KR101474608B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

영상 신호선의 패터닝 시에 있어서의 영상 신호선의 단선을 방지한다.
영상 신호선(107), 드레인 전극(107), 소스 전극(107)은 같은 층이며 동시에 형성된다. 영상 신호선(107) 등은 베이스층(1071), AlSi층(1072), 캡층(1073)의 3층에 의해 형성된다. 종래는, AlSi층(1072)에 있어서, 캡층(1073)과의 경계에 에칭 레이트가 빠른 합금이 형성되어서 영상 신호선(107) 등의 패터닝 시에 단선을 발생시키고 있었다. 본 발명에서는, 영상 신호선(107) 등의 형성 시에 AlSi층(1072)을 스퍼터링에 의해 형성한 후, TFT를 대기에 노출시키고, AlSi층의 표면에 Al 산화층을 형성한 후, 캡층(1073)을 스퍼터링에 의해 형성한다. 이에 의해 AlSi층에, 에칭 레이트가 부분적으로 빨라지는 합금이 발생하는 것을 방지하여, 영상 신호선 등의 단선의 발생을 방지한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 영상 신호선의 단선을 방지할 수 있는 구성을 제공하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치에서는 화소 전극 및 박막 트랜지스터(TFT) 등이 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, TFT 기판과 대향해서, TFT 기판의 화소 전극과 대응하는 장소에 컬러 필터 등이 형성된 대향 기판이 설치되고, TFT 기판과 대향 기판의 사이에 액정이 협지되어 있다. 그리고 액정 분자에 의한 빛의 투과율을 화소마다 제어함으로써 화상을 형성하고 있다.
액정 표시 장치는 편평하며 경량이므로, TV 등의 대형 표시 장치에서부터, 휴대 전화나 DSC(Digital Still Camera) 등, 다양한 분야로 용도가 확대되고 있다. 또한, 액정 표시 장치는, 화면을 보는 각도에 따라 화상이 상이하다고 하는 시야각이 문제가 되는데, 이 시야각에 대해서는, IPS(In Plane Switching) 방식의 액정 표시 장치가 우수한 특성을 갖고 있다.
액정 표시 장치에서는, 영상 신호선이 제1 방향으로 연장되어 제2 방향으로 배열되고, 주사선이 제2 방향으로 연장되어 제1 방향으로 배열되어 있다. 영상 신호선은, 선폭을 억제하고, 또한, 전기 저항을 작게 하기 위해서, Al 합금이 사용된다. Al 합금은, 포토리소그래피 공정에 있어서의 에칭 또는 현상 공정에 있어서, 결함을 발생시키기 쉽다.
IPS 방식의 액정 표시 장치에도 여러가지가 있지만, 영상 신호선 또는 드레인 전극과 ITO(Indium Tin Oxide)로 형성된 화소 전극을 같은 층(예를 들어, 게이트 절연막) 위에 형성하고, 그 위에 층간 절연막을 형성하고, 그 위에 빗살 모양의 대향 전극을 형성하는 방식이 있다. 이 경우, ITO의 현상액에 의해 영상 신호선 또는 드레인 전극이 용해하여 결함 또는 단선을 발생시킨다는 문제가 있다.
「특허문헌 1」에는, 이러한 문제를 방지하기 위해서, ITO에 의한 화소 전극을 먼저 형성하고, 그 후, TFT의 드레인 전극 또는 영상 신호선을 형성하는 구성이 기재되어 있다. 또한, 「특허문헌 2」에는, 동일한 목적을 위해, 화소 전극을 구성하는 ITO를 2층 구조로 함으로써, ITO의 현상액에 의해 드레인 전극 또는 영상 신호선이 침범받지 않도록 하는 구성이 기재되어 있다.
일본 특허 출원 제2010-217062호 일본 특허 공개 제2011-145530호 공보
액정 표시 장치에서는, 각 화소에 대응하여 TFT가 형성되어 있다. 도 13은, 영상 신호선(107)이 종방향으로 연장되어 횡방향으로 배열되고, 주사선(105)이 횡방향으로 연장되어 종방향으로 배열되어 있고, 영상 신호선(107)과 주사선(105)으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있는 구성을 도시하는 평면도이다. 도 13에 있어서, 화소 전극은 생략되어 있다. 각 화소로의 영상 신호는, 영상 신호선(107)으로부터, 제1 스루홀(115)을 개재하여, 3개의 TFT를 통해, 제2 스루홀(116)을 개재하여 도시하지 않은 화소 전극에 공급된다.
도 13에 있어서, 주사선(105)이 TFT의 게이트 전극(105)을 겸하고 있다. 반도체층(103)은 영상 신호선(107)과 접속한 제1 스루홀(115)로부터 굴곡하고, 3회 주사선(105)(게이트 전극) 아래를 통과함으로써 3개의 톱 게이트의 TFT가 형성되어 있다.
영상 신호선(107)은 TFT에 대하여 드레인 전극(107)으로 되고, 영상 신호선(107)과 같은 층에 형성된 금속층이 소스 전극(107)으로 되어 있다. 영상 신호선, 드레인 전극, 소스 전극은 동일한 재료이고, 동시에 형성되므로, 동일한 번호(107)를 붙인다. 영상 신호선(107)은 전기 저항을 작게 하기 위해서, Al 또는 Al 합금에 의해 형성되어 있다. 여기에서는, AlSi가 사용되고 있지만, Si의 양은 1％ 정도이다. Al은 반도체층(103)으로 확산되기 쉽고, 또한 힐록을 발생시키기 쉽다.
Al이 반도체층(103)으로 확산되는 것을 방지하기 위해서, AlSi층의 하층에 MoW 등에 의한 베이스층(1071)을 형성하고, AlSi층(1072)의 상층에 MoW 등에 의한 캡층(1073)을 형성한다. 이와 같은 구성의 영상 신호선(107)에서는, 포토리소그래피에 있어서의 에칭 공정에 있어서, 도 13에 예시하는 것과 같은, 영상 신호선의 단선을 발생시킬 확률이 있음을 알았다.
도 14는, 도 13의 영상 신호선(107)의 단선 부분에 있어서의 단면도이다. 도 14에 있어서, TFT 기판(100) 위에, 제1 바탕막(101), 제2 바탕막(102), 게이트 절연막(104), 층간 절연막(106)이 형성되고, 그 위에 영상 신호선(107)이 형성되어 있는데, 영상 신호선(107)에 단선(70)이 발생하고 있다. 영상 신호선(107) 위에는, 무기 패시베이션막(108)이 형성되고, 그 위에 유기 패시베이션막(109)이 형성되고, 그 위에 상부 절연막(111), 그 위에 배향막(113)이 형성되어 있다. 도 14에 있어서, 영상 신호선(107)이 단선된 부분에는, 무기 패시베이션막(108)이 불규칙한 형태로 퇴적되어 있다.
이러한 영상 신호선(107)의 단선은 수복할 수 없으면, 그 액정 표시 장치는 불량으로 된다. 본 발명의 과제는 도 13 또는 도 14에 도시하는 것 같은, 3층 구조의 영상 신호선(107)에서의 단선을 방지하는 것이다.
본 발명은 상기 문제를 극복하는 것이며, 구체적인 수단의 주된 것은 다음과 같다. 즉, 주사선이 제1 방향으로 연장되어 제2 방향으로 배열되고, 영상 신호선이 제2 방향으로 연장되어 제1 방향으로 배열되고, 상기 주사선과 상기 영상 신호선으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있는 액정 표시 장치이며, 상기 화소는 TFT를 포함하고, 상기 TFT는, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 드레인 전극, 소스 전극을 포함하고, 상기 영상 신호선은, 베이스층, AlSi층 및 캡층을 포함하고, 상기 AlSi층에 있어서, 상기 캡층과의 경계 부분에서의 산소의 양은, 상기 AlSi층의 중앙부에서의 산소의 양의 50배 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치이다.
또한, 본 발명에 의한 제조 방법에 따른 주된 수단은, TFT 기판 위에, 주사선이 제1 방향으로 연장되어 제2 방향으로 배열되고, 영상 신호선이 제2 방향으로 연장되어 제1 방향으로 배열되고, 상기 주사선과 상기 영상 신호선으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있고, 상기 영상 신호선은, 베이스층, AlSi층 및 캡층을 포함하는 구성인 액정 표시 장치의 제조 방법이며, 상기 베이스층 및 상기 AlSi층을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 상기 TFT 기판을 진공 챔버로부터 추출하여 대기에 노출시키고, 그 후 진공 챔버 안에서 캡층을 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법이다.
본 발명에 따르면, 영상 신호선, 드레인 전극, 소스 전극 등에 있어서, 패터닝 프로세스에 관한 단선의 발생을 방지할 수 있으므로, 액정 표시 장치의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명이 적용되는 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 종래예에 있어서의 단선 발생의 메커니즘을 도시하는 단면 모식도이다.
도 3은 종래예에 있어서의 캡층을 형성한 후의 방치 시간과 영상 신호선의 단선 발생의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 종래예와 본 발명의 영상 신호선의 제조 프로세스 플로우이다.
도 5는 본 발명의 영상 신호선의 제조 프로세스의 단면도이다.
도 6은 캡층 형성 후의 방치 시간과 영상 신호선의 단선의 수를 종래예와 본 발명에 있어서 비교한 그래프이다.
도 7은 캡층의 접착 강도 시험의 모식도이다.
도 8은 캡층의 접착 강도 시험의 결과이다.
도 9는 본 발명과 종래예에 있어서의 레지스트 현상폭의 분포이다.
도 10은 본 발명과 종래예에 있어서의 영상 신호선의 패턴폭의 분포이다.
도 11은 종래예에 있어서의 영상 신호선의 SIMS에 의한 원소 분석의 결과이다.
도 12는 본 발명에 있어서의 영상 신호선의 SIMS에 의한 원소 분석의 결과이다.
도 13은 본 발명이 적용되는 화소부와 TFT의 평면도이며, 영상 신호선의 단선을 도시하는 평면도이다.
도 14는 영상 신호선의 단선의 상태를 도시하는 단면도이다.
이하에서는, 실시예에 의해 본 발명의 내용을 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명이 적용되는 액정 표시 장치에 있어서의 TFT와 화소부의 단면도이다. 도 1의 TFT는, 게이트 전극(105)이 채널부 위에 존재하는 톱 게이트의 TFT이다. 도 1에 있어서, 유리 기판(100) 위에 SiN으로 이루어지는 제1 바탕막(101) 및 SiO2으로 이루어지는 제2 바탕막(102)이 CVD에 의해 형성된다. 제1 바탕막(101) 및 제2 바탕막(102)의 역할은 유리 기판(100)으로부터의 불순물이 반도체층(103)을 오염시키는 것을 방지하는 것이다.
제2 바탕막(102) 위에는 반도체층(103)이 형성된다. 이 반도체층(103)은 제2 바탕막(102) 위에 CVD에 의해 a-Si막을 형성하고, 이것을 레이저 어닐링함으로써 poly-Si막으로 변환한 것이다. 이 poly-Si막을 포토리소그래피에 의해 패터닝한다.
반도체막(103) 위에는 게이트 절연막(104)이 형성된다. 이 게이트 절연막(104)은 TEOS(테트라에톡시실란)에 의한 SiO2막이다. 이 막도 CVD에 의해 형성된다. 그 위에 게이트 전극(105)이 형성된다. 게이트 전극(105)은 주사선(105)과 같은 층이며, 동시에 형성된다. 게이트 전극(105)은 MoW막에 의해 형성된다. 주사선(105)의 저항을 작게 할 필요가 있을 때는 Al 합금이 사용된다.
게이트 전극(105)은 포토리소그래피에 의해 패터닝되는데, 이 패터닝 시에, 이온인플랜테이션에 의해, 인 또는 붕소 등의 불순물을 poly-Si층에 도프해서 poly-Si층에 소스 S 또는 드레인 D를 형성한다. 또한, 게이트 전극(105)의 패터닝 시의 포토레지스트를 이용하여, poly-Si층의 채널층과 소스 S 또는 드레인 D의 사이에 LDD(Lightly Doped Drain)층을 형성한다.
그 후, 게이트 전극(105) 또는 주사선(105)을 덮고 층간 절연막(106)을 SiO2에 의해 형성한다. 층간 절연막(106)은 주사선(105)과 영상 신호선(107) 등을 절연하기 위해서이다. 층간 절연막(106) 위에 소스 전극(107)과 드레인 전극(107)이 형성된다. 소스 전극(107), 드레인 전극(107), 영상 신호선(107)은 같은 층이며 동시에 형성된다. 영상 신호선(107) 등은 저항을 작게 하기 위하여 AlSi 합금이 사용된다. AlSi 중의 Si의 양은 1％ 정도이다. AlSi 합금은 힐록을 발생시키거나, Al이 다른층으로 확산되거나 하므로, MoW에 의한 배리어층(1071), 및 SD 캡층(1073)에 의해 샌드위치되어 있다. 여기서, 배리어층(1071)의 두께는 예를 들어 40㎚, AlSi층(1072)의 두께는 예를 들어 250㎚, 캡층(1073)의 두께는 예를 들어 75㎚이다.
TFT의 드레인과 드레인 전극(107)을 접속하기 위해서, 게이트 절연막(104)에 제1 스루홀(115)이 형성되어 있다. 드레인 전극(107)은 영상 신호선(107)과 일체로 연결되어 있다. 또한, TFT의 소스 S와 소스 전극(107)을 접속하기 위하여 게이트 절연막(104)에 제1 스루홀(115)이 형성되어 있다.
소스 전극(107), 드레인 전극(107), 영상 신호선(107) 등을 덮고 TFT 전체를 보호하기 위해서, 무기 패시베이션막(108)을 피복한다. 무기 패시베이션막(108)은 제1 바탕막(101)과 마찬가지로 CVD에 의해 형성된다. 무기 패시베이션막(108)을 덮고 유기 패시베이션막(109)이 형성된다. 유기 패시베이션막(109)은 감광성의 아크릴 수지 등으로 형성된다. 유기 패시베이션막(109)은 평탄화막으로서의 역할을 가지고 있으므로, 두껍게 형성된다. 유기 패시베이션막(109)의 막 두께는 1 내지 4㎛인데, 대부분의 경우에는 2 내지 3㎛이다.
유기 패시베이션막(109) 위에는 투명 전극인 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 대향 전극(110)이 형성된다. 대향 전극(110)은 평면 전체로 형성된다. 대향 전극(110) 위에는, SiN에 의한 상부 절연막(111)이 형성되고, 그 위에 빗살 모양의 화소 전극(112)이 형성되어 있다. 화소 전극(112)에 TFT를 통하여 영상 신호를 공급하기 위하여 상부 절연막(111), 유기 패시베이션막(109), 무기 패시베이션막(108)에 제2 스루홀(116)이 형성되고, 소스 전극(107)과 화소 전극(112)이 접속된다. 화소 전극(112)에 영상 신호가 인가되면, 빗살 모양의 화소 전극(112)과 평면 전체로 형성된 대향 전극(110)과의 사이에 발생하는 전기력선에 의해 액정 분자가 회전하고, 액정층의 투과율이 변화하여 화상이 형성된다.
이와 같이, 유기 패시베이션막(109) 위에 평면 전체로 대향 전극(110)이 형성되고, 상부 절연막(111)을 개재하여 빗살 모양의 화소 전극(112)이 형성되는 구성을 IPS-PRO라고 부르고 있다. 또한, 도 1과는 반대로 유기 패시베이션막(109) 위에 평면 전체로 화소 전극(112)을 형성하고, 상부 절연막(111)을 끼워서 빗살 모양의 대향 전극(110)을 형성하는 구성도 IPS-PRO라고 부르고 있다.
도 1에 있어서의 드레인 전극(107)은 도 13에 도시한 바와 같이 영상 신호선(107)과 일체로 형성된다. 따라서, 영상 신호선(107)도 베이스층(1071), AlSi층(1072), 캡층(1073)에 의해 형성되어 있다. 영상 신호선(107)은 가늘고 길므로, 도 13 및 도 14에 도시한 것 같은 단선을 발생시킬 기회가 많다. 베이스층(1071), AlSi층(1072), 캡층(1073)은 순서대로 스퍼터링에 의해 형성되고, 그 후, 포토리소그래피에 의해, 각 층이 모두 동시에 패터닝된다.
영상 신호선(107)의 단선의 원인을 조사하면, 스퍼터링에 의한 캡층(1073)의 성막에서부터 포토리소그래피에 의한 패터닝까지의 시간이 길수록, 단선의 수가 증가하는 것을 알았다. 이것은, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 합금이 형성되어, 이 합금이, 에칭액에 의해 에칭되는 속도가 빠르기 때문이라고 생각된다.
도 2는 이 메커니즘을 도시하는 단면 모식도이다. 도 2A는 층간 절연막(106) 위에 베이스층(1071), AlSi층(1072), 캡층(1073)으로 이루어지는 영상 신호선(107)이 성막되어 있는 상태를 나타낸다. 도 2B는, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 합금층(1075)이 생성되어 있는 것을 나타낸다. 이 합금층(1075)은 부분적으로 두꺼워져 있다. 도 2C는, 패터닝을 위해, 레지스트(120)를 형성하고, 에칭액에 노출시킨 상태를 나타내고 있다. 도 2C에 있어서, 에칭속도가 빠른 합금층(1075)이 두껍게 형성된 부분을 가리켜, 즉, 백색 화살표 방향으로 에칭이 진행돼 가는 모습을 나타내고 있다. 도 2D는, 그 결과, 합금층(1075)이 두껍게 형성된 부분에 있어서, 에칭액에 의해 영상 신호선(107)에 단선(70)이 발생한 상태를 나타내고 있다.
도 2B 등에 나타내는 합금층(1075)은 스퍼터링에 의한 영상 신호선(107)의 성막 후, 시간이 경과 할수록 증대한다. 따라서, 스퍼터링에 의한 성막에서부터 포토리소그래피 공정까지의 방치 시간이 길수록, 단선의 비율이 커진다. 도 3은 도 2와 같은 합금층(1075)이 형성되어 있는 종래예에 있어서, 캡층(1073)을 스퍼터링한 후, 포토리소그래피까지의 방치 시간과 영상 신호선(107)의 단선 발생 수(도 3에 있어서의 D단)를 플롯한 것이다.
도 3에 있어서, 종축의 영상 신호선(107)의 단선(D단)의 수는, 마더 기판 1장당의 영상 신호선(107)의 단선의 발생수이다. 즉, 액정 표시 장치의 제조에서는, 큰 마더 기판에 다수의 액정 표시 패널을 형성하고, 이것을 다이싱 등에 의해 개개로 분리한다. 도 3에 있어서의 마더 기판은 730㎜×920㎜이며, 이 중에 200개의 액정 표시 패널이 형성된다. 즉, 예를 들어, 영상 신호선(107)의 단선 불량이 500개나 발생하면, 마더 기판에 형성되는 액정 표시 패널의 대부분이 불량으로 되어 버린다.
도 3에 있어서, 영상 신호선(107)의 단선은 50시간까지는, 거의 발생하지 않고 있다. 따라서, 종래 사양에 있어서는, 캡층(1073)의 스퍼터링 후, 포토리소그래피까지의 시간을 48시간 이내로 함으로써 영상 신호선(107)의 단선을 방지하고 있다. 이것은, 프로세스에 대한 제약이 크다는 것을 의미하고 있다.
본 발명은 캡층(1073)의 스퍼터링 후의 방치시간이 증대해도, 이러한 영상 신호선(107)의 단선이 발생하지 않는 구성을 제공하는 것이다. 본 발명의 구성을 가능하게 하는 액정 표시 패널의 제조 프로세스를 도 4에 도시한다. 도 4는 본 발명에 의한 프로세스와 종래예에 의한 프로세스를 대비하여 기재한 것이다.
우선, 도 4에 있어서의 종래예부터 설명한다. TFT 기판(100)에 있어서, 층간 절연막(106)을 형성한 후, 배리어층(1071)을 형성하기 전에 세정을 실시한다. 이것이 배리어 MoW 스퍼터 전 세정이다. 그 후, 배리어층(1071)으로 되는 MoW를 스퍼터링한다. 그 후, 이 배리어층(1071)에 대하여 Rapid Thermal Anneal(RTA)을 실시한다. RTA는 램프에 의해 순간적으로 배리어층(1071)을 어닐링하는 공정이다. RTA에 의해, 배리어층(1071)의 Al에 대한 블록 효과를 향상시킬 수 있다.
그 후 다른 스퍼터링 챔버에 있어서, AlSi층(1072)을 스퍼터링에 의해 형성하고, 계속해서 캡층(1073)인 MoW를 스퍼터링에 의해 형성한다. 그 후, Al포토리소그래피를 행하고, 습식 에칭에 의해 캡층(1073), AlSi층(1072), 베이스층(1071)을 동시에 에칭을 실시하고, 그 후, 레지스트(120)를 박리한다.
종래예에서는, AlSi층(1072)과 캡층(1073)을 연속하여 형성하고 있으므로, 이 두 층의 사이에서 합금층(1075)이 생성된다. 이 합금층(1075)의 에칭 레이트가 다른 금속에 비해 빠르므로, 단선의 원인으로 되고 있었다. 본 발명에서는, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 Al의 산화층(1074)을 형성함으로써, 합금층(1075)의 생성을 방지하는 것이다. 또한, Al의 산화층(1074)의 대부분은 AL2O3이라고 생각된다. AlSi층(1072)에 있어서의 Si의 양은 1％ 정도이기 때문이다.
도 4의 우측의 프로세스가 본 발명에 의한 프로세스 플로우이다. 본 발명이 종래예와 다른 점은, AlSi층(1072)을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 기판을 진공 챔버로부터 추출하고, AlSi층(1072)을 대기에 노출시켜서, AlSi층(1072)의 표면에 Al 산화층(1074)을 형성시키는 점이다. 이것에 의해, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 에칭 레이트가 빠른 합금층(1075)이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, Al 산화층(1074)의 에칭 레이트는 늦으므로, 에칭에 의해 단선이 발생할 확률은 매우 작다.
AlSi층(1072)을 스퍼터링한 후, 대기에 노출시키는 시간은 지극히 단시간이라도 괜찮다. 산화층(1074)은 지극히 단시간에 형성되기 때문이다. 의도적으로 대기에 노출시키는 시간을 정한다고 하면, 30초 이상으로 하면 충분하다. 또한, Al의 산화층(1074)은 일정 이상은 진행되지 않으므로, AlSi층(1072) 자체가 대기 중의 수분 등에 의해 열화되는 장시간을 제외하고는, 특별히, 상한은 필요없다.
도 6은 본 발명에 의한 영상 신호선(107), 드레인 전극(107), 소스 전극(107) 등(이후 영상 신호선)의 제조 플로우이다. 도 5에 있어서, 영상 신호선(107)이 깔려 있는 층간 절연막은 생략되어 있다. 도 5A는 종래대로, MoW에 의한 베이스층(1071), AlSi층(1072)을 형성한 상태를 나타낸다. 도 5B은 AlSi층(1072)을 형성한 후, 진공 챔버로부터 기판을 추출하고, 대기에 노출시킴으로써, AlSi층(1072)의 표면에 Al 산화층(1074)이 형성된 상태를 도시하는 단면도이다. 도 5C은, Al 산화층(1074) 위에 MoW에 의한 캡층(1073)이 형성된 상태를 나타낸다.
도 5D는 캡층(1073) 위에 패터닝을 위하여 레지스트(120)를 형성한 상태를 나타낸다. 도 5E는 이 상태에서 에칭을 실시하고, 레지스트(120)가 형성된 부분 이외의 캡층(1073), AlSi층(1072), 배리어층(1071)을 제거한 상태를 나타낸다. 도 5F는, 레지스트(120)를 제거한 상태를 나타낸다. 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따르면, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 에칭 레이트가 빠른 합금은 형성되지 않고, 그 대신에, Al 산화층(1074)이 형성되어 있으므로, 종래와 같이, 영상 신호선(107)을 에칭할 때에 발생하는 단선(70)을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명을 실제의 제품에 적용한 경우의, 영상 신호선(107)의 단선의 수를 종래예와 비교한 것이다. 종래예는, 마름모형의 플롯으로 나타내는 것처럼, 영상 신호선(107)의 단선의 수는, 50시간을 초과하면 지수함수적으로 증대한다. 한편, 네모진 플롯으로 나타내는 본 발명에서는, 영상 신호선(107)의 단선은, 시험을 한 196시간까지는 제로였다. 또한, 영상 신호선(107)의 단선(70)의 수는, 도 3과 같은, 크기가 730㎜×920㎜의 마더 기판당의 수이다. 이와 같이, 본 발명에 의한 영상 신호선(107)의 단선에 대한 효과는 매우 크다.
한편, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 Al 산화층(1074)을 형성한 것에 의한, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 접착력, 또는, 에칭폭의 편차를 평가할 필요가 있다. 도 7은 AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 접착력을 평가한 모식도이다.
도 7A는 종래예이다. 도 7A에 있어서, 층간 절연막(106) 위에 베이스층(1071), AlSi층(1072), 캡층(1073)이 형성되어 있다. 캡층(1073), AlSi층(1072), 베이스층(1071)에 커터로 흠집(20)을 내고, 캡층(1073)에 테이프(10)를 부착하여 박리 시험을 실시하였다. 도 7B은 본 발명의 구성이다. 도 7B에 있어서, 캡층(1073), Al 산화층(1074), AlSi층(1072), 베이스층(1071)에 커터로 흠집(20)을 내고, 캡층(1073)의 표면에 테이프(10)를 부착하여 박리 시험을 실시하였다. 캡층(1073)이 AlSi층(1073) 또는 Al 산화층(1074)으로부터 벗겨지면, 접착력이 불충분하다고 할 수 있다.
도 8A는, 마더 기판(30)에 있어서, 박리 시험을 행한 장소를 나타낸다. 장소는, 마더 기판(30)의 중앙과 네 귀퉁이이다. 도 8B은, 박리 시험의 결과이다. 도 8B의 좌측 칼럼에 있어서의 연속 성막이란, AlSi층(1072)과 캡층(1073)을 연속하여 형성한 것으로, 종래예이다. Ref는 레퍼런스의 의미이다. 비연속이란, 본 발명에 의한 것이며, AlSi층(1072)을 스퍼터링한 후, 진공을 깨고 AlSi층(1072)의 표면에 Al 산화층(1074)을 형성하고, 그 후 캡층(1073)을 형성한 것이다. 비연속 아래 기재되어 있는 시간은, AlSi층(1072)을 스퍼터링한 후, 캡층(1073)을 스퍼터링할 때까지의 대기 중에 있어서의 방치 시간이다. 또한, 제로시간이란, AlSi층(1072)을 대기에 노출하고 다시, 곧 진공 챔버에 복귀시켰을 경우이다.
도 8B의 행방향의 숫자는 도 8A에 있어서의 장소에 대응한다. 도 8A 및 도 8B에 도시한 바와 같이, 모두 장소에 있어서, 캡층(1073)의 박리는 발생하지 않았다. 즉, 캡층(1073)의 박리에 대해서는, 종래예와 본 발명에서는, 현저한 차이는 없었다.
도 9 및 도 10은, 본 발명의 구성에 있어서, 영상 신호선(107)의 폭의 편차를 평가한 예이다. 스퍼터링에 의해 캡층(1073)을 형성한 후, 포토 공정에 의해, 레지스트(120)를 형성한다. 레지스트폭(레지스트의 현상 치수)을 종래예와 본 발명에서 평가하였다. 도 9에 있어서, 횡축은 영상 신호선(107)의 레지스트(120)의 현상 치수이며, 종축은, 도수 분포이다. Ref는 종래예이며, AlSi층(1072)에 연속하여 캡층(1073)을 스퍼터링에 의해 형성한 예이다. 도 9에 있어서, 12h 방치, 24h 방치, 96h 방치는, 본 발명에 있어서, AlSi층(1072)을 형성 후, 캡층(1073)을 형성할 때까지의 동안, 기판을 대기 중에 노출시킨 시간이다.
도 9로부터 레지스트(120)의 현상 치수는, 종래예, 본 발명에 있어서의 방치 시간 12h, 24h, 96h 모두 현저한 차이는 없다고 할 수 있다. 도 9에 있어서, 3σ은 Ref에서 0.427로 약간 크고, 본 발명에 있어서는, 12h 방치에서 0.391, 24h 방치에서 0.390, 96h 방치에서 0.396이며, 본 발명에 있어서의 쪽이 약간 작지만, 이 정도의 차는, 생산 로트의 편차의 범위 내라고 할 수 있다.
도 10은, 에칭한 후의 영상 신호선(107)의 폭의 분포를 나타내는 것이다. 도 10에 있어서, 횡축은 Al 완성 치수 즉, 영상 신호선(107)의 치수, 종축은 도수 분포이다. 도 10에 있어서의 평가 대상은 도 9에서 설명한 것과 같다. 도 10에 있어서, 영상 신호선(107)의 치수는, 종래예보다도 본 발명에서 커졌다. 즉, 본 발명에 있어서는, AlSi층(1072)과 캡층(1073)과의 사이에 Al 산화층(1074)이 형성되어 있고, 이 Al 산화층(1074)은 에칭 속도가 느리기 때문이라 생각된다.
한편, 본 발명에 있어서, AlSi층(1072) 형성 후, 캡층(1073)을 형성할때 까지 대기에 노출시킨 시간은, 12h, 24h, 96h로 현저한 차이는 없다고 할 수 있다. 3σ은 종래예(Ref)에서 0.43, 12h 방치에서 0.517, 24h 방치에서 0.465, 96h 방치에서 0.478인데, 이 정도의 차는 생산 로트의 편차의 범위 내이다.
이와 같이, 영상 신호선(107)의 폭은, 본 발명의 구성에 있어서, 종래예의 구성보다도 커졌지만, 편차는 변화가 없다고 할 수 있다. 따라서, 에칭 레이트의 차를 고려하여 레지스트(120)의 현상 치수를 정하면, 소정의 영상 신호선 폭을 종래와 같은 편차에 의해 얻을 수 있다.
도 11은 종래 사양에 있어서의 영상 신호선(107) 및 그 상하 층의 성분을 특정하기 위한 SIMS(Secondary Mass Spectrometry)의 데이터이다. SIMS는 층의 상측의 성분으로부터 측정된다. 도 11에 있어서, 우선, 무기 패시베이션막(108)인 SiN이 관측되고, 그 후, 캡층(1073)인 MoW가 검출되며, 그 후, AlSi층(1072)이 검출되고, 그 후, 배리어층(1071)인 MoW가 검출되며, 그 후, 층간 절연막(106)인 SiO2가 검출된다. 도 11에 있어서, 실선이 산소이며, 점선이 Al이며, 일점쇄선이 Si이다.
도 12는 본 발명에 있어서의 영상 신호선(107) 및 그 상하 층의 성분을 특정하기 위한 SIMS의 데이터이다. 도 11에 있어서, 우선, 무기 패시베이션막(108)인 SiN이 관측되고, 그 후, 캡층(1073)인 MoW가 검출된다. 그 후, AlSi층(1072)이 검출되는데, 종래예인 도 11과 크게 다른 점은, AlSi층(1072)에 있어서의 캡층(1073)과의 경계에 있어서, 산소의 양이 매우 크다는 것이다. 산소의 양은, AlSi층(1072)의 중앙 부근으로 감에 따라서 작아져, 종래예와 동등해진다. 그 후, 배리어층(1071)인 MoW가 검출되고, 층간 절연막(106)인 SiO2가 검출되는 것은 도 11에 도시하는 종래예와 마찬가지이다.
본 발명의 특징은, 도 12에 있어서의 AlSi층(1072)에서의, 캡층(1073)과의 경계에 있어서의 산소의 양과, AlSi층(1072)의 중앙에 있어서의 산소의 양의 차가, 50배 이상, 보다 바람직하게는 100배 이상이라는 것이다. 한편, 종래예를 나타내는 도 11에서는, AlSi층(1072)에서의, 캡층(1073)과의 경계에 있어서의 산소의 양과, AlSi층(1072)의 중앙에 있어서의 산소의 양의 차는 10배 정도다.
이와 같이, 본 발명에서는, AlSi층(1072)에 있어서의 캡층(1073)과의 경계에 Al 산화층(1074)을 형성함으로써, 영상 신호선 등의 패터닝에 있어서, 부분적으로 에칭 레이트가 매우 빨라지는 것에 의한 단선을 방지할 수 있어, 액정 표시 패널의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
이상에서는, 본 발명을 톱 게이트의 TFT를 사용한 IPS-PRO의 구성에 대하여 설명하였다. 본 발명은 게이트 전극이 반도체층보다도 아래쪽에 존재하는 소위 보텀 게이트의 TFT를 사용한 IPS-PRO에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 「특허문헌 1」 또는 「특허문헌 2」에 기재되어 있는, 무기 패시베이션막 위에 평면 전체로 화소 전극을 형성하고, 층간 절연막 위에 빗살 모양의 대향 전극을 형성한 구성의 소위 IPS-LITE라고 부르고 있는 액정 표시 장치에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 소위 TN(Twisted Nematic) 또는 VA(Vertical Alig㎚net) 방식의 액정 표시 장치에도 적용할 수 있다. 즉, 영상 신호선, 드레인 전극, 또는 소스 전극을 베이스층, AlSi층, 캡층의 3층으로 형성하고 있는 액정 표시 장치에 사용할 수 있다.
10: 테이프
20: 커터에 의한 흠집
30: 마더 기판
50: 화소
70: 영상 신호선 단선
50: 화소
100: TFT 기판
101: 제1 바탕막
102: 제2 바탕막
103: 반도체층
104: 게이트 절연막
105: 게이트 전극
106: 층간 절연막
107: 영상 신호선, 드레인 전극, 소스 전극
108: 무기 패시베이션막
109: 유기 패시베이션막
110: 대향 전극
111: 상부 절연막
112: 화소 전극
113: 배향막
115: 제1 스루홀
115: 제2 스루홀
120: 레지스트
1071: 배리어층
1072: AlSi층
1073: 캡층
1074: Al 산화층
1075: 합금층

Claims (6)

  1. 주사선이 제1 방향으로 연장되어 제2 방향으로 배열되고, 영상 신호선이 제2 방향으로 연장되어 제1 방향으로 배열되고, 상기 주사선과 상기 영상 신호선으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있는 액정 표시 장치로서,
    상기 화소는 TFT를 포함하고, 상기 TFT는, 반도체층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 드레인 전극, 소스 전극을 포함하고,
    상기 영상 신호선은, 베이스층, AlSi층 및 캡층을 포함하고, 상기 AlSi층에 있어서, 상기 캡층과의 경계 부분에서의 산소의 양은, 상기 AlSi층의 중앙부에서의 산소의 양의 50배 이상이고, 또한, 상기 캡층에서의 상기 AlSi층과의 경계 부분의 산소의 양보다도 많은 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 AlSi층에 있어서, 상기 캡층과의 경계 부분에서의 산소의 양은, 상기 AlSi층의 중앙부에서의 산소의 양의 100배 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 TFT는 톱 게이트의 TFT인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. TFT 기판 상에, 주사선이 제1 방향으로 연장되어 제2 방향으로 배열되고, 영상 신호선이 제2 방향으로 연장되어 제1 방향으로 배열되고, 상기 주사선과 상기 영상 신호선으로 둘러싸인 영역에 화소가 형성되어 있고,
    상기 영상 신호선은, 베이스층, AlSi층 및 캡층을 포함하는 구성인 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 베이스층 및 상기 AlSi층을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 상기 TFT 기판을 진공 챔버로부터 추출하여 대기에 노출시키고, 그 후 진공 챔버 안에서 캡층을 스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 베이스층 및 상기 AlSi층을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 상기 TFT 기판을 진공 챔버로부터 추출하여 대기에 노출시키는 시간은 30초 이상인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 베이스층을 스퍼터링에 의해 형성한 후, 상기 TFT 기판을 진공 챔버로부터 추출하고, 대기에 노출시킨 후, 진공 챔버 안에서 AlSi층을 스퍼터링에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102062294B1 (ko) 2013-11-19 2020-01-06 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102188690B1 (ko) 2014-01-20 2020-12-09 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 박막트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치
TWI569456B (zh) * 2015-10-15 2017-02-01 友達光電股份有限公司 薄膜電晶體及其製造方法
CN105242468A (zh) * 2015-10-27 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 减少寄生电容的液晶显示面板以及其制作方法
CN114355686B (zh) * 2022-01-07 2023-08-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板和液晶显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110269266A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3939140B2 (ja) * 2001-12-03 2007-07-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100623247B1 (ko) * 2003-12-22 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100626007B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법
JP4485559B2 (ja) * 2007-09-26 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2010079075A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Hitachi Displays Ltd 透過型液晶表示装置
CN101752235B (zh) * 2008-12-08 2012-01-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 处理高k栅介质层的方法及形成晶体管的方法
JP2011145530A (ja) 2010-01-15 2011-07-28 Hitachi Displays Ltd 表示装置、及び、表示装置の製造方法
JP2012073341A (ja) 2010-09-28 2012-04-12 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110269266A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

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