移除该透明导电层；在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。

Description

一种液晶显示器阵列基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器，尤其涉及一种液晶显示器的阵列基板的制造方法。

背景技术

作为液晶显示器的显示方式，以往扭曲向列(Twisted Nematic，TN)方式一直被广泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。

作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关(In Plane Switching，IPS)方式和边缘场开关 (Fringe Field Switching，FFS)方式。该横向电场方式在阵列基板上形成像素电极和共用电极，对该像素电极和该共用电极之间施加电压，使之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板面基本平行的面内驱动液晶分子。

然而，现有技术的IPS或FFS型液晶显示器的阵列基板中，公共电极是通过钝化层中的通孔与公共电极线连接的。在蚀刻该通孔的制程中，该通孔的大小难以控制，可能会使该像素电极与该公共电极的距离较近，而在某一地方发生短路，使像素始终处于暗态，造成显示画面中产生颜色异常。

发明内容

为此，本发明提供一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，能较好地控制钝化层通孔的大小和位置，以避免像素电极和公共电极发生短路，避免画面中存在颜色异常。

根据本发明的一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括：在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极和该公共电极线；在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；形成一层钝化层覆盖整个该基板；在该钝化层上方沉积一层透明导电层，并蚀刻形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；移除该透明导电层；在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。

相较于现有技术，根据本发明提供的阵列基板的制造方法，由于利用一层透明导电层作为钝化层的掩模，可较好地控制钝化层通孔的大小，防止公共电极和像素电极发生短路，因此，可防止显示画面中存在颜色异常，提高产品品质。

附图说明

图1—图8中为本发明提供的制造液晶显示器阵列基板的示意图。

图9为本发明提供的液晶显示器阵列基板的俯视图。

主要元件符号说明

阵列基板	100
		基板	10
栅极	11
		公共电极线	12
栅极绝缘层	13
		像素电极	14
通道层	15
		源极	16a
漏极	16b
		薄膜晶体管	17
钝化层	18
		通孔	18a
公共电极	19
		狭缝	19a
透明导电层	20
		开孔	20a

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

将参照附图表述根据本发明的实施例用于液晶显示器的阵列基板。

参照图1至图8，根据本发明实施例制造液晶显示器阵列基板的方法，具体描述如下。

如图1所示，提供一基板10，该基板10可为透明玻璃基板。在该基板上形成栅极11、栅极线（未示出）和公共电极线12。该栅极11、栅极线和该公共电极线12的材质为导电材料，如金属铝、铜、钼，但不限于此。更好的，也可以为多层结构，如钼铝钼结构，钼铝结构或者多层铝结构，但不限于此。

如图2所示，形成一栅极绝缘层13，覆盖该基板10和该栅极11、该栅极线、该公共电极线12。该栅极绝缘层13材质为电介质，比如氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅，但不限于此。

然后，在该栅极绝缘层13上形成像素电极14，该像素电极14的材质可为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。该像素电极14可以为平板状电极。

如图3所示，在该栅极11上方形成通道层15。值得注意的是为了提升开光性能，通常将会形成欧姆接触层（图中未示）。该欧姆接触层能够选择性的形成在该通道层15的上方。该通道层15和该欧姆接触层均为半导体材质比如说非晶硅，但不限于此。本实施方式中，欧姆接触层是被重度参杂的半导体层，如重度参杂氮离子，而通道层15则是轻度参杂的半导体层，比如轻度参杂氮离子。

该像素电极14和该通道层15均位于栅极绝缘层13上方，本发明也可以设计先形成通道层15、后形成像素电极14（图中未示）。

如图4所示，在该通道层15上方形成源极16a、漏极16b以及多条数据线（图中未示）。该源极16a、该漏极16b和该数据线的材质为导体，比如说为金属铝、铜、钼，但不限于此。在较好的实施例中，例如，该导体材质可以是多层结构，比如钼铝钼结构，钼铝结构或者是多层铝结构，但不限于此。其中，该源极16a和该漏极16b位于该通道层15的上方并彼此分离，该漏极16b部分覆盖该像素电极14，与该像素电极14连接。该源极16a、该漏极16b、该通道层15和该栅极11构成了薄膜晶体管（TFT）17。该数据线与该栅极线交叉限定多个子像素区，每个子像素区包括一个TFT17和一个像素电极14。

如图5所示，形成一层钝化层18覆盖整个基板，该钝化层18为无机材质，比如说氮化硅，或者是有机材料，比如说丙烯酸脂。

在图案化钝化层18之前，先沉积一层透明导电层20，该透明导电层20覆盖该钝化层18。该透明导电层20的材质可以为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。

利用该钝化层18对应的掩模（图中未示）先对该透明导电层20进行图案化，以在对应公共电极线12的上方形成一开孔20a。该开孔20a至少与部分该公共电极线12重叠，且该开孔20a与该像素电极14相互隔离。

由于该透明电极层20的材质与该钝化层18、该栅极绝缘层13的材质不同，适用的蚀刻溶液也不同，所以，在蚀刻钝化层18的过程中，并不会蚀刻到该透明电极层20。因此，具有开孔20a的该透明电极层20也可作为蚀刻该钝化层18的掩模。

如图6所示，利用钝化层18的掩模和该透明导电层20共同作为掩模，对该钝化层18和该栅极绝缘层13图案化，以定义一通孔18a。该通孔18a位于该透明导电层20的开孔20a下方，并与该透明导电层20的开孔20a的大小大致相等。该通孔18a贯穿部分该钝化层18和部分该栅极绝缘层13，以暴露出部分该公共电极线12。

利用该透明导电层20为掩模，可以精准控制该通孔18a的位置，防止该通孔18a偏移，同时可以防止在蚀刻该通孔18a的过程中，造成该钝化层18和该栅极绝缘层13的过蚀刻，因此可防止该通孔18a过大或者各通孔18a大小不均；由于透明导电层的开孔20a与像素电极14相互隔离，该通孔18a也将与该像素电极14相互隔离，因此，后续填充该通孔18a的公共电极19将不会与像素电极14发生短路，防止显示画面中产生颜色异常。

如图7所示，移除该透明导电层20。移除该透明导电层20的方法例如为使用酸性溶液蚀刻该透明导电层20。

如图8所示，最后在该钝化层的上方形成公共电极19。该公共电极19的材质可为氧化铟锡（ITO）或者氧化铟锌（IZO），但不限于此。该公共电极19包括多个平行排列的狭缝19a。该公共电极19覆盖该通孔18a的内表面并与公共电极线12连接。

图9是该阵列基板100的俯视图。如图9所示，该公共电极19包含多个狭缝19a，狭缝19a大致为平行排列的“<”字型，但不限于此。该狭缝19a还可以是条形或其他形状。

以上仅为本发明的一个实施例，本发明还可设计该像素电极14具有多个狭缝，而该公共电极19为平板状电极，不具有狭缝；或者设计该像素电极14和该公共电极19均具有多个狭缝。换句话说，至少像素电极14和公共电极19中的一种具有多个狭缝，使两者之间能产生横向电场。

通过以上方法，可形成本发明提供的液晶显示器的阵列基板100。本发明提供的液晶显示器可以是IPS型液晶显示器，或者是FFS型液晶显示器。

总之，本发明利用一层透明导电层作为钝化层的掩模，可较好地控制钝化层通孔的大小和位置，防止公共电极和像素电极发生短路，因此，可防止显示画面中存在颜色异常，提高产品品质。

本领域的普通技术人员应当理解，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，该方法包括：

在基板表面上形成多个栅极、多条栅极线和多条公共电极线；

形成一层栅极绝缘层覆盖该基板、该栅极、该栅极线和该公共电极线；

在该栅极绝缘层上方形成多个像素电极；

形成一层钝化层覆盖整个该基板；

形成一层透明导电层覆盖该钝化层，并图案化该透明导电层以形成一开孔，该开孔至少与部分该公共电极线重叠；

图案化该钝化层和该绝缘层，以在开孔下方形成一通孔，该通孔贯穿该钝化层和该栅极绝缘层，并暴露出部分公共电极线；

移除该透明导电层；

在该钝化层上方形成一公共电极，覆盖该通孔的内表面并与该公共电极线连接。

2.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该开孔与该像素电极相隔离。

3.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该透明电极层利用该钝化层的掩模进行图案化以形成该开孔。

4.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该钝化层利用该钝化层的掩模和该透明导电层共同作为掩模来图案化以形成该通孔。

5.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该开孔与该通孔的大小大致相等。

6.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该透明导电层的材质为氧化铟锡或者氧化铟锌。

7.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该像素电极和该公共电极中的至少一种具有多个平行排列的狭缝。

8.如权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法还包括在该栅极上方形成一层通道层。

9.如权利要求8所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法还包括在该通道层的两侧形成彼此分离的源极和漏极，该漏极部分覆盖该像素电极，同时形成多条资料线。

10.如权利要求9所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于：该栅极、该源极、该漏极和该通道层构成了薄膜晶体管。