JP2012053371A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】対向電極が平面ベタで形成され、層間絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極が形成されたIPS方式液晶表示装置において、対向電極とその上に形成された層間絶縁膜が剥離することを防止する。
【解決手段】有機パッシベーション膜107の上に平面ベタで対向電極108が形成されている。対向電極108の上に層間絶縁膜109を形成する前に、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れてオーバーハング部であるA部が形成される。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れるとともに、対向電極108の表面も粗面化されるので、層間絶縁膜109の有機パッシベーション膜107あるいは対向電極108との接触面積が増大し、接着力が上昇する。また、プラズマアッシャーによって対向電極108上のレジスト残りも除去されるので、層間絶縁膜109の接着力が増大する。
【選択図】図2
【解決手段】有機パッシベーション膜107の上に平面ベタで対向電極108が形成されている。対向電極108の上に層間絶縁膜109を形成する前に、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れてオーバーハング部であるA部が形成される。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜107の表面が削れるとともに、対向電極108の表面も粗面化されるので、層間絶縁膜109の有機パッシベーション膜107あるいは対向電極108との接触面積が増大し、接着力が上昇する。また、プラズマアッシャーによって対向電極108上のレジスト残りも除去されるので、層間絶縁膜109の接着力が増大する。
【選択図】図2
Description
本発明は表示装置に係り、特に、層間の膜剥がれを対策し、信頼性を改善した、IPS方式の液晶表示装置に関する。
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、TFT基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、TV等の大型表示装置から、携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等、色々な分野で用途が広がっている。一方、液晶表示装置では視野角特性が問題である。視野角特性は、画面を正面から見た場合と、斜め方向から見た場合に、輝度が変化したり、色度が変化したりする現象である。視野角特性は、液晶分子を水平方向の電界によって動作させるIPS(In Plane Switching)方式が優れた特性を有している。
IPS方式も種々存在するが、例えば、対向電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極を配置し、画素電極と対向電極の間に発生する電界によって液晶分子を回転させる方式が透過率を大きくすることが出来るので、現在主流となっている。このような方式の液晶表示装置を記載したものとして、「特許文献1」が挙げられる。なお、画素電極を平面ベタで形成し、その上に、絶縁膜を挟んで櫛歯状の対向電極を配置する構成も存在するが、原理は同様である。
TFT基板には、TFTや映像信号線、走査線等が形成され、表面に凹凸が存在するので、有機パッシベーション膜を2μm程度に厚く形成する。IPSでは、対向電極と画素電極をTFT基板に形成する。有機パッシベーション膜の上に平面ベタで、透明電極であるITO(Indium Tin Oxide)によって対向電極を形成し、その上に層間絶縁膜をSiNによって形成し、その上にITOによって櫛歯状の画素電極を形成する。
層間絶縁膜はCVDによって形成される。一般に、CVD膜は、高温で形成したほうが、下地膜との接着力は強くすることが出来る。したがって、一般には、CVD膜は300℃程度の高温で行われる。しかし、本発明が対象とする液晶表示装置においては、層間絶縁膜の下には有機パッシベーション膜がすでに形成されているので、230℃以上の高温にすると、有機パッシベーション膜の特性が変化するため、層間絶縁膜111の形成は低温CVDで行われる。低温CVDで層間絶縁膜を形成することによって、層間絶縁膜のすぐ下に形成されている対向電極との接着力が問題となる。
層間絶縁膜をCVD膜によって成膜し、エッチングによってスルーホールを形成し、その後、画素電極を形成する。画素電極を形成後、配向膜を塗布し、配向膜のベーキングを行う。その後、配向膜をラビング処理する。
対向電極と層間絶縁膜との膜剥がれは、ラビング処理を行った後、発見される場合が多い。ラビング処理において、膜剥がれが生じていると、剥離した膜が異物となって、ラビング工程を汚染することになる。
したがって、対向電極と層間絶縁膜との膜剥がれの問題は、該当する液晶パネルが不良になるのみならず、ラビング工程を汚染して、該工程における液晶表示装置の製造歩留まりを低下させるという問題を生ずる。
本発明の課題は、対向電極と層間絶縁膜の接着力を向上させ、対向電極と層間絶縁膜との間の膜剥がれを防止することである。
本発明は、以上のような課題を解決するものであり、具体的な構成は次のとおりである。
(1)TFTが形成されたTFT基板とカラーフィルタが形成された対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、前記TFTの上は有機パッシベーション膜によって覆われ、前記有機パッシベーション膜の上は平面ベタで透明導電膜による第1の電極が形成され、前記第1の電極の上には、層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には透明導電膜による櫛歯状の第2の電極が形成され、前記第1の電極の端部において、前記有機パッシベーション膜の上部は、前記第1の電極の下部よりも下方に存在していることを特徴とする液晶表示装置である。
(2)前記第1の電極の端部において、前記第1の電極は前記有機パッシベーション膜に対してオーバーハングしていることを特徴とする。
(3)前記第1の電極は対向電極である場合もあるし、画素電極電極である場合もある。
(4)上記のような構成の液晶表示装置を製造するための製造方法は、前記有機パッシベーション膜の上に、ITOを被着し、前記ITOをパターニングすることによって、平面ベタの対向電極を形成する工程と、前記対向電極をパターニングした後、前記TFT基板に対してプラズマアッシャー処理を行い、
その後、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の上にITOによって櫛歯状の画素電極を形成することを特徴とする。
その後、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の上にITOによって櫛歯状の画素電極を形成することを特徴とする。
(5)上記工程において、平面ベタの電極は画素電極であり、層間絶縁膜を介して上方に形成された櫛歯電極が対向電極である場合もある。
(6)上記の工程が特に効果がある場合は、前記層間絶縁膜を230℃程度の低温CVDで形成する場合である。
本発明によれば、対向電極と層間絶縁膜の接着力が向上し、対向電極と層間絶縁膜の膜剥がれを防止することが出来る。したがって、液晶表示装置の製造歩留りを向上させることが出来る。また、膜剥がれに起因する、ラビング工程内の汚染を防止できるので、該工程における工程歩留り向上させることが出来る。
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
図1はIPS方式の液晶表示装置の表示領域における構造を示す断面図である。IPS方式の液晶表示装置の電極構造は種々のものが提案され、実用化されている。図1の構造は、現在広く使用されている構造であって、簡単に言えば、平面ベタで形成された対向電極108の上に絶縁膜を挟んで櫛歯状の画素電極110が形成されている。そして、画素電極110と対向電極108の間の電圧によって液晶分子301を回転させることによって画素毎に液晶層300の光の透過率を制御することにより画像を形成するものである。以下に図1の構造を詳しく説明する。なお、本発明は、図1の構成を例にとって説明するが、図1とは逆に平面ベタで形成された画素電極110の上に絶縁膜を挟んで櫛歯状の対向電極108が形成されているタイプのIPSの場合にも全く同様に適用することが出来る。
図1において、ガラスで形成されるTFT基板100の上に、ゲート電極101が形成されている。ゲート電極101は走査線と同層で形成されている。ゲート電極101は例えば、AlNd合金の上にMoCr合金が積層されている。
ゲート電極101を覆ってゲート絶縁膜102がSiNによって形成されている。ゲート絶縁膜102の上に、ゲート電極101と対向する位置に半導体層103がa−Si膜によって形成されている。a−Si膜はプラズマCVDによって形成される。a−Si膜はTFTのチャネル部を形成するが、チャネル部を挟んでa−Si膜上にソース電極105とドレイン電極104が形成される。なお、a−Si膜とソース電極105あるいはドレイン電極104との間には図示しないn+Si層が形成される。半導体層とソース電極105あるいはドレイン電極104とのオーミックコンタクトを取るためである。
ソース電極105は映像信号線が兼用し、ドレイン電極104は画素電極110と接続される。ソース電極105もドレイン電極104も同層で同時に形成される。TFTを覆って無機パッシベーション膜106がSiNによって形成される。無機パッシベーション膜106はTFTの、特にチャネル部を不純物から保護する。無機パッシベーション膜106の上には有機パッシベーション膜107が形成される。有機パッシベーション膜107はTFTの保護と同時に表面を平坦化する役割も有するので、厚く形成される。厚さは1μmから4μmである。有機パッシベーション膜107にはスルーホールが形成される。
有機パッシベーション膜107はアクリル系あるいはシリコン系等の感光性樹脂によって形成する。感光性樹脂を使用することによって、レジストの塗布等を省略できる利点がある。有機パッシベーション膜107を塗布後、プリベークして固化した状態で、マスクを用いて感光性樹脂を直接露光する。例えば、スルーホールの部分を露光して、露光した部分が現像液に溶解するようにしておくことによってスルーホールを形成する。スルーホールを形成後、有機パッシベーション膜107を焼成し、固化する。焼成は230℃程度で行う。有機パッシベーション膜107は、TFTの保護、あるいは、表面の平坦化のために重要なものであるが、後工程において、焼成温度を超える高温工程を経ると有機パッシベーション膜107が変質するので、後工程の温度条件に制約を生ずる。
有機パッシベーション膜107の上に透明導電膜であるアモルファスITO(Indium Tin Oxide)をスパッタリングによって被着し、フォトレジストによって、パターニングした後、蓚酸でエッチングし、対向電極108を形成する。対向電極108はスルーホールを避けて、平面ベタで形成される。その後、230℃でアニールして、ITOを多結晶化し、電気抵抗を低下させる。対向電極108の厚さは例えば、77μmである。
その後、対向電極108を覆って、層間絶縁膜109をCVDによって成膜する。このときのCVDの温度条件は、230℃程度であり、これは低温CVDと呼ばれる。その後、フォトリソグラフィ工程によって、層間絶縁膜109のパターニングを行う。
ところで、一般にCVDによって膜を形成するときは、基板温度は300℃以上で行われる。CVD膜等は、高温で形成したほうが、下地膜との接着力を強くすることが出来る。しかし、図1の構成においては、層間絶縁膜109の下には有機パッシベーション膜107がすでに形成されているので、230℃を超える高温にすると、有機パッシベーション膜107の特性が変化するので、層間絶縁膜109の形成は230℃程度の低温CVDで行われる。低温CVDで層間絶縁膜109を形成することによって、他の膜、特に、対向電極108と、層間絶縁膜109との接着力が問題となる。
本発明は対向電極108と層間絶縁膜109の接着力を強化するために、対向電極108を形成後、CVDによって層間絶縁膜109を形成する前に、対向電極108および有機パッシベーション膜107の表面に対して酸素によるプラズマアッシャーを行う。プラズマアッシャーは、特に有機膜に対して強く作用するので、有機パッシベーション膜107が露出した部分では、有機パッシベーション膜107表面が軽くエッチングされたような状態となる。このために、図1における対向電極108の端部付近のA部に示すような、オーバーハング部が形成される。
このように、本発明においては、対向電極108を形成した後、層間絶縁膜109を形成する前にプラズマアッシャー処理を行う。その後、層間絶縁膜109を低温CVDによって形成する。その後、層間絶縁膜109および無機パッシベーション膜106をエッチングすることによってスルーホール111を形成する。その後、層間絶縁膜109およびスルーホール111を覆って画素電極110となる、透明導電膜であるITOを被着し、パターニングを行う。
画素電極110はいわゆる櫛歯状の電極となっている。櫛歯状の電極と櫛歯状の電極の間はスリット112となっている。対向電極108には一定電圧が印加され、画素電極110には映像信号による電圧が印加される。画素電極110に電圧が印加されると図1に示すように、電気力線が発生して液晶分子301を回転させ、バックライトからの光の透過を制御する。画素毎にバックライトからの透過が制御されるので、画像が形成されることになる。画素電極110の上には液晶分子301を配向させるためのTFT基板側配向膜113が形成されている。
図1の例では、有機パッシベーション膜107の上に、平面ベタで形成された対向電極108が配置され、層間絶縁膜109の上に櫛歯状の画素電極110が配置されている。しかしこれとは逆に、有機パッシベーション膜107の上に平面ベタで形成された画素電極110を配置し、層間絶縁膜109の上に櫛歯状の対向電極108が配置される場合もある。本発明はこのような構成に対しても全く同様に適用することが出来る。
図1において、液晶層300を挟んで対向基板200が設置されている。対向基板200の内側には、カラーフィルタが形成されている。ブラックマトリクス202は、画像のコントラストを向上させるとともに、TFTの遮光膜としての役割を有し、TFTに光電流が流れることを防止している。
カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202を覆ってオーバーコート膜203が形成されている。カラーフィルタ201およびブラックマトリクス202の表面は凹凸となっているために、オーバーコート膜203によって表面を平らにしている。オーバーコート膜203の上には、液晶分子301の初期配向を決めるための配向膜113が形成されている。
対向基板200の外側には、外部導電膜210がITOをスパッタリングすることによって形成されている。外部導電膜210は液晶表示パネルの内部の電界を安定化させるために形成されている。
図2は、図1のTFT基板におけるスルーホール付近の拡大断面図である。図2において、ゲート絶縁膜102より下の部分、および、層間絶縁膜109より上の部分は省略されている。図2において、スルーホールの下部には、TFTからのソース電極105が延在している。ゲート絶縁膜102およびソース電極105を覆って無機パッシベーション膜106が形成され、その上に有機パッシベーション膜107が形成されている。有機パッシベーション膜107の上には、対向電極108が形成されている。
本発明では、有機パッシベーション膜107を形成後、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャーは、特に有機膜に対して強く作用するので、有機パッシベーション膜107が削れ、図2のA部に示すようなオーバーハング部が形成される。同時に、有機パッシベーション膜107の上部は削れて、対向電極108の下部よりも下方に存在することになる。このとき、有機パッシベーション膜107が垂直方向に削れる量、すなわち、図2に示すdは、10nm以上100nm以下である。この目的のプラズマアッシャーは1分程度処理すればよいので、プラズマアッシャー処理の導入によって工程時間が大幅に増加することは無い。
図3は、従来構成でのTFT基板におけるスルーホール付近の拡大断面図である。図3では、対向電極108の端部においては、オーバーハング部は形成されていない。つまり、本発明における形状的な特徴は、図2に示すように、対向電極108端部において対向電極のオーバーハング部が形成されていることである。A部で示すオーバーハング部が形成されていることによって、層間絶縁膜109と、有機パッシベーション膜107あるいは対向電極108との接触面積が増大するので、層間絶縁膜109の剥がれを防止することが出来る。
さらに、対向電極108をパターニング後、プラズマアッシャー処理を行うことによって、対向電極108に残存しているレジストを完全に除去することが出来るという効果もある。レジストが残存していると、膜剥がれの原因になる。したがって、この点においても、本発明である対向電極108形成後の、プラズマアッシャー処理の導入の効果は大きい。
図4は本発明の構成に関連するプロセスを示す工程図である。図4において、対向電極108がITOをスパッタリングすることによって形成される。その後、対向電極108にレジストを塗布し、露光、現像を行う。その後、第1のプラズマアッシャーIを行う。プラズマアッシャーIの目的は、現像した後のレジスト残りを除去することである。その後、対向電極108を、例えば蓚酸でエッチングをおこなう。なお、対向電極108がエッチングされる領域はスルーホール部およびその周辺である。エッチング後、レジスト剥離を行う。
レジスト剥離を行った後、第2のプラズマアッシャーIIを行う。第2のプラズマアッシャーIIを導入することが本発明の特徴である。第2のプラズマアッシャーIIによって、有機パッシベーション膜107の表面を削り、あるいは、対向電極108および有機パッシベーション膜107の表面を粗面とすることによって、後で形成される層間絶縁膜109との接着力を増大させる。なお、プラズマアッシャーIIの効果は、対向電極108に残存したレジストの残りを除去する効果もあり、この点からも接着力を増大させることが出来る。
このようにしてプラズマアッシャーII処理を行った後、230℃程度でTFT基板全体をベーキングする。ベーキングの目的は、ITOで形成された対向電極のアニールである。スパッタリングによって被着されたITOは非晶質であり、電気抵抗が大きいので、電気抵抗を低下させるために、アニールを行う。
このようにして、対向電極108を形成した後、層間絶縁膜109をSiNによって形成する。その後、あらかじめ形成されている有機パッシベーション膜107のスルーホール内において、層間絶縁膜109および無機パッシベーション膜106をエッチングすることによってスルーホール111を形成する。このスルーホール111を介して画素電極110とソース電極105の導通をとる。
このように、本発明によれば、対向電極108をエッチングし、レジスト剥離を行った後、短時間、プラズマアッシャー処理を行うことによって、層間絶縁膜109の膜剥がれを防止することが出来、液晶表示装置の製造歩留まりを大幅に上昇させることが出来る。
100…TFT基板、 101…ゲート電極、 102…ゲート絶縁膜、 103…半導体層、 104…ドレイン電極、 105…ソース電極、 106…無機パッシベーション膜、 107…有機パッシベーション膜、 108…対向電極、 109…層間絶縁膜、 110…画素電極、 111…スルーホール、 112…スリット、 113…配向膜、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 210…外部導電膜、 300…液晶層、 301…液晶分子。
Claims (8)
- TFTが形成されたTFT基板とカラーフィルタが形成された対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記TFTの上は有機パッシベーション膜によって覆われ、前記有機パッシベーション膜の上は平面ベタで透明導電膜による第1の電極が形成され、前記第1の電極の上には、層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には透明導電膜による櫛歯状の第2の電極が形成され、
前記第1の電極の端部において、前記有機パッシベーション膜の上部は、前記第1の電極の下部よりも下方に存在していることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1の電極の端部において、前記有機パッシベーション膜の上部は、前記第1の電極の下部よりも10nm乃至100nm下方に存在していることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- TFTが形成されたTFT基板とカラーフィルタが形成された対向電極との間に液晶層が挟持された液晶表示装置であって、
前記TFTの上は有機パッシベーション膜によって覆われ、前記有機パッシベーション膜の上は平面ベタで透明導電膜による第1の電極が形成され、前記第1の電極の上には、層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜の上には透明導電膜による櫛歯状の第2の電極が形成され、
前記第1の電極の端部において、前記第1の電極は、前記有機パッシベーション膜に対してオーバーハングしていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1の電極は対向電極であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の液晶表示装置。
- 前記第1の電極は画素電極であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の液晶表示装置。
- TFTが形成され、前記TFTが有機パッシベーション膜によって覆われたTFT基板とカラーフィルタが形成された対向電極との間に液晶層が挟持され液晶表示装置の製造方法であって、
前記有機パッシベーション膜の上に、ITOを被着し、前記ITOをパターニングすることによって、平面ベタの対向電極を形成する工程と、
前記対向電極をパターニングした後、前記TFT基板に対してプラズマアッシャー処理を行い、
その後、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の上にITOによって櫛歯状の画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - TFTが形成され、前記TFTが有機パッシベーション膜によって覆われたTFT基板とカラーフィルタが形成された対向電極との間に液晶層が挟持され液晶表示装置の製造方法であって、
前記有機パッシベーション膜の上に、ITOを被着し、前記ITOをパターニングすることによって、平面ベタの画素電極を形成する工程と、
前記画素電極をパターニングした後、前記TFT基板に対してプラズマアッシャー処理を行い、
その後、層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の上にITOによって櫛歯状の対向電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜はCVDによって形成することを特徴とする請求項6または7に記載の液晶表示装置の製造方法。
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