CN104662470A - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供能够提高防湿性和抗蚀剂涂敷性并且能够抑制液晶分子的取向紊乱的产生的液晶显示器。本发明的液晶显示器包括有机绝缘膜(18)、上述有机绝缘膜(18)上的透明电极(19)和上述透明电极(19)上的层间绝缘膜(20)，上述透明电极(19)具有被实施等离子体处理后的表面，上述有机绝缘膜(18)从上述透明电极(19)的端部(19a)在垂直方向上被削去，在上述端部(19a)下具有台阶部(18a)，上述透明电极(19)不从上述台阶部(18a)向侧方突出，上述台阶部(18a)的高度(h)为20nm以下。

Description

液晶显示器
技术领域
本发明涉及液晶显示器。更详细而言，涉及适合作为水平取向模式的一种的边缘场开关(FFS：Fringe Field Switching)方式的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器一般包括：像素电极和薄膜晶体管(TFT)形成为矩阵状的薄膜晶体管基板(以下，还称为阵列基板。)；和与阵列基板相对、在与像素电极对应的位置形成有彩色滤光片的对置基板，在阵列基板与对置基板之间夹持有液晶层。而且，通过按每像素控制液晶层中的液晶分子的取向而控制光的透射率，从而生成图像。
液晶显示器因为是平板而且轻量，所以其用途广泛分布于TV等大型显示装置至移动电话和DSC(Digital Still Camera：数字照相机)等各种领域。但是在液晶显示器中视野角特性成为问题。如果视野角特性差，则在从正面看画面的情况下和从斜方向看画面的情况下亮度和/或色度发生变化。
作为液晶显示器的主要的液晶模式，已知有：对介电常数各向异性为负的液晶分子施加与基板面垂直方向的电场而控制该液晶分子的取向的垂直取向(VA：Vertical Alignment)模式；和对介电常数各向异性为正或为负的液晶分子施加与基本面水平方向(平行的方向)的电场(横电场)而控制该液晶分子的取向的水平取向模式。关于视野角特性，一般认为水平取向模式比垂直取向模式更优异。此外，作为水平取向模式的液晶显示器的一种，提案有边缘场开关(FFS：FringeField Switching)方式的液晶显示器。FFS方式的液晶显示器通过对液晶层施加边缘电场(包括横电场和纵电场两种成分的斜电场)而进行显示。
关于FFS方式的液晶显示器，例如公开有在形成于有机钝化膜上的对置电极上形成层间绝缘膜之前进行等离子体灰化处理、削去有机钝化膜的表面而形成悬挑(Overhang)部的技术(例如，参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-53371号公报
发明内容
发明所要解决的问题
在FFS方式的液晶显示器中，对置电极与形成于对置电极上的层间绝缘膜的紧贴性低，存在产生层间绝缘膜的剥离的问题。作为其主要原因，考虑以下两点。第一，需要将层间绝缘膜形成于有机绝缘膜上，不能提高层间绝缘膜的成膜温度，以低温形成层间绝缘膜。第二，对置电极上的抗蚀剂残渣。由于以上的主要原因，认为难以确保对置电极与其上的层间绝缘膜的紧贴性。
图10是本发明的发明人进行了研究的比较方式1的阵列基板的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
比较方式1的阵列基板是FFS方式的液晶显示器用的阵列基板，如图10所示，具有绝缘性基板111、绝缘性基板111上的TFT122、TFT122上的第一层间绝缘膜117、第一层间绝缘膜117上的有机绝缘膜118、有机绝缘膜118上的对置电极119、覆盖有机绝缘膜118和对置电极119的第二层间绝缘膜120和第二层间绝缘膜120上的像素电极121。TFT122包括栅极电极112、栅极绝缘膜113、半导体层114、源极电极115和漏极电极116。
有机绝缘膜118是为了减小阵列基板的表面的凹凸而设置的。在利用等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气象沉积)形成第二层间绝缘膜120的情况下，如果成膜温度高则与基底膜的紧贴性会更好，但是为了抑制有机绝缘膜118的特性变化，成膜温度需要为低温。具体而言，优选220℃以下的成膜温度。但是，以低温形成的第二层间绝缘膜120存在与基底膜的紧贴性差、如上述那样剥离的问题。
针对这样的问题，在专利文献1中公开有如下技术：在形成层间绝缘膜之前，进行等离子体灰化处理，由此削去有机钝化膜的表面并且使对置电极表面粗糙化，进一步除去对置电极上的抗蚀剂残渣，提高对置电极与层间绝缘膜的粘接力。
但是，在使用专利文献1中记载的技术的情况下，由于等离子体灰化处理而有机钝化膜被大片削去，其上的对置电极相对于有机钝化膜悬挑(overhang)。因此，在对置电极的端部附近，对置电极上的层间绝缘膜的覆盖性恶化，存在发生问题的可能性。具体而言，存在层间绝缘膜的防湿性降低或发生液晶分子的取向紊乱的问题。此外，存在使层间绝缘膜开口时的光刻中抗蚀剂涂敷性降低的问题。其结果是，存在在层间绝缘膜上涂敷抗蚀剂材料时产生涂膜凹陷等涂敷不良的问题。
本发明是鉴于上述现状而完成的发明，其目的在于，提供能够提高防湿性和抗蚀剂涂敷性、并且能够抑制液晶分子的取向紊乱的发生的液晶显示器。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式也可以为一种液晶显示器，其包括有机绝缘膜、上述有机绝缘膜上的透明电极和上述透明电极上的层间绝缘膜，
上述透明电极也可以具有被实施了等离子体处理的表面，
上述有机绝缘膜也可以从上述透明电极的端部在垂直方向上被削去，在上述端部下具有台阶部，
上述透明电极也可以不从上述台阶部向侧方突出，
上述台阶部的高度也可以为20nm以下。
以下，将该液晶显示器还称为本发明的第一液晶显示器。
本发明的另一方式也可以为一种液晶显示器，其包括有机绝缘膜、上述有机绝缘膜上的透明电极和上述透明电极上的层间绝缘膜，
上述透明电极也可以具有被实施了等离子体处理的表面，
上述有机绝缘膜也可以在上述透明电极的端部下具有不存在台阶差的平坦的上表面。
以下，将该液晶显示器还称为本发明的第二液晶显示器。
以下对本发明的第一和第二液晶显示器的优选实施方式进行说明。另外，以下的优选实施方式也可以适当地相互组合，将以下的两个以上的优选实施方式相互组合而得到的实施方式也是优选实施方式之一。
上述台阶部的高度也可以为不足10nm。
上述透明电极也可以为对置电极或像素电极。
本发明的第一和第二液晶显示器也可以在上述有机绝缘膜的下方包括具有氧化物半导体的TFT。
上述氧化物半导体也可以包含铟、镓、锌和氧。
发明的效果
根据本发明，能够实现能够提高防湿性和抗蚀剂涂敷性并且能够抑制液晶显示器的取向紊乱的发生的液晶显示器。
附图说明
图1是表示实施方式1的液晶显示器的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
图2是图1的对置电极的端部附近的放大图。
图3是实施方式1的液晶显示器所含的阵列基板的工艺流程图。
图4是对置电极形成前的实施方式1的阵列基板的截面的SEM照片。
图5是对置电极形成前的实施方式1的阵列基板的截面的SEM照片。
图6是对置电极形成前的比较方式2的阵列基板的截面的SEM照片。
图7是对置电极形成前的比较方式3的阵列基板的截面的SEM照片。
图8是对置电极形成前的比较方式4的阵列基板的截面的SEM照片。
图9是实施方式2的液晶显示器所含的阵列基板的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
图10是比较方式1的阵列基板的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
具体实施方式
以下列举实施方式，参照附图对本发明进行更详细的说明，但是本发明并不仅限定于这些实施方式。
另外，在本说明书中，对置电极的端部是指对置电极被中断的部分。因此，对置电极的部例如既可以是与在对置电极形成的开口邻接的部分，也可以是与对置电极的外周邻接的部分(周缘部)。
(实施方式1)
图1是实施方式1的液晶显示器的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
本实施方式的液晶显示器是有源矩阵驱动方式且是透射型的液晶显示器，是水平取向模式的一种的FFS方式的液晶显示器。如图1所示，本实施方式的液晶显示器包括液晶面板1、配置在液晶面板1的后方的背光源(未图示)、驱动和控制液晶面板1和背光源的控制部(未图示)、和将液晶面板1连接至控制部的挠性基板(未图示)。
液晶面板1包括显示图像的显示区域，在显示区域，呈矩阵状配置有多个像素。另外，各像素也可以由多种颜色(例如，红色、绿色和蓝色这三种颜色)的子像素构成。另一方面，本实施方式的液晶显示器也可以为单色液晶显示器，在这种情况下，不需要将各像素分割为多个子像素。
液晶面板1具有阵列基板(有源矩阵基板)10、与阵列基板10相对的对置基板40、设置在基板10、40之间的液晶层30和密封部件(未图示)、设置在阵列基板10的液晶层30侧的表面上的取向膜31、设置在对置基板40的液晶层30侧的表面上的取向膜32、作为后述的源极总线用的驱动电路的源极驱动器(未图示)和作为后述的栅极总线用的驱动电路的栅极驱动器(未图示)。取向膜31、32规定液晶层30中的液晶分子(未图示)的初始取向。
密封部件以包围显示区域的方式形成。此外，密封部件将基板10、40相互粘接，并且将液晶层30密封在基板10、40之间。
阵列基板10设置在液晶显示器的背面侧，对置基板40设置在观察者侧。在阵列基板10，从背光源被照射光，而且从对置基板40侧观察在液晶面板1显示的图像。在各基板10、40的与液晶层30相反侧的表面上粘贴有偏振光板(未图示)。这些偏振光板通常正交尼克尔地配置。
对置基板40具有透明的绝缘性基板41、多种颜色的彩色滤光片42、作为遮光部件发挥作用的黑矩阵(BM)43、覆盖彩色滤光片42和BM43的透明的覆盖膜44、多个柱状的间隔部件(未图示)和设置在对置基板40的与液晶层30相反侧的表面上的外部导电膜45。BM43以遮挡显示区域的周围的区域(边框区域)、与总线相对的区域和与后述的TFT相对的区域的光的方式形成。各色彩色滤光片42设置在显示区域内，以覆盖由BM43划分而成的区域即BM43的开口的方式形成。覆盖膜44是为了使对置基板40的表面的凹凸变小(平坦化)而设置的。柱状的间隔部件是用于将阵列基板10与对置基板40的间隔保持为规定的间隔的部件，设置在BM43上的遮光区域内。外部导电膜45是为了使液晶面板1的内部的电场稳定化而设置的，例如使用溅射法，由铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)等透明导电膜材料形成。
阵列基板10具有透明的绝缘性基板11，具有在绝缘性基板11上形成的各种部件。具体而言，在显示区域内具有以相互交叉的方式形成的多个源极总线和多个栅极总线(均未图示)。还可以设置与栅极总线平行的多个共用总线。各子像素与由源极总线和栅极总线或共用总线划分的区域大致一致。
阵列基板10在显示区域内具有作为开关元件发挥作用的多个TFT22。在绝缘性基板11上设置有栅极电极12，以覆盖栅极电极12的方式设置有栅极绝缘膜13。在栅极绝缘膜13上，以与栅极电极12重叠的方式设置有半导体层14。半导体层14呈岛状形成。此外，在栅极绝缘膜13上，以与半导体层14部分重叠的方式设置有源极电极15和漏极电极16。在栅极绝缘膜13、半导体层14、源极电极15和漏极电极16上设置有第一层间绝缘膜17。在第一层间绝缘膜17上设置有有机绝缘膜18。在有机绝缘膜18上设置有相当于上述透明电极的透明的对置电极19。在对置电极19上，以覆盖有机绝缘膜18和对置电极19的方式设置有第二层间绝缘膜20。在第二层间绝缘膜20上设置有与各TFT22连接的透明的像素电极21。TFT22和像素电极21在与各子像素对应的区域设置。各TFT22与对应的源极总线和栅极总线连接。
TFT22具有底栅结构，由栅极电极12、栅极绝缘膜13、半导体层14、源极电极15和漏极电极16构成。栅极电极12与栅极总线连接，源极电极15与源极总线连接。源极电极15和漏极电极16分别与半导体层14连接。
在漏极电极16上，在第一层间绝缘膜17、有机绝缘膜18和第二有机绝缘膜20分别形成有开口，通过这些开口，像素电极21与漏极电极16连接。在像素电极21形成有相互平行的多个狭缝(细长的开口)21a。另一方面，对置电极19在除了上述开口以外的区域，以最少与狭缝21a相对的方式形成。对置电极19也可以在上述开口以外的区域以覆盖整个显示区域的方式形成。
在栅极总线和栅极电极12，从栅极驱动器以规定的时序被脉冲供给扫描信号，扫描信号按线顺序方式被施加至各TFT22。TFT22通过扫描信号的输入而仅在一定期间成为导通状态。在TFT22为导通状态期间，在像素电极21通过源极总线和TFT22从源极驱动器被供给图像信号。另一方面，在对置电极19被供给作为对所有像素共用地施加的信号的共用信号。因此，当对像素电极21施加图像信号时，在像素电极21与对置电极19之间呈抛物线状产生电力线，在液晶层30产生与图像信号相应的边缘电场。而且，通过该边缘电场控制液晶分子(通常为具有正的介电常数各向异性的向列型液晶分子)的取向(旋转)，其结果是，能够控制各子像素的光透射率。这样，大量的子像素被单个地独立驱动，在显示区域显示图像。
此外，像素电极21与对置电极19重叠，在它们之间设置有第二有机绝缘膜20。进一步，在对置电极19，如上述那样施加有共同信号。因此，当对像素电极21施加图像信号时，通过这些透明的部件形成保持电容。这样，像素电极21和对置电极19作为保持电容用的电极发挥作用。此外，第二层间绝缘膜20作为将像素电极21与对置电极19之间绝缘的绝缘体发挥作用，并且作为形成保持电容的电介质发挥作用。
图2是图1的对置电极的端部附近的放大图。
如后所述，在本实施方式中，在第二层间绝缘膜20的形成前进行等离子体处理。因此，对置电极19具有被实施了等离子体处理的表面。此外，通过该等离子体处理，有机绝缘膜18的一部分被稍加蚀刻。其结果是，如图2所示，有机绝缘膜18从对置电极19的端部19a在垂直方向上被削去，成为在端部19a下具有台阶部18a。不过，对置电极19并不从台阶部18a向侧方突出，不形成悬挑部。此外，台阶部18a的高度h即有机绝缘膜18在垂直方向上被削去的量被设定为20nm以下。另外，垂直方向是指相对于绝缘性基板11的主面的法线方向。
由于形成这样的结构，所以能够在通过等离子体处理确保第二层间绝缘膜20的紧贴性的基础上，进一步在端部19a和台阶部18a附近确保第二层间绝缘膜20的覆盖性。第二层间绝缘膜20除了上述的作为保持电容的电介质的作用以外，还发挥防水的效果。因此，在台阶部18a附近的覆盖性恶化的情况下，存在水分从台阶部18a侵入，有机绝缘膜18膨润，引起有机绝缘膜18的特性劣化的可能性。此外，在这种情况下，存在水分从台阶部18a侵入而到达TFT22，引起TFT22的特性劣化的可能性。但是，在本实施方式中，能够抑制那样的问题的产生。
进一步，由于第二层间绝缘膜20具有充分的覆盖性，所以能够防止第二层间绝缘膜20的抗蚀剂涂敷性的降低。因此，能够抑制在第二层间绝缘膜20上涂敷抗蚀剂材料时产生涂膜凹陷等涂敷不良。
而且，根据上述结构，能够抑制在端部19a和台阶部18a附近产生液晶分子的取向紊乱。
另外，台阶部18a的高度h也可以不足10nm。高度h的下限没有特别限定，能够适当地设定。高度h例如也可以为1nm以上。
以下，对本实施方式的液晶显示器的制造方法进行说明。图3是实施方式1的液晶显示器所含的阵列基板的工艺流程图。
首先，准备具有绝缘性的表面的绝缘性基板11。作为绝缘性基板11，能够使用玻璃基板、硅基板、具有耐热性的塑料基板等显示器用途中普遍使用的绝缘性基板。作为上述塑料基板的材料，例如能够列举聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚醚砜树脂、丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等。
接着，在绝缘性基板11上形成包括栅极电极12、栅极总线等的导电层(以下，还称为栅极层。)。作为栅极层的材料，例如能够使用钼(Mo)、铝(Al)等。此外，栅极层还可以包括阻挡金属层，作为阻挡金属层的材料，例如能够使用钛(Ti)、钼(Mo)等。使用溅射法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过湿蚀刻或干蚀刻进行图案形成。
接着，在形成有栅极层的绝缘性基板11上形成栅极绝缘膜13。作为栅极绝缘膜13的材料，例如能够使用氮化硅(SiNx)、氧化硅(例如SiO2)等。使用等离子体CVD法或溅射法进行成膜。栅极绝缘膜13也可以为由上述材料形成的层叠膜。
接着，在栅极绝缘膜13上形成岛状的半导体层14。作为半导体层14的材料，例如能够使用非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、氧化物半导体等。使用等离子体CVD法或溅射法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过湿蚀刻或干蚀刻进行图案形成。
氧化物半导体优选包含选自铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、铜(Cu)、锌(Zn)、镁(Mg)和镉(Cd)中的至少一种元素和氧(O)，更优选包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)。在使用氧化物半导体的情况下，与使用非晶硅的情况相比，能够提高TFT22的迁移率。因此，即使精细度变高，即，即使每子像素的TFT22的导通时间变短，也能够对液晶层30充分地施加电压。此外，在使用氧化物半导体的情况下，与使用非晶硅的情况相比，能够减少TFT22的断开状态的漏电流。因此，无论在高精细度的情况下还是非高精细度的情况下，均能够采用低频驱动、设置停止期间的驱动等驱动，其结果是，能够降低消耗电力。
接着，在形成有半导体层14的绝缘性基板11上，形成包括源极电极15、漏极电极16、源极总线的导电层(以下，还称为源极层。)。作为源极层的材料，例如能够使用钼(Mo)、铝(Al)等。此外，源极层还可以包括阻挡金属层，作为阻挡金属层的材料，例如能够使用钛(Ti)、钼(Mo)等。使用溅射法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过湿蚀刻或干蚀刻进行图案形成。
接着，在形成有源极层的绝缘性基板11上，作为无机钝化膜形成第一层间绝缘膜17。第一层间绝缘膜17保护TFT22，特别是保护TFT22的沟道部不受杂质影响。作为第一层间绝缘膜17的材料，例如能够使用氮化硅(SiNx)、氧化硅(例如SiO2)等。使用等离子体CVD法或溅射法进行成膜。第一层间绝缘膜17也可以为由上述材料形成的层叠膜。
接着，在第一层间绝缘膜17上形成有机绝缘膜18。此外，在有机绝缘膜18形成用于将像素电极21与漏极电极16连接的开口。有机绝缘膜18是为了保护TFT22以及使阵列基板10的表面的凹凸变小(平坦化)而设置的。有机绝缘膜18的厚度优选为1μm～4μm，更优选为2μm～3μm。作为有机绝缘膜18的材料，例如能够使用丙烯酸类感光性树脂、硅类感光性树脂、聚酰亚胺类感光性树脂等感光性树脂。在使用感光性树脂材料的情况下，能够不形成抗蚀剂图案，进行感光性树脂膜的曝光和显影、即图案形成。图案形成后，进行退火而烧制被图案形成后的膜。通过上述退火，有机绝缘膜18的表面在开口周边成为光滑的曲面。上述退火优选在190℃～230℃进行，更优选在200℃～220℃进行，优选进行30分钟～2小时，更优选进行1小时左右。
之后，通过以有机绝缘膜18为掩模进行干蚀刻，对第一层间绝缘膜17进行蚀刻，使漏极电极16的表面露出。其结果是，形成贯通有机绝缘膜18和第一层间绝缘膜17的接触孔。
接着，在有机绝缘膜18上形成对置电极19。对置电极19在有机绝缘膜18的平坦的上表面上形成。作为对置电极19的材料，例如能够使用透明导电膜材料。作为透明导电膜材料的具体例，能够列举ITO等金属氧化物。使用溅射法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过湿蚀刻进行图案形成。对置电极19的厚度优选为50nm～200nm，更优选为60nm～120nm。
接着，在形成第二层间绝缘膜20之前，对形成有对置电极19的绝缘性基板11进行处理(以下，还称为前处理。)。作为前处理，进行等离子体处理即可。由此，能够除去对置电极19上的抗蚀剂残渣。此外，能够使对置电极19和有机绝缘膜18的表面粗糙。因此，能够提高对置电极和有机绝缘膜18与第二层间绝缘膜20的紧贴性。此外，因为等离子体特别对有机绝缘膜18强烈起作用，所以有机绝缘膜18的露出部被等离子体分解除去。即，有机绝缘膜18成为以对置电极19为掩模地稍被蚀刻的状态。其结果是，如上所述那样，形成高度20nm以下的台阶部18a。
不过，根据等离子体处理的条件，存在如专利文献1中公开的那样形成悬挑部的可能性，因此优选适当地调整等离子体处理的条件。进行等离子体处理的装置和方式没有特别限定，例如能够列举等离子体CVD装置、等离子体蚀刻装置、等离子体灰化装置等。其中，等离子体处理优选在与第二层间绝缘膜20的形成用装置(优选为等离子体CVD装置)相同的装置内进行。另外，在使用等离子体CVD装置的情况下，认为有机绝缘膜18被各向同性地蚀刻(分解除去)。但是，在本实施方式中，因为将台阶部18a的高度设定为20nm以下，所以能够防止悬挑部的形成。
由于等离子体处理的时间越长有机绝缘膜18被削去的量就越多，因此优选处理时间尽量短。此外，在使用第二层间绝缘膜20的形成用的等离子体CVD装置的情况下，装置内如果如后述那样为200℃前后则与常温相比为高温，优选在将绝缘性基板11设置在等离子体CVD装置内之后，趁绝缘性基板11的温度未过于上升时开始等离子体处理。至开始处理的时间越长有机绝缘膜18被削去的量就越多。根据以上说明，等离子体处理的时间和至开始等离子体处理为止的时间均优选设定在几秒至几十秒。
等离子体处理优选为使用氧类气体的氧类等离子体处理，作为氧类气体的优选的具体例，能够列举氧(O2)、一氧化氮(N2O)等。只要为等离子体CVD装置就能够使用N2O气体，只要为等离子体蚀刻装置或等离子体灰化装置就能够使用O2气体。在使用金属氧化物形成对置电极19的情况下，能够通过进行氧类等离子体处理而将对置电极19的表面改性，能够修复表面的缺氧。
接着，在实施了前处理的绝缘性基板11上，作为无机钝化膜形成第二层间绝缘膜20。作为第二层间绝缘膜20的材料，例如能够使用氮化硅(SiNx)、氧化硅(例如SiO2)等。使用等离子体CVD法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过干蚀刻进行图案形成。其结果是，在第二层间绝缘膜形成开口。该开口以至少一部分与上述接触孔重叠的方式形成。第二层间绝缘膜20也可以为由上述材料形成的层叠膜。
第二层间绝缘膜20的成膜温度被设定在不发生有机绝缘膜18的变质的范围内。具体而言，优选为有机绝缘膜18的烧制温度以下。更详细而言，优选为190℃～230℃，更优选为200℃～220℃。这样，第二层间绝缘膜20通过所谓的低温CVD法形成，因此担心第二层间绝缘膜20与其下的对置电极19和有机绝缘膜18的紧贴性(粘接性)的降低。但是，因为在第二层间绝缘膜20的形成前进行上述的前处理，所以能够确保它们的紧贴性(粘接性)。另外，在本实施方式中，本发明的发明人确认到对置电极19的端部19a不形成悬挑部，能够确保上述紧贴性。
接着，在形成有第二层间绝缘膜20的绝缘性基板11上形成像素电极21。作为像素电极21的材料，例如能够使用透明导电膜材料。作为透明导电膜材料的具体例，能够列举ITO等金属氧化物。使用溅射法进行成膜，使用光刻法形成抗蚀剂图案，通过湿蚀刻进行图案形成。
以上的结果是完成阵列基板。之后，在单元组装工序中，在阵列基板和另外制作的对置基板的各表面上，涂敷形成含有聚酰亚胺等有机树脂的取向膜。而且，使用摩擦处理、光取向处理等方法对各取向膜实施取向处理，使得液晶分子向规定的方向取向。
接着，在阵列基板和对置基板中的任一基板上以包围显示区域的方式涂敷密封材料，在阵列基板和对置基板中的任一基板上滴下液晶材料，之后，将阵列基板和对置基板以使得彼此的取向膜相对的方式重叠。之后，使密封材料固化而将两个基板相互贴合。其结果是，在两个基板之间形成液晶层。
之后，经过偏振光板和相位板(任意)的贴附工序，完成液晶面板。之后，将FPC基板和形成有驱动电路的IC芯片(任意)与液晶面板连接，在液晶面板安装控制部和背光源单元，并将它们收纳于壳体中，这样则完成实施方式1的液晶显示器。
以下，对调查有机绝缘膜18的台阶部18a的高度与第二层间绝缘膜20的覆盖性的关系后的结果进行说明。图4～8是对置电极形成前的阵列基板的截面的SEM照片，图4和图5表示本实施方式的阵列基板，图6～8分别表示比较方式2～4的阵列基板。
任意阵列基板的制造工序中均在第二层间绝缘膜20的形成前、使用第二层间绝缘膜20形成用的等离子体CVD装置进行氧类等离子体处理。作为氧类气体，使用N2O气体。除了对等离子体处理的时间、从将阵列基板设置在等离子体CVD装置内起至开始进行等离子体处理为止的时间(以下，还称为至处理开始为止的时间。)、和等离子体CVD装置的电极间距离进行变更以外，图4～8的阵列基板彼此相同地进行制作。在图5～8的情况下，与图4的情况相比，令等离子体处理的时间和/或至处理开始为止的时间长。电极间距离在图7的情况下为30mm，在图7以外的情况下为25mm。在图4～8的任一情况下，RF电力均设定为57mW/cm2，处理压力均设定为1100mTorr。
其结果是，有机绝缘膜18的台阶部18a的高度(挖掘量)在图4所示的阵列基板为10nm，在图5所示的阵列基板为20nm，在图6所示的阵列基板为30nm，在图7所示的阵列基板为100nm，在图8所示的阵列基板为180nm。
于是，确认到在台阶部的高度即有机绝缘膜18的削去量为30nm以上的情况下，在台阶部附近，第二层间绝缘膜20的覆盖(coverage)不充分，产生条纹(龟裂)20a。当这样存在条纹时，不仅水分通过该部分侵入，而且会产生抗蚀剂涂敷性的降低和液晶分子的取向紊乱等问题。
另一方面，确认到当台阶部的高度为20nm以下时，能够实现没有条纹的良好的覆盖。
(实施方式2)
本实施方式除了对置电极的端部附近的结构不同以外，与实施方式1和实质上相同。因此，在本实施方式中，主要对本实施方式中特有的特征进行说明，对与实施方式1重复的内容省略说明。此外，对在本实施方式和实施方式1中具有同一或相同的功能的部件(包括其部分。)标注同一附图标记，在本在本实施方式中，中省略其部件的说明。
图9是实施方式2的液晶显示器所含的阵列基板的截面示意图，表示显示区域内的TFT及其周边。
本实施方式的液晶显示器所含的阵列基板10具有绝缘性基板11、绝缘性基板11上的TFT22、TFT22上的第一层间绝缘膜17、第二层间绝缘膜17上的有机绝缘膜18、有机绝缘膜18上的对置电极19、覆盖有机绝缘膜18和对置电极19的第二层间绝缘膜20、和第二层间绝缘膜20上的像素电极21。TFT22包括栅极电极12、栅极绝缘膜13、半导体层14、源极电极15和漏极电极16。
在本实施方式中，也在第二层间绝缘膜20的形成前进行等离子体处理(优选为氧等离子体处理)。因此，对置电极19具有被实施了等离子体处理的表面。不过，在本实施方式中，与实施方式1的情况相比更轻度地进行等离子体处理，因此有机绝缘膜18几乎不会由于等离子体处理而被蚀刻。更具体而言，优选将等离子体处理的时间和/或至处理开始为止的时间与实施方式1的情况相比设定为短时间。在使用等离子体CVD装置的情况下，RF电力、处理压力和电极间距离分别例如能够设定为42mW/cm2、1100mTorr和25mm。其结果是，如图9所示，有机绝缘膜18在对置电极19的端部19a下不具有台阶部，具有平坦的上表面18b。
根据本实施方式，能够获得与实施方式1相同的作用效果。
以上，在实施方式1、2，对在对置电极上隔着第二层间绝缘膜配置有像素电极的结构进行了说明，各实施方式还可以采用在像素电极上隔着第二层间绝缘膜配置有对置电极的结构。在这种情况下，像素电极相当于上述透明电极。
此外，在实施方式1、2，对在绝缘性基板与半导体层之间配置有栅极电极的、所谓的底栅型TFT进行了说明，在各实施方式中，TFT的类型并不特别限定，能够适当地进行设定。例如，也可以设置在绝缘性基板与栅极电极间配置半导体层，在栅极电极上隔着层间绝缘膜配置有源极电极和漏极电极的所谓的平面型的TFT。
此外，各实施方式的液晶显示器还可以为单色液晶显示器，在这种情况下，不需要将各像素分割为多个子像素。
此外，在实施方式1、2，对FFS方式的液晶显示器进行了说明，在各实施方式中，液晶显示显示器的显示方式只要为具备有机绝缘膜、有机绝缘膜上的透明电极和透明电极上的层间绝缘膜的显示方式就没有特别限定，能够适当地进行设定。例如，也可以为TN(TwistedNematic：扭转向列)方式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment：多畴垂直取向)表示、具备分别具有梳齿结构的对置电极和像素电极以及设置在两电极间的层间绝缘膜的面内开关(IPS：In-plane-Switching)方式、TBA(Transverse Bend Alignment：横向弯曲取向)方式等显示方式。其中，在TBA方式中，液晶层包含具有负的介电常数各向异性的向列型液晶分子，该液晶分子在未施加电压时垂直取向，阵列基板包括一对电极(例如，分别具有梳齿结构的对置电极和像素电极)和设置在一对电极间的层间绝缘膜，通过在一对电极间产生的横电场而使液晶分子弯曲取向。其中，作为液晶显示器的显示方式，优选阵列基板具备透明电极、透明的像素电极和两电极间的层间绝缘膜(以下，将这样的结构还称为透明Cs结构。)、并通过这些部件形成保持电容的显示方式，作为这样的显示方式，例如能够列举具备透明Cs结构的CPA(Continuous Pinwheel Alignment：连续焰火状取向)表示。另外，在具备透明Cs结构的CPA方式中，液晶层包含具有负的介电常数各向异性的向列型液晶分子，该液晶分子在未施加电压时垂直取向，阵列基板包括透明电极、透明电极上的层间绝缘膜和层间绝缘膜上的透明的像素电极，透明电极被供给共用信号，对置基板包括与像素电极相对的透明的对置电极和设置在对置电极上的点状的突起(铆钉)，通过在像素电极与对置电极之间产生的纵电场而使液晶分子以突起为中心呈放射状取向。另外，还能够代替形成点状的突起(铆钉)，在对置电极形成圆形、十字形、多角形等形状的开口，由此使液晶分子以该开口为中心呈放射状取向。
此外，在实施方式1、2，对透射型的液晶显示器进行了说明，各液晶显示器的液晶面板还可以包括通过反射外光而进行显示的反射显示部。
进一步，上述的实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内也可以进行适当组合。此外，各实施方式的变形例也可以与其它实施方式组合。
附图标记的说明
1：液晶面板
10：阵列基板
11：绝缘性基板
12：栅极电极
13：栅极绝缘膜
14：半导体层
15：源极电极
16：漏极电极
17：第一层间绝缘膜
18：有机绝缘膜
18a：台阶部
18b：上表面
19：对置电极
19a：端部
20：第二层间绝缘膜
20a：条纹(龟裂)
21：像素电极
21a：狭缝
22：TFT
30：液晶层
31、32：取向膜
40：对置基板
41：绝缘性基板
42：彩色滤光片
43：黑矩阵(BM)
44：覆盖膜
45：外部导电膜
h：台阶部的高度

Claims (6)

1.一种液晶显示器，其特征在于，包括：
有机绝缘膜；
所述有机绝缘膜上的透明电极；和
所述透明电极上的层间绝缘膜，
所述透明电极具有被实施了等离子体处理的表面，
所述有机绝缘膜从所述透明电极的端部在垂直方向上被削去，在所述端部下具有台阶部，
所述透明电极不从所述台阶部向侧方突出，
所述台阶部的高度为20nm以下。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于：
所述台阶部的高度不足10nm。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于：
所述透明电极为对置电极或像素电极。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液晶显示器，其特征在于：
在所述有机绝缘膜的下方还包括具有氧化物半导体的TFT。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其特征在于：
所述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧。
6.一种液晶显示器，其特征在于，包括：
有机绝缘膜；
所述有机绝缘膜上的透明电极；和
所述透明电极上的层间绝缘膜，
所述透明电极具有被实施了等离子体处理的表面，
所述有机绝缘膜在所述透明电极的端部下具有不存在台阶差的平坦的上表面。
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